【課題】低コストで広帯域の読出方式の、磁壁で区切られた磁区毎に情報が記録された磁
性配線を有する磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁区、及び前記磁区を仕切る磁壁を有する第１磁性細線と、前記第１磁性細
線の両端部に配置される電流導入用電極と、前記第１磁性配線に隣接して設けられる書き
込み部と、前記第１磁性配線に交差するように設けられる第２磁性細線と、前記第２磁性
配線の一端部に設けられるスピン波発生部と、前記第２磁性配線の他端部に設けられるス
ピン波検出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】実施形態による、磁壁制御が容易な磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】磁気メモリ素子１００は、第１方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線２０と、前記磁性細線２０に対して前記第１の方向又は前記第１の方向と逆方向に通電可能な一対の第１の電極３０と、前記第１の方向に直交する第２の方向において、前記磁性細線２０上に設けられた第１の絶縁層４０と、前記第２の方向であって前記第１の絶縁層４０上に離間して設けられた複数の第２の電極５０と、複数の前記第２の電極５０と電気的に接続された第３の電極６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高密度化が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体を備えた磁気記憶素子が提供される。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、膜面に対して垂直成分を有する第１の方向に磁化が固定された第１強磁性層と、磁化の方向が膜面垂直な方向に可変である第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間の第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層方向に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、磁化の方向が膜面平行な方向に可変である第３強磁性層と、膜面に対して垂直成分を有する第２の方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間の２非磁性層と、を含む。積層方向を法線とする平面で切断したとき、第３強磁性層の断面積は前記第１積層部よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】出力値を変化させる不揮発性抵抗変化素子の状態を、出力動作を止めることなく変化させることができる集積回路を提供する。
【解決手段】不揮発性抵抗変化素子（１０）の抵抗を変化させるための書き込み端子（１１）と、該抵抗を読み出すための読み出し端子（１２）とを別々に有し、電気的にカップリングしていない該書き込み端子と読み出し端子とを用いて書き込み動作と読み出し動作を同時にできる不揮発性抵抗変化素子を有する回路を含む集積回路（５０）である。該回路には該不揮発性抵抗変化素子の抵抗値に応じた出力値を出力する出力端子（２２）と、該抵抗値を変化させる入力端子（１１）を少なくとも有する。該出力端子からの出力の一部を、該入力端子に帰還させることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の強磁性体膜が強い垂直磁気異方性を有する磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁気メモリは、強磁性体の下地層５１と、下地層５１上にの第１非磁性５２と、第１非磁性５２上の垂直磁気異方性を有する強磁性体のデータ記憶層５３と、第２非磁性層２０を介してデータ記憶層５３に接続された参照層３０と、下地層５１の下側に接した第１、第２磁化固定層４１ａ、４１ｂとを具備する。データ記憶層５３は、反転可能な磁化を有し参照層３０とオーバーラップする磁化自由領域１３と、磁化自由領域１３の端に接続され、第１磁化固定層４１ａに＋ｚ方向に磁化固定された第１磁化固定領域１１ａと、磁化自由領域１３の他の端に接続され、第２磁化固定層４１ｂに−ｚ方向に磁化固定された第２磁化固定領域１１ｂとを備える。磁化自由領域１３下の第１非磁性５２は、第１、第２磁化固定領域１１ａ、１１ｂ下の第１非磁性５２よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】安定した動作が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２積層部を含む磁気記憶素子が提供される。第１積層部は、第１強磁性層／第１非磁性層／第２強磁性層を含む。第１強磁性層の磁化は面直に固定され、第２強磁性層の磁化方向は面直に可変である。第２積層部は、第３強磁性層／第２非磁性層／第４強磁性層を含む。第３強磁性層の磁化方向は面内方向に可変であり、第４強磁性層の磁化は面直に固定されている。第３強磁性層の位置での第１、第２、第４強磁性層からの漏れ磁界Ｈｓ、第３強磁性層の磁気異方性Ｋｕ、ダンピング定数α、磁化Ｍｓ及び反磁界係数Ｎｚは、Ｋｕ≦αＭｓ（８πＮｚＭｓ−Ｈｓ）を満たす。電流によりスピン偏極した電子と、第３強磁性層で発生する回転磁界と、を第２強磁性層に作用させ、第２強磁性層の磁化方向を決定できる。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動型ＭＲＡＭのメモリセルの面積を低減する。
