【課題】製造工程が単純化され、かつ開口率が向上した有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板；基板上に形成される補助電極；補助電極上に形成され、活性層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるＴＦＴ；ＴＦＴと電気的に連結され、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一部と同一層に同一物質で形成された画素電極、発光層を含む中間層、及び画素電極と対向するように配置された対向電極が順次積層された有機発光素子；ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で一定ほど離隔して形成されて、補助電極と前記対向電極とを電気的に連結するコンタクト電極；を備える有機発光ディスプレイ装置。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法により高精細かつ高い素子耐久性と表示メモリ性を兼ね備えるエレクトロクロミック表示装置を提供すること。
【解決手段】対向して設けられた表示基板１及び対向基板９と、前記表示基板上１に設けられた表示電極２と、前記対向基板９上に設けられた複数の画素電極８と、前記表示基板１と前記対向基板９とに挟持され、前記表示電極２に接して設けられたエレクトロクロミック層３と、前記複数の画素電極９上に、当該複数の画素電極９形成領域の全面に亘って形成された電荷保持層８と、前記電荷保持層８上に、当該電荷保持層８を被覆するように設けられた保護層７と、を備え、前記表示電極２と前記画素電極８との間に充填されてなる電解質を含む電解液４を有し、前記電荷保持層７は、酸化ニッケルを含み、前記電荷保持層７と前記保護層６とからなる積層構造体の表面抵抗は、１Ｅ＋６Ω／□以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタアレイパネルにおいて、酸化シリコン膜の厚さを減少させる。
【解決手段】本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタアレイパネルは、絶縁基板と、絶縁基板上に配置され、ゲート電極を含むゲート線と、ゲート線上に配置され、窒化シリコンを含む第１ゲート絶縁膜と、第１ゲート絶縁膜上に配置され、酸化シリコンを含む第２ゲート絶縁膜と、第２ゲート絶縁膜上に配置される酸化物半導体と、酸化物半導体上に配置され、ソース電極を含むデータ線と、酸化物半導体上に配置され、ソース電極と対向するドレイン電極と、ドレイン電極と接続される画素電極と、を含み、第２ゲート絶縁膜の厚さは２００Å以上５００Å未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００を製造するにあたって、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程におけるプラズマダメージの影響を低減し、しきい値電圧
のばらつきの抑制された均一な表示特性の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上の平坦化層と、該平坦化層の上面もしくは下面に設けられる
と共に前記平坦化層からの水分や脱ガス成分の拡散を抑制するバリア層を備えた半導体装
置であって、これら平坦化層及びバリア層の位置関係を工夫することにより平坦化層に及
ぶプラズマダメージを低減する上で有効なデバイス構成を用いる。また、画素電極の構造
として新規な構造との組み合わせにより、輝度の向上等の効果をも付与する。 （もっと読む）

【課題】フリンジ電場切換（Fringe Field Switching=FFS）液晶ディスプレイパネルの表示輝度を向上させる画素アレイ基板と画素アレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】画素アレイ基板であり、基板１０２と、多数本の走査線ＳＬと、多数本のデータ線ＤＬと、多数個の能動素子Ｔと、保護層１０４と、共通電極１０６と、誘電層１０８と、多数個の画素電極ＰＥとを含む。基板が表示領域Ｒ１および周辺領域を有する。走査線とデータ線とが互いに交差し、能動素子と走査線とデータ線とが電気接続される。保護層が能動素子を被覆する。共通電極が保護層上に配置され、表示領域中に位置する。誘電層が共通電極を被覆する。多数個の画素電極が誘電層上に位置し、かつ各画素電極と１つの能動素子が電気接続され、各画素電極が多数個のスリットｇを有し、共通電極が前記多数のスリット箇所で各画素電極により遮蔽されないようにする。 （もっと読む）

【課題】鮮明な多階調カラー表示の可能なＥＬ表示装置及びそれを具備する電気器具を提供する。
【解決手段】画素１０４に設けられたＥＬ素子１０９の発光、非発光を時間で制御する時分割駆動方式により階調表示を行い、電流制御用ＴＦＴ１０８の特性バラツキによる影響を防ぐ。また、時分割駆動方式を用いる際、データ信号側駆動回路１０２及びゲート信号側駆動回路１０３を、特異な結晶構造を有するシリコン膜を用いた極めて動作速度の速いＴＦＴで形成する。 （もっと読む）

