【課題】本発明は集束イオンビーム装置に関し、中性粒子を除去してイオン照射が可能なようにした集束イオンビーム装置に関する。
【解決手段】デフレクタを４段構成とし、上２段によりイオンビームをある距離だけ平行移動をさせ、下２段により再びイオンビームを上２段により元の軌道に戻すように平行移動をさせる各電圧成分をそれぞれ各段の電極に重畳させ、印加できる機能を持つデフレクタ電源と、及び上の２段電極と下の２段電極の間に、前記中性粒子を遮断する遮蔽板１１を設け、前記デフレクタの上２段と下２段には本来の２段偏向器の役割を実行させるためのデフレクタ電圧を印加する場合に、上２段の内の何れか１段と、下２段の内の何れか１段にのみ本来の２段偏向器を実現させるためのデフレクタ電圧を印加することを特徴とする集束イオンビーム装置。 （もっと読む）

荷電粒子ビームを導く改良された方法であり、１つまたは複数の偏向器信号を変化させることによって、荷電粒子がシステムを通過するのに要する時間を補償する方法。本発明の一実施形態によれば、ＴＯＦエラーが原因で起こることがあるオーバシュート効果を低減させ、または排除するために、デジタル−アナログ（Ｄ／Ａ）変換の前に、走査パターンをデジタル・フィルタにかける。他の実施形態では、ＴＯＦエラーを補償するのに、アナログ・フィルタ、またはより低い帯域幅を有する信号増幅器の使用を使用することもできる。走査パターンを変化させることによって、オーバシュート効果をかなり低減させ、または排除することができる。
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【課題】粒子ビームを用いて試料の構造に関する情報を得るための検査方法において、試料から放出された電子およびｘ線から試料に関する情報を得ることができる検出方法および検査装置を提案する。
【解決手段】検査方法は、試料に粒子ビームを集束するステップと、試料に隣接して配置した少なくとも１つの検出器を作動するステップと、少なくとも１つの検出器によって生成した検出信号を異なった強度間隔に割り当てるステップと、強度間隔に割り当てた検出信号に基づいて、検出器に入射した電子に関連した少なくとも１つの第１信号成分を決定するステップと、強度間隔に割り当てた検出信号に基づいて、検出器に入射したＸ線に関連した少なくとも１つの第２信号成分を決定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームを使用して微細構造を製造する電子ビーム・システムを提供すること。
【解決手段】吸着物質の枯渇を制御することによって、前駆体ガスとの電子ビーム誘起化学反応を制御する。吸着物質の枯渇は、ビーム電流を、好ましくはビームを高速ブランキングすることによって制御すること、および基板を冷却することによって制御することができる。相互作用体積を小さくするため、ビームは低いエネルギーを有することが好ましい。枯渇および相互作用体積を制御することによって、ユーザは、精密な形状を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】サンプリング動作中にステージを移動させることなく試料から試料片を短時間に取り出すことができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ３１を保持する試料ステージ３３と、イオン源１１で発生したイオンビーム１２をマスク１５によってプロジェクションビームに成形するプロジェクション光学系を有し、イオンビーム１２を試料面に斜めに照射可能な第１イオンビームカラム１０と、第１イオンビームカラム１０よりもイオンビーム２２を細く絞ることが可能なイオンビーム光学系を有し、第１イオンビームカラム１０と同時にイオンビーム２２を試料面に垂直に照射可能な第２イオンビームカラム２０と、イオンビーム１２，２２の照射により加工した試料片５０をウェーハ３１から摘出するマニピュレータ４２と、摘出した試料片５０を保持するカートリッジ５１とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電圧ケーブルが不要で耐振動性能でも有利な荷電粒子線装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、荷電粒子ビームを発生する荷電粒子ビーム発生源と、荷電粒子ビームが照射される試料を載置する加工用の試料台と、荷電粒子ビーム発生源に加速電圧を印加する荷電粒子ビーム発生源用高電圧電源と、試料に照射する荷電粒子ビームの照射速度を減速する減速電圧を加工用の試料台に印加する減速手段とを備え、減速手段は、昇圧電源部と、低圧供給用外部電源部とを有し、昇圧電源部を加工用の試料台に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピクセルを複数含む加工領域画像を変形しても、もとの画像を再現した加工を行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム２０Ａを試料２に照射する集束イオンビーム照射機構２０と、集束イオンビームを試料に照射して生じる二次荷電粒子を検出する検出器７０と、検出器の検出データに基づき、試料の試料画像を生成する画像生成手段９０と、試料画像上で、集束イオンビームの照射位置に対応したピクセルを複数含む加工領域画像を設定する加工領域設定手段９０と、加工領域画像に含まれるピクセルの座標を、試料への照射位置として設定する照射位置設定手段９０と、ピクセル毎に定められた輝度に応じて、集束イオンビーム照射機構から照射される集束イオンビームのドーズ量を設定するビーム設定手段９０と、加工領域画像が変形された場合に、該加工領域画像を補間処理する補間手段９０とを備えた集束イオンビーム装置１００である。 （もっと読む）

