有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
【課題】製造工程が単純化され、かつ開口率が向上した有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板；基板上に形成される補助電極；補助電極上に形成され、活性層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるＴＦＴ；ＴＦＴと電気的に連結され、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一部と同一層に同一物質で形成された画素電極、発光層を含む中間層、及び画素電極と対向するように配置された対向電極が順次積層された有機発光素子；ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で一定ほど離隔して形成されて、補助電極と前記対向電極とを電気的に連結するコンタクト電極；を備える有機発光ディスプレイ装置。
【解決手段】基板；基板上に形成される補助電極；補助電極上に形成され、活性層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるＴＦＴ；ＴＦＴと電気的に連結され、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一部と同一層に同一物質で形成された画素電極、発光層を含む中間層、及び画素電極と対向するように配置された対向電極が順次積層された有機発光素子；ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で一定ほど離隔して形成されて、補助電極と前記対向電極とを電気的に連結するコンタクト電極；を備える有機発光ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、製造工程が単純化し、開口率が向上した有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ディスプレイ装置、液晶ディスプレイ装置などの平板表示装置は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）及びキャパシタと、これらを連結する配線とを備えるパターンが形成された基板上に製作される。
【０００３】
一般的に、平板表示装置が製作される基板は、ＴＦＴなどを備える微細構造のパターンを形成するために、かかる微細パターンが描かれたマスクを利用してパターンを前記アレイ基板に転写する。
【０００４】
マスクを利用してパターンを転写する工程は、一般的にフォトリソグラフィ工程を利用する。フォトリソグラフィ工程によれば、パターンを形成する基板上にフォトレジストを均一に塗布し、ステッパーなどの露光装備でフォトレジストを露光させた後、（ポジティブ・フォトレジストの場合）感光されたフォトレジストを現像する過程を経る。また、フォトレジストを現像した後には、残存するフォトレジストをマスクとしてパターンをエッチングし、不要なフォトレジストを除去する一連の過程を経る。
【０００５】
このようにマスクを利用してパターンを転写する工程では、まず必要なパターンを備えるマスクを用意せねばならないため、マスクを利用する工程段階が増えるほどマスク用意のためのコストが上昇する。また、前述した複雑な段階を経ねばならないため、製造工程が複雑であり、製造時間の延長及びこれによるコストの上昇という問題点が発生する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は製造工程が単純化され、かつ開口率が向上した有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板；前記基板上に形成される補助電極；前記補助電極上に形成され、活性層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるＴＦＴ；前記ＴＦＴと電気的に連結され、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一部と同一層に同一物質で形成された画素電極、発光層を含む中間層、及び前記画素電極と対向するように配置された対向電極が順次積層された有機発光素子；前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で一定ほど離隔して形成されて、前記補助電極と前記対向電極とを電気的に連結するコンタクト電極；を備える有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【０００８】
本発明において、前記補助電極と前記活性層との間には第１絶縁層が介在され、前記活性層と前記ゲート電極との間には第２絶縁層が介在され、前記ゲート電極と前記コンタクト電極との間には層間絶縁膜が介在され、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて、前記コンタクト電極と前記補助電極とが接触する。
【０００９】
本発明において、前記コンタクト電極と前記対向電極との間には画素定義膜が介在され、前記画素定義膜を貫通するコンタクトホールを通じて、前記コンタクト電極と前記対向電極とが接触する。
【００１０】
本発明において、前記コンタクト電極の一端部は前記対向電極と直接接触し、前記コンタクト電極の他端部は前記補助電極と直接接触する。
【００１１】
本発明において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一電極が一方向に延長形成されて、前記画素電極を形成する。
【００１２】
本発明において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一電極と前記画素電極とは、一体に形成される。
【００１３】