【課題】映像品質が向の上された表示装置とその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明による表示装置は複数の画素を有し、各画素は第１絶縁基板の上に具備されたゲート電極と、ゲート電極をカバーし、第１絶縁基板の上に具備されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上にゲート電極とオーバーラップして配置された半導体パターンと、半導体パターンの上に互に離隔されて具備されたソース電極とドレイン電極と、ゲート絶縁膜の上に配置され、その一部がドレイン電極と接触する透明画素電極、透明画素電極の上に形成された保護層、及び第１絶縁基板と第１絶縁基板に対向する第２絶縁基板の中でいずれか１つに具備され画素電極と電界を形成する共通電極を含む。 （もっと読む）

【課題】 水分に対する高いガスバリア性を有するにもかかわらず、プラスチックフィルムが吸湿した含有水分の除去が容易であり、表示素子の表示性能の低下などの問題が生じにくい、表示素子などへの用途に適した透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】 基材プラスチックフィルムの一方の面にガスバリア機能層を有し、他方の面に透明導電層を有する透明導電性フィルムであって、前記ガスバリア機能層の水蒸気透過度を０．０１ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下とし、前記透明導電層の水蒸気透過度を１．０ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以上としたことを特徴とする透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】光硬化性結合部材を用いた共通電極表示板との結合が容易である薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】ゲート線、データ線、画素電極及び薄膜トランジスタが設けられている基板、及び前記基板上に設けられ、外部からの信号を受信する配線部と前記配線部からの信号に応答してゲート信号を前記ゲート線に出力する回路部とを備えるゲート駆動部、を含み、前記配線部は、前記配線部に重畳する光硬化性の結合部材に光を透過させるための開口部が設けられている信号線を含み、前記配線部は開口部が設けられていない信号線をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板に形成されたパターンの寸法精度を容易に向上させることができるフレキシブル基板積層体を提供する。
【解決手段】本発明によるフレキシブル基板積層体１０、フレキシブル基板１１と、フレキシブル基板１１に粘着層１３を介して貼り合わされ、フレキシブル基板１１に対して剥離自在な剥離フィルム１２と、を備えている。フレキシブル基板１１には、パターン１４が形成されている。フレキシブル基板１１のうちパターン１４が形成された部分において、フレキシブル基板１１と剥離フィルム１２とを貼り合せたことにより生じたひずみが、±０．０１％以内となっている。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴにおいて、ＴＡＯＳ層のソース領域およびドレイン領域に相当する領域を十分に低抵抗化できる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を形成するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップと、島状絶縁膜１８の周囲に露出した第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７をアルカリ溶液に浸すステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】画素構造の開口率を増やすことのできる画素アレイおよびそれを有するディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】複数の画素構造を含む画素アレイを提供する。画素構造のうち少なくとも１つは、スキャンラインと、データラインと、能動素子と、画素電極と、読み出しラインと、ＥＭＩ遮蔽層と、検出装置とを有する。スキャンラインおよびデータラインは、基板の上に配置される。能動素子は、スキャンラインおよびデータラインに電気接続される。画素電極は、能動素子に電気接続される。読み出しラインは、データラインの上方または下方に配置される。ＥＭＩ遮蔽層は、データラインを覆い、読み出しラインとデータラインの間に位置する。検出装置は、スキャンラインおよび読み出しラインに電気接続される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で配線間の静電破壊を防ぐこと。
【解決手段】表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に第１の信号線と第２の信号線とが形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上層に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上層に設けられ、前記第１の信号線および第２の信号線と平面的に重なる半導体膜が形成された半導体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造とすることなく、従来よりも密閉性に優れた空間に発光素子を備え、
かつ作業性に優れた封止技術を提供することにより、発光素子の劣化を防ぎ、信頼性の向
上を図ることを目的とする.
