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Fターム[5C024GX02]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 撮像素子の細部(構造) (7,971) | セル構造 (7,384) | 受光素子 (4,937)

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【課題】温度測定手段を容易に配設して、ダーク信号量を正確に求めて撮像を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】X線変換層23などを保持するベース板41に温度センサ10を配設し、X線変換層23周辺の温度を複数に測定して、X線変換層23周辺の温度に関する面内分布情報を温度センサ10は得る。したがって、温度センサ10が設けられた箇所から離れた領域においても温度を正確に求めることができ、ダーク信号量とそのダーク信号量が得られたときのX線変換層23周辺の温度に関する面内分布情報との相関関係、および温度センサ10で測定されたX線変換層23周辺の温度に関する面内分布情報に基づいて、ダーク信号量算出の機能はダーク信号量を正確に求めることができる。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板を用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子1Aは、半導体層20と、半導体層20上に成長し且つ半導体層20よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル半導体層21と、を有するシリコン基板2と、エピタキシャル半導体層21の表面上に設けられた導体(フォトゲート電極PG、第1及び第2ゲート電極TX1,TX2、コンタクト電極11、及びパッド電極13)と、を備えている。エピタキシャル半導体層21には、光感応領域(フォトゲート電極PG直下の領域)が形成されており、半導体層20における少なくとも光感応領域に対向する表面2BKには、不規則な凹凸22が形成されている。不規則な凹凸22は、光学的に露出している。 (もっと読む)


【課題】AD変換に伴うノイズを低減すると共に、AD変換時間の短縮を可能とする信号処理方法及び固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素の黒レベルのアナログ信号を読み出す第1AD変換期間に、前記黒レベルのアナログ信号をM回繰り返し読み出して、分周切替回路68が、M回繰り返し読み出された前記黒レベルのアナログ信号に応じた各パルス列のパルス数を1/Mに分周し、カウンタ回路70が、1/Mに分周された各パルス列のパルス数をカウントする。その後、前記画素の信号レベルのアナログ信号を読み出す第2AD変換期間に、前記信号レベルの前記アナログ信号を、N回繰り返し読み出して、分周切替回路68が、N回繰り返し読み出された前記信号レベルのアナログ信号に応じた各パルス列のパルス数を1/Nに分周し、カウンタ回路70が、1/Nに分周された各パルス列のパルス数をカウントする。前記M及び前記Nは、N≦Mの関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】フォトダイオード、第1のトランジスタ、及び第2のトランジスタを有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタを有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第1のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第1のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第2のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 (もっと読む)


【課題】新しい構成を有する画素を提供することによって、マスク数及び工程数を増加させることなく、高い開口率を実現した半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置を用いることにより、電源供給線が必要なくなるため、従来の半導体装置に比べて、パネル作成プロセスにおけるマスク枚数や工程数の増加を伴うことなく、より高い開口率を実現することが出来る。また、各画素が高い開口率をもつことにより、光の利用効率が向上し、半導体装置の省電力化および小型化が達成できる。 (もっと読む)


【課題】蓄積(光)電荷に作用するスミア等のノイズ成分を全画素の配置面内で均一かつ十分に抑圧する。
【解決手段】画素は、光路制限部、光電変換部、電荷保持部、読出部(共有可)を有する。走査駆動部は、全画素同時読み出しを行い各読出部を一方向に走査駆動する。走査方向で光電変換部と電荷保持部が交互に繰り返され、その画素列において、隣接画素の2つの電荷保持部が光路制限部または光電変換部に対して走査方向内で一方側に偏って配置されている。 (もっと読む)


【課題】外部の湿度を吸収しにくく、受光率の経時劣化の少ない受光装置を提供すること。
【解決手段】少なくとも1つの受光素子が設けられた基板と、基板の受光素子の設けられた面の上部に透明カバー6とを備え、基板と透明カバー6の間に、少なくとも基板の受光素子領域の周囲を囲む領域に密閉部材5を設ける。密閉部材5を、環状オレフィン樹脂を含む材料により構成する。 (もっと読む)



