【課題】イオンビーム加工装置では、イオンビームの異常状態を、試料に照射する電流でしか検知できなかったため、原因探索による補正ができず、安定な加工が実現できていなかった。
【解決手段】
第１、第２のブランカ１２８、１３４とファラデーカップ１３０、１３４を用い、第１、第２のブランカ１２８、１３４のオンオフを切り替えて、投射マスク１１５の上下２箇所でビーム電流をモニタする。これにより、投射マスク１１５の損傷を抑えながら、イオンビームの異常情報を取得し、異常原因の切り分け、異常の補正が可能となる。このため、イオンビームによる安定加工を実現することができ、イオンビーム加工装置を安定的に使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビーム電流の計測誤差を小さくして計測精度を高めることができるイオンビーム計測装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム計測装置２０は、イオンビーム２を受け入れる入口２４を有するファラデーカップ２２と、ファラデーカップ２２の入口２４の上流側近傍に設けられていて接地電位を基準にして正のバイアス電圧が印加される抑制電極２６と、ファラデーカップ２２の外側に設けられていてファラデーカップ２２内にイオンビーム２の入射方向と交差する方向の磁界Ｂを作る磁石３０とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、イオンビームの特性、例えば、イオンビーム(34)の電流プロフィール又はイオンビーム(34)のエミッタンスを測定する方法に係る。イオンビーム電流センサ(58)のアレイを含むファラディアレイ(54)が使用される。このアレイは、アレイの平面におけるイオンビーム電流プロフィールを与えることができる。また、ファラディアレイは、閉塞素子(56)に関連して使用され、この閉塞素子は、ファラディアレイの上流でイオンビームを通して移動され、ファラディアレイからイオンビームの異なる部分を覆い隠す。ファラディからの信号を適当に操作することで、閉塞素子の平面に対してイオンビーム電流プロフィールを決定すると共に、閉塞素子の平面におけるイオンビームのエミッタンスを決定することができる。 （もっと読む）

本発明は、電子ビーム発生器によって目標領域内の目標物に向かう進路に沿って発生させられる電子ビームの強度を検知するためのセンサ１０に関し、この電子ビームは発生器から出口窓２４を通り出る。このセンサ１０は、この進路内に配置され、かつ電流検出器に接続される少なくとも１つの導電層２８の少なくとも１つの領域２６を備え、且つこの少なくとも１つの導電層２８の前記領域２６の各々は、互いから、周囲環境から且つ出口窓２４から遮蔽体３２によって実質的に遮蔽し離されており、前記遮蔽体３２が出口窓２４上に形成されることを特徴とする。本発明は、前記センサを備えるシステムにも関する。
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イオンビーム電流の均一性を監視するモニタ、イオン注入装置及び関連の方法を開示する。一実施形態では、イオンビーム電流均一性モニタ（１５）は、複数のロケーションにおけるイオンビーム（１２）の電流を測定する複数の測定デバイス（１７）を有するイオンビーム電流測定器と、イオンビーム電流測定器によるイオンビームの電流の測定値に基づいてイオンビーム電流の均一性を維持する制御器（１８）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 複雑な演算処理を要することなく、多孔電極を有するイオン源のイオン引出し孔から出射される際のイオンビームが持つ特性を測定することができる装置および方法を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム測定装置４０ａは、イオン源２の多孔電極６から引き出されたイオンビーム１０の一部を通過させる開口１４を有する遮蔽板１２と、開口１４を通過したイオンビーム１０のビーム電流を検出する検出器１８と、それをｘ方向に移動させる検出器駆動装置２４とを備えている。かつ、多孔電極６と検出器１８間の距離をＬ、遮蔽板１２と検出器１８間の距離をｄ、ｘ方向に関して、多孔電極６の各イオン引出し孔８の寸法をａ、その間隔をｐ、開口１４の寸法をｂ、検出器１８の寸法をｗとすると、次式の関係を満たしている。
｛ｗ（Ｌ−ｄ）＋ｂＬ｝／ｄ＜（ｐ−ａ） （もっと読む）

【課題】照射されるイオンビームの概要を明らかにして被露光材の加工を正確に効率よく行うことができるイオンビーム加工装置および操業方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを発生させるビーム生成部３と、イオンビームのイオン数を測定するプローブ６と、プローブをイオンビームに直交する面内の１方向に走査させる第１の走査手段と、プローブを前記１方向に直交する方向に走査させる第２の走査手段と、プローブが走査して測定した結果に基づいて演算を行う演算手段２と、を有し、プローブは、走査する側のいずれの端縁も直線で構成されており、演算手段は、少なくとも被露光材Ｗの露光面における１方向のイオンビーム幅および１方向におけるイオンビームのイオン数の分布を演算するように構成されてなる。 （もっと読む）