本発明において、前記有機発光ディスプレイ装置は、画像が前記対向電極側に具現される前面発光型である。
【００１４】
ここで、前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含む。
【００１５】
ここで、前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含む。
【００１６】
他の側面による本発明は、基板上に形成された補助電極；前記補助電極上に形成された第１絶縁層；前記第１絶縁層上に形成された活性層；前記活性層を覆うように形成された第２絶縁層；前記第２絶縁層上に前記活性層と重畳して形成されたゲート電極；前記ゲート電極を覆うように形成された層間絶縁膜；前記層間絶縁膜の上部に形成されて前記活性層と電気的に連結されるソース電極及びドレイン電極；前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で形成され、前記補助電極の少なくとも一部と接触するように形成されたコンタクト電極；前記コンタクト電極と前記ソース電極及びドレイン電極を覆うように形成された画素定義膜；前記画素定義膜の上部に形成され、少なくとも一部が前記コンタクト電極と接触するように形成された対向電極；を備える有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【００１７】
本発明において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一電極と前記画素電極とは、一体に形成される。
【００１８】
本発明において、前記有機発光ディスプレイ装置は、画像が前記対向電極側に具現される前面発光型である。
【００１９】
ここで、前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含む。
【００２０】
ここで、前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含む。
【００２１】
他の側面による本発明は、基板上に補助電極を形成する段階；前記補助電極上に活性層を形成する第１マスク工程段階；前記活性層の上部にゲート電極を形成する第２マスク工程段階；前記活性層の両側と前記補助電極の一部とを露出する開口を持つ層間絶縁膜を形成する第３マスク工程段階；前記活性層の露出された両側と接触するソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極から一方向に延長した画素電極と、前記補助電極の露出された一部と接触するコンタクト電極とをそれぞれ形成する第４マスク工程段階；前記画素電極の少なくとも一部と前記コンタクト電極の少なくとも一部とを露出する画素定義膜を形成する第５マスク工程段階；前記画素定義膜の上部に前記コンタクト電極の露出された一部と接触する対向電極を形成する段階；を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法を提供する。
【００２２】
本発明において、前記第３マスク工程は、前記ゲート電極の上部に第３絶縁層を蒸着する段階；前記第３絶縁層をパターニングして、前記活性層のソース及びドレイン領域の一部と前記補助電極の一部とを露出する開口を形成する段階；を含む。
【００２３】
本発明において、前記第４マスク工程は、前記層間絶縁膜の上部に第４導電層及び／または第５導電層を蒸着する段階；前記第４導電層及び／または第５導電層をパターニングして、前記ソース及びドレイン電極と前記画素電極と前記コンタクト電極とを形成する段階；を含む。
【００２４】
本発明において、前記第５マスク工程は、前記基板全面に第４絶縁層を積層する段階；前記第４絶縁層をパターニングして前記コンタクト電極及び前記画素電極の一部を露出する開口を形成する段階；を含む。
【００２５】
本発明において、前記有機発光ディスプレイ装置は、画像が前記対向電極側に具現される前面発光型である。
【００２６】
ここで、前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含む。
【００２７】
ここで、前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含む。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程が単純化され、かつ開口率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【図２】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図３】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図４】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図５】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図６】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図７】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図８】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図９】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図１０】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図１１】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、添付した図面を参考として、本発明の実施形態について、当業者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は色々な相異なる形態に具現でき、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。