【課題】検出したアナログ信号を伝送する際に、アナログ信号に誘起されるノイズを減少させることで、高品質な画像を得ることができる放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法および画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線から可視光を発生するシンチレータ62と、可視光の強度に基づき電気信号を発生させる受光素子を有する光検出部70と、第1基板80と、光検出部70と第1基板80の第1面部を電気的に接続する第1電気接続構造部110と、第1基板80に対面して配置される第2基板90と、第1基板の第1面部とは反対側の第2面部82と、第2基板90の第1面部91とを電気的に接続する第2電気接続構造部130と、光検出部からの電気信号が第1電気接続構造部110と第1基板80と第2電気接続構造部130を通じて送られて電気信号を処理するデータ収集装置95を備える。 (もっと読む)


【課題】得られた画像データに基づいて濃淡のない放射線画像を生成することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置1の制御手段22は、放射線が照射されている間にデータ読み出し用の電圧が印加された走査線5以外の走査線5に接続されている放射線検出素子7については、当該放射線検出素子7から読み出された各データDのうち、放射線の照射が終了した後、最初に読み出されたデータDを選択し、放射線が照射されている間にデータ読み出し用の電圧が印加された走査線5に接続されている放射線検出素子7については、当該放射線検出素子7から読み出された各データDのうち、放射線が照射されている間に読み出されたデータDと、その次のフレームで読み出されたデータDとを選択して加算し、選択したデータDおよび選択して加算したデータDに基づいて放射線画像pを生成する。 (もっと読む)


【課題】光電変換部が並進対称性配列の位置から位置ずれして配置されていても、入射光を光電変換部に効果的に集光することができる固体撮像素子及びその固体撮像素子を用いた撮像装置を提供する。
【解決手段】2個の単位画素、例えば単位画素10と20に共通のFD(フローティングディフュージョン)部4を境界位置に設ける。シリコン基板に光電変換部2を形成するとともに、これとFD部4とを電荷転送ゲート3を介して連結する。FD部4の上方に高屈折率材料層33を設け、それ以外の領域には低屈折率材料層34を設け、入射光の光路を変更し、中心位置からFD部4側に偏位して設けられた光電変換部2に集光する。画素間でトランジスタを共用することで、1画素当りのトランジスタ数を減少させることができる。また、高屈折率材料層33がレンズ形状を有していてもよい。 (もっと読む)


【課題】低ノイズの固体撮像装置およびカメラを提供する。
【解決手段】2次元状に配列された複数の単位セル3を備える固体撮像装置100であって、単位セル3は、入射光を光電変換する光電変換素子121aと、光電変換素子121aの信号電荷の量に応じた信号電圧を出力する複数の増幅トランジスタ123aおよび123bとを有し1つの光電変換素子121aは、複数の増幅トランジスタ123aおよび123bのゲートに電気的に共通に接続される。 (もっと読む)


【課題】トータルの取扱い電荷量を維持しながら、スミア成分のみを減少させることができ、スミア信号を相対的に減少させることで画質改善を図ることが可能な固体撮像素子、およびその駆動方法、並びにカメラを提供する。
【解決手段】行列状に配置された光電変換機能を含む複数のセンサ部11と、複数のセンサ部の列配列に対応して配列され、センサ部から読み出された信号電荷を行配列方向に転送する複数の垂直転送部12と、垂直転送部から転送された信号電荷を列配列方向に転送する水平転送部15と、垂直転送部の複数列単位で形成され、垂直転送部から上記水平転送部への信号電荷を選択的に排出可能な電荷排出部40と、電荷排出部にて信号電荷を排出する際、画像の飽和信号量を可変させる制御を行う駆動系とを有し、水平転送部の電極ピッチが、複数の垂直転送部ラインを含む。 (もっと読む)


【課題】従来技術と比較して、放射線画像取得用の画素により取得される放射線画像の画質を良好なまま維持しつつ放射線検出用の画素による放射線の検出精度を良好なまま維持させる。
【解決手段】マトリクス状に複数設けられ放射線または放射線が変換された光が照射されることにより電荷を発生するセンサ部103を備えた画素20と、複数の画素20のうち放射線検出用の画素20Aに備えられた各スイッチ素子をスイッチングする制御信号が流れる複数の走査配線101と、放射線検出用の画素20Aの各スイッチ素子のスイッチング状態に応じて、各画素20Aに蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる複数の信号配線3と、複数の画素20のうち放射線照射量検出用の画素20Bのセンサ部に発生した電荷に応じた電気信号が流れる複数もしくは1本の放射線検出用配線120とを備える。 (もっと読む)


