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Fターム[5C033NN03]の内容

電子顕微鏡 (5,240) | 検出装置 (509) | 透過電子検出器 (45)

Fターム[5C033NN03]に分類される特許

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【課題】実際のゴム材料から精度良くシミュレーション用のゴム材料モデルを定義しうる方法を提供する。
【解決手段】充填剤を含有するゴム材料のシミュレーション方法であって、走査型透過電子顕微鏡を用いてゴム材料の電子線透過画像を取得する撮像工程S1と、撮像工程で得られた画像からトモグラフィー法により前記ゴム材料の3次元構造を構築する工程S2と、前記3次元構造からゴム材料モデルを設定するモデル設定工程S3乃至S4と、前記ゴム材料モデルに基づいて変形シミュレーションを行う工程S5とを含み、前記ゴム材料モデルは、充填剤モデルと、前記充填剤モデルを囲むとともにゴムが有限個の要素で分割されたゴムモデルとを含み、該ゴムモデルには、変形速度に応じて発生する応力が異なる変形速度依存性が定義されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】正確で精度の高いSTEM像を得ることのできる電子顕微鏡の観察方法を提供する。
【解決手段】電子線を試料に照射し、前記試料を透過または散乱した電子線を検出器において検出し、前記試料を観察する電子顕微鏡の観察方法において、前記検出器により前記試料の画像を取得する工程と、前記取得された画像に最も近い画像を、前記検出器の位置がずれた状態において観察される複数の画像より選択し、前記選択された画像の位置情報に基づき、前記検出器の位置のずれている方向及びずれ量を算出する工程と、算出された前記検出器の位置のずれている方向及びずれ量に基づき、前記検出器を移動させる工程と、を有することを特徴とする電子顕微鏡の観察方法により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】試料ダメージ及びコンタミネーションを増加させることなく、加速電圧の使用範囲が比較的大きい電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡は、電子銃からの電子線を試料に照射する電子線光学系と、試料からの電子を検出する電子検出器とを有する。電子検出器は、セラミックシンチレータと、該セラミックシンチレータからの光を電流に変換する光電変換素子とを有し、前記セラミックシンチレータは、蛍光体を焼結して形成したセラミック蛍光体を含み、該セラミック蛍光体の厚さは、200〜300μmである。 (もっと読む)


【課題】低照射量で取得される画像の品質改善。
【解決手段】当該粒子光学装置は、粒子源101、結像される対象物111を設ける対象物面、対象物面を照射する収束系104、対象物を透過する粒子を結像させ、対象物面の画像を生成する投影系106、及び画像を検出する検出器150を有する。検出器は、画素のアレイを有する半導体センサを有する。画素のアレイは、検出器に入射する粒子に応答して、アレイの各対応する画素から複数の画素信号を供する。当該方法は、複数の画素信号を受信する手順、複数の画素信号のビタビ検出(ViterbiDetection)を用いて再構成された画像を決定する手順を有する。ビタビ検出は、検出器に入射する複数の粒子の分布に対応する複数の異なる状態、及び、少なくとも2つの状態であって、複数の画素信号の単一の画素に入射する粒子のゼロではない同一の多重度に対応する状態を用いる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、TEMにおける直接電子検出器の保護方法に関する。
【解決手段】 本発明は、新たなビームパラメータの設定前に、検出器上での電流密度を予測する手順を有する。ビームパラメータとはたとえば、収束レンズ(104)と投影レンズ(106)の励起、及び/又はビームエネルギーの変化である。予測は、光学モデル又はルックアップテーブルを用いることによって行われる。前記検出器の予測された露光が所定値未満であるとき、所望の変化が行われ、さもなければ、警告メッセージが発生して、設定の変更は延期される。 (もっと読む)


【課題】粒子光学顕微鏡において、光電子増倍管が大きい結果生じるシンチレータと光電子増倍管との間での信号損失、及び、過剰に流れる電流を抑制する。
【解決手段】粒子光学鏡筒を用いて、荷電粒子の結像ビームを試料へ案内する手順、前記結像ビームを前記試料へ照射することで、前記試料から出力放射線束を放出させる手順、検出器を用いて前記出力放射線の少なくとも一部を検査する手順に加え、調節可能な電気バイアスを供する電源と接続する固体光電子増倍管を有するように前記検出器を実装する手順、前記固体光電子増倍管の利得値を調節するように前記バイアスを調節する手順、前記固体光電子増倍管が、該固体光電子増倍管の飽和閾値未満で動作するように、前記利得値を、前記放射線束の大きさに一致させる手順である。 (もっと読む)


