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フラッシュメモリメディアにおけるデータ管理方法を提供する。この方法は、複数のブロックを2以上のセクションに分割し、各セクションにおいてブロックの論理アドレスをスキャンすることによって、セクション・アドレス・マッピングテーブルを生成し、マッピングテーブルを各セクションのバックアップブロックに格納し、マッピングテーブルを読むことによってリード/ライトのオペレーションを実行し、RAMに格納したマッピングテーブルにもとづいて物理アドレスと論理アドレス間の変換を実行する。マッピングテーブルが各セクションのバックアップブロックに格納されるため、リード/ライトのオペレーションが実行され、次のセクションに対するマッピングテーブルに切り替える必要があるときでも、次のセクションのバックアップブロックに格納されたマッピングテーブルに基づいて、次のセクションに格納されたデータを読み出すことができる。 (もっと読む)


【課題】 例えば落とした後に車等により踏まれることで物理的に破壊されてしまう事態になった場合であっても、重要なデータを出来る限り残しておくことを可能とする。
【解決手段】
フラッシュROM37は、少なくとも製造者若しくは販売者により供給されたプログラムコード等が保存されている不揮発性メモリである。HDD42は、ユーザの重要データが保存されている不揮発性メモリである。制御部30は、加速度センサ45の出力により、例えば端末が落とされたことを検出し、その後、操作部34等からユーザの操作入力が一定時間無かったときには、ユーザが端末を落としたことに気付かず放置されているため、車等に踏まれて重要データが消失してしまう可能性が高くなったと判断し、フラッシュROM37のプログラムコードを消去して空き領域を確保し、その空き領域にHDD42の重要データをバックアップする。 (もっと読む)


【課題】 データをそのタイムスタンプ情報と共に記録媒体に記録し、その後、そのデータを添付ファイルにしてメイルで送る場合であっても、受信後のデータに対応するタイムスタンプ情報が消失されずに保持させることを目的とする。
【解決手段】 データ記録装置1において、記録手段が、記録すべきデータに加えて、当該記録すべきデータに係るファイルに対応付けられるファイルネームにデータが記録される際にクロック手段が生成するタイムスタンプ情報を記録するように、制御手段6が制御を行うように構成した。 (もっと読む)


メモリの中間論理アドレスまたは仮想アドレス空間を利用しないで、各ファイルの一意の識別名とファイル内のデータのオフセットとを用いて、大容量消去ブロックのフラッシュメモリシステムに、直接ホストシステムのデータファイルの書き込みを行う。メモリのどこにファイルを記憶してあるかについてのディレクトリ情報を、ホストではなく、メモリシステムのコントローラにより、メモリシステム内に保持する。メモリブロックの種類を選択して、ファイルのデータの書き込みがすでに行われたブロックの種類に依存する、ファイルの追加データを受け取る。有効なデータ量が最も少ないものから開始するようにブロックを選択する処理により、データを含んでいるブロックを選択して、そこから使われていない容量を解放する。
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不揮発性大容量記憶装置からデータを読み出す方法およびシステムが提供される。その方法は、不揮発性大容量記憶装置のために論理構成を行うステップを含み、ここで、ファイルデータは、仮想論理アドレス空間中の割当アドレスであり、仮想論理アドレスによって特定されたデータは、ホストシステムによって読み出される。そのシステムは、ファイルバイファイル形式でデータを読み出しおよび書き込んで、ホストシステムがファイルインターフェイスフォーマットを使用して不揮発性大容量記憶装置からデータにアクセスすることを可能にするファイル記憶セグメントと、ホストシステムが論理アドレッシングを使用してデータにアクセスすることを可能にする論理インターフェイスセグメントと、を含み、ホストシステムは、ファイルバイファイル形式でデータが記憶される記憶フォーマットを認識しない。
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ホストシステムとデータ記憶システムとの間でデータを転送するためのシステムおよび方法を提供する。システムは、ファイルベースのプロトコルを使用して、データ記憶システムとホストシステムとの間でデータを転送するインターフェイスを含み、データ記憶システムは、第1の大容量記憶装置および第2の大容量記憶装置を含み、第1の大容量記憶装置は、固体の不揮発性メモリ素子であり、第2の大容量記憶装置は、非固体のメモリ素子である。第1の大容量記憶装置は、ファイルバイファイル形式でデータを記憶する1次記憶装置として作動するフラッシュメモリ装置である。第2の大容量記憶装置は、2次記憶装置として作動し、論理インターフェイスを介して受信されるデータを記憶する磁気ディスクドライブである。
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【課題】 EEPROM等の不揮発性メモリへのデータの書込回数を効率的に減少させ、寿命を延長させる。
【解決手段】 メモリ制御装置1の制御部11は、不揮発性メモリ2に書き込むべきデータを揮発性メモリ12のデータ領域に一旦書き込む。このとき制御部11は、書き込んだデータを示すIDを揮発性メモリ12のID領域に書き込む。不揮発性メモリ2にデータを書き込むとき、制御部11は、ID領域に登録されたIDに基づいて、データ領域に書き込まれたデータから同一のブロックに書き込まれるデータを特定し、このとき特定されたデータを不揮発性メモリ2に一括して書き込む。 (もっと読む)


