【課題】試料に断面を形成した後、試料ステージの移動等の動作を行うことなく、直ちに当該断面についての断面情報を取得することのできる試料解析装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム鏡筒７と、イオンビーム鏡筒１７と、制御手段２５，２３とを備え、イオンビーム１５の照射により試料９が切削加工され、これにより露出された試料９の断面を解析対象面として該断面に電子ビーム５を照射し、これによる試料９の断面情報を検出する試料解析装置において、電子ビーム５の光軸６に直交する面に対して所定の傾斜角度となる断面が試料９に形成されるように、試料９へのイオンビーム照射時におけるイオンビーム走査のスキャンローテーション量が制御部２５，２３により設定可能とされ、該スキャンローテーション量に基づくイオンビーム走査により試料９に形成された断面に対して正面側に、試料９の断面情報を検出するための検出器９が配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記課題に鑑み、広い領域で高精細な加工ピッチを実現し、広い領域を高精度に観察を行うことができる荷電粒子線装置及び加工・観察方法を提供することを目的とする。
【解決手段】偏向量の緻密な高精細スキャンと偏向量の大きなイメージシフトという２種類以上のＦＩＢ偏向制御を同期させ、従来よりも広い領域を高密度でスキャンする。また、ＦＩＢのイメージシフトを用いて加工された位置にＳＥＭのイメージシフトを追従させる。作製した一つの断面に対し複数枚のＳＥＭ像を取得し、それをつなぎ合わせることによって高精細な画像を作成する。本発明により、従来よりも広い領域を高精細スキャンで加工し、高精細な三次元構築用データを取得することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料依存性があるＦＩＢ加工において、作業者の個人差の影響を受けることなく、希望の形状に効率良く加工できるようにする。
【解決手段】イオン源で発生されたイオンビームを試料に照射するイオンビーム光学システム装置とその制御装置と、試料の構成元素を検出する元素検出器とその制御装置と、元素検出器で特定された元素に基づいて試料の加工条件を自動設定する中央処理装置とを荷電粒子線装置に実装する。 （もっと読む）

【課題】ダメージ層以外の試料の消失を抑制してダメージ層を全て除去することができるイオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射装置は、試料１を支持するための試料ステージ２と、試料ステージ２に支持された試料１に電子線ＥＢを照射するための電子線照射機構３と、電子線照射機構３で照射された電子線ＥＢにより試料１で励起されたカソードルミネセンス光の波長を検出するための光検出機構４と、試料ステージ２で支持された試料１のダメージ層に不活性ガスイオンビームを照射するための不活性ガスイオンビーム照射機構５と、光検出機構４で検出されたカソードルミネセンス光の波長に基づいて不活性ガスイオンビーム照射機構５で照射される不活性ガスイオンビームＩＢの照射量を制御するための制御部６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高い装置操作スキルを必要とせず、試料、プローブや試料台等の加工対象物を加工することができる装置および方法を提供する。
【解決手段】先ず、イオンビームの走査信号と加工対象物の吸収電流に基づいて加工対象物の形状を求める形状生成処理を行い、次に、加工対象物の像に加工パターンを配置する加工パターン配置処理を行い、更に、イオンビーム照射による加工対象物の加工中に加工対象物の像と加工パターンの比較結果から、イオンビーム照射を停止するイオンビーム停止処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 従来の滞留時間制御による局所加工方法では、加工に伴うワークの温度変化による加工レートの変動を考慮していなかったため、加工精度が悪かった。
【解決手段】 本発明は、局所加工ツールによる第一の加工量を設定する工程（工程１）と、
第一の加工量と前記ワークの温度・加工レートから前記ワークの第一の加工時間分布を求める工程（工程２）と、第一の加工時間分布に従い加工した際のワーク温度を求める工程（工程３）と、求められた前記ワーク温度と、前記温度・加工レートと、前記第一の加工時間分布から、第二の加工量を求める工程（工程４）と、第一の加工量と前記第二の加工量との差である、加工誤差量に応じて、第二の加工時間分布を設定する工程（工程５）と、
第二の加工時間分布に基づき、前記局所加工ツールが前記ワークを加工する工程と、を有することを特徴とする局所加工方法である。 （もっと読む）