【目的】測定可能なビーム分解能の精度を向上させるビームの強度分布測定方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法は、上面から下面に向かって所定の角度θで細くなる金属マーク上に荷電粒子ビームを走査させて、荷電粒子ビームのビーム強度分布を測定する荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法であって、上述した金属マークとして、金属マークの厚さｔと所定の角度θとの積が、所望する荷電粒子ビームの分解能σ以下となるように形成された金属マークを用いることを特徴とする。本発明によれば、測定可能なビーム分解能の精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響を排除し、高精度、高再現性があり、大規模加速器における複数のビーム位置計測手段を設置する場合に、それぞれのビーム位置計測信号の同期を確保することができる加速器のビーム位置計測装置を提供する。
【解決手段】アナログ信号処理回路２１は、恒温槽４０１を信号処理回路と温度センサー４０３を収納した信号処理部恒温槽４０７と発熱体４０２を収納した温度調整恒温槽４０８とに分割し、温度調整恒温槽４０８を信号処理部恒温槽４０７と距離を置いて配置し、この両者の恒温槽を管路４０９Ａと４０９Ｂで接続し、管路上に送風装置４１０を配置し、そして電源４０４と発熱体スイッチ４０５と温度制御回路４０６とを恒温槽４０１の外部に配置した構成となっている。また、温度センサー４０３からの温度モニタ信号は温度制御回路４０６に入力し、温度制御回路４０６から発熱体スイッチ４０５へ開閉指令を出力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム描画装置において、微弱なビーム電流を高精度に計測する際、長い伝送経路に重畳するノイズの影響を低減し、また、マルチビーム描画装置において、微弱なビーム電流を高精度に効率よく計測する技術を提供する。
【解決手段】電子ビーム検出素子１０９と検出信号用伝送経路１２４を遮断・接続するスイッチ１１０を用いて、ビーム電流計測の間、電子ビーム検出素子１０９を検出信号用伝送経路１２４から遮断し、電子ビーム検出素子１０９内に検出信号を蓄積し、計測終了と同時に電子ビーム検出素子１０９と検出信号用伝送経路１２４を接続し、蓄積信号を計測する。また、同様な計測方法を複数同時に行うため、電子ビーム検出素子と複数のスイッチとを用いて、複数本の電子ビームを同時に高精度に計測する。 （もっと読む）

【課題】 装置の運転中に、生産を中断することなく、ピアス式電子銃から発せられる電子ビームの状態をリアルタイムでモニタし、その結果を電子ビームの状態を適正なものに改善や維持するためにフィードバックすることで、優れた効率性と安定性のもとに、基板の表面に蒸着被膜を形成することができる、電子ビーム蒸着装置、当該装置を用いて行う基板の表面への蒸着被膜の形成方法、ビーム状態のモニタが可能なピアス式電子銃、および、ピアス式電子銃のビーム状態のモニタ方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の電子ビーム蒸着装置は、電子ビームに起因乃至由来する電子を捕捉するためのセンサがビームパスの近傍に設置され、センサによって捕捉された電子に基づく電流および／または電圧を検出することで、ビーム状態をモニタするようにしたピアス式電子銃を備えてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
イオンビーム測定子の移動を行うに際して、手間取らずに簡便に行うことのできるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】
イオンビーム測定子が真空チャンバの内部に設けられ、該イオンビーム測定子に連結され、真空排気によって駆動される駆動部を有する他の真空排気系が真空チャンバに連通する真空排気系に連通して設けられ、かつ各真空排気系に一方が開のときに閉、閉のときに開となる弁がそれぞれ設けられる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームのｙ方向の角度偏差、発散角及びビーム寸法の内の少なくとも一つを簡単な構成によって計測する。
【解決手段】 前段シャッター駆動装置３６によって前段ビーム制限シャッター３２をｙ方向に駆動しつつ、シャッター３２の一辺３４の外側を通過して前段多点ファラデー２４に入射するイオンビーム４のビーム電流の変化を計測して、シャッター３２の位置でのイオンビーム４のｙ方向のビーム電流密度分布を計測する。後段シャッター駆動装置４６によって後段ビーム制限シャッター４２をｙ方向に駆動しつつ、シャッター４２の一辺４４の外側を通過して後段多点ファラデー２８に入射するイオンビーム４のビーム電流の変化を計測して、シャッター４２の位置でのイオンビーム４のｙ方向のビーム電流密度分布を計測する。これらの計測結果を用いて、イオンビーム４のｙ方向の角度偏差、発散角及びビーム寸法の内の少なくとも一つを計測する。 （もっと読む）