非XIPフラッシュメモリに格納される持続性ファイルは、電子デバイスの動作の間にアクセスされる。デバイス上でのアプリケーションコードの実行の間に、持続性ファイルは、ルックアップテーブルのようなアクセスディレクトリを使用してアクセスされる。アクセスディレクトリは、デバイスのプロセッサ上で走るアプリケーションまたは他のソフトウェアのコードが、非XIPフラッシュメモリデバイスの中の持続性ファイルを位置決めし、それにアクセスすることを可能にする情報を提供し、その場合、非XIPフラッシュメモリデバイスは不良ブロックを含み得る。アクセスディレクトリの作成の間、デバイス内の不良ブロックのロケーションが識別され記録される。
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【課題】データ格納媒体としてライトワンス型メモリを用いても、複数回書き込みが可能なメモリを用いたメモリ装置との間で互換性を可能とする。
【解決手段】データをビット単位で1回だけ書き込み可能な記録媒体であって、ファイルの実体データが記録される実体データ記録領域と、記録されているファイルの管理データ及び実体データの更新データが記録される予備領域を有する記録媒体を備え、予備領域には、管理データが、実体データ記録領域のデータ記録方向とは逆方向に記録されていく。 (もっと読む)


【課題】ファイルシステムを回復するためにトランザクションファイルを好適に使用できるコンピュータシステムを提供する。
【解決手段】コンピュータシステム(10)に含まれるファイルシステムソフトウェア(47)は、ファイルデータ、および、固定データ記憶装置(30)に格納されるファイルのシステム構造を管理し、フラッシュ様媒体に格納されたトランザクションファイル(220)を維持する。トランザクションファイルは、それぞれが論理ヘッダセクションおよび論理データセクションを含む、複数のトランザクションレコードを含む。それぞれのトランザクションレコードの論理ヘッダセクションは、フラッシュ様媒体の同一のブロック内において、二つ以上の隣接するメモリページのスペアメモリ領域に対応し、一方で、それぞれのトランザクションレコードの論理データセクションは、二つ以上の隣接するメモリページのデータメモリ領域に対応する。 (もっと読む)


