【課題】静電破壊を防止して歩留まり良く製造できる電気装置の製造方法、半導体基板の製造方法、電気装置用形成基板、及び電子機器を提供する。
【解決手段】支持体上に、樹脂材料からなる基材を複数積層することで第１基板を形成する工程と、素子基板から前記支持体を剥離する工程と、素子基板との間で機能素子を挟持するように第２基板を貼り付ける工程と、を有する電気装置の製造方法に関する。素子基板の形成工程においては、複数の基材間のいずれかに挟持するように電極層を配置するとともに、電極層よりも上層であって複数の前記基材間のいずれかに挟持する或いは基板本体の表面に配置するように機能素子を駆動するための半導体素子を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】狭額縁の表示装置、表示装置用基板、及び、表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１基板と、第２基板と、表示層と、シール部と、凸部と、間隔調整層と、を含む表示装置が提供される。前記表示層は、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられる。前記シール部は、前記第１基板と前記第２基板との間において前記表示層を囲む。前記凸部は、前記第１基板の前記表示層に面する第１主面上の前記シール部の外側において前記シール部の外縁に沿って設けられる。前記間隔調整層は、前記シール部の前記外側において前前記外縁に沿って設けられ、前記第１基板から前記第２基板に向かう方向に沿ってみたときに前記凸部と重なる部分を有し前記凸部と接する。 （もっと読む）

【課題】コンパクトでありながら、より安定した動作を行う薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタは、ゲート電極と、絶縁膜を介してゲート電極と対向して配置された有機半導体層と、この有機半導体層の上に設けられた絶縁性構造体と、互いに離間して配置され、かつ、有機半導体層の上面の一部とそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、絶縁性構造体を覆い、ソース電極と接続されると共にドレイン電極と分離された導電性材料層とを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲートスルーホールに接続される配線部のカバレジが不足するとともに、ゲートスルーホール端部において、配線部のショートが生じる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、基板上の所定の位置に形成された電極層と、電極層上に形成された絶縁膜に設けられたゲートスルーホールを介して電極層と接続される配線膜と、を有し、前記ゲートスルーホールは、前記積層方向に順に水平方向に対して、第1のテーパ角を有する第１のテーパ部と、前記第１のテーパ角と異なる第２のテーパ角を有する第２のテーパ部と、前記第２のテーパ角と異なる第３のテーパ角を第３のテーパ部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を使用する薄膜トランジスタの特性を向上させることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板を提供する。本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板の上に配置するゲート配線層、前記ゲート配線層の上に配置する酸化物半導体層、及び前記酸化物半導体層の上に配置して、前記ゲート配線層と交差するデータ配線層を含み、前記データ配線層は銅を含む主配線層、及び前記主配線層の上に配置して、銅合金を含むキャッピング層を含む。 （もっと読む）

【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、１または複数の第１開口部を有する基板と、この基板の一主面側に設けられると共に、各第１開口部と対向して１または複数の第２開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第１開口部および第２開口部を順に通過することにより、第２開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第２開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 （もっと読む）

【課題】高い表示性能を実現しつつ、簡便に作製可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、基板上に、第１電極層、発光層を含む有機層、および第２電極層が各々順に積層されてなる複数の発光素子と、有機層を、発光素子ごとに分離する黒色絶縁層とを備える。黒色絶縁層において外光が吸収される。また、対向基板にブラックマトリクス層を設ける必要がない構造であることから、対向基板を貼り合わせる際にアライメントが不要である。 （もっと読む）

【課題】信号の遅延が抑制された表示装置を提供する。また、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素に共通電位を与える共通配線と、画素を駆動する信号を入力するための信号線との間の寄生容量を無くせばよい。具体的には、外部から信号が入力される外部入力端子よりも外側に共通配線を引き回し、信号線と共通配線との交差部を無くすことにより、共通配線と信号線との間の寄生容量がなくなり、表示装置の高速駆動と低消費電力駆動が実現できる。 （もっと読む）

【課題】光照射時のＴＦＴ特性を安定化する。
【解決手段】ゲート電極１４上に配置されたゲート絶縁層１６上に、第一の酸化物半導体膜２４を成膜する第一工程と、第一の酸化物半導体膜２４とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜２４より低い電気伝導度を有する第二の酸化物半導体膜２６を成膜する第二工程と、酸化性雰囲気の下３００℃超で熱処理する第三工程と、第一の酸化物半導体膜２４とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜２４より低い電気伝導度を有する第三の酸化物半導体膜２８を成膜する第四工程と、酸化性雰囲気の下３００℃超で熱処理する第五工程と、第三の酸化物半導体膜２８上に、ソース電極２０及びドレイン電極２２を形成する電極形成工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、ＥＬ材料を成膜する前にＴＦＴ
基板の動作の確認をおこない、最終製品の良品率を向上させ、原価を低減すること。
【解決手段】各画素に、駆動用ＴＦＴのドレイン領域に電気的に接続し、さらにＥＬ素子
と電気的に並列接続している容量を設け、容量の充放電を確認することによって、駆動用
ＴＦＴが正常に動作するかどうかの判断をおこなう。こうして、不良品をＥＬ材料の成膜
前に除去可能であり、製造費用の削減がはかれる。 （もっと読む）

