【課題】周囲温度が変化した場合でも、表示品質を保持できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置１では、表示パネル２０を構成するＴＦＴ基板２２の下面２２Ｂに熱伝導シート３０を密着させ、その一部である突出部３１の先端部を、制御基板４０の下面４０Ａに設けられた温度センサ５０の近傍に固定している。表示パネル２０の温度は、ＴＦＴ基板２２の下面２２Ｂから熱伝導シート３０に伝わり、制御基板４０に設けられた温度センサ５０の周囲に伝わる。従って、表示パネル２０と温度センサ５０とが互いに離間する位置にあっても、周囲環境の温度変化の影響を受けることなく、表示パネル２０の温度を検出できるので表示品質を保持できる。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】駆動回路及び画素部を有し、駆動回路は、デュアルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成され、画素部はシングルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成される表示装置である。該表示装置おけるデュアルゲート型の薄膜トランジスタは、半導体層が微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域で形成され、ゲート絶縁層及び絶縁層が半導体層の微結晶半導体領域に接する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、寄生容量を低減し、高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、第１導電層（６）と、第１導電層の上層側に絶縁膜（６２）を介して配置され、基板上で平面的に見て第１導電層に少なくとも部分的に重なるように設けられた第２導電層（４００）とを備え、絶縁膜には、基板上で平面的に見て、第１導電層と第２導電層とが互いに重なる領域内に空洞部（２１０）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えば各画素における光透過率を高め、明るく高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、素子基板（１０）と、素子基板に設けられた画素電極（９）と、素子基板の少なくとも一部に形成された半導体素子（３０）と、前記素子基板の少なくとも一部に形成された溝（２１０ｖ）からなる光反射部（２１０）とを備え、半導体素子は、素子基板上で平面的に見て、光反射部と互いに重なるように配置されると共に、少なくとも溝の開口部を覆うように設けられた平坦化膜（２１１）上に配置される。 （もっと読む）

【課題】デジタル駆動方式を採用するにあたって、温度センサーを後付けしなくても、温度変化に起因する階調不良の発生を防止することのできる電気光学装置、並びに当該電気光学装置を備えた電子機器および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、駆動部１１０は、データ変換部１１３において画像データをデジタル駆動信号に変換してデータ線駆動回路１１１を介して画素電極９ａに供給する。素子基板１０には、電界効果型トランジスター３０の半導体層と同時に形成された半導体層に不純物をドープしてなる温度検出用導電膜１１が設けられており、データ変換部１１３は、デジタル駆動信号を生成する際に温度検出用導電膜１１の抵抗変化に対応する補正を行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱変色性素子及び熱変色性表示装置に関する。
【解決手段】本発明の熱変色性素子は、絶縁基板と、熱変色性構造体と、加熱構造体と、を備える。前記熱変色性構造体及び前記加熱構造体が前記絶縁基板に設置される。前記加熱構造体が、カーボンナノチューブ構造体を含み、該カーボンナノチューブ構造体が複数のカーボンナノチューブを含み、前記熱変色性構造体を加熱することに用いられる。前記熱変色性構造体が、４０℃以上の温度で非結晶状態及び結晶状態の変換できる変色材料であり、該変色材料の非結晶状態での光反射率と結晶状態での光反射率とが異なる。また、本発明は、熱変色性表示装置を提供する。該熱変色性表示装置が前記熱変色性素子を採用している。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えば基板上の積層構造における最上層側の段差を低減し、高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上の画素領域に設けられ、所定の形状にパターニングされた透明電極（９）と、透明電極の下地となる絶縁膜（４５）と、この絶縁膜上における画素領域のうち透明電極が形成された透明電極形成領域を除く透明電極非形成領域に設けられ、透明電極の上層側表面と絶縁膜の上層側表面との段差を低減するための段差低減膜（６１０）と、基板上の積層構造における透明電極及び段差低減膜と絶縁膜との間に基板上で平面的に見て絶縁膜に重なるように形成され、透明電極の屈折率と絶縁膜の