【課題】短い距離でイオンビームを平行化できるイオンビームの平行化装置を提供する。
【解決手段】第1ベース層と、その上に形成された第1導電層と、これらの層を貫通する複数の第1貫通孔とを有する第1基板50aと、第2ベース層と、その上に形成された第2導電層と、これらの層を貫通し、複数の第1貫通孔と対応するように形成された複数の第2貫通孔とを有する第2基板50bとを備え、複数の第1貫通孔および第2貫通孔はそれぞれベース層内の壁面部分が電気絶縁性を有し、第1基板50a及び第2基板50bは、第1導電層及び第2導電層を同じ方向に向け且つ複数の第1貫通孔それぞれが対応する第2貫通孔と対向するように配置される。 （もっと読む）

【課題】気体電界イオン源を用いて試料表面でスポットサイズ１０ｎｍ以下のイオンビームを有する汎用性、長器信頼性に優れたイオン顕微鏡を実現する。
【解決手段】イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。試料からオージェ電子、二次イオン、二次中性粒子、一次中性粒子、散乱イオン及び光子等の追加の粒子を検出することにより試料についての情報を決定するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＯＦ−ＳＩＭＳの一次イオンに使用できるほど短いパルス幅のＧＣＩＢを射出できるＧＣＩＢ銃を提供する。
【解決手段】
イオン化室３０から射出されたＧＣＩＢを予め決められた時間だけ通過させる第一のシャッター部４１と、第一のシャッター部４１を通過したＧＣＩＢのうち予め決められた質量範囲外のＧＣＩＢを除去する選別部５９とを有している。選別部５９は、ＧＣＩＢを交互に反射して往復移動させる第一、第二のミラー電極５１ａ、５２ａと、第一、第二のミラー電極５１ａ、５２ａの間に配置され、前記質量範囲内のＧＣＩＢを、予め決められた時間だけ通過させる第二のシャッター部５３と、を有し、前記質量範囲内のＧＣＩＢを選別部５９から射出する。 （もっと読む）

【課題】非破壊で且つ高精度にイオンビームの照射位置の位置決めが可能なイオンビーム照射位置決め装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射位置決め装置は、試料台１０と観察装置２０とイオンビーム装置３０とマッピング処理部４０と位置決め部５０とマニピュレータ６０とからなる。観察装置２０は、試料の顕微鏡像を出力するものである。イオンビーム装置３０は、試料にイオンビームを照射するものである。マッピング処理部４０は、観察装置により得られる顕微鏡像を用いて試料を座標にマッピングする。位置決め部５０では、マッピング処理部によるマッピング座標を用いて、イオンビームの照射位置座標を決定する。そして、イオンビーム装置によるイオンビームの照射前に、マニピュレータ６０により、位置決め部により決定される照射位置座標に対して、観察装置の視軸とイオンビーム装置の視軸とが同軸となるように試料台を移動させる。 （もっと読む）

【課題】コストを上昇させることがなく，且つ高速の振動にも追従することが可能な制振機能に優れたビーム照射装置を提供すること。
【解決手段】加速器より射出されるイオンビーム若しくは電子ビームを，電界及び／若しくは磁界による質量分離装置及びビーム収束装置を備えたビームラインを経てチャンバ中の試料に入射するビーム照射装置に関する発明であり，前記ビームライン中を通過するビームの前記試料に対する振れを直接または間接的に検出し，検出されたビームの試料に対する振れに基づいて振れを消去するように質量分離装置及び／若しくはビーム収束装置を制御するビーム照射装置。 （もっと読む）

