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Fターム[5C024GX02]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 撮像素子の細部(構造) (7,971) | セル構造 (7,384) | 受光素子 (4,937)

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【課題】 隙間のない接合面を有する固体撮像装置用の基板および製造方法を提供する。
【解決手段】 光電変換素子が主面に配された第1基板と第1配線構造とを準備する工程と、周辺回路の一部が主面に配された第2基板と第2配線構造とを準備する工程と、第1基板、第1配線構造、第2配線構造、第2基板とがこの順に配置されるように接合する工程と、を有する。そして、少なくとも第1配線構造の上面あるいは第2配線構造の上面のいずれかに凹部が配置され、凹部の底面は導電体が配されている。 (もっと読む)


【課題】ノイズを抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素11は、リセットトランジスタ117、選択トランジスタ115及び、増幅トランジスタ113、および光電変換部111を有し、光電変換部111は、光電変換する光電変換膜45と、光電変換膜の半導体基板側の面に形成された画素電極46と、光電変換膜の画素電極と反対側の面に形成された透明電極47とを有し、リセットトランジスタ117のゲートに印加される行リセット信号の振幅は、(a)増幅トランジスタのドレインに印加される最大電圧、(b)選択トランジスタのゲートに印加される最大電圧、(c)反転増幅器に印加される電源電圧、および(d)透明電極に印加される最大電圧の少なくとも1つよりも小さい。 (もっと読む)


【課題】保護層の界面剥離を抑制し、諸特性および信頼性を確保したX線検出器を提供する。
【解決手段】表面側に複数の光電変換素子13を複数配列した受光部14、および、光電変換素子13と電気的に接続した電極パッド16を備えた固体撮像素子12を有する。固体撮像素子12の受光部14に対向し外部から入射したX線24を光に変換するシンチレータ層26を有する。外部接続用電極パッド18および外部接続用電極パッド18と電気的に接続した電極端子19を備え、固体撮像素子12を固定する基台17を有する。電極パッド16,18を電気的に接続する配線20を有する。固体撮像素子12、電極パッド16、外部接続用電極パッド18および配線20上に中間層22を有機珪素化合物により形成する。中間層22上に保護層28を有機物により形成する。 (もっと読む)


【課題】異なる性質を有する2種類の光を受光素子へ導く。
【解決手段】集光素子L20は、互いに隣接する第1の光透過膜群L21および第2の光透過膜群L22から構成される。第1の光透過膜群L21と第2の光透過膜群L22とは、入射される少なくとも2種類の入射光を、受光素子12へ導くための互いに異なる実効屈折率分布を有する。 (もっと読む)


【課題】各種雑音の効果的な補正を可能とする固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】第3のオプティカルブラック部13は、第1のオプティカルブラック部11と行方向に並列させ、かつ第2のオプティカルブラック部12と列方向に並列させて配置されている。縦筋補正回路22は、第1のオプティカルブラック部11からの黒レベル信号を列ごとに加算平均して有効画素部14の出力信号に加減算する。横筋補正回路21は、第2のオプティカルブラック部12からの黒レベル信号を行ごとに加算平均して有効画素部14の出力信号に加減算する。縦筋補正回路22及び横筋補正回路21の少なくとも一方は、第3のオプティカルブラック部13から読み出された信号の加算平均を、黒レベル信号に加減算する。 (もっと読む)


【課題】信号処理素子が形成されている信号処理基板の厚さを一層薄くすることなく、画素の微細化を図ることができる積層型撮像装置を実現する。
【解決手段】本発明による撮像装置は、2次元マトリックス状に配列された複数の光電変換素子を有する光電変換素子アレイ(1)と、光電変換素子アレイに結合され、同じく2次元マトリックス状に配列された複数の信号処理素子を有する信号処理素子アレイ(2)とを具える。kを2以上の自然数とした場合に、前記光電変換素子は、列方向にそって信号処理素子の配列密度のk倍の配列密度で形成され、前記信号処理素子は、列方向と直交する行方向にそって光電変換素子の配列密度のk倍の配列密度で形成され、各光電変換素子は、配線導体を介して対応する信号処理素子に電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】結像品質が高いウエハーレベルの撮像モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハーレベルの撮像モジュール10の製造方法は、集積回路の形成工程により感光装置20を有する第1ウエハーを形成するステップaと、レンズユニット30を有する第2ウエハーを形成するステップbと、第1ウエハーと第2ウエハーとの間に調整材が排除された状態で第2ウエハーを第1ウエハーに重ね合わせ、第2ウエハーのレンズユニット30の焦点偏移量を取得し、第1ウエハーの感光装置20が合焦状態にあるか否かを判断するステップcと、レンズユニット30と感光装置20との間に調整材25を位置させ、調整材25により焦点偏移量を補正し、レンズユニット30が感光装置20において正確に結像させるためにガラスのスペーサーボールまたはファイバースペーサーを有する調整材25を設けるステップdとを含む。 (もっと読む)