【課題】コストを上昇させることがなく，且つ高速の振動にも追従することが可能な制振機能に優れたビーム照射装置を提供すること。
【解決手段】加速器より射出されるイオンビーム若しくは電子ビームを，電界及び／若しくは磁界による質量分離装置及びビーム収束装置を備えたビームラインを経てチャンバ中の試料に入射するビーム照射装置に関する発明であり，前記ビームライン中を通過するビームの前記試料に対する振れを直接または間接的に検出し，検出されたビームの試料に対する振れに基づいて振れを消去するように質量分離装置及び／若しくはビーム収束装置を制御するビーム照射装置。 （もっと読む）

【課題】加工パターン検出用のマークの検出確率と加工位置の再現性を向上させ、加工パターンの自動加工を円滑化することができる集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法及び試料加工プログラムを提供する。
【解決手段】加工パターンの加工前にマーク登録時の視野倍率よりも低いマーク検出用の視野倍率でマークを検出し、登録したマークと検出されたマークの位置を比較して位置ずれ量を算出し、イオンビーム偏向領域をシフトさせてマーク登録時の視野倍率に戻してマークを再検出する。その後、マーク登録時の視野倍率で検出されたマークと登録時のマークの位置を比較してマーク登録時の視野倍率で再度位置ずれ量を算出し、そのずれ量分だけ加工パターンの登録位置から加工用のイオンビーム照射位置をシフトさせて加工パターンの加工を実行する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高加速から低加速に亘って従来の集束イオンビーム装置に比べはるかに大きいビーム電流が得、かつ、小さい収差で集束イオンビームを形成することに関する。
【解決手段】本発明は、液体金属イオン源と、液体金属イオン源からイオンビームを引出す引出電極と、イオンビームを加速する加速（アース）電極と、イオンビームを収束する静電レンズと、を備え、液体金属イオン源の加速電圧が液体金属イオン源のエミッション閾値電圧より低い場合は、引出電極の電圧を加速（アース）電極より低い電位とする集束イオンビーム装置において、引出電極に印加される電圧の極性に連動して静電レンズに印加する電圧の極性を切り換えることに関する。本発明によれば、高加速電圧では静電レンズの耐電圧から減速モード集束法で行い、低加速電圧では加速モード集束法を同じ焦点距離の静電レンズで実施できる。 （もっと読む）

【課題】断面加工方法および装置において、断面加工の加工効率を向上することができるようにする。
【解決手段】観察目標断面２、または観察目標断面２を含む観察領域で、試料１の断面観察を行うために、試料１に対して順次除去加工を施すことによって破断位置を移動させて破断面１ｃを形成していく断面加工方法であって、観察目標断面２の近傍において破断面１ｃが形成可能な範囲に、除去加工によって破断可能、かつ破断面１ｃ内で破断形状が識別可能となるマーク部４Ａ、４Ｂを形成するマーク部形成工程と、このマーク部形成工程で形成されたマーク部４Ａ、４Ｂを含む範囲で、試料１およびマーク部４Ａ、４Ｂに対して除去加工を施して、破断面１ｃを形成する断面形成工程と、この該断面形成工程で形成中または形成後の試料１の断面の観察像を取得する観察像取得工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】より簡易な構成な集束イオンビーム装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置が記載されている。集束イオンビーム装置は、イオンを生成するためのエミッタ領域を備えるガス電界イオン源エミッタを収容するための筐体を含むイオンビームカラムと、ガス電界イオン源エミッタからイオンを引き出すための電極と、第１のガスおよび第２のガスをエミッタ領域へ取り込むため適合した１個以上のガス入口と、第１のガスまたは第２のガスから生成されたイオンビームを集束させるための対物レンズと、電極とガス電界イオン源エミッタとの間に電圧を供給するための電圧源と、第１のガスのイオンのイオンビームまたは第２のガスのイオンのイオンビームを生成するための電圧源の第１の電圧と第２の電圧とを切り替えるコントローラとを含む。 （もっと読む）