【００３１】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【００３２】
図１を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、基板１０、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ストレージキャパシタＣｓｔ及び有機発光素子（ＥＬ）を含む。
【００３３】
さらに詳細には、基板１０上には補助電極１１が形成され、補助電極１１の上部にはバッファ層などの第１絶縁層１２が形成される。そして、第１絶縁層１２の上部には、半導体層がパターニングされて形成されたＴＦＴの活性層２１３、及びストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ下部電極３１３が、同じ層に同じ物質で所定間隔離隔して形成される。
【００３４】
活性層２１３とキャパシタ下部電極３１３との上部には第２絶縁層１４が形成され、第２絶縁層１４の上部には第２導電層及び第３導電層がパターニングされて形成されたＴＦＴのゲート電極２１ｇと、ストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ上部電極３１５とが、同じ層に同じ物質で所定間隔離隔して形成される。ここでゲート電極２１ｇは、ゲート下部電極２１５とゲート上部電極２１６とを含むことができる。ここで、ゲート電極２１ｇの両側に対応する活性層２１３のエッジにはソース／ドレイン領域２１３ａ／２１３ｂが形成され、これらの間にはチャンネル領域が形成されうる。
【００３５】
ゲート電極２１ｇとキャパシタ上部電極３１５との上部には層間絶縁膜２１７が形成され、層間絶縁膜２１７の上部には、第４導電層及び第５導電層がパターニングされて形成されたソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ及びコンタクト電極２１ｃが、同じ層に同じ物質で所定間隔離隔して形成される。ここで、ソース電極２１ｓは、ソース下部電極２１８ｓとソース上部電極２１９ｓとを含むことができ、ドレイン電極２１ｄは、ドレイン下部電極２１８ｄとドレイン上部電極２１９ｄとを含むことができ、コンタクト電極２１ｃは、コンタクト下部電極２１８ｃとコンタクト上部電極２１９ｃとを含むことができる。一方、ソース電極２１ｓの一端部は画素領域方向に長く延長形成され、このように延長形成された部分は画素電極４１ｐを形成できる。このとき、画素電極４１ｐは、画素下部電極４１８と画素上部電極４１９とを含むことができる。
【００３６】
ここで、ソース電極２１ｓ及びドレイン電極２１ｄは、コンタクトホールを通じて活性層２１３のエッジのソース／ドレイン領域２１３ａ／２１３ｂと電気的に連結されうる。また、コンタクト電極２１ｃは、コンタクトホールを通じて補助電極１１と電気的に連結されうる。
【００３７】
ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ、コンタクト電極２１ｃ及び画素電極４１ｐの上部には、画素定義膜４２０が形成されて画素領域を定義する。そして、画素電極４１ｐの上部に有機発光層を含む中間層４２２を形成した後、その上に対向電極４２３を形成する。この時、対向電極４２３は、コンタクトホールを通じてコンタクト電極２１ｃと電気的に連結されうる。
【００３８】
結果的に補助電極１１と対向電極４２３とは、コンタクト電極２１ｃを通じて電気的に連結される。このような本発明の一実施形態により、開口率の優秀な前面発光構造で、対向電極４２３にかかる高い抵抗によるＩＲドロップ問題を解決できる。これについてさらに詳細に説明すれば、次の通りである。
【００３９】
有機発光ディスプレイ装置は画像が具現される方向によって、基板１０の逆方向、すなわち、基板１０から対向電極４２３側に画像が具現される前面発光型と、基板１０側に画像が具現される背面発光型とに分類できる。このうち、画像が前面に具現される前面発光型の場合、背面発光型に比べてさらに高い開口率を持つという長所を持つ。一方、画像が前面に具現されるためには対向電極４２３がＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極にならねばならないが、このような透明電極は大体抵抗が高いため、このような抵抗によりＩＲドロップ現象が発生するという問題点があった。
【００４０】
したがって、開口率のさらに高い前面発光を具現すると同時に、対向電極４２３の高い抵抗を低めるために、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、基板１０の真上に補助電極１１を配置し、コンタクト電極２１ｃを通じて対向電極４２３と補助電極１１とを電気的に連結させることを一特徴とする。このように抵抗の高いＩＴＯなどの透明電極で形成された対向電極４２３を、メタルからなる補助電極１１に電気的に連結することで、対向電極４２３にかかる抵抗を画期的に低めることができる。このような本発明によって、開口率の高い前面発光型有機発光ディスプレイ装置を具現しつつも、対向電極４２３の抵抗を低める効果を得ることができる。
【００４１】
以下、図１に図示された有機発光ディスプレイ装置の製造方法について詳細に説明する。図２ないし図１１は、図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【００４２】
図２を参照すれば、基板１０上に第１導電層１１、第１絶縁層１２及び半導体層１３を順次形成する。
【００４３】
基板１０は、ＳｉＯ２を主成分とする透明材質のガラス材で形成できる。ただし、基板１０は必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材または金属材など、多様な材質の基板を利用できる。