【課題】ロンチグラム法の簡易性を備えながら、反射・二次電子走査像を利用するSEMにおいても適用可能な、また特別に撮影用の検出器を必要としない収差測定法、或いは収差測定に供する収差情報の取得方法を提供する。
【解決手段】走査像を得る為のビーム走査を、通常対物レンズ直上に置かれる走査コイルで行うのではなく、収差被測定レンズである収差補正器ならびに対物レンズ上方置かれた走査コイルによって行うことによって、収差被測定レンズの持つ収差を反映した歪走査を試料面上で行い、これによって発生する散乱電子線、透過電位線、もしくは反射・二次電子線から走査像を形成することで、従来のロンチグラムと等価な収差情報パターンを、走査型で得られる手段を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、透過型電子顕微鏡の性能を改善することである。
【解決手段】 透過型電子顕微鏡用の検出器システムは、パターンを記録する第1検出器、及び、前記パターンの部位の位置を記録する第2検出器を有する。前記第2検出器は、前記第1検出器上のパターンの位置を安定化させるフィードバックとして用いることのできる正確かつ迅速な位置情報を提供する位置に敏感な検出であることが好ましい。一の実施例では、前記第1検出器は、電子エネルギー損失電子スペクトルを検出し、かつ、前記第1検出器の後方に位置して、前記第1検出器を通過する電子を検出する前記第2検出器は、ゼロ損失ピークの位置を検出して、前記第1検出器上のスペクトル位置を安定化させるように電子の経路を調節する。 (もっと読む)


【課題】イオンビームと電子ビームの両方を試料へ照射して、試料の加工と観察を行う荷電粒子線装置において、イオンビームと電子ビームの両方に対して共通の検出器を有し、試料の加工内容や観察手法に応じて適した位置に検出器を設けることができる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料の観察面を観察するための電子ビームを発生させる電子ビーム光学系カラムと、試料を加工するイオンビームを発生させるイオンビーム光学系カラムと、試料から発生した二次信号または透過電子を検出する検出器と、該検出器を載置し電子ビームの光軸とイオンビームの光軸とが交わるクロスポイントを中心として両光軸を含む平面内で回転可能であり、試料の観察面とクロスポイントとの間の距離を変えることができる試料ステージとを備える。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、TEM画像形成の質を改善することである。
【解決手段】
透過型電子顕微鏡の検出器システムにおいて、画像取得期間の間に、画像データがピクセルから読み出され、分析される。画像取得プロセスは、分析結果に基づいて修正される。例えば、分析は、チャージングやバブル形成の画像アーチファクトのデータへの混入を示す。そして、アーチファクトを含むデータは、最終画像から取り除かれる。CMOS検出器は、高速なデータレートで選択的にピクセルを読み出し、リアルタイムの適応画像処理を提供する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、電子の検出が改善されたカメラを供することである。
【解決手段】 直接型電子検出器において、センサ下方から検出器体積へ入り込む電子の後方散乱が防止される。一部の実施例では、当該センサ下方の空の空間が維持される。他の実施例では、当該センサ下方の構造は、当該センサから若しくは当該センサへ向かって延在する多数の高アスペクト比のチャネル、又は、当該センサを通過する電子を検出するように角度の付けられた表面を有する構造のような幾何学構造を有する。 (もっと読む)


【課題】高分解能観察において、収差の変化を伴う時間的遅延を最小に留め、且つ、収差係数の算出精度が高い収差補正方法及び収差補正装置の提供を目的とする。
【解決手段】収差補正子を有する走査透過電子顕微鏡において、複数の検出面を備える検出器に対して電子線を入射させ、前記電子線による暗視野像および前記検出面毎に前記電子線の角度情報を含む明視野像を同時に撮像し、前記暗視野像を観察像の位置基準として前記複数の明視野像から収差係数を算出し、算出した前記収差係数に基づき、収差が低減するように前記収差補正子を制御する。 (もっと読む)


【課題】多分割STEM検出器のゲイン及びオフセット調整を精度良く、且つ容易に実行する。
【解決手段】走査透過電子顕微鏡の光軸上に配置された円状のシンチレータ601の検出面DF全体に電流密度が均一な電子線を照射し、各光電子増倍管603が、シンチレータ601から出力される光を光ファイバ束602を介して受光し、各光電子増倍管603から出力される検出信号の強度を測定し、各光電子増倍管603から出力される検出信号の強度が、シンチレータ601の検出面DFを動径方向及び偏角方向に分割された各検出領域DRの面積に比例するように、検出領域DR毎に多分割STEM検出器のゲイン及びオフセットを調整する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、サンプルの中を通り抜けた電子を検出する複数の検出器を提供する。
【解決手段】 検出器は、望ましくは、電子のエネルギーに従って電子を分離するプリズムの中をそれらの電子が通り抜けた後に、それらを検出する。異なるエネルギー範囲における電子は、次に、異なる検出器によって検出され、望ましくは、それらの検出器の少なくとも1つは、電子がサンプルの中を通り抜けるときにそれらによって失われるエネルギーを測定する。本発明の一実施形態は、コア・ロス電子においてEELSを提供する一方、ロー・ロス電子からの明視野STEM信号を同時に供給する。 (もっと読む)


