【課題】真空シール部および配管接続部が簡単な構造であって、配管接続部のシール強度が大きく、メンテナンス容易である真空シールおよび配管接続機構を提供する。
【解決手段】真空容器１に挿通する第一のパイプ２の大気側端部に、流体を供給するための第二のパイプ２０をＯリング５２とともに接続し配管接続部を形成する。そして、第一のパイプ２をハウジング２１を介して真空容器１に固定し、Ｏリング５０、５１を用いて真空シール部を形成する。さらに、第二のパイプ２０の鍔部２４とハウジング２１とをスタッド２６により連結する。 （もっと読む）

【課題】ニュートラライザの寿命を向上させるとともに、被加工物の帯電を効果的に除去し、ビーム加工位置を長時間に亘って安定させて成果物の品質を向上させる。
【解決手段】ニュートラライザ１０２は、印加される電圧Ｖ_Ｎに応じた照射量の電子を被加工物に照射する。変位量算出部１２５は、被加工物の目標加工位置を基準とするビーム加工位置の変位量ΔＧを算出する。電圧値設定部１２６は、変位量算出部１２５で算出された変位量ΔＧが所定閾値を上回った場合、ニュートラライザ１０２に印加する電圧の電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、被加工物の中和に必要な荷電粒子の照射量となる第１電圧値に設定する。また、電圧値設定部１２６は、変位量ΔＧが所定閾値を下回った場合、電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、第１電圧値よりも低い第２電圧値に設定する。電源部１１２ｂは、電圧値設定部１２６にて設定された電圧値Ｖ_Ｎ^＊に対応する電圧Ｖ_Ｎをニュートラライザ１０２に印加する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料に対する電子ビームの部分的な照射による部分的な影響を抑制する電子ビームの照射方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体の露光工程と、エッチング工程間にて、半導体ウェーハの全面に対し、電子ビームを照射する方法、及び装置を提案する。当該構成によれば、測定や検査のために行われる電子ビームによって生ずる部分的なパターンのシュリンクを抑制し、半導体ウェーハ全体でパターンの形成精度を向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 高電流GCIB試料処理システムにおけるビーム安定性を改善する方法及び装置を供することが本願発明の目的である。
【解決手段】 予め位置合わせされたノズル/スキマーモジュール(20)は、ガスクラスタイオンビーム(GCIB)の生成をより正確に制御するため、内部で予め位置合わせされたノズル集合体(30)及び内部で予め位置合わせされたスキマーカートリッジ集合体(35)を有する。当該ノズル/スキマーモジュール(20)は、前記GCIBをより正確に位置設定するように予め位置合わせされて良い。当該予め位置合わせされたノズル/スキマーモジュール(20)は、予め位置合わせされたGCIB(263)のガスクラスタの生成をより正確に制御する。 （もっと読む）