【００４４】
基板１０の上面には、補助カソード電極の役割を行う第１導電層１１が蒸着される。第１導電層１１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことができる。このように本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、基板１０の真上に補助電極の役割を行う第１導電層１１を形成し、コンタクト電極２１ｃ（図１）を通じて、対向電極４２３（図１）と第１導電層１１とを電気的に連結することで、対向電極４２３（図１）にかかる抵抗を画期的に低めることを一特徴とする。以下では、第１導電層を補助電極と称する。
【００４５】
一方、第１導電層１１の上面には、不純物イオンが広がることを防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面を平坦化するためのバリア層及び／またはバッファ層などの第１絶縁層１２が備えられうる。前記第１絶縁層１２は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどを使用して、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＰＣＶＤ（ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ）法、ＬＰＣＶＤ（ｌｏｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ）法などの多様な蒸着方法により蒸着できる。
【００４６】
一方、第１絶縁層１２の上面には、半導体層１３が形成される。さらに詳細には、第１絶縁層１２の上部に非晶質シリコンをまず蒸着した後、これを結晶化することで、多結晶シリコン層を含む半導体層１３を形成する。ここで、非晶質シリコンは、ＲＴＡ（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法、ＳＰＣ（ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｚａｔｉｏｎ）法、ＥＬＡ（ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法、ＭＩＣ（ｍｅｔａｌ ｉｎｄｕｃｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｚａｔｉｏｎ）法、ＭＩＬＣ（ｍｅｔａｌ ｉｎｄｕｃｅｄ ｌａｔｅｒａｌ ｃｒｙｓｔａｌｌｚａｔｉｏｎ）法、ＳＬＳ（ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ ｌａｔｅｒａｌ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）法などの多様な方法により結晶化できる。このように半導体層１３は、後述するＴＦＴの活性層２１３及びストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ下部電極３１３にパターニングされる。
【００４７】
次いで、図３に示したように、半導体層１３をパターニングして第１絶縁層１２の上部に、ＴＦＴの活性層２１３とストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ下部電極３１３とを形成する。さらに詳細には、半導体層１３は、第１マスク（図示せず）を使用したマスク工程により、ＴＦＴの活性層２１３及びストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ下部電極３１３にパターニングされる。本実施形態では、活性層２１３とキャパシタ下部電極３１３とが分離形成されたが、活性層２１３とキャパシタ下部電極３１３とを一体に形成してもよい。このようにＴＦＴの活性層２１３とストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ下部電極３１３とは、同一層に同一物質で形成できる。
【００４８】
次いで、図４に示したように、活性層２１３とキャパシタ下部電極３１３とが形成された基板１０の全面に、第２絶縁層１４、第２導電層１５及び第３導電層１６を順次蒸着する。
【００４９】
第２絶縁層１４は、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘなどの無機絶縁膜を、ＰＥＣＶＤ法、ＡＰＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法などの方法で蒸着できる。前記第２絶縁層１４は、ＴＦＴの活性層２１３とゲート電極２１ｇ（図１）との間に介在されて、ＴＦＴのゲート絶縁膜の役割を行い、キャパシタ上部電極３１５（図１）と下部電極３１３との間に介在されて、ストレージキャパシタＣｓｔの誘電体層の役割を行う。
【００５０】
第２導電層１５は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことができる。または第２導電層１５は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。そして、前記第２導電層１５は、ゲート下部電極２１５及びキャパシタ上部電極３１５にパターニングされ得る。
【００５１】
一方、第３導電層１６も、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことができる。または第３導電層１６は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。そして、前記第３導電層１６は、ゲート上部電極２１６にパターニングされ得る。
【００５２】