屈折率との間の屈折率を有するエッチングストッパー膜（７１０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法において、効率的なレイアウトを有する積層構造を形成することによって、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に、第１の導電層（７）を形成する工程と、第１の絶縁層（１４）を介して第２の導電層（８）を形成する工程と、第２の絶縁層（１５）を形成する工程と、第１及び第２の絶縁層並びに第２の導電層を貫通するようにコンタクトホール（３３）を形成する工程と、第２の導電層のうちコンタクトホールに面する領域を酸化することで、絶縁部（８ｂ）を形成する工程と、コンタクトホールを埋めるように第３の導電層（９）を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタをスイッチング素子として用い、同一基板上に画素部と、高速動作が可能な駆動回路部とを有する表示品質及び信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】駆動回路部と画素部において、一方の面に結晶領域を有する酸化物半導体層を活性層として用いた２種類の薄膜トランジスタをそれぞれ形成し、ゲート電極層の配置によりチャネルが形成される領域を選択することにより、薄膜トランジスタの電気特性を選択し、同一基板上に高速動作が可能な駆動回路部と、画素部を有した半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法において、基板上に精度よく導電層を形成することによって、高品位な画像表示の可能な電気光学装置を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に、導電層（９）を形成する工程と、導電層上に第１の絶縁層（４１）を形成する工程と、第１の絶縁層を部分的に除去することにより導電層が部分的に露出するように開口部（４３）を形成する工程と、第２の絶縁層（４２）を形成する工程と、開口部の内側面に第２の絶縁層が部分的に残存するように、第２の絶縁層を除去する工程と、第１及び第２の絶縁層をマスクとして導電層を部分的に除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおける光透過率を向上させることができる平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平板表示装置は、第１基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を含む活性層と、活性層を含む第１基板上に形成されたゲート絶縁層と、チャネル領域上のゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を含むゲート絶縁層上に形成された第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜及びゲート絶縁層に形成されたコンタクトホールを介してソース領域及びドレイン領域の活性層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、第１層間絶縁膜とソース電極及びドレイン電極との間に介在する第２層間絶縁膜と、ソース電極及びドレイン電極を含む第１層間絶縁膜上に形成された保護層と、保護層に形成されたビアホールを介してソース電極またはドレイン電極に接続された画素電極とを備える。 （もっと読む）

３原色以上を有する多原色表示装置であって、多原色表示装置はピクセル反復ブロックの空間的な繰り返しを含み、ピクセル反復ブロックは原色のピクセル群の第１ピクセル列を含み、各原色は関連した最大輝度を有し、各ピクセルは、低輝度のサブピクセルに隣接する高輝度のサブピクセルを少なくとも含む複数のサブピクセル群に分割され、第１ピクセル列は、少なくともピクセル反復ブロックの第１サブピクセル列とピクセル反復ブロックの補完的サブピクセル列とを形成する複数のサブピクセル群を有し、補完的サブピクセル列は第１サブピクセル列に隣接し、かつ第１サブピクセル列の各サブピクセルのための補完的サブピクセルを含み、第１サブピクセル列の高輝度のサブピクセル群についての第１組み合わせ最大輝度と補完的サブピクセル列の高輝度のサブピクセル群についての第２組み合わせ最大輝度との差が、第１組み合わせ最大輝度と第２組み合わせ最大輝度との和の３０％以下になるように、サブピクセル群は配列される。本発明は、例えばピクセル構造の可視性を低減する、改良された表示装置を提供する。
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【課題】本発明は、良好な画像表示を行うことができ、配線の取り出しが容易なツイストボール型電子ペーパーを提供することを主目的とする。また、本発明は、再利用可能なツイストボール型電子ペーパーを提供することを主目的とする。
