【課題】NAND型フラッシュメモリの転送速度と長寿命化を両立させる。
【解決手段】NAND型フラッシュメモリの１つのパーティションに、プログラムコードのみを格納しておく。他のパーティションに、プログラムコード以外の各種データのみを格納しておく。適当なタイミングにおいてプログラムコードをパーティション単位で他のパーティションに移動させる。例えば、主電源ON時や省エネモード移行時やタイマー割込み時や移動指示操作入力時を、移動タイミングとする。あるいは、プログラムコード量に対する各種データの量の比率と、各種データの更新回数とに基づいて、プログラムコードの移動タイミングを決める。 （もっと読む）

【課題】高速にページをスワップアウトでき、少ないメモリ容量で多くのアプリケーションを的確に使用することができる記憶装置およびコンピュータシステム、並びに記憶装置の管理方法を提供する。
【解決手段】コンピュータシステム１０は、ファイルをフラッシュメモリデバイス１７の仮想的なページアドレスたる論理ページアドレス上の特定アドレス範囲内に仮想的に格納する機能と、ファイルが常に消去ブロックの下詰の未使用ページに書き込みがなされるように、フラッシュメモリデバイス１７の物理ページアドレスを発生させる機能と、物理ページアドレスに従ってフラッシュメモリデバイス１７にファイルを格納するとともに、この論理ページアドレスと物理ページアドレスとの対応をルックアップテーブルに記録する機能と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ホスト装置から削除されたファイルデータをデータ格納装置から物理的に削除するまでに要求される時間を短縮する処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】ホストデータ処理装置の動作方法は、書き込み動作の前に消去動作が行われ、少なくとも一つのファイルを格納するメモリ装置を含む外部データ格納装置にファイル削除命令を伝送することを特徴とする。本発明によると、ホスト装置から削除されたファイルデータがデータ格納装置から物理的に削除されるまでに要求される時間が短縮される。 （もっと読む）

【課題】データストレ−ジを管理するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明に従うデータストレ−ジを管理するための方法は、ファイルの内容を特性化させる受信された特性化情報に基づいて受信されたファイルを格納するための複数のメモリ部分を決定する方法が含まれる。例えば、複数のメモリ部分のうちに少なくとも２つは、同一のメモリである。他の実施の形態において、複数のメモリ部分のうちに少なくとも２つは、相異なるメモリである。受信された特性化情報は、ファイルの名前、前ファイルのファイル名前拡張子、ファイルの種類、及びファイルを表しているシンボリック情報の中の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】メモリの性能を高めることができるデータ処理システムおよびその動作方法を提供する。
【解決手段】ここに開示されるデータ処理システムの動作方法は、データ格納装置においてデータ操作を行うために使用される読み出し／書き込み動作単位のサイズを取得する段階と、メモリ割り当てファイルシステム単位のサイズを前記読み出し／書き込み動作単位のサイズの倍数に設定する段階５１５と、メモリ割り当てファイルシステム単位の開始アドレスを前記データ格納装置において使用される読み出し／書き込み動作単位の開始アドレスに設定する段階５２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ用のファイルシステムの無駄なデータ書き換えを減らして、動作速度を向上し、フラッシュメモリの寿命を延ばす。
【解決手段】ガーベジコレクションの際に変更不要なノードのうち、フラッシュメモリ先頭にあるガーベジコレクション処理の対象にならない部分を含めないように、headポインタとtailポインタの指すアドレスがフラッシュメモリの末尾に達した場合にフラッシュメモリの先頭アドレスに最も近い変更必要なノードのアドレスへと復帰する。 （もっと読む）

【課題】 NAND型フラッシュメモリのエラーブロックの代替え処理には時間がかかり、このフラッシュメモリが記憶するデータを高速に読み出す場合の妨げになる。
【解決手段】 読み出したデータにエラーがあった場合、このデータと共に記憶された冗長データを用いて訂正し、この訂正データとこのデータが記憶されていたブロックを特定する情報とを含むエラー訂正情報を出力する。後に起動された第２のアプリケーションは、フラッシュメモリの使用可能な未使用のブロックにこのエラー訂正情報に含まれる訂正データを書き込むと共に、このエラーブロックをこの未使用のブロックに置き換える。 （もっと読む）