【解決手段】メモリセル２００−１が、固定層１１と磁気記録層２１とリファレンス層４１とトンネルバリア膜３１とＭＯＳトランジスタ５１とを備えており、メモリセル２００−２が、固定層１３と磁気記録層２２とリファレンス層４２とトンネルバリア膜３２とＭＯＳトランジスタ５２とを備えている。固定層１１、１３は、第１方向に固定された磁化を有している。第１方向と反対の第２方向に固定された磁化を有する固定層１２が磁気記録層２１、２２に接合されている。固定層１２と共通ビット線ＣＢＬとが、それらの間の電気的接続が分離不能であるように接続される。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動型ＭＲＡＭのメモリセルの面積を小さくする。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリが、メモリセルＣ１〜Ｃ３が形成されたメモリセルライン１と、書き込みビット線１２−１〜１２−４とを具備する。メモリセルライン１は、磁気記録層４と、磁化固定層３−１〜３−４と、リファレンス層６−１〜６−３と、スペーサ層５−１〜５−３と、ｎＭＯＳトランジスタ２−１〜２−４とを備えている。スペーサ層５−ｉとリファレンス層６−ｉとは、磁化固定層３−ｉと磁化固定層３−（ｉ＋１）の間に位置している。磁化固定層３−１、３−３と、磁化固定層３−２、３−４は、互いに逆の方向に固定された磁化を有している。リファレンス層６−１〜６−３も、固定された磁化を有している。ｎＭＯＳトランジスタ２−ｉは、書き込みビット線１２−ｉと磁化固定層３−ｉの間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高速な読み出し動作に適しながらメモリセルの面積を低減することができる磁壁移動型の磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】メモリセル１０が、磁気記録層２と、固定層１１、１２と、磁気記録層２に対向するように設けられたリファレンス層４１、４２、４３と、トンネルバリア膜３１、３２、３３とを備えている。固定層１１は上方向に固定された磁化を有し、固定層１２は、下方向に固定された磁化を有している。リファレンス層４１、４２、４３は、上方向に固定された磁化を有している。リファレンス層４１、４２、４３及びトンネルバリア膜３１、３２、３３は、固定層１１、１２の間の位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動が可能となる閾値電流密度を、従来技術であるスピントルクを利用して電流で磁壁移動を行った場合と比較して低減する磁壁移動型の磁気記録素子構造及び閾値電流密度を低減化させる磁気記録方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁壁移動型の磁気記録素子は、金属層／磁性層／非伝導層の３層膜から構成される実効磁場発生構造を持ち、前記磁性層に電流を流したときに発生する実効磁場とスピントルクを用いて前記磁性層中の磁壁の位置を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリの読み出しマージンを増大させる。
【解決手段】メモリセル２００は、磁気記録層２と、磁気記録層２に接合された固定層１１、１２と、磁気記録層２に対向するように設けられたリファレンス層４１、４２と、リファレンス層４１、４２と磁気記録層２との間にそれぞれに挿入されたトンネルバリア膜３１、３２とを備えている。固定層１１、１２は、互いに逆の方向に固定された磁化を有している。リファレンス層４１、４２とトンネルバリア膜３１、３２とは、固定層１１、１２の間の位置に設けられている。リファレンス層４１、４２は、互いに逆の方向に固定された磁化を有している。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の微細化に伴って増大する漏洩磁界をキャンセルする。
【解決手段】実施形態に係わる磁気抵抗素子は、垂直及び可変の磁化を持つ記憶層２と、垂直及び不変の磁化を持つ参照層４と、垂直、不変及び参照層３の磁化に対して逆向きの磁化を持つシフト調整層６と、記憶層２及び参照層４間の第１の非磁性層３と、参照層４及びシフト調整層６間の第２の非磁性層５とを備える。参照層４の反転磁界は、記憶層２の反転磁界と同じ又はそれよりも小さく、参照層４の磁気緩和定数は、記憶層２の磁気緩和定数よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化素子の動作モデルを高精度に実現し、シミュレーション時間のオーバヘッドを少なくすることのできる、抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法を提供する。
【解決手段】本発明の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法は、ＭＴＪ素子等の抵抗変化素子に供給される書込み電流（あるいは電圧）を任意の時間刻み毎に計測し、上記書込み電流（電圧）によって時間刻み毎に変化する時定数を定義し、その時定数を用いて抵抗変化素子の抵抗値が変化するのに要する時間（書き込み時間）を計算する回路シミュレータの計算アルゴリズムを用いて抵抗変化素子の動作をシミュレーションする。 （もっと読む）

【課題】高速読み出しが可能なＭＲＡＭを得る。