直接連続して、サンプル表面の各部分を荷電粒子ビームに露光させるステップを含み、前記サンプル表面の前記各部分は、第１の方向に列を形成し、前記荷電粒子ビームが前記サンプル表面において平均スポットサイズｆを有し、前記各部分は、それぞれ隣接部分から、第１方向に少なくとも距離ｄだけ離れており、比率ｄ／ｆは２以上であることを特徴とする方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】オペレータの技量に左右されず、例え初心者のオペレータが操作する場合であっても、欠陥を認識することができる。
【解決手段】試料の観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームをある照射条件下で走査照射したときに、観察領域から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出工程（Ｓ４）と、二次荷電粒子検出工程で検出した二次荷電粒子から、観察領域を区分けしたそれぞれ同じ周期パターンの複数枚の観察画像を形成する画像形成工程（Ｓ５）と、画像形成工程で得られた複数枚の観察画象同士を比較し、それらの差分情報から観察領域における欠陥を認識する欠陥認識工程（Ｓ６）とを備え、さらに、観察領域に電子ビームまたは集束オンビームを照射条件とは異なる他の照射条件下で走査照射したときにも、二次荷電粒子検出工程、画像形成工程、欠陥認識工程を備える。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、液体金属イオン源、二次質量分析計、および対応する分析方法、ならびにこれらの利用に関する。特に、ジェントルＳＩＭＳ（Ｇ−ＳＩＭＳ）法に基づく質量分析方法に関する。
上記の目的を実現するべく、原子量が１９０Ｕ以上の第１の金属と、原子量が９０Ｕ以下の第２の金属とを有する液体金属イオン源を利用する。
本発明によれば、Ｇ−ＳＩＭＳ法に基づき、一次イオンビームから２つの種類のイオンのうち一方を交互にフィルタリングで取り出し、質量高純度一次イオンビームとしてターゲットに当てる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームのエネルギー変化やビーム電流値の減少およびターゲットへの入射角の変化などの現象を生じずに常時ターゲットの中心を照射することができるイオンビーム装置およびビーム安定化方法を提供することである。
【解決手段】イオンビーム発生器２の出側に通電コイルを有する質量分離手段３と、ビーム照射方向下流側に、対向する電極６ａ、６ｂからなるスリット電極６を設けたイオンビーム装置１で、スリット電極６ａ、６ｂを流れる電流の検知回路部７と、検知したスリット電流Ａ１、Ａ２を、またはこの電流を電圧に変換して比較する比較回路部８と、比較回路部８の出力を質量分離手段３へフィードバックする制御回路部９を設け、質量分離手段３のコイル電流をフィードバック制御することにより、温度変化などの環境要因の影響を無くして、イオンビーム４を常時ターゲットＴの中心部に照射できるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハーのＦＩＢ加工処理おいて、真断面径となる加工断面を自動的に判定する。
【解決手段】ＦＩＢ加工における仕上げ加工中に、ＦＩＢ加工された加工断面を逐次撮像するステップと、撮像された画像に基づいて加工断面上のパターン寸法を求めるステップと、パターン寸法と撮像時刻とに基づいて、パターン寸法の時間関数を求めるステップと、関数演算手段によって求められた時間関数に基づいて、ＦＩＢ加工の停止位置を制御するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】試料を自動で平面に加工することができる荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子ビーム照射手段と、荷電粒子ビームを照射された試料から発生する二次荷電粒子を検出する検出手段と、前記検出手段によって検出された二次荷電粒子に基づいて荷電粒子像を形成する画像表示手段と、前記荷電粒子像において所望の加工領域を選択し、前記加工領域において、荷電粒子ビームを照射する各単位照射領域における輝度を取得し、前記輝度に応じて各単位照射領域に照射する荷電粒子ビームの照射時間を決定し、各単位照射領域に対する照射時間を規定した加工データを設定する画像表示及び加工設定手段と、前記加工データにしたがって前記荷電粒子ビーム照射手段を制御し、荷電粒子ビームを前記試料に照射させるビーム走査制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】大断面を、断面位置精度を確保しつつ効率良く加工して観察することが可能な試料加工・観察装置及び断面加工・観察方法を提供する。
【解決手段】試料加工・観察装置１は、試料Ｓを載置する試料台２と、所定の照射範囲３ａ全体に亘って同時に第一のイオンビームＩ１を照射可能な第一のイオンビーム鏡筒３と、試料台２と第一のイオンビーム鏡筒３との間に配置可能であり、第一のイオンビームＩ１の一部を遮蔽するマスク６と、マスク６を移動させることが可能なマスク移動手段７と、第一のイオンビームＩ１の前記照射範囲３ａ内で、集束させた荷電粒子ビームＥを走査させることが可能な荷電粒子ビーム鏡筒４と、二次発生物を検出可能な検出手段１２とを備える。 （もっと読む）

本発明は、複数ガス源を備え、異なるイオン種を用いて多様な操作を実行して、加工物のサブミクロンのフィーチャを生成するかまたは変えるのに用いることのできるプラズマ・イオン・ビーム・システムを提供する。係るシステムは、本発明では、プローブ形成光学素子と組み合わせて多様なイオンのイオン・ビームを発生させるために使用するのに適し、ビーム源によって誘起される運動エネルギーの振動が実質的に生じず、これによって高分解能ビームが形成される、誘導結合型磁気増幅イオン・ビーム源を使用することが好ましい。
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