フラッシュドライブのＩ／Ｏ操作をフィルタリングするコンピュータ実装方法では、フラッシュドライブに向けて送られるＩ／Ｏ要求を受け取る。Ｉ／Ｏ要求が、大量書き込み操作に関連付けられているかどうかが判定される。Ｉ／Ｏ要求が、大量書き込み操作に関連付けられている場合、実行すべきフラッシュドライブＩ／Ｏ管理アクションが選択される。Ｉ／Ｏ要求が、大量書き込み操作に関連付けられていない場合、Ｉ／Ｏ要求は、フラッシュドライブに転送される。
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【課題】不揮発性メモリにおける特定の記憶領域にアクセスが集中しないようにすることによって、メモリ破壊が起きるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】アクセスの対象となるデータを記憶している記憶領域のアクセス回数を確認し、当該記憶領域のアクセス回数が上限値以上であると判定した場合（Ｓ２０：ＮＯ）、当該記憶領域とデータを入れ替える対象となる記憶領域を選択する（Ｓ５０）。つぎに、当該記憶領域とＳ５０の処理で選択された入替対象の記憶領域との間で互いにデータを入れ替える（Ｓ６０）。そして、不揮発性メモリ２３に格納されている上述のデータ管理アドレスにおいて、Ｓ６０でのデータ入替に係る各データの記憶場所を示す情報（アドレス）を変更し（Ｓ７０）、入替対象の記憶領域へ移動したアクセス対象のデータへのアクセスを行う（Ｓ４０）。 （もっと読む）

物理メモリセルブロックを備える通常タイプのフラッシュメモリシステムの連続論理アドレス空間インターフェイス（ＬＢＡインターフェイス）の１つ以上の論理ブロックの中で、データファイルにアドレスを割り当てる。この割り当てはホスト装置で行うことができ、データファイルは通常ならばホスト装置によって生成されるが、必ずしもそうとは限らない。物理メモリブロックにおけるファイルデータの断片化の量を抑えて良好なメモリ性能を維持するため、いずれか１つのファイルのデータを収容する論理ブロックの数を規制する。ホストは、これに接続するメモリの物理的特性を学習し、これに応じてアドレス空間の論理ブロックを構成できる。
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物理メモリセルブロックを備える通常タイプのフラッシュメモリシステムの連続論理アドレス空間インターフェイス（ＬＢＡインターフェイス）の１つ以上の論理ブロックの中で、データファイルにアドレスを割り当てる。この割り当てはホスト装置で行うことができ、データファイルは通常ならばホスト装置によって生成されるが、必ずしもそうとは限らない。物理メモリブロックにおけるファイルデータの断片化の量を抑えて良好なメモリ性能を維持するため、いずれか１つのファイルのデータを収容する論理ブロックの数を規制する。ホストは、これに接続するメモリの物理的特性を学習し、これに応じてアドレス空間の論理ブロックを構成できる。
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【課題】フラッシュメモリを備えた半導体記憶装置において、データのバックアップを利用可能にする。
【解決手段】半導体記憶装置内において、読み出し要求で指定可能な論理アドレスの１つから、その論理アドレスを指定して書込まれたデータを格納している少なくとも２つのページの物理アドレスを検知するためのアドレス変換テーブルを備える。また、半導体記憶装置内において、各ページに割当てられた１つのページ状態を検知するためのページ状態レジスタを備え、検知しうるページ状態には、少なくとも（１）最新データ格納状態、（２）非最新データ格納状態、（３）無効データ格納状態、（４）未書込状態の４つが含まれるようにする。そして、アドレス変換テーブルとページ状態レジスタを利用することで、ホスト装置からの１つの論理アドレスの指定に対して、少なくとも２つのデータ（最新のデータ／過去のデータ）を読み出し可能にする。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性データ保存装置に備わった仮想ファイルシステムの作業スケジューリング方法及び装置を提供する。
【解決手段】 不揮発性データ保存装置に備わった仮想ファイルシステムで、予備段階を設定し、仮想ファイルシステムの作業スケジュールの複雑度を低下させて効率的なインタリービングを可能にするスケジューリング方法であって、データ管理のための複数のメタデータ作業が遂行される区間である予備段階を設定する段階と、設定された予備段階で複数のメタデータ作業の遂行が終了すれば、データの入出力作業を遂行する段階とを含むことによって、仮想ファイルシステムのスケジューリング構造を単純化し、コードサイズ、リソース使用量を減少させ、正確なインタリービング遂行により、大容量のバッファがなくてもホストと保存装置との間の円滑なデータ伝送を可能にする。 （もっと読む）