【課題】放射線画像検出器の放射線検出素子が欠陥画素か否かを的確に判定することが可能な欠陥画素判定方法、欠陥画素判定プログラム、放射線画像検出器及び欠陥画素判定システムを提供する。
【解決手段】2次元状に配置された複数の放射線検出素子(x,y)を備える放射線画像検出器1における欠陥画素判定方法であって、キャリブレーション時に複数回行われたダーク読取及び/又は放射線画像撮影に際して1回以上行われたダーク読取において得られた一の放射線検出素子(x,y)から出力されたダーク読取値d(x,y)と、予め定められた閾値dthとを比較し、当該放射線検出素子(x,y)から出力された少なくとも1つのダーク読取値d(x,y)が閾値dthよりも大きい場合に、当該放射線検出素子(x,y)を欠陥画素と判定する。 (もっと読む)


【課題】性能のトレードオフが少なく、クロック周波数をあげずに分解能を向上させることが可能な積分型A/D変換器、積分型A/D変換方法、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】時間とともに電圧値が線形に変化するランプ波形の参照電圧と入力電圧とを比較する比較器11と、比較器11の出力信号VCOが反転したことをトリガとして動作開始または動作停止し、クロック信号CLKの周期ごとに計数して上位ビットを出力する上位ビットカウンタ12と、比較器11の出力信号を遅延させた複数の信号に応じたクロック信号CKの位相情報をラッチし、そのラッチした値をデコードすることでクロック周期より分解能が高い下位ビットを出力する時間量子化器13とを有する。 (もっと読む)


【課題】任意の焦点位置を設定可能な合成画像の解像度をマイクロレンズにより決まる解像度よりも大きくする。
【解決手段】撮像装置は、結像光学系の焦点面近傍に二次元状に配置された複数のマイクロレンズ120と、結像光学系を通過した被写体からの光束をマイクロレンズを介して受光して画像信号を出力する複数の光電変換素子を含む素子群が、マイクロレンズのそれぞれに対応して二次元状に配置された撮像素子13と、結像光学系の任意の結像面における複数の結像領域に対応する合成画像データを生成するために、結像領域ごとに合成画像データの生成に使用される画像信号を出力する光電変換素子の位置を特定するテーブルに基づいて、複数の光電変換素子から出力された画像信号を合成する合成手段106、107と、任意の結像面ごとに前記テーブルを作成する作成手段105とを備える。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の製造の簡略化および/または画素の特性のばらつきの低減に有利な製造方法を提供する。
【解決手段】電荷を蓄積する蓄積領域104を含む光電変換素子と、前記蓄積領域に蓄積された電荷を電荷電圧変換部105に転送するためのチャネルを形成する転送ゲート103とを含む複数の画素が半導体基板100に形成された固体撮像装置を製造する。この製造方法は、各画素グループに対して1つの開口を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンの各開口を通して各画素グループにおけるN個の画素のそれぞれの前記転送ゲート103の下にイオンが注入されるようにN個のイオン注入方向のそれぞれで前記半導体基板100にイオンを注入することによって各画素グループにおけるN個の画素のそれぞれの前記蓄積領域104を形成する蓄積領域形成工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】受光感度を高めつつ電荷の飽和を抑制することが可能な撮像素子ユニットを提供する。
【解決手段】撮像素子ユニット100は、光電変換部114と、複数の可動ミラー121と、駆動ユニット125と、を備えている。光電変換部114は、マトリックス状に配置され光を電荷に変換する複数の光電変換素子119を有している。複数の可動ミラー121は、マトリックス状に配置されており、光電変換部114の透過光を光電変換部114に向けて反射する。駆動ユニット125は、各可動ミラー121の光電変換部114に対する角度を個別に変更可能に設けられている。 (もっと読む)


【課題】 低暗電流、低ノイズ、低偽信号の特性を維持しつつ、光量に対する高い感度を達成できるグローバルシャッタ動作可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】p型の半導体からなる基体領域11と、基体領域11の上部の一部に設けられたn型の電荷生成埋込領域12と、電荷生成埋込領域12から離間して設けられ、電荷生成埋込領域12で生成された信号電荷を蓄積するn型の電荷蓄積領域15と、電荷蓄積領域から離間して設けられ、電荷蓄積領域から信号電荷を読み出す電荷読み出し領域18と、基体領域11の深部で生成された電荷の電荷蓄積領域15への流入をブロックする、p型で基体領域11より高不純物密度のバリヤ領域とを備える。 (もっと読む)