【課題】電子線を電線に照射して電線の被覆部に架橋処理を施す際に、特別な装置を用いることなく、電線の帯電を防止することができる電子線照射装置を提供する。
【解決手段】照射室２０の外部には、照射室２０から外部に送り出された電線Ａを巻き取るための巻取り装置９０が設けられている。巻取り装置９０は、電線Ａを巻き取るドラム９１と、そのドラム９１の回転軸であるシャフト９２とを有する。シャフト９２としては金属製のものを用い、そのシャフト９２は電気的に接地されている。電子線照射処理を開始する前に、電線Ａの先端における被覆部を剥がし、露わになった芯線を、シャフト９２に電気的に接続している。これにより、電線Ａの芯線はアースに落とされる。電子線照射処理は、当該芯線をシャフト９２に電気的に接続した状態のまま行われる。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面にガスを供給して集束ビームで前記ガスを活性化させながら加工するとともに、加工の進行状況をモニタリングできる加工システムを提供する。
【解決手段】加工システム１は開口部１９から排気される真空容器２内に電子ビーム８を発生させる電子源３、集光／偏向要素２１、集束レンズ１１、二次電子検出器１７、およびスタック２３とガス導管３９と物質リザーバ４１とからなるガス供給装置２０を備え、第３導管部３０からガスを物体３３の表面３３ａに供給し電子ビームでガスを活性化させながらを物体に照射し、堆積またはアブレーションにより加工する。また、電子ビームを走査させ、物体から発生した二次電子を二次電子検出器で検出し電子顕微鏡画像を取得して、加工の進行状況をモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度なエッチングが可能な加工試料の加工装置および薄膜試料の生産方法の提供。
【解決手段】ホルダ５０と、イオン銃２０と、電子銃１０とを備える。ホルダ５０は、互いに略平行な表面および裏面を有すると共に、表面および裏面の距離として厚さが定義される加工試料を把持する。また、イオン銃２０は、アルゴンイオンを放出し、ホルダ５０に把持された加工試料の裏面に、アルゴンイオンを照射する。そして、電子銃１０は、電子を放出し、ホルダ５０に把持された加工試料の表面に電子を照射するように構成される。また、マイコン３０は、電流検出器４０が測定した透過電子の電流密度を基にして、イオン銃２０が放出するアルゴンイオンの電流密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、剥離膜等の異物がビーム通過穴を塞ぐ事による不具合を解決し、装置のスループット低下を防止することに関する。
【解決手段】
本発明は、スパッタ膜の剥離等によって発生する異物がビーム通過穴を塞ぐ可能性のある箇所に不活性ガスなどのガスを照射することに関する。ガスを当該部に照射する方法として、ガスノズルを用いることが望ましい。または、不活性ガスの通路を、ビーム通過穴を有する部品の周囲の構造物内部に形成し、その照射口よりガスを照射する。本発明により、荷電粒子線装置の安定稼動が実現可能となり、高スループットの荷電粒子線装置を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来の改質方法と比較して、より簡単および安定的に表面処理の効果や持続性を向上させる基板の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被加工物に集束イオンビームを選択的に照射することにより該被加工物のあらかじめ決められた領域に表面改質部を形成する表面改質方法であって、該集束イオンビームの照射は表面改質用ガスの雰囲気中においてなされ、および該集束イオンビームの照射によって該表面改質用ガスの成分を該被加工物の内部に導入することを特徴とする表面改質方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲で加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ビームが通過する第１空間１６および第１空間１６の周囲に壁部１４ａを介して配置される第２空間１７が形成される局所真空チャンバー９と、第１空間１６、第２空間１７を真空状態とするための吸気手段とを備えている。ワークに対向する対向部１５は、ワークに向けてビームを出射するための出射孔２２ａを有する第１対向部１８と、出射孔２２ａの外周側に配置される開口部３２を有する第２対向部１９と、第２対向部１９の変形を防止するための変形防止部２０、１９ｄとを備えている。第１対向部１８と第２対向部１９との間には、開口部３２を介して局所真空チャンバー９の外部に連通しかつ第２空間１７の一部となる対向部間空間１７ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】炭化水素ガスやＷ（ＣＯ）₆等のガスを導入を積極的にメインチャンバー中に導入し、ＳＥＭ解析と同時に、ＳＥＭ解析に用いる電子ビームを用いてマーカーとしての堆積物を試料に堆積させる場合には精密にガス流量を制御する必要があり、差動排気システム等を導入する必要が生じる。メインチャンバー内部に複雑な構成を備えるため、真空系の内壁面積が増加する。そのため、脱ガスの量が増加し、到達真空度の低下を招くという課題がある。
【解決手段】メインチャンバー８内部に、炭化水素ガスの分圧よりも高い分圧を維持しうるフッ素系の揮発ガス３５を放出するマーキング源６を導入する。フッ素は通常雰囲気内には含まれず、また検出感度が高い物質である。そのため、高いコントラストを有するマーカー３を形成可能なマーキング装置１００を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 十分なビーム強度が得られる多価イオン源を提供すると共に、その多価イオンビームを制御し、照射位置を制御して、効率よく精確に照射することができる多価イオンビーム照射方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 多価イオンを発生させる多価イオン源と、その多価イオン源から導出された多価イオンビームを試料に向けて誘導するビームガイドと、試料を保持する試料保持部とを少なくとも備える多価イオンビーム照射装置において、試料に対向するビームガイド端部と試料保持部とを、支持すると共に並進移動させて位置調整する基盤ステージと、試料保持部に対してビームガイド端部を相対的に、２次元で並進移動させて位置調整するＸＹステージと、試料保持部のみを独立に、ＸＹステージの移動方向と略垂直なＺ方向へ並進移動させて位置調整するＺ並進移動機構とを有する照射位置制御部を設ける。 （もっと読む）