【解決手段】透明性を有するフィルムからなる第１基材、および上記第１基材の一方の表面に形成された透明電極を有する透明電極側基材と、絶縁性を有するフィルムからなる第２基材、および上記第２基材の一方の表面に形成された対向電極を有する対向電極側基材と、ツイストボールおよび低極性溶媒を含む低極性溶媒層からなるツイストボール層とを有し、上記ツイストボール層は、上記第１基材および上記第２基材により密封され、上記対向電極側基材は、上記対向電極が上記ツイストボール層とは反対側となるように配置されていることを特徴とするツイストボール型電子ペーパーを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を小さくし、他画素への光漏れを防止し、更に、ＬＥＤで発光した光の取り出し効率を向上する。
【解決手段】発光素子アレイは、複数のアノード配線３５と、複数のカソード配線３７と、薄膜半導体からなる複数のＬＥＤ３１とを有している。複数のＬＥＤ３１は、アノード配線３５とカソード配線３７とによりそれぞれ囲まれて複数配置された素子搭載領域３２ａ内にそれぞれ配置されている。アノード配線３５には、アノード側傾斜面３５ｓが形成されている。このアノード側傾斜面３５ｓは、ＬＥＤ３１の近傍から遠ざかる方向へ立ち上がり、ＬＥＤ３１から放射された光をＬＥＤ３１の上面方向へ反射する。更に、カソード配線３７には、カソード側傾斜面３７ｓが形成されている。このカソード側傾斜面３７ｓは、ＬＥＤ３１の近傍から遠ざかる方向へ立ち上がり、ＬＥＤ３１から放射された光をＬＥＤ３１の上面方向へ反射する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ層等のドライバ層を設けない簡易な構成の電子ペーパ２において画像の高画質化を可能とする。
【解決手段】電子インク層１１と、電子インク層の一面側に設けられた表面フィルム１２と、電子インク層の他面側に設けられた裏面フィルム１３と、電子インク層と表面フィルムとの間に介在し、複数の画素２１に対応して配設された複数の透明な画素電極１４と電子インク層と裏面フィルムとの間に介在する共通電極１５とを備え、表面フィルムには、複数の貫通孔３０が形成されると共に、当該貫通孔内に複数の画素電極とそれぞれ電気的に接続された複数の上側スルーホール電極３１が設けられ、裏面フィルムには、少なくとも１つの貫通孔４０が形成されると共に、当該貫通孔内に前記共通電極と電気的に接続された下側スルーホール電極４１が設けられた構成とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた、表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

本発明は、複数の画素を有するエレクトロウェッティング式表示デバイスを作製する方法に関し、各画素が、表示区域を取り巻く壁によって画定され、複数の画素が支持板の第１の領域を覆う。この方法は、少なくとも第１の領域を覆う疎水性層を設けるステップと、実質的に表示区域の外側で第２の領域の上の疎水性層の疎水性を低下させるステップと、第１の領域の上で疎水性層上に壁を形成するステップとを含む。本発明はさらに、エレクトロウェッティング式表示デバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は複数の画素を有し、複数の画素はそれぞれ、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子と、を有する。第１のトランジスタは、ソース及びドレインの一方が第１の信号線に電気的に接続され、ゲートが第２の信号線に電気的に接続され、第２のトランジスタは、ソース及びドレインの一方が第１のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が発光素子に電気的に接続され、ゲートが第１のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、第３のトランジスタは、ソース及びドレインの一方が第１のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が一定の電位に保たれ、ゲートが第３の信号線に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の電気的特性変化を防止できる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたゲート電極、ゲート電極を含む上部に形成された第１絶縁層と、ゲート電極を含む第１絶縁層上に酸化物半導体で形成された活性層と、活性層を含む上部に形成された第２絶縁層と、第２絶縁層上に活性層と連結されるように形成されたソース電極及びドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極を含む上部に有機物で形成された第３絶縁層と、第３絶縁層上にソース電極又はドレイン電極と連結されるように形成されたアノード電極と、アノード電極を含む上部に形成されて発光領域のアノード電極が露出するようにパターングされた画素定義膜と、露出したアノード電極上に形成された有機発光層、及び有機発光層上に形成されたカソード電極を含み、アノード電極が活性層と重ならないように配置される。 （もっと読む）