【課題】追記型領域で記憶しているデータの消失を防ぐ。
【解決手段】本発明は、ブロックごとにデータを消去する不揮発性メモリを記憶媒体とするストレージ装置において、前記ストレージ装置の記憶領域は、記憶しているデータを消去できる書換型領域と記憶しているデータを消去できない追記型領域とを含み、前記ブロックは、当該ブロックの属性を示す書込制御情報をそれぞれ記憶し、前記書込制御情報に基づいて、前記書換型領域に属するブロックを判定し、前記判定した書換型領域に属するブロックに対してのみ、ウエアレベリング処理及びリクラメーション処理を行うこと特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 起動プログラムが実行できないことにより装置を起動できなくなる事態を回避可能なフラッシュメモリの制御方法、メモリコントローラ及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】 ホストシステムの起動時に、前記ホストシステムの起動プログラムとそのバックアッププログラムとを記憶すべきフラッシュメモリに、起動プログラムが格納されているか否かを判定する。起動プログラムが格納されている場合には起動プログラムを、格納されていない場合には、バックアッププログラムを読み出す。そして、読み出された起動プログラム又はバックアッププログラムを、ホストシステムに供給する。 (もっと読む)


【課題】リード/ライトの高速化が図れるメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステムは、強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリ14と、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリ13−1,…,13−nと、上記強誘電体メモリとフラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路15と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有する。フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、強誘電体メモリにはデータを記憶するためのルート情報、ディレクトリ情報、データのファイル名称、データのファイルサイズ、データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル情報、及びデータの書き込み終了時間の少なくとも一つを記憶する。 (もっと読む)


【課題】 ブロックサイズよりも小さなクラスタサイズでフォーマットされた半導体記録メディアにおいて、フラグメンテーション化が進んだ場合の書き込み速度を向上させる。
【解決手段】 クラスタ情報取得手段102は、装着された半導体記録メディア110のブロックサイズ情報とボリューム管理情報より、書き込み対象となるクラスタを含む同一ブロック内の別の空きクラスタの存否を判断し、空きクラスタが存在すれば、制御手段105は、対象となるブロック内の全データをデータ格納手段104に読み込み、以降のデータ書き込みをデータ格納手段104上の空きクラスタ領域に対して行い、データ格納手段104の空きクラスタ領域が無くなった時点で、データ格納手段104のデータを半導体記録メディア110に書き戻す。 (もっと読む)


【課題】一つの例では、論理的にアドレス指定可能なメモリ部分が、本来の実メモリの倍数に等しい有効耐久度を持つように構成する。
【解決手段】不揮発性メモリの少なくとも一部分を、要求有効耐久度を提供するように構成するための、不揮発性メモリ・デバイス、システム、方法、そしてコンピュータで読み込み可能なコードを開示する。いくつかの実施例によれば、不揮発性メモリの少なくとも一部分に対して、実メモリの量を決定して割り当てる。いくつかの実施例によれば、構成実メモリの所定量に対して、より大きな有効耐久度を要求することは、論理的にアドレス指定可能なメモリの減量となる。いくつかの実施例によれば、論理的にアドレス指定可能なメモリの所定量に対して、より大きな有効耐久度を要求することは、実メモリの量を増加させる構成となる。いくつかの実施例においては、コントローラが、不揮発性メモリの少なくとも一部分を構成するように作動可能である。択一的に、あるいは追加的に、不揮発性メモリ・デバイスに接続したホスト・デバイス上には、ドライバ・コードが存在する。オプションとして、要求耐久度の値は、不揮発性メモリ・デバイスへ発せられるコマンドで指定する。いくつかの実施例によれば、コマンドは、不揮発性メモリ・デバイスの製造時に、および/あるいは実行時に発せられてもよい。構成可能な、模範的な不揮発性メモリは、限定せずに、NANDフラッシュメモリ、NORフラッシュメモリおよびEEPROMメモリを含む。 (もっと読む)


