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Fターム[5C094AA43]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 目的 (21,550) | 製造容易 (2,384)

Fターム[5C094AA43]に分類される特許

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【課題】 高温高湿下で電圧を印加した際、電極を構成する成分が感光性樹脂組成物中に拡散し電極が溶解するのを低下させることが可能な感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、画像表示装置の隔壁の形成方法及び画像表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 画像表示装置において、画素を分離する隔壁を形成するための感光性樹脂組成物であって、上記感光性樹脂組成物が、(A)成分:分子内にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有するバインダーポリマー、(B)成分:光重合性化合物、(C)成分:光重合開始剤、(D)成分:カルボン酸と反応する官能基を有する化合物、(E)成分:メルカプト基を含まない複素環状化合物、(F)成分:無機系黒色顔料を含む感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】液晶パネルなどにおいて、取り出し端子とFPCを接続するための異方性導電膜のコンタクトの信頼性を向上する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板101上の接続配線183は端子部182において異方性導電膜195によって、FPC191に電気的に接続される。接続配線183はアクティブマトリクス基板101上のTFTのソース/ドレイン配線と同じ工程で作製され、金属膜と透明導電膜の積層膜でなる。異方性導電膜195との接続部分において、接続配線183の金属膜の側面は保護膜で覆われているためこの部分において、金属膜は透明導電膜、下地の絶縁膜109、保護膜に接して囲まれ外気に触れることがない。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100を製造するにあたって、層間絶縁膜45上にコンタクトホール45aの底部45eおよび内壁45fに重なるコンタクト用導電膜90をITO膜により形成した後、コンタクトホール45aの内部を埋める埋め込み膜48をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜48に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜90を露出させる。また、コンタクトホール45aの内部には埋め込み膜48を残す。その際、埋め込み膜48とコンタクト用導電膜90とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜48を選択的に除去してコンタクト用導電膜90を露出させる。 (もっと読む)


【課題】信号線駆動回路が有するスイッチ回路を画素部と同じ基板上に配置する構成において、スイッチ回路を構成するトランジスタサイズを縮小し、データを供給することによる信号線の充放電を行う際の回路内の負荷を削減する
【解決手段】映像信号が入力される画素部と、映像信号の画素部への出力を制御するためのスイッチ回路部を有する信号線駆動回路を有し、スイッチ回路部は、絶縁基板上において、電界効果移動度が少なくとも80cm/Vs以上であるトランジスタを有し、トランジスタは、酸化物半導体層を有する。 (もっと読む)


【課題】
MEMS基板とAP基板との貼り合わせ作業におけるセルフアライメントが可能であり、外部衝撃に対する信頼性の高い表示装置を提供すること。
【解決手段】
透明基板(SUB1)上に可動式のシャッターを備えたMEMS基板と、他の透明基板(SUB2)上に光を透過するアパーチャを該シャッターの開口に対応して備えたAP基板とを有し、両基板を所定の間隔で対向配置する表示装置において、該AP基板の面上には、複数の支柱(CO)が形成され、該MEMS基板の該可動式のシャッターが形成された面上には、該支柱が挿入され、該支柱を保持するコンタクトホール(CH)が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する非晶質酸化物半導体層と、該非晶質酸化物半導体層上に設けられた酸化アルミニウム膜とを含んで構成される半導体装置を提供する。該非晶質酸化物半導体層は、脱水又は脱水素化処理を行った結晶性又は非晶質酸化物半導体層に対して、酸素注入処理を行い、その後、酸化アルミニウム膜を設けた状態で450℃以下の熱処理を行うことで形成される。 (もっと読む)


【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第1の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第1の光センサと、赤外光に光感度を有し、第1の光センサより可視光に対する光感度が低い第2の光センサを設ける。第1及び第2の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第1の基板に向かい合って第2の基板を設け、第2の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 (もっと読む)


【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上の複数の部分に配設された半導体膜2と、半導体膜2上に、該半導体膜2と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極4と、半導体膜2、ソース電極3およびドレイン電極4を覆うゲート絶縁膜6と、ゲート絶縁膜6を介して、ソース電極3およびドレイン電極4の間に跨るように配設された、ゲート電極7とを有した薄膜トランジスタ201と、半導体膜2上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極10と、下層に半導体膜2を有してソース電極から延在するソース配線31と、ゲート電極7から延在するゲート配線71と、ドレイン電極4に電気的に接続された画素電極9と、隣り合う画素の補助容量電極10どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線12とを備えている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処
理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を
有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験(BT試験)前後においてもトランジ
スタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることが
できる。 (もっと読む)


【課題】外力が発生しても高い気密性を保持できる、信頼性の高い気密容器を製造する。
【解決手段】粘度が負の温度係数を有し、第1および第2のガラス基材1,2よりも軟化点が低い接合材4を、第2のガラス基材2の上に枠状に形成し、第1のガラス基材1を、接合材4と接触させるように、接合材4が形成された第2のガラス基材2に対向配置する。接合材4が延びる方向から見たとき、局所加熱光9の照射は、接合材4と、第2のガラス基材2の側端部6とが照射範囲に含まれるように行われるとともに、接合材4の両端部からそれぞれ、第2のガラス基材2の側端部6までの距離をA、第2のガラス基材2の側端部6と反対側の、照射範囲の境界までの距離をBとすると、B≧Aの関係を満たすように行われる。 (もっと読む)