【課題】電子部品の断面を観察するための技術において、同一のイオン源から引き出したイオンビームを用いて、試料を加工し、試料の被加工部分の観察を可能にするイオンビーム加工・観察技術を提供する。
【解決手段】試料を加工するガスイオンビーム種と試料を観察するときのガスイオンビーム種を切り替えることが可能である装置とする。試料加工時のガスイオンビーム種と試料観察時のガスイオンビーム種との切り替えを実現するためのイオン源として、ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２系統備え、各々のガス系統において各々のガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を各々設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源とする。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ粒子を物体表面に物理的に密着させ、かつ配列している金属ナノ粒子を所望の領域に形成することができ、さらに形成される金属ナノ粒子の平均直径および単位面積あたりの個数を所望の範囲に制御することができる電子線ナノ粒子化装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム２０を発生して走査する電子線集束偏向部１と、物体１０を保持して移動可能なステージ９と、ステージ９を収容する加工室２とを備え、電子線集束偏向部１により、物体１０表面に形成された金属薄膜１１の所望の位置に電子ビーム２０を照射し、金属薄膜１１から物体１０表面に密着した金属ナノ粒子２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能でかつコストの低減が可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ワーク２の加工を行うためのビームを出射するビーム出射源と、ワーク２に向けてビームを出射する出射部２５ａを有しビーム出射源からワーク２に向かうビームが通過するビーム通過部材２５と、ワーク２が固定される固定面６ａを有し所定方向へ移動可能な固定部材６と、３次元方向に変形可能にかつ中空状に形成され、ビーム通過部材２５が内部に配置される中空部材２３とを備えている。中空部材２３は、少なくとも、互いに接続される第１の中空部２６と第２の中空部２７とから構成されている。また、中空部材２３の一端には開口部３７が形成され、中空部材２３の一端は固定面に当接するとともに、中空部材２３の内部は真空状態とされる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に梨地形状（凹凸形状）に加工する表面処理加工において、マスク形成、除去およびクリーニング工程を不要にすること、さらに梨地領域の表面に任意の粗さ分布をもたせることができる表面処理方法及び表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを被処理物の表面に照射して被処理物Ｗの表面に凹凸を形成する表面処理装置１において、被処理物Ｗの表面に電子ビームを照射する処理対象領域、処理対象領域において電子ビームを照射する照射点及び被処理物の表面の形状情報並びに電子ビームのビーム電流または収束電流の設定値を記憶する記憶手段１９と、記憶手段１９に記憶されている処理対象領域、照射点及び形状情報並びに設定値に基づいて照射点を無作為に選択して電子ビーム照射するように制御する制御装置９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】０．１ｍｍ以下の微小領域を局所的に加熱して微小領域を溶融接合することができる電子線溶融装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを発生して走査する電子線集束偏向部１と、被加工物を保持して移動可能なステージ８と、ステージ８を収容する加工室２と、電子ビーム照射点で発生する二次電子または反射電子を検出するための検出器１０とを備え、電子線集束偏向部１により、被加工物の所望の位置に電子ビームを照射し、被加工物を溶融接合する。 （もっと読む）

【課題】金属皮膜の付着を低減して、イオン源性能の低下を減少できる高周波イオン源を提供することにある。
【解決手段】高周波イオン源は、石英円筒管４の外周に配置され、高周波電流が流されるコイル３と、石英円筒室にガスを流すことにより生成されたプラズマからイオンビームを引き出す多孔型引出電極２とを有する。石英円筒管４の内面に近接して第２の石英円筒管１３が配置される。第２の石英円筒管１３は、石英製の短冊状部材１３Ｃが周方向に間隔をおいて配列されることにより、軸方向に長いスリット１３Ｄが周方向に複数個形成されている。 （もっと読む）

【課題】３次元形状の被処理物に対しても処理温度を制御することにより、良好な処理面が得られる電子ビーム表面処理装置およびその処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム表面処理装置が、電子ビームを発生する電子ビーム発生手段と、電子ビームを収束する電子ビーム収束手段と、収束された電子ビームを偏向して被処理物上で走査させる電子ビーム偏向手段と、電子ビーム発生手段、電子ビーム収束手段、および電子ビーム偏向手段に接続され、これらの手段を制御する制御手段と、制御手段に接続されたシミュレータと、被処理物の情報を記憶する記憶手段とを含み、シミュレータは、記憶手段に記憶された被処理物の情報を用いて、表面処理中の被処理物の温度分布を計算し、制御手段は、温度分布に基づいて選択された電子ビーム照射条件を用いて、電子ビーム発生手段、電子ビーム収束手段、および電子ビーム偏向手段を制御する。 （もっと読む）