次いで、図５に示したように、第２絶縁層１４上にゲート電極２１ｇと、キャパシタ上部電極３１５とをそれぞれ形成する。さらに詳細には、基板１０の全面に順次積層された前記第２導電層１５及び前記第３導電層１６は、第２マスク（図示せず）を使用したマスク工程によりパターニングされる。
【００５３】
この時、活性層２１３の上部にはゲート電極２１ｇが形成され、前記ゲート電極２１ｇは、第２導電層１５の一部で形成されたゲート下部電極２１５と、第３導電層１６の一部で形成されたゲート上部電極２１６とを含む。
【００５４】
ここで、ゲート電極２１ｇは活性層２１３の中央に対応するように形成され、ゲート電極２１ｇをマスクとして、活性層２１３にｎ型またはｐ型の不純物をドーピングして、ゲート電極２１ｇの両側に対応する活性層２１３のエッジにソース／ドレイン領域２１３ａ／２１３ｂと、これら間のチャンネル領域とを形成する。
【００５５】
一方、キャパシタ下部電極３１３の上部には、キャパシタ上部電極３１５がパターニングされる。ここで、キャパシタ上部電極３１５は、図５に示したように、第２導電層１５の単一層で形成できる。または、図面には図示されていないが、第２導電層１５と第３導電層１６との二層構造で形成してもよい。
【００５６】
次いで、図６に示したように、ゲート電極２１ｇ及びキャパシタ上部電極３１５が形成された基板１０の全面に第３絶縁層１７を蒸着する。
【００５７】
前記第３絶縁層１７は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つ以上の有機絶縁物質で、スピンコーティングなどの方法で形成される。第３絶縁層１７は十分な厚さに形成されて、例えば、前述した第２絶縁層１４より厚く形成されて、ＴＦＴのゲート電極２１ｇとソース／ドレイン電極２１ｓ／２１ｄ（図１）との間の層間絶縁膜の役割を行う。一方、第３絶縁層１７は、前記のような有機絶縁物質だけでなく、前述した第２絶縁層１４などの無機絶縁物質でも形成でき、有機絶縁物質と無機絶縁物質とを交互にして形成してもよい。
【００５８】
次いで、図７に示したように、第３絶縁層１７をパターニングして、前記補助電極１１とソース／ドレイン領域２１３ａ／２１３ｂとの一部を露出する開口１７ａ、１７ｂ、１７ｃを持つ層間絶縁膜２１７を形成する。
【００５９】
さらに詳細には、前記第３絶縁層１７は、第３マスク（図示せず）を使用したマスク工程によりパターニングされることで前記開口１７ａ、１７ｂ、１７ｃを形成する。ここで、前記開口１７ｂ、１７ｃは、前記ソース／ドレイン領域２１３ａ／２１３ｂの一部を露出させ、前記開口１７ａは、補助電極１１の一部を露出させる。
【００６０】
次いで、図８に示したように、前記層間絶縁膜２１７を覆うように基板１０の全面に第４導電層１８及び第５導電層１９を蒸着する。前記第４導電層１８及び第５導電層１９は、前述した第２または第３導電層１５、１６と同じ導電物質から選択できるが、これに限定されずに多様な導電物質で形成できる。また、前記導電物質は、前述した開口１７ａ、１７ｂ、１７ｃを充填できるほど十分な厚さに蒸着される。すなわち、開口１７ａを通じて第４導電層１８及び第５導電層１９が補助電極１１と接触可能になる。
【００６１】
次いで、図９に示したように、第４導電層１８及び第５導電層１９をパターニングして、ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ、コンタクト電極２１ｃ及び画素電極４１ｐをそれぞれ形成する。
【００６２】
さらに詳細には、前記第４導電層１８及び第５導電層１９を、第４マスク（図示せず）を使用したマスク工程によりパターニングして、ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ及びコンタクト電極２１ｃをそれぞれ形成する。したがって、ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ及びコンタクト電極２１ｃは同一層に同一物質で形成される。このように形成されたコンタクト電極２１ｃの一端部は補助電極１１と接触する。
【００６３】
ここで、前記ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄのうち一つの電極（本実施形態の場合、ソース電極２１ｓ）の一端部は、有機発光素子ＥＬ（図１）が形成された領域方向に長く延長形成でき、このように延長形成された部分は画素電極４１ｐを形成できる。この時、画素電極４１ｐは、画素下部電極４１８と画素上部電極４１９とを含むことができる。
【００６４】
次いで、図１０及び図１１に示したように、基板１０上に画素定義膜（ｐｉｘｅｌ ｄｅｆｉｎｅ ｌａｙｅｒ：ＰＤＬ）４２０を形成する。
【００６５】
さらに詳細には、図１０に示したように、前記ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ、コンタクト電極２１ｃ及び画素電極４１ｐが形成された基板１０の全面に第４絶縁層２０を蒸着する。この時、前記第４絶縁層２０は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つ以上の有機絶縁物質でスピンコーティングなどの方法で形成できる。一方、前記第４絶縁層２０は、前記のような有機絶縁物質だけでなく、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３などから選択された無機絶縁物質で形成できることはいうまでもない。また前記第４絶縁層２０は、有機絶縁物質と無機絶縁物質とが交互になっている複数層構造で形成してもよい。
【００６６】
そして、図１１に示したように、第４絶縁層２０をパターニングして、前記コンタクト電極２１ｃ及び画素電極４１ｐの一部を露出する開口２０ａ、２０ｂを持つ画素定義膜４２０を形成する。
【００６７】
さらに詳細には、前記第４絶縁層２０は、第５マスク（図示せず）を使用したマスク工程によりパターニングされて、画素電極４１ｐの中央部が露出されるように開口２０ｂを形成することで、画素を定義する画素定義膜４２０を形成する。これと同時に、コンタクト電極２１ｃの中央部を露出させる開口２０ａも形成される。