本発明のイオンビーム均一性検出器は、平行な平面上に配置されかつ選択された距離によって分離された、多数の水平ロッドと多数の垂直ロッドと含む。クロスオーバー測定点は、水平ロッド及び垂直ロッドの交点によって形成される。垂直ロッドに選択的にかつ順次パルスを加えると同時に水平ロッドにバイアスを加えることによって、クロスオーバー測定点に対する測定値を得ることができる。この測定値は、クロスオーバー測定点でのイオンビームの形状及びビーム強度を決定するのに用いられる。これらの測定値に基づいて、続くイオン注入処理の調整を行うことができ、その結果、所望のビーム形状を与えるとともに、ビーム強度に関する均一性を高める。さらに、種々のクロスオーバー点での二次元の入射角度を示す測定値を得るために、複数対の垂直ロッド及び水平ロッドを用いることができる。
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【課題】ターゲットでの実質的に均一な投与分布を得るために、均一なビームを得ること。
【解決手段】本発明はイオンビーム２０８全体（例 リボン状ビームのより広い部分）にわたって、種々の位置で入射角およびビーム電流の均一性を検出することによって、半導体装置の製造を容易にする。多くの要素からなる１以上の均一性検出器が、イオン注入システム内（単一のウエハ及び／あるいは複数のウエハに基づくシステム）で使用される。各要素は、入射するイオンビームの関数として、ビーム電流を測定する一対のセンサ２０２、２０４と、入射するイオンビームからビームレット２１０を選択的に得るマスク２０６の開口２１４とを含む。特定の要素に対する入射角は、センサ対による測定されたビーム電流から少なくとも部分的に決定される。結果としてイオンビームの生成は均一性が改善され、イオン注入は、改善された均一性と、厳しいプロセス制御の下で実行される。
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【課題】イオンビームの照射位置を正確に求め、イオンビームによる加工時の加工精度、試料の分析の精度等を向上させる。
【解決手段】イオンビームをワークに照射するイオンビーム照射方法において、ワークに固定された基準部５，５’の位置を基準位置として、ワーク４の形状を測定する形状測定工程と、ワークを、イオンビームを照射するイオン銃１に対してワークを移動させるためのステージ７上に載置する載置工程と、ステージ上に配置された検出器３により、イオンビームの照射位置を検出する照射位置検出工程と、検出器３と基準部５，５’の相対位置を測定する相対位置測定工程と、基準位置に対するワークの形状の測定結果と、イオンビームの照射位置の検出結果と、検出器と基準部の相対位置の測定結果とに基づいて、イオンビームの照射位置をワークの所望の位置に位置合せする位置合せ工程とを具備する。 （もっと読む）

加工物の表面に対するイオンビーム(110)の２つの入射角度を特定するためのシステム、装置、及び方法が提供される。第１センサ(202)及び第２センサ(204)を有する測定装置(104)は、移動機構(140)に結合されており、第１センサは移動方向に直交する第１方向に延在し、第２センサは第１センサに対して傾斜角を有して延在する。第１及び第２センサは、それぞれ対応する第１時刻及び第２時刻においてイオンビームを通過するときに、イオンビームの１つ又は複数の特性を検知する。コントローラ(106)は、第１時刻及び第２時刻に第１センサ及び第２センサにより検知されたイオンビームの１つ又は複数の特性に少なくとも部分的に基いて、イオンビームの入射に関する第１ビーム角度及び第２ビーム角度を特定するように動作可能である。
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【課題】 電子ビームの軌道の調整作業を容易化して調整精度を向上させると共に，装置の稼動中における電子ビームのずれを容易に検出すること。
【解決手段】 加速器Ｙ１から出射されたイオンビームＬのビーム電流を測定する分割電極１０或いはファラデーカップ２０等のビーム電流測定手段を試料分析装置の測定室７３ａに設け，このビーム電流測定手段によるビーム電流の測定値に基づいてイオンビームＬの軌道位置を検出する。これにより，測定されたビーム電流を電流計測器等でモニタリングしながらイオンビームＬの軌道調整を行うことが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、複合静電抑制ファラデー・エネルギー汚染モニタ、および、その使用のための関連方法を提供する。本発明の装置は、例えば、減速されるイオンビームにおける電流およびエネルギー汚染を含む、イオンビームの２つの特性を選択的に測定することができる。本発明の第１の態様は、イオンビームを受ける一の開口と、該開口に隣接して配置される一の負にバイアスされる電極と、該負にバイアスされる電極に隣接して配置される一の正にバイアスされる電極と、該正にバイアスされる電極に隣接して配置される一の選択的にバイアスされる電極と、一のコレクタとを含むイオンビーム測定装置を提供し、選択的にバイアスされる電極は、負または正に選択的にバイアスされてよい。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単であり、基材に照射されるイオンビームの照射強度と極めて相関関係の高い検出器における照射強度を正確に測定でき、しかも基材に照射されるイオンビームの照射強度が略目標照射強度となるようにすること。
【解決手段】 真空チャンバ内で蒸発材料を蒸発させて基板及びモニタガラス２５に蒸着させ、基板及びモニタガラス２５にイオンビーム１０を照射して蒸発材料の薄膜を基板及びモニタガラス２５に形成するイオンアシスト蒸着装置において、モニタガラス２５に設けられイオンビーム１０の照射強度を検出する検出器２３と、検出器２３に照射されるイオンビーム１０の照射強度が略目標照射強度となるように、検出器２３が検出する照射強度に基づいてイオンガンに制御信号を出力するイオン電流密度制御部とを備えるイオンビームの照射強度測定装置６であり、その制御信号に基づいてイオンビーム１０をイオンガンが出射する。 （もっと読む）