【課題】簡素な構成で精度の高い熱検出が可能な熱センサー用検出回路、熱センサーデバイス及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】熱センサー用検出回路は、熱センサー素子CFの一端のノードである検出ノードN1と第2の電源ノードVDDとの間に設けられる充電回路20と、検出ノードN1と第1の電源ノードVSSとの間に設けられる放電回路30とを含む。放電回路30は、検出ノードN1と第1の電源ノードVSSとの間に直列に設けられる放電用抵抗素子RA及び放電用トランジスターT2を有する。充電回路20は、第2の電源ノードVDDと検出ノードN1との間に設けられる充電用トランジスターT1を含む。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子において、感度シェーディングを抑制する。
【解決手段】基板101上に複数の画素が配列された撮像領域を備える固体撮像素子において、各画素は、基板101の表面部に設けられ、光電変換により電荷を生成する光電変換領域102と、光電変換領域102上に設けられ、入射光を光電変換領域102に導く光導波路106と、基板101上における光導波路106の周囲に設けられた層間絶縁膜105とを備える。光導波路106は、層間絶縁膜105よりも屈折率の高い第1領域106aを備える。少なくとも撮像領域のうちの周縁部に位置する画素において、光導波路106は、第1領域106a内に設けられ且つ第1領域106aよりも屈折率の高い第2領域106bを更に備える。 (もっと読む)


【課題】ホールの抜けやすさの面内均一性向上とピンニング効果低下等の抑止との両立を図る。
【解決手段】撮像領域1A内の各受光画素PPのHADセンサにおいて信号電荷蓄積領域13の基板表面側の受光表面領域14と同じ導電型で、より高濃度な第2導電型領域30を介して、遮光導電膜21のコンタクトCCをとる。その撮像領域1A内の密度は、画素配列密度より小さければ、どのようにしてもよい。これにより撮像領域内部が相対的にホールが抜けやすくなり、またピンニング効果低下も抑止できる。 (もっと読む)


【課題】アナログ信号処理回路の増幅回路とデジタル信号処理の増幅回路とでそれぞれホワイトバランス処理を行うことで高精度かつ高速にホワイトバランス処理を行う。
【解決手段】撮像部11、アナログ増幅回路12およびAD変換回路13を固体撮像チップ10に集積して構成する。アナログ増幅回路12およびデジタル増幅回路21は、積算ブロック3により同時に積算されたそれぞれの制御信号に基づいてそれぞれの画像信号を増幅してそれぞれのホワイトバランス処理を行う。制御回路42は、積算ブロック3によりアナログ制御信号を積算するためのアナログ画像信号を複数の画素の一部に蓄積させて読み出し、ある時刻から所定時間経過後に、積算ブロック3からのアナログ制御信号に基づいて増幅されるアナログ画像信号を複数の画素の全部に蓄積させて読み出し、アナログ増幅回路12に読み出したアナログ画像信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】 ダイナミックレンジを拡大させると共に、ノイズの発生を低減させることを実現できるようにする。
【解決手段】 第1のMOSトランジスタ22のゲートの下方の領域を除くPウェル内の領域にポテンシャル障壁形成用P型層24を形成することにより、電荷を蓄積する際に、第1の転送MOSトランジスタ22を可及的に確実にオフしても、フォトダイオード21から溢れた電荷を経路31に流入させることができるようにする。これにより、第1の転送MOSトランジスタ22のゲート酸化膜41の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路31を介してフローティングディフュージョン領域FDに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 (もっと読む)


【課題】反射回折光によるゴーストの発生を効果的に抑制可能な撮像素子等を実現する。
【解決手段】撮像素子10の第1画素101においては、アレイレンズ16の一部である第1マイクロレンズ161が厚く、入射光Lの反射光路長が長い。これに対し、第2、第3画素102、103では、アレイレンズ16の第2、第3マイクロレンズ162、163が第1画素領域161よりも薄いため、入射光Lの反射光路長が短い。このような反射光路長差を設けるように光路長の異なる画素を不規則に配置して、画素間で生じる回折光のコントラストを低下させ、反射回折ゴーストによる画像劣化を抑える。 (もっと読む)


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