【００６８】
このような画素定義膜４２０は、所定の厚さを持つことで画素電極４１ｐのエッジと対向電極４２３（図１）との間隔を広げ、画素電極４１ｐのエッジに電界が集中する現象を防止することで、画素電極４１ｐと対向電極４２３（図１）との短絡を防止する。
【００６９】
以後、前記画素電極４１ｐを露出する開口２０ｂに有機発光層を含む中間層４２２（図１）を形成した後、画素電極４１ｐを露出する開口２０ｂと、コンタクト電極２１ｃを露出する開口２０ａとに対向電極４２３を形成すれば、図１に示したような本発明の有機発光ディスプレイ装置の製造が完成される。
【００７０】
さらに詳細には、前記中間層４２２は、有機発光層（ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）や、その他に正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などの機能層のうちいずれか一つ以上の層が、単一あるいは複合の構造で積層されて形成できる。
【００７１】
前記中間層４２２は、低分子または高分子有機物で形成されうる。
【００７２】
低分子有機物で形成される場合、中間層４２２は、有機発光層を中心として画素電極４１ｐの方向に正孔輸送層及び正孔注入層などが積層され、対向電極４２３の方向に電子輸送層及び電子注入層などが積層される。それ以外にも必要に応じて多様な層が積層されうる。この時、使用可能な有機材料として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとした多様な材料が適用できる。
【００７３】
一方、高分子有機物で形成される場合には、中間層４２２は有機発光層を中心として画素電極４１ｐの方向に正孔輸送層のみ含まれうる。正孔輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ｐｏｌｙ−（２，４）−ｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｄｉｈｙｄｒｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用して、インクジェットプリンティングやスピンコーティングの方法により画素電極４１ｐの上部に形成できる。この時に使用可能な有機材料としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物を使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。
【００７４】
前記対向電極４２３は、基板１０の全面に蒸着されて共通電極として形成できる。本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、画素電極４１ｐはアノード電極として使われ、対向電極４２３はカソード電極として使われる。もちろん、電極の極性は逆に適用できるということはいうまでもない。
【００７５】
有機発光ディスプレイ装置が基板１０の逆方向、すなわち、基板１０から対向電極４２３側に画像が具現される前面発光型の場合、対向電極４２３は透明電極になり、画素電極４１ｐは反射電極になる。この時、反射電極は仕事関数の小さい金属、例えば、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌまたはこれらの化合物を薄く蒸着して形成できる。
【００７６】
前述した有機発光ディスプレイ装置を形成するための各マスク工程時、積層膜の除去はドライエッチングまたはウェットエッチングで行われうる。
【００７７】
このように抵抗の高いＩＴＯなどの透明電極からなる対向電極４２３を、メタルからなる補助電極１１に電気的に連結することで、対向電極４２３にかかる抵抗を画期的に低めることができる。したがって、開口率の高い前面発光型有機発光ディスプレイ装置を具現しつつも、対向電極４２３の抵抗を低める効果を得ることができる。
【００７８】
一方、前述した実施形態では、有機発光ディスプレイ装置を例として説明したが、本発明はこれに限定されず、液晶表示装置をはじめとする多様な表示素子に使用できるということはいうまでもない。
【００７９】
また、本発明による実施形態を説明するための図面には一つのＴＦＴと一つのキャパシタのみ図示されているが、これは説明の便宜のためのものであって、本発明はこれに限定されず、本発明によるマスク工程を増やさない限り、複数のＴＦＴと複数のキャパシタとが含まれうるということはいうまでもない。
【００８０】
本明細書では本発明を限定された実施形態を中心として説明したが、本発明の範囲内で多様な実施形態が可能である。また説明されていないが、均等な手段も本発明にそのまま結合されるといえる。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、発光ディスプレイ装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００８２】
１０ 基板
１１ 補助電極
１２ 第１絶縁層
２１ｇ ゲート電極
２１ｓ ソース電極
２１ｄ ドレイン電極
２１ｃ コンタクト電極
２１７ 層間絶縁膜
４２０ 画素定義膜
４１ｐ 画素電極
４２２ 中間層
４２３ 対向電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、製造工程が単純化し、開口率が向上した有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ディスプレイ装置、液晶ディスプレイ装置などの平板表示装置は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）及びキャパシタと、これらを連結する配線とを備えるパターンが形成された基板上に製作される。
【０００３】