【課題】所望の領域に封止部を形成することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域を囲む封止領域および封止領域を外側から囲む段差部を有する基板と、表示領域に設けられた表示層と、封止領域に設けられた封止部とを備えた表示装置。この表示装置では、基板に段差部が設けられているので、封止部が段差部よりも外側に広がる虞がなく、所望の領域に封止部が設けられる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１基板部と、第２基板部と、表示層と、シール部と、を備えた表示装置が提供される。第１基板部は、第１基板と、表示電極と、端子部と、第１絶縁層と、を含む。第１基板は、表示領域と、表示領域の外側の周辺領域と、を有する第１主面を有する。表示電極は、表示領域に設けられる。端子部は、周辺領域に設けられ、表示電極と接続される。第１絶縁層は、端子部の少なくとも一部を露出しつつ表示電極を覆い、表示領域及び周辺領域の上に設けられ、ポリシロキサンを含む。第２基板部は、第１主面と対向する、表示層は、表示電極と第２基板部との間に設けられる。シール部は、第１基板部と第２基板部との間に設けられ、表示層を囲み、第１絶縁層と接する。シール部の外縁は、第１絶縁層の外縁よりも内側である。 （もっと読む）

【課題】透光性基板に形成した溝の開口部を高い生産性をもって塞ぐことのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、第２基板２０には、画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）に向けて開口する中空の溝２６０が形成されており、かかる溝２６０の開口部２６５は透光性絶縁膜２７によって塞がれている。このため、中空の溝２６０の側面２６１、２６２は、溝２６０内の媒質（真空）と第２基板２０の媒質との屈折率の差に起因する反射面となる。透光性絶縁膜２７は、シランガスを用いてＣＶＤ法により成膜したシリコン酸化膜であり、溝２６０の奥まで透光性絶縁膜２７が形成されることはない。それ故、溝２６０において反射面として機能する側面２６１、２６２の面積が広い。 （もっと読む）

【課題】光利用効率が高く生産性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、主基板と、光制御層と、を含む表示装置が提供される。光制御層は、主基板と積層される。主基板は、主基体上に設けられた波長選択透過層と、回路層と、を有する。波長選択透過層は、下側反射層と、下側反射層の上に設けられた上側反射層と、下側反射層と上側反射層との間に設けられた第１スペーサ層及び第２スペーサ層を含む。第２スペーサ層の厚さは第１スペーサ層とは異なる。回路層は、主基体の主面に対して垂直な第１方向に沿って見たときに第１、第２スペーサ層と重なる部分を有する第１、第２画素電極を含む。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することが可能な構造を備える表示装置を提供する。
【解決手段】各サブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域と、コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とから構成され、複数のピクセルは、前記第２基板の表面上において、第１方向に延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置され、第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域は、前記第１方向に沿って配置され、第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域は、第２方向に沿って配置され、第２基板上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域は前記第１方向に沿って配置され、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域は前記第１方向に沿って配置される、表示装置。 （もっと読む）

【課題】遮光層もしくは透明着色層からなるカラーフィルタ層、保護層等に不良があるとして排除されたＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ ｏｎ Ａｒｒａｙ）、BＯＡ（BM ｏｎ Ａｒｒａｙ）基板から、遮光層もしくは透明着色層からなるカラーフィルタ層および保護層を選択的に剥離する方法を提供することを目的とした
【解決手段】先ずカラーフィルタ層を炭化する炭化処理を実施し、次いで前記炭化層をレーザ照射により除去することを特徴とする方法であって、前記炭化処理は、赤外線レーザ照射によりなされ、炭化層及び炭化層から上の部分はＹＡＧレーザでアブレーション剥離されることを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法である。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことができるとともに、溝の側面が封止用の膜で覆われることを最小限に抑えることのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、溝２６０を中空に封止するにあたって、第１封止膜２７を形成する前、溝２６０内に犠牲膜２４を形成しておき、第１封止膜２７を形成した後、第１封止膜２７の貫通部２７５を介して犠牲膜を除去する。そして、第１封止膜２７上に第２封止膜２８を形成し、第１封止膜２７の貫通部２７５を第２封止膜２８で塞ぐ。このため、第１封止膜２７を溝２６０の開口部２６５を塞ぐように形成することができるとともに、第１封止膜２７が溝２６０の奥まで形成されることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板を貼り合わせるためのシール剤の塗布パターンを硬化処理するに際して、効率的に硬化処理を行ってシール工程全体の所要時間を短縮させることができる。
【解決手段】シール剤の塗布パターンの一方向に沿った辺上に第１硬化処理ユニット３の処理部３Ａが位置するように、第１硬化処理ユニット３を基板の一端側から他端側に向けて順次相対的に移動させ、第１硬化処理ユニット３が塗布パターンの半分位置まで移動する迄の間、塗布パターンの他方向に沿った辺上に第２硬化処理ユニット４の処理部４Ａが位置するように、第２硬化処理ユニット２を基板の一端側から他端側に向けて順次移動させ、第１硬化処理ユニット３が塗布パターンの半分位置まで移動した後は、塗布パターンの他方向に沿った辺上に第３硬化処理ユニット５の処理部５Ａが位置するように、第３硬化処理ユニット５を基板の一端側から他端側に向けて順次移動させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタアレイ基板、有機発光表示装置、及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に配置され、活性層２１２、ゲート電極２１４、ソース電極２１８ａ、ドレイン電極２１８ｂ、活性層とゲート電極との間に配置された第１絶縁層１３、及びゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間に配置された第２絶縁層１５を含む薄膜トランジスタと、第１絶縁層及び第２絶縁層上に配置され、ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結される画素電極１１７と、ゲート電極と同一層で形成された下部電極３１４及び画素電極と同一材料を含む上部電極３１７を含むキャパシタと、第２絶縁層と画素電極との間及び下部電極と上部電極との間に直接配置された第３絶縁層１１６と、ソース電極、ドレイン電極及び上部電極を覆って画素電極を露出させる第４絶縁層１９と、を含む薄膜トランジスタアレイ基板。 （もっと読む）