【課題】 不揮発性メモリの書き込み途上における電源遮断による異常を容易に外部に知らせる。
【解決手段】 不揮発性メモリを制御するコントローラは、外部から与えられた論理アドレスに対応する物理アドレスが割り当てられていないとき、当該論理アドレスに対応する第1の物理アドレスの割り当てを行なう。そして第1の物理アドレスの初期化済み単位メモリ領域(BLK0)に論理アドレス情報(LA0)とその世代情報(GR0)を格納する。この後コントローラは、当該論理アドレスに対応する第2の物理アドレスの割り当てを行ない、第2の物理アドレスの初期化済み単位メモリ領域(BLK1)に論理アドレス情報(LA0)と一世代更新したその世代情報(GR1)とデータ情報(DAT0)を書き込む。書き込み途中での電源遮断により異常のある論理アドレスに対する読出しを行なったとき、読出しデータが全て初期状態とされることによって異常を検出させる。 (もっと読む)


【課題】 書換え回数を格納するための格納領域が予め設定されていなくても、フラッシュメモリの劣化を監視することが可能な情報処理装置および寿命監視方法を提供する。
【解決手段】 判断部102bは、累計書換え回数管理テーブル22bがフラッシュメモリ22に存在するか否かを判断する。累計書換え回数管理テーブル22bがフラッシュメモリ22に存在しない場合、作成部102cは、累計書換え回数管理テーブル22bをフラッシュメモリ22に作成し、記録部102eは、その作成された累計書換え回数管理テーブル22bに累計書換え回数を記録する。監視部102fは、ストレージ装置2の寿命を、累計書換え回数管理テーブル22bに記録された累計書換え回数と、フラッシュメモリに記録された書換え回数制限値とに基づいて監視する。 (もっと読む)


【課題】
フラッシュメモリのデータ書き換えに要する時間を短縮すると共に、フラッシュメモリの書き換えエリア、すなわち電気的消去処理を行うエリアを制御し、フラッシュメモリの劣化を最低限のエリアとすることにより、フラッシュメモリの寿命を延ばすことができるフラッシュメモリ制御方法及び制御装置を提供する。
【解決手段】
フラッシュメモリのメモリブロックをフラッシュメモリ分割設定手段により複数のデータブロックに分割し、分割されたデータブロック単位でデータの読み出し、書き込みを制御する。 (もっと読む)


【課題】フラッシュデータ構造の完全性を損なわずに、フラッシュメモリシステムの迅速なスリープ解除を常に保証できる方法を得る。
【解決手段】フラッシュメモリシステムのイベントに従ってフラッシュデータ構造を維持するための方法、システムおよびコンピュータ可読コードが開示される。少なくとも1つのフラッシュ管理テーブルおよびイベントログの両方が、フラッシュメモリに維持される。少なくとも1つの時点に関し、最近格納されたフラッシュメモリテーブルが、フラッシュメモリシステムの以前の状態を示し、一方で、以前の状態より最近の少なくとも1つのイベントが、イベントログに格納される。電源投入時に、フラッシュ管理テーブルは、フラッシュメモリから検索される。フラッシュメモリテーブルの最近のイベントが、イベントログの最近のイベントより以前の場合には、フラッシュメモリテーブルを更新するために、イベントがイベントログから検索される。場合により、更新されたフラッシュメモリテーブルは、フラッシュメモリに保存される。 (もっと読む)


【課題】 効率的に記録媒体にアクセスを行う。
【解決手段】 記録トラックが中心部から外周側に向かって同心円状に複数形成されてなる記録媒体20と、所定サイズの複数のエリアからなるデータエリアと、所定の管理情報が格納されてなる管理情報エリアを有する不揮発性記憶媒体26と、記録媒体20の一の記録トラックから他の記録トラックへ書き込み先の移動が生じた場合に、移動中には、データエリアにデータの書き込みを行い、移動が完了した際には、他の記録トラックにデータの書き込みを行うように、記録媒体20の各セクタ及び不揮発性記憶媒体26の各エリアに論理セクタ番号を割り当てる割当部27と、割当部27により割り当てられる論理セクタ番号に基づき、記録媒体20又は不揮発性記憶媒体26にアクセスするアクセス部とを備える。 (もっと読む)


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