一般的に、平板表示装置が製作される基板は、ＴＦＴなどを備える微細構造のパターンを形成するために、かかる微細パターンが描かれたマスクを利用してパターンを前記アレイ基板に転写する。
【０００４】
マスクを利用してパターンを転写する工程は、一般的にフォトリソグラフィ工程を利用する。フォトリソグラフィ工程によれば、パターンを形成する基板上にフォトレジストを均一に塗布し、ステッパーなどの露光装備でフォトレジストを露光させた後、（ポジティブ・フォトレジストの場合）感光されたフォトレジストを現像する過程を経る。また、フォトレジストを現像した後には、残存するフォトレジストをマスクとしてパターンをエッチングし、不要なフォトレジストを除去する一連の過程を経る。
【０００５】
このようにマスクを利用してパターンを転写する工程では、まず必要なパターンを備えるマスクを用意せねばならないため、マスクを利用する工程段階が増えるほどマスク用意のためのコストが上昇する。また、前述した複雑な段階を経ねばならないため、製造工程が複雑であり、製造時間の延長及びこれによるコストの上昇という問題点が発生する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は製造工程が単純化され、かつ開口率が向上した有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板；前記基板上に形成される補助電極；前記補助電極上に形成され、活性層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるＴＦＴ；前記ＴＦＴと電気的に連結され、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一部と同一層に同一物質で形成された画素電極、発光層を含む中間層、及び前記画素電極と対向するように配置された対向電極が順次積層された有機発光素子；前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で一定ほど離隔して形成されて、前記補助電極と前記対向電極とを電気的に連結するコンタクト電極；を備える有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【０００８】
本発明において、前記補助電極と前記活性層との間には第１絶縁層が介在され、前記活性層と前記ゲート電極との間には第２絶縁層が介在され、前記ゲート電極と前記コンタクト電極との間には層間絶縁膜が介在され、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて、前記コンタクト電極と前記補助電極とが接触する。
【０００９】
本発明において、前記コンタクト電極と前記対向電極との間には画素定義膜が介在され、前記画素定義膜を貫通するコンタクトホールを通じて、前記コンタクト電極と前記対向電極とが接触する。
【００１０】
本発明において、前記コンタクト電極の一端部は前記対向電極と直接接触し、前記コンタクト電極の他端部は前記補助電極と直接接触する。
【００１１】
本発明において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一電極が一方向に延長形成されて、前記画素電極を形成する。
【００１２】
本発明において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一電極と前記画素電極とは、一体に形成される。
【００１３】
本発明において、前記有機発光ディスプレイ装置は、画像が前記対向電極側に具現される前面発光型である。
【００１４】
ここで、前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含む。
【００１５】
ここで、前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含む。
【００１６】
他の側面による本発明は、基板上に形成された補助電極；前記補助電極上に形成された第１絶縁層；前記第１絶縁層上に形成された活性層；前記活性層を覆うように形成された第２絶縁層；前記第２絶縁層上に前記活性層と重畳して形成されたゲート電極；前記ゲート電極を覆うように形成された層間絶縁膜；前記層間絶縁膜の上部に形成されて前記活性層と電気的に連結されるソース電極及びドレイン電極；前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で形成され、前記補助電極の少なくとも一部と接触するように形成されたコンタクト電極；前記コンタクト電極と前記ソース電極及びドレイン電極を覆うように形成された画素定義膜；前記画素定義膜の上部に形成され、少なくとも一部が前記コンタクト電極と接触するように形成された対向電極；を備える有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【００１７】
本発明において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一電極と前記画素電極とは、一体に形成される。
【００１８】
本発明において、前記有機発光ディスプレイ装置は、画像が前記対向電極側に具現される前面発光型である。
【００１９】
ここで、前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含む。
【００２０】
ここで、前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含む。
【００２１】