【解決手段】行列に並べられたメモリセルを備えるメモリセルアレイと、センスアンプ回路２６とを具備し、メモリセルのそれぞれは、データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子を備え、メモリセルアレイには、ｎ個（ｎ≧２）のメモリセル毎に設けられ、磁気抵抗素子に電流が流されることによって生成される電位を増幅する複数の増幅回路３０が配置され、複数の増幅回路のうち、入力されるアドレスに対応して選択されるメモリセルと接続される増幅回路が選択され、センスアンプ回路は、選択された増幅回路の出力に応答して、磁気抵抗素子に記憶された前記データを識別する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭの下層強誘電体層と上層強誘電体層がショートしているか否かを検査することができる。
【解決手段】ＴＥＧ素子１００は、テスト用下層強誘電体層１１２、テスト用トンネル絶縁膜１１４、及びテスト用上層強誘電体層１１６を有している。テスト用下層強誘電体層１１２は、下層強誘電体層４２と同一層に位置し、下層強誘電体層４２と同一材料により形成されており、第１テスト用パッド１２０に接続している。テスト用トンネル絶縁膜１１４は、トンネル絶縁膜４４と同一層に位置し、トンネル絶縁膜４４と同一材料により形成されている。テスト用上層強誘電体層１１６は、上層強誘電体層４６と同一層に位置し、上層強誘電体層４６と同一材料により形成されており、第２テスト用パッド１３０に接続している。 （もっと読む）

【課題】磁性体中の磁壁を安定して移動させる磁気記憶素子、および磁壁移動方法を提供する。
【解決手段】実施形態による磁気記憶素子は、第１電極１１と、第２電極１２と、前記第１電極１１と前記第２電極１２との間に設けられ、複数の第１磁性層１４１および、この第１磁性層１４１の間に設けられ、第１磁性層１４１とは構成元素の組成が異なる第２磁性層１４２を含む積層構造と、前記第１電極１１の前記積層構造側の面の反対の面に設けられる圧電体１５と、前記圧電体１５の前記第１電極１１が設けられる位置と異なる位置に設けられ、前記圧電体１５に電圧を印加する第３電極１３を有する。 （もっと読む）

【課題】書込み電流の範囲を広くすることができるとともに書込み電流を低減することができる磁気抵抗素子および磁気メモリを提供する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、磁化が可変の第１強磁性層と、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、磁化が不変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、第２強磁性層に対して第１非磁性層と反対側に設けられ、それぞれが異なる発振周波数の回転磁界を発振する強磁性体の複数の発振体を有し、各発振体が膜面に平行な磁化を有する、第３強磁性層と、を備え、第３強磁性層と、第１強磁性層との間に電流を流すことにより、スピン偏極した電子を第１強磁性層に作用させるとともに、第３強磁性層の複数の発振体に作用させて前記発振体の磁化に歳差運動を誘起し、歳差運動によって生じた複数の回転周波数を有し第１強磁性層の磁化反転をアシストする回転磁界が第１強磁性層に印加される。 （もっと読む）

【課題】磁壁が静止した状態から移動状態に遷移させるために必要な電流密度を低減化することができるとともに、磁壁の移動を安定に行うことができる磁気記憶素子、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。
【解決手段】本実施形態の磁気記憶素子は、第１方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線と、前記磁性細線に前記第１方向の電流および前記第１方向と逆方向の電流を流すことが可能な電極と、電気的な入力を受け、前記磁性細線の全体または一部の領域の磁壁の移動をアシストするアシスト部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ロジック混載ＭＲＡＭにおいて、ＬＳＩの多層配線形成プロセスがＭＲＡＭの特性変動を引き起こす不都合、また、ＭＲＡＭの形成プロセスが多層配線の特性変動を引き起こす不都合を軽減すること。
【解決手段】多層配線層に含まれる配線層Ａの中に、配線層Ｂに形成された第１の配線１０４ｂに接し、互いに絶縁している少なくとも２つの第１の磁化固定層５０ａ及び５０ｂと、２つの第１の磁化固定層５０ａ及び５０ｂと平面視で重なり、かつ、第１の磁化固定層５０ａ及び５０ｂと接続している磁化自由層１０と、磁化自由層１０の上に位置する非磁性層４０と、非磁性層４０の上に位置する第２の磁化固定層１０４ａと、を有するＭＲＡＭが形成されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】データ記憶層が強い垂直磁気異方性を有し、かつ、データ記憶層とその下方に設けられた磁化固定層との間の磁気的結合が強い磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁気メモリが、垂直磁気異方性を有し、磁化方向が固定された磁化固定層５０ａ、５０ｂと、層間絶縁層６０と、磁化固定層５０ａ、５０ｂと層間絶縁層６０の上面に形成された下地層４０と、下地層４０の上面に形成された、垂直磁気異方性を有するデータ記憶層１０とを備えている。下地層４０は、磁性材料で形成された第１磁性下地層４１と、第１磁性下地層４１の上に形成された非磁性下地層４２とを備えている。第１磁性下地層４１の膜厚は、層間絶縁層６０の上において第１磁性下地層４１が面内磁気異方性を発現しないように調節されている。 （もっと読む）