【課題】
不揮発性メモリのデータを管理する機械読出媒体および方法を開示している。
【解決手段】
本方法は、以下のステップを有する。複数の第１の論理オフセットが、第１のメモリブロックの複数の第１の断片に割り当てられる。複数の第１の断片のうちの第１の断片はデータを保存する。複数の第２の論理オフセットが、第２のメモリブロックの複数の第２の断片に割り当てられてもよい。複数の第２の断片のうちの一つの第２の断片が第１の断片に関連づけられる。この第２の断片に割り当てられる第２の論理オフセットは第１の断片に割り当てられる第１の論理オフセットと同一でもよい。そして、データは、第１の断片から第２の断片にコピーされる。 （もっと読む）

【課題】消去及び書き込み処理中に動作電源が遮断されても記憶情報が不所望に消失しないメモリカードを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ（２）は、そのメモリ領域の物理アドレス毎に空き情報フラグを対応付けた消去テーブル（２０）と、論理アドレス毎にメモリ領域の物理アドレスを対応付けたアドレス変換テーブル（２１）とを有し、空き情報フラグは対応メモリ領域が消去許可か否かを示す。制御回路（５）は、消去テーブルの空き情報フラグを参照して書き換えデータを書き込むメモリ領域を決定し、データを書き込んだメモリ領域の物理アドレスと論理アドレスとを対応をアドレス変換テーブルに反映し、消去テーブルの空き情報フラグを更新する。書き換えデータを書き込むメモリ領域は消去テーブルの空き情報フラグを参照して決定し、書き換え前のメモリ領域と同じメモリ領域で書き換えを行わない。 （もっと読む）

【課題】追記型のファイルシステムを記憶装置に適用する。
【解決手段】記憶装置は、異なる規格で論理フォーマットされた第１および第２の論理領域４１，４２を有し、かつ不揮発性半導体メモリから構成される記憶領域４０を含む。第１の論理領域４１は、第２の論理領域４２をアクセスするための第１のプログラムを格納する第１のプログラム格納領域４１Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】オペレーティングシステムの動作の停止、オペレーティングシステムの動作が重くなることを防止こと。
【解決手段】 オペレーティングシステムが指定するアドレスのメモリブロックに前記不揮発性メモリに情報を書き込み（ステップＳ１３）、前記書込み指定アドレスに前記データを書き込んだ後、前記書込み指定アドレスのメモリブロックからデータを読み出し（ステップＳ１４）、前記読み出されたデータが正常に書き込まれたか否かを判別し（ステップＳ１６）、前記正常に書き込まれていないと判別した場合に前記代替ブロックの使用状況を示す代替ブロック管理情報を参照することによって未使用の代替ブロックがあるか否かを判別し（ステップＳ２１）、未使用の代替ブロックが無いと判別した場合に前記書込み指定アドレスにデータを書き込むことができないことを前記システムに通知する（ステップＳ２４）。 （もっと読む）

【課題】異種セルタイプを支援する不揮発性メモリにおいて、各セルタイプのメモリ領域に含まれる物理アドレスの特性を考慮して論理アドレスを物理アドレスにマッピングすることによって、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリの性能を向上できる異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング情報管理装置および方法を提供する。
【解決手段】ユーザが所定の論理アドレスを用いて所定演算を要請するユーザ要請部と、異種のセルタイプを有する複数のメモリ領域を含む不揮発性メモリと、前記演算要請に用いられた論理アドレスによって前記複数のメモリ領域のうちの前記論理アドレスにマッピングされた物理アドレスを判断するマッピング管理部とを含む。 （もっと読む）

【課題】 仮想的なセクタ消去の最中に電源が切れてしまっても、差分のデータが損なわれることのない記録方式を提供する。
【解決手段】 複数のブロック化された記録単位領域を有する不揮発記録媒体に対し、その各記録単位領域に連続的な書込み動作を行い、かつ記録単位領域毎に一括消去動作を行うようにした記録方式であって、新たにファイルを上書き保存する際に、記録単位領域の既に書き込まれた既存ファイル直後の空き領域から書込み動作を開始するとともに、かかる書込み動作終了するまでの間、記録単位領域に書き込まれている上書きファイル対応のファイルを保持するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】正当性が確保された更新後のデータをNOR型フラッシュメモリに記憶させておくことができるようにする。
【解決手段】更新後の管理領域が生成されたとき、更新前の管理領域のコピーがバックアップセクタに書き込まれる。更新前の管理領域のコピーがバックアップセクタに書き込まれたとき、シグネチャ領域Ａ₁に書き込まれているシグネチャを構成する全てのビットの値が「０」で上書きされることによって、更新前の管理領域に付加されているシグネチャが無効化される。シグネチャが無効化された後、管理領域セクタに書き込まれている更新前の管理領域が消去され、更新後の管理領域が管理領域セクタに書き込まれる。本発明は、NOR型のフラッシュメモリを有する装置に適用することができる。 （もっと読む）