【課題】液滴吐出法と蒸着法を組み合わせた画素形成に好適な画素レイアウトを有する有機EL装置を提案する。
【解決手段】有機EL装置は、複数の画素領域10を備えており、各画素領域10は三原色に対応する第一、第二及び第三の副画素10R,10G,10Bを有している。隣接する第一の副画素10R同士、及び隣接する第二の副画素10G同士は、それぞれ、一定間隔Dで配列されており、第三の副画素10Bは、画素領域10から第一及び第二の副画素10R,10Gを除いた隙間領域に形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第1のゲート電極と、第1のゲート電極上の第1の絶縁層と、第1の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第2の絶縁層と、第2の絶縁層上の第2のゲート電極とを有し、第1のゲート電極は、第1の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第2のゲート電極は、第2の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第2の絶縁層上に設けられ、第1の領域は、第2のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第2の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第1の領域における第2の絶縁層は、第2の領域における第2の絶縁層よりも薄い。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア性、柔軟性、耐熱性および透明性に優れ、かつ、寸法安定性、操作性および二次加工性に優れた表示素子用基板を提供すること。
【解決手段】本発明の表示素子用基板は、該無機ガラスの両側に配置された樹脂層とを備え、総厚が150μm以下であり、湾曲させた際の破断直径が30mm以下である、表示素子用基板であって、該樹脂層の合計厚みdrsumと該無機ガラスの厚みdとの比drsum/dが、0.5〜2.1であり、該無機ガラスの厚みdが25μm〜50μmである。 (もっと読む)


【課題】バリアーパターンを利用して立体映像を具現でき、バリアーパターン及び電極パターンを利用して外部のタッチ情報を認識できる表示装置が提供される。
【解決手段】第1基板、第1基板と対向して具備された第2基板、及び複数の画素を含む表示パネルと、第2基板に具備され、第1方向へ延長された複数の電極パターンと、第2基板に具備され、電極パターンと絶縁されるように第1方向と異なる第2方向へ延長された複数のバリアーパターンと、を含み、各画素は、第1方向へ延長されたゲートラインと、第2方向へ延長されたデータラインと、ゲートライン及びデータラインに電気的に連結され、電極パターンの中で対応する電極パターンと電界を形成して階調を表示する画素電極と、を含む。 (もっと読む)


【課題】平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に透明導電物を含む画素電極と、画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第1電極;画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第1電極を覆う第1保護層;第1保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第2電極;ゲート電極及びキャパシタ第2電極を覆う第1絶縁層;第1絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層;半導体層を覆う第2絶縁層;第2絶縁層上に形成され、かつ第2絶縁層を貫通して半導体層に連結され、少なくとも一つは画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極;及びソース及びドレイン電極を覆って画素電極を露出させる第3絶縁層;を含む平板表示装置用バックプレーン。 (もっと読む)


【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材110上で半導体層150と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極120及びドレイン電極130と、前記チャネル領域を制御するゲート電極140と、前記ドレイン電極130と接続され液晶材料を駆動する画素電極190と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極190の間の空間に配された無機絶縁膜195と、前記画素電極190とは接触せずに、前記無機絶縁膜195と接触するようにして配された遮光膜200と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物
半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第1の加熱処理を行う。次いで
、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注
入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び
、酸化物半導体膜が露出した状態で第2の加熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】オーバーラップしているディスプレイ素子を有する電子的に更新可能なタイル状ディスプレイを開示する。
【解決手段】タイル状ディスプレイ9は、ディスプレイ素子10(11)を含み、ディスプレイ素子10(11)は、線状又は多次元のアレイを形成するために互いにオーバーラップすることができる。ディスプレイ素子10(11)の画素は、単一のタイル状ディスプレイ9の外観を与えるために、隣接するディスプレイ素子10(11)の画素と位置を合わせることができる。タイル状ディスプレイ9は、鑑賞領域のサイズを低減するために、或いは輸送又は貯蔵の目的で、丸めるか、折り畳むか、縮めるか、又は分解することができるように構成する。 (もっと読む)


【課題】印刷により、ストライプ状の従来より幅の広いライン電極を形状精度及び寸法精度良く形成することができるオフセット印刷による電極形成方法を提供する。
【解決手段】版に導電性インクを充填後、ドクターナイフによって余剰な導電性インクを掻き取るドクタリング工程を含むオフセット印刷により、印刷用基材上にストライプ状のライン電極を形成する電極形成方法において、オフセット印刷に用いる版として、形成するライン電極に対応し、版の導電性インクを充填する凹形状のパターン内に、各々が凹形状の複数の彫刻部11を有し、形成するライン電極の面積に対する彫刻部の合計面積の比率TS(%)が、70%≦TS<100%で、かつ、個々の彫刻部の面積S(μm)が、0<S≦80000μmを満足する版、を用いる。 (もっと読む)


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