【解決手段】本発明では、密閉性に優れた封止構造を形成するために二重構造の封止を行
う。なお、この場合において、素子が形成される素子基板（以下、第１の基板ともいう）
と、封止に用いる封止基板（以下、第２の基板ともいう）にそれぞれサイズの異なる基板
を用いて、両基板が重ならない領域（以下、オフセット領域という）を設けることにより
、二重構造における外側のシールパターンを形成する場合における作業性を良くすること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タッチ機能付きの操作パネルを含む表示装置において、効率的に操作面の清浄化を図ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１主表面を有する第１基板１４０と、第１基板１４０と間隔をあけて配置され、第１主表面と対向する第２主表面を有する第２基板１５６と、第１基板１４０および第２基板１５６の間に封入された表示媒体層１３０と、第１基板１４０および第２基板１５６の間に配置された第１電極と、第１電極と対向する第２電極とを含み、第１電極および第２電極の容量を検知するタッチセンサと、イオン放出可能なイオン放出モジュールとを備える。上記第２基板１５６は、第２主表面と対向する第３主表面を含み、イオン放出モジュールは、第３主表面に向けてイオンを放出する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと重なる領域に柱状スペーサを配置すると、一対の基板の貼り合わせ時に
圧力がかかり、ＴＦＴに影響を与える恐れ、クラックが発生する恐れなどがある。
【解決手段】ＴＦＴと重なる位置に形成される柱状スペーサの下方に無機材料からなるダ
ミー層を形成する。このダミー層をＴＦＴと重なる位置に配置することによって、一対の
基板の貼り合わせ工程時にＴＦＴにかかる圧力を分散し、緩和する。このダミー層は、工
程数を増やすことなく形成するため、画素電極と同じ材料で形成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えばウェット処理工程における電蝕の発生を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上の画素領域（１０ａ）に設けられた走査線（１１）及びデータ線（６）と、走査線及びデータ線よりも上層側に、走査線とデータ線との交差に対応して設けられ、透明導電材料からなる画素電極（９）と、画素電極と、前記走査線及び前記データ線との間の層に、画素電極に容量絶縁膜（７２）を介して対向するように設けられた蓄積容量電極（７１）と、画素電極と同一層からなる第１容量電極（６１０）と、蓄積容量電極と同一層からなり、データ線と電気的に接続された第２容量電極（６２０）とを有し、画素領域の外周と基板の外周の間の領域に設けられた付加容量（６００）と、前記領域に設けられるとともに第１容量電極と電気的に接続されており、画素電極と同一層からなる端子（１０６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】入射光が確実に遮光され安定した動作が得られるトランジスターを備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、ソース領域３０ｓと、ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、チャネル領域３０ｃとドレイン領域３０ｄの間に形成された接合領域３０ｆとを有する半導体層３０ａと、半導体層３０ａを覆う第１絶縁膜を介してチャネル領域３０ｃに対向するゲート電極部３０ｇと、平面的に接合領域３０ｆに沿って第１絶縁膜および第２絶縁膜に設けられた溝としてのコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６と、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６内に、ゲート電極部３０ｇから延在して設けられる第１導電膜と、データ線６ａを構成する第２導電膜とを含む少なくとも２層の導電膜を有する遮光性の側壁部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】従来では、ＬＤＤ構造を備えたＴＦＴやＧＯＬＤ構造を備えたＴＦＴを形成しようとすると、その製造工程が複雑なものとなり工程数が増加してしまう問題があった。
【解決手段】第２のドーピング工程によって低濃度不純物領域２４、２５を形成した後、第４のエッチング工程を行うことによって、第３の電極１８ｃに重なる低濃度不純物領域の幅と、第３の電極に重ならない低濃度不純物領域の幅とを自由に調節できる。こうして、第３の電極１８ｃと重なっている領域は、電界集中の緩和が達成されてホットキャリアによる防止ができるとともに、第３の電極１８ｃと重なっていない領域は、オフ電流値を抑えることができる。 （もっと読む）