【課題】構造部の断面をミル処理する際の、局部的な形状変化を制御する改良された方法であって、測定精度を向上させるため、記録ヘッドの断面での局部的な形状変化を抑制する際に使用される方法である。
【解決手段】局部的な形状変化は、大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とほぼ等しいミル処理速度を有する材料からなる保護層によって抑制される。大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とは異なるミル処理速度を有する材料を含む保護層を用いて、局部的な形状変化を意図的に導入することも可能である。 （もっと読む）

【課題】同一のイオン源から引き出した複数のイオンビームを用いて、試料の加工と観察を可能にするイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２つ備え、各々のガス系統においてガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源を用いて、質量数の異なる少なくとも２種類のガスイオンを生成して、試料の加工時と観察時でガスイオンビーム種の切り替えを可能とする。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムなどの集束粒子ビーム・システム用の荷電粒子源を提供すること。
【解決手段】この源は、荷電粒子システムの軸を中心とすることができる小さな領域内にある独立してアドレス指定可能な多数の放出器を使用する。１つのチップから放出させ、または２つ以上のチップから同時に放出させることを可能にするため、これらの放出器は全て、個別に制御することができる。１つの放出器だけが活動化されるモードは高輝度に対応し、複数の放出器が同時に活動化されるモードは、高い角強度およびより低い輝度を提供する。単一の放出器を逐次的に使用することによって源の寿命を延ばすことができる。全ての放出器に対する機械／電気組合せアラインメント手順が記載される。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工装置による加工で生じた試料のダメージ層の除去の精度は作業者の技量に依存する。
【解決手段】イオンビームにより発生したダメージ層の除去加工中に、電子ビーム光学システムで形成された電子ビームを試料に照射することにより発生する透過電子を二次元検出器で検出し、当該二次元検出器で得られたディフラクションパターンのぼけ量に基づいてダメージ層の除去加工を終了するタイミングを判定する。 （もっと読む）

【課題】本願の目的は，イオンビームによる断面形成時間を短縮する加工方法，およびウェーハから微小試料を分離する加工時間を短縮する加工方法，およびイオンビーム加工装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によるイオンビーム加工装置は，真空容器４１を有しており，真空容器内には，デュオプラズマトロン５１，非軸対称イオンビームレンズ５２，ステンシルマスク５７，などから構成されており，断面に垂直方向に急峻なビームプロファイルを持つアルゴンイオンビームにより試料１１から微小試料１３９を摘出する。
【効果】本願によると，デバイス製造ウェーハ検査・不良解析のための断面観察結果が短時間で得られる。さらに試料を取り出したおよびウェーハをプロセスに戻しても不良を発生させない新たな検査・解析方法，および高歩留まりの電子部品製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】加速電圧を小さくしてもビーム径の小さい集束イオンビームを照射可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。
【解決手段】イオンビーム１１を発生するイオン源２と、イオンビーム１１を試料１３に集束させる第一の対物レンズを形成する第一の対物レンズ電極６、７、８と、第一の対物レンズ電極６、７、８よりも試料１３に近い位置に配置され、低い加速電圧で加速されたイオンビーム１１を試料１３に集束させる第二の対物レンズを形成する第二の対物レンズ電極９と、を有するイオンビーム鏡筒１０を備えた荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工により生じた試料片のダメージ層を不足なくかつ最小限に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置は、試料から試料片を形成する第１のＦＩＢ加工を行う第１の元素イオンビーム光学系装置と、試料片の表面に形成されたダメージ層を除去する第２のＦＩＢ加工を行う第２の元素イオンビーム光学系装置と、ダメージ層に存在する第１の元素を検出するための第１の元素検出器と、を有する。ダメージ層に存在する第１の元素の量が所定の閾値より小さくなったとき、第２のＦＩＢ加工の終了を決定する。 （もっと読む）