【課題】中エネルギーイオンビーム散乱を用いた分光分析器を提供する。
【解決手段】本発明による中エネルギーイオンビーム散乱を用いた分光分析器は、イオンを発生させるイオン源１０と、イオンを平行ビームとするコリメータ（collimator）２０と、平行ビームを加速する加速器３０と、加速されたイオンビームをパルス化するイオンビームパルス発生器４０と、パルス化されたイオンビームを試片１に集束させる集束対物レンズ５０と、集束されたイオンビームが試片１で散乱されたイオンビームパルスの分光信号を検出する検出器６０と、検出器６０により検出された分光信号を分析処理するデータ分析器７０と、を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多価イオンを用いて、試料表面の分析を高精度で短時間に行うことができる表面分析装置を提供する。
【解決手段】表面分析装置１は、試料５を搭載する試料台６と、試料台６に搭載した試料５に価数が１５以上の多価イオンビーム４を照射する多価イオン発生源３と、試料５に多価イオンビーム４を照射することにより生じる二次イオン７を検出する質量分析部８と、試料５に多価イオンビーム４を照射することにより生じる二次電子９を検出する二次電子検出部１０と、二次電子検出部１０からの二次電子検出信号を受け分析開始信号を生成し質量分析部へ送信する質量分析制御部１２を、備えて構成される。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、液体金属イオン源、二次質量分析計、および対応する分析方法、ならびにこれらの利用に関する。特に、ジェントルＳＩＭＳ（Ｇ−ＳＩＭＳ）法に基づく質量分析方法に関する。
上記の目的を実現するべく、原子量が１９０Ｕ以上の第１の金属と、原子量が９０Ｕ以下の第２の金属とを有する液体金属イオン源を利用する。
本発明によれば、Ｇ−ＳＩＭＳ法に基づき、一次イオンビームから２つの種類のイオンのうち一方を交互にフィルタリングで取り出し、質量高純度一次イオンビームとしてターゲットに当てる。 （もっと読む）

高透過およびエネルギー分解能を同時に可能にする荷電粒子エネルギー分析計が記載されている。この分析計は、内側電極表面および外側電極表面（ＩＳ、ＯＳ）それぞれを有する同軸の内側電極および外側電極（１４、１５）を含む電極構造（１１）を有する。この内側電極表面および外側電極表面は、電極構造（１１）の縦軸に対称に直交する子午表面を有する回転楕円体の表面によって、少なくとも部分的に画定されている。内側電極表面および外側電極表面は、それぞれ異なる半径Ｒ_２およびＲ_１（Ｒ_２はＲ_１より大きい。）を有する２つの非同心円の弧の縦軸回りの回転により生成される。それぞれの子午面における縦軸からの外側電極表面の距離は、Ｒ_0１であり、そしてそれぞれの平面における縦軸からの内側電極表面の距離は、Ｒ_０２およびＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_０１であり、そしてＲ_０２は、規定された関係を有する。
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【課題】二次イオン質量分析法において、二次イオン強度の変化を簡便に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】一次イオンの試料表面への照射中に、試料電流値の変化に応じて、一次イオンの入射方向に対する試料ステージの角度を変更することにより、一次イオンの試料表面への入射角度を補正する。 （もっと読む）

【課題】二次電子放出量を正確に測定できる表面分析装置を提供する。
【解決手段】赤外線ランプ３０によって裏面から加熱した試料２１に、グラウンド電極に電流が流れないように径を絞ったイオンビーム５を照射する。グラウンド電極１５とコレクタ電極１８の間に配置した制御電極に負電圧を印加し、試料２１から放出した二次電子だけをコレクタ電極１８で捕集するようにする。試料２１がチャージアップした場合、サプレッサ電極１２の電圧を調節し、試料２１に電子を照射し、正電荷を中和する。二次電子放出比を正確に求めることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームの軌道の調整作業を容易化して調整精度を向上させることができる軌道位置ずれ検出装置，組成分析装置及び荷電粒子ビームの軌道調整方法を提供すること。また，エネルギー分解能や散乱粒子の取得効率を容易に変更することができる組成分析装置を提供すること。
【解決手段】絞り部３１と超音波モータ３２と駆動軸３３とを備えて構成された開口状態変更装置３０により，基準ビーム軸上の所定の位置に配置され荷電粒子ビームを通過させる開口部３１ａの開口径（開口状態）を変更可能とする。
また，上記開口部３１ａを通過した或いは該開口部３１ａから外れた上記荷電粒子ビームの強度を測定し，該荷電粒子ビームの強度に基づいて上記荷電粒子ビームの軌道と上記基準ビーム軸との位置ずれの有無を検出する。 （もっと読む）