【課題】モーションMTFが改善され得る、TDI機能性を有したCMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】行及び列に配列された光電性画素Pxのマトリックスと、画素の数個の行の蓄積された輝度レベルをメモリセルの行に格納する制御及び加算手段18に接続されたメモリセルの第1のマトリックス16aと、を備える。第1のメモリセルマトリックス16aは、制御及び加算手段を用いて、その行に画素のマトリックスの第1の半分の行の蓄積された輝度レベルを格納するように設けられている。センサは、画素のマトリックスの第2の半分の行の蓄積された輝度レベルを第2のメモリセルマトリックスの行に格納する制御及び加算手段に接続された第2のメモリセルマトリックス16bを備える。手段20は、第1のメモリセルマトリックスの列に蓄積されたレベルを、第2のメモリセルマトリックスの対応する列に蓄積されたレベルと加算するように設けられている。 (もっと読む)


【課題】光利用効率が高く、十分な光感度を有すると共に、色ごとのずれが発生せず、回路やプログラム等からなる補完機構を設ける必要のない、動画カメラや静止画カメラ等に用いることができるカラー撮像素子を提供する。
【解決手段】カラー撮像素子1は、2次元配列された複数の集光レンズ2と、各集光レンズ2を透過する光を複数の波長成分に分離する回折格子3と、各集光レンズ2及び回折格子3を透過する光が概ね集光される位置に前記各波長成分に対応する複数の受光素子4a〜4cからなる1つの受光部4が配置されるように2次元配列された複数の受光部4とを備えている。 (もっと読む)


【課題】信号を高速にマルチプレクス出力する場合でも、適切なタイミング及び振幅の信号を得ることができ、良質な画像を形成することを課題とする。
【解決手段】画素信号スイッチにより画素部の信号を行単位で読み出し、基準信号スイッチにより基準信号出力部の基準信号を読み出し、読み出した画素部の信号又は基準信号を保持容量に保持する画素信号読み出し部(3)と、画素信号読み出し部の保持容量に保持されている行単位の信号を順次選択し、複数の信号出力線のいずれかに出力する選択スイッチ(5)と、複数の信号出力線をリセット電位にリセットするリセットスイッチ(13,14)と、複数の信号出力線の信号を選択して出力するマルチプレクサ(10)と、マルチプレクサ及び選択スイッチを制御する制御部(15)とを有し、制御部は、画素信号が読み出される周期よりも遅い周期で読み出された基準信号を基に制御する撮像装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】本発明では、入射光量の少ない暗い領域であっても被写体となる対象物を逃すことなく検出することができる画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】遠赤外線カメラは撮像領域内に存在し遠赤外線を放射する熱を持った物体を検出するためガラスに反射した映り込み光を画像として撮像することはないという性質を利用し、遠赤外線カメラから取得した遠赤外線画像と可視光カメラから取得した可視光画像を比較し、比較結果に基づいて映り込み部分の補正を行う。 (もっと読む)


【課題】高輝度光が入射した際のブルーミングの発生による解像度の劣化を抑制しつつ、高輝度光に対する実効的な階調再現性を向上させた撮像装置を提供する。
【解決手段】
電子放出源アレイと光電変換膜とを具え、映像信号出力期間毎に1又は複数の水平走査ラインを所定順序で選択し、選択された水平走査ラインに含まれる電子放出源から光電変換膜に向けて電子を放出して映像信号を出力する撮像装置において、映像信号出力期間を繰り返しながら映像信号を順次出力する際に、1フレーム期間内の一又は複数の水平帰線消去期間において、映像信号を読み出すために電子放出源に印加する読み出し用パルス電圧よりも振幅の小さい過剰電荷除去用パルス電圧を電子放出源に印加し、過剰電荷除去用パルス電圧の電圧値と、1フレーム期間内における過剰電荷除去用パルス電圧の印加タイミングとに基づく圧縮比で所定光量以上の入射光による映像信号を圧縮する。 (もっと読む)


【課題】高品質、高S/Nの撮像画像信号を得ることができる積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子Pを含む有効画素1aと、光電変換素子Pの暗時出力を取得するためのOB画素2aとを有する固体撮像素子100であって、光電変換素子Pは、半導体基板10上方に設けられた一対の電極14,16と、電極14,16の間に設けられた光電変換層15とを含んで構成され、有効画素1aは、半導体基板10に形成され、光電変換素子Pで発生した電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し回路11を含み、OB画素2aは、信号読み出し回路11と同じ構成の信号読み出し回路11’を含む。信号読み出し回路11と信号読み出し回路11’はそれぞれ遮光されており、信号読み出し回路11の入力ノードは、光電変換素子Pの画素電極14と電気的に接続され、信号読み出し回路11’の入力ノードは、キャパシタ19に接続されている。 (もっと読む)


【課題】白傷欠陥の発生を確実に抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方に二次元状に配列された複数の下部電極と、複数の下部電極の上方に、各下部電極と対向して配置された上部電極と、複数の下部電極と上部電極との間に配置された有機光電変換層と、上部電極の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜と、を備え、下部電極の端部側面と、該下部電極を支持する下方の層の表面とのなす角度が45度以上であり、且つ、封止膜が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力が−200MPa〜250MPaである。 (もっと読む)


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