【課題】物体を広い領域にわたり所望の形状に加工する。
【解決手段】粒子ビームを物体の表面にわたって走査して物体から出射する電子を検出するステップと、検出した電子に基づき物体表面の高さを求め求め、予め決定された物体表面の高さとの間の高低差を求めるステップと、物体の表面における複数の場所それぞれの加工強度を、求めた高低差に基づき決定するステップと、物体の複数の場所から材料を除去するか又は物体の複数の場所に材料を堆積するために、決定した加工強度に基づき、粒子ビームを複数の場所に指向させるステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＭ像取得のためのシステムを導入することなく、エミッターの先端構造の確認を図ること。
【解決手段】チップ１にガスを供給し、引出電極４に電圧を印加し、チップ１からイオンビーム１１を放出する集束イオンビーム装置において、電圧を変化させ、イオンビーム１１の電流量を測定する電流測定部１１１と、電流測定部１１１で測定した測定データと標準データとを比較処理する処理部１１４とを備え、チップ先端構造を検査する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭレンズに電流を流しながらイオン・ビームを操作することのできる二重ビーム装置を提供すること。
【解決手段】二重ビーム装置はイオン・ビーム装置および磁気対物レンズを備える走査電子顕微鏡を含む。イオン・ビーム装置がＳＥＭ対物レンズからの磁界の存在下で最適に動作するようにされるので、対物レンズはイオン・ビームの動作中に停止しない。任意選択的な二次粒子検出器および任意選択的な荷電中和フラッド銃が磁界の存在下で動作するようにされる。磁気対物レンズは、焦点を変化させたときに、レンズを構成する各部におけるエネルギー放散が時間的に略一定となるように設計されるので、磁界を変化させたとき装置を安定化させる時間を必要としない。 （もっと読む）

【課題】効率の良い断面加工観察プロセスの実現を図ること。
【解決手段】試料５に集束イオンビーム３を照射する集束イオンビーム照射系１と、試料上の集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビーム４を照射する荷電粒子ビーム照射系２と、試料５から発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器で検出した検出信号の変化を検出し、荷電粒子ビーム４の照射を開始する信号を荷電粒子ビーム照射系２に送信する処理を行う処理機構１１と、を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、光学系の操作により、試料ステージを機械的に傾斜させた場合と同等な集束イオンビーム加工観察を実現することに関する。
【解決手段】本発明は、集束イオンビーム光学系における絞り，チルト偏向器，ビームスキャナー、及び対物レンズを制御し、該光学系の光軸に対して傾斜したイオンビームを照射することに関する。本発明により、試料ステージの調整や操作を伴わない薄膜加工や断面加工を実現できる。本発明によれば、集束イオンビームによる薄膜加工や、断面出し加工を自動化し、歩留りを向上させることができる。例えば、断面モニタに利用して終点検知することにより、断面加工の自動化も容易となる。 （もっと読む）

【課題】 電流検出器の開口部交換時にも予備加工を必要とせず、生産性の面で効率的なイオンビーム加工装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 イオンビームを被加工物表面に走査させて前記被加工物を加工するためのイオンビームを用いた加工装置であって、前記イオンビーム及び前記被加工物を相対的に移動させるための前記被加工物を搭載したステージと、前記ステージ上に配置され、前記イオンビームのビーム径より小さい開口部を有する加工用電流検出器と、前記ステージ上に配置され、前記イオンビームのビーム径より小さい開口径を有する校正用電流検出器とを有する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ・イオン源を使用した集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムにおいてミリングおよび画像化を実行する方法を提供すること。
【解決手段】本方法では、ＦＩＢシステムをミリング・モードで動作させるための最適化されたパラメータを表す第１のセットと、画像化モードで動作させるための最適化されたパラメータを表す第２のセットの２つのＦＩＢシステム動作パラメータ・セットが利用される。これらの動作パラメータは、ＩＣＰ源内のガス圧、ＩＣＰ源へのＲＦ電力およびイオン抽出電圧を含むことができ、いくつかの実施形態では、レンズ電圧およびビーム画定アパーチャ直径を含むＦＩＢシステム・イオン・カラム内のさまざまなパラメータを含むことができる。最適化されたミリング・プロセスは、基板の表面から材料をバルク（低空間分解能）高速除去する最大ミリング速度を提供する。最適化された画像化プロセスは、ミリング中の基板領域の画像化を改善するため、最小化された材料除去およびより高い空間分解能を提供する。 （もっと読む）