【課題】入射像面および入射瞳面を有し、試料を通過した電子の分析方法として1種類またはそれ以上の種類の分析方法を実施可能とする、適応性の高い分析系を備える透過電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】試料面内9bに試料を配置した透過電子顕微鏡は、対物レンズ11b、複数のレンズを有する第1投影レンズ系61b、複数のレンズを有する第2投影レンズ系63b、および分析系を備える。試料面9bは中間像面71内に結像され、対物レンズ11bの回折面15bは中間回折面67b内に結像され、(a)中間像面は分析系の入射像面内に結像され、中間回折面は分析系の入射瞳面内に結像されるか、または、(b)中間像面71は入射瞳面65b内に結像され、中間回折面67bは入射像面21b内に結像される。 (もっと読む)


【課題】透過波と位相板の貫通孔との間のアライメントを容易化できる透過電子顕微鏡の制御装置を提供する。
【解決手段】透過電子顕微鏡の制御装置200は、電子線を試料に透過させて得られる透過波および散乱波の通過する所定の面に配置され、貫通孔に透過波を通過させて透過波および散乱波の少なくとも一方の位相を変化させる位相板120を有する透過電子顕微鏡100の制御装置であって、透過波と散乱波を干渉させて得られる透過電子顕微鏡像を取得する像取得手段210と、透過電子顕微鏡像をフーリエ変換して、フーリエ変換パターンを得る演算手段220と、フーリエ変換パターンから所定の面における透過波と貫通孔の位置関係を求めて、透過波を貫通孔に通過させるための制御情報を生成する制御情報生成手段230と、を含む。 (もっと読む)


【課題】試料内部の結晶方位情報を容易に取得可能にすることを図る。
【解決手段】試料11に電子ビーム1aを照射するための電子ビーム鏡筒1と、試料11を支持する試料台3と、試料11から放出される後方散乱電子を検出するための散乱電子検出器6と、試料11に集束イオンビーム2bを照射するための集束イオンビーム鏡筒2とを有する電子顕微鏡を提供する。 (もっと読む)


【課題】電子レンズの球面収差による制約を受けることなく高散乱角の散乱電子を検出し、深さ分解能を向上させることができる透過型電子顕微鏡及び試料観察方法を提供する。
【解決手段】試料5に電子線2を照射する電子銃1と、試料5を透過して散乱する散乱電子を検出する電子検出器13と、この電子検出器13と試料5との間に位置し試料5からの散乱電子の通過範囲の内径及び外径を制限するリング状のスリットを有する第1の検出側環状絞り15と、この第1の検出側環状絞り15と電子検出器13との間に位置し第1の検出側環状絞り15を通過した散乱電子の通過範囲の内径及び外径をさらに制限するリング状のスリットを有する第2の検出側環状絞り16とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】入射加速粒子および高エネルギ放射線に耐えることのできるモノリシックセンサを提供する。
【解決手段】加速電子検出器はCMOS構造のモノリシックセンサのアレイを備え、各センサは基板(10)と、エピ層(11)と、p+ウェル(12)と、エピ層(11)によってp+ウェル(12)から分離されたn+ウェル(13)とを含む。p+ウェルには複数のNMOSトランジスタが集積される。センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がn+ウェル(13)にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いn領域(15)をp+ウェル(12)の下に含む。検出器は改善された放射線耐性を有し、したがってそれは電子顕微鏡のような加速電子の検出および撮像に適する。 (もっと読む)


本発明は、(a)支持構造体(108)の第1の面上に配置されている第1の材料層(110)であって、この第1の材料層はこれに入射荷電粒子(104)が当るのに応答して二次電子を発生するように構成されているとともに、開口(112)を有しており、この開口は入射荷電粒子の一部がこの開口を通過するように構成されている当該第1の材料層と、(b)支持構造体の第2の面上に前記第1の材料層から例えば、0.5cm以上の距離だけ離間されて配置されている第2の材料層であって、この第2の材料層は、荷電粒子が前記開口を通過してこの第2の材料層に当るのに応答して二次電子を発生するように構成されている当該第2の材料層とを具える装置、システム及び方法を提供するものであり、装置は荷電粒子検出器とする。
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