他の側面による本発明は、基板上に補助電極を形成する段階；前記補助電極上に活性層を形成する第１マスク工程段階；前記活性層の上部にゲート電極を形成する第２マスク工程段階；前記活性層の両側と前記補助電極の一部とを露出する開口を持つ層間絶縁膜を形成する第３マスク工程段階；前記活性層の露出された両側と接触するソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極から一方向に延長した画素電極と、前記補助電極の露出された一部と接触するコンタクト電極とをそれぞれ形成する第４マスク工程段階；前記画素電極の少なくとも一部と前記コンタクト電極の少なくとも一部とを露出する画素定義膜を形成する第５マスク工程段階；前記画素定義膜の上部に前記コンタクト電極の露出された一部と接触する対向電極を形成する段階；を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法を提供する。
【００２２】
本発明において、前記第３マスク工程は、前記ゲート電極の上部に第３絶縁層を蒸着する段階；前記第３絶縁層をパターニングして、前記活性層のソース及びドレイン領域の一部と前記補助電極の一部とを露出する開口を形成する段階；を含む。
【００２３】
本発明において、前記第４マスク工程は、前記層間絶縁膜の上部に第４導電層及び／または第５導電層を蒸着する段階；前記第４導電層及び／または第５導電層をパターニングして、前記ソース及びドレイン電極と前記画素電極と前記コンタクト電極とを形成する段階；を含む。
【００２４】
本発明において、前記第５マスク工程は、前記基板全面に第４絶縁層を積層する段階；前記第４絶縁層をパターニングして前記コンタクト電極及び前記画素電極の一部を露出する開口を形成する段階；を含む。
【００２５】
本発明において、前記有機発光ディスプレイ装置は、画像が前記対向電極側に具現される前面発光型である。
【００２６】
ここで、前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含む。
【００２７】
ここで、前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含む。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程が単純化され、かつ開口率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【図２】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図３】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図４】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図５】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図６】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図７】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図８】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図９】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図１０】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【図１１】図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、添付した図面を参考として、本発明の実施形態について、当業者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は色々な相異なる形態に具現でき、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。
【００３１】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【００３２】
図１を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、基板１０、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ストレージキャパシタＣｓｔ及び有機発光素子（ＥＬ）を含む。
【００３３】
さらに詳細には、基板１０上には補助電極１１が形成され、補助電極１１の上部にはバッファ層などの第１絶縁層１２が形成される。そして、第１絶縁層１２の上部には、半導体層がパターニングされて形成されたＴＦＴの活性層２１３、及びストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ下部電極３１３が、同じ層に同じ物質で所定間隔離隔して形成される。
【００３４】
活性層２１３とキャパシタ下部電極３１３との上部には第２絶縁層１４が形成され、第２絶縁層１４の上部には第２導電層及び第３導電層がパターニングされて形成されたＴＦＴのゲート電極２１ｇと、ストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ上部電極３１５とが、同じ層に同じ物質で所定間隔離隔して形成される。ここでゲート電極２１ｇは、ゲート下部電極２１５とゲート上部電極２１６とを含むことができる。ここで、ゲート電極２１ｇの両側に対応する活性層２１３のエッジにはソース／ドレイン領域２１３ａ／２１３ｂが形成され、これらの間にはチャンネル領域が形成されうる。
【００３５】
ゲート電極２１ｇとキャパシタ上部電極３１５との上部には層間絶縁膜２１７が形成され、層間絶縁膜２１７の上部には、第４導電層及び第５導電層がパターニングされて形成されたソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ及びコンタクト電極２１ｃが、同じ層に同じ物質で所定間隔離隔して形成される。ここで、ソース電極２１ｓは、ソース下部電極２１８ｓとソース上部電極２１９ｓとを含むことができ、ドレイン電極２１ｄは、ドレイン下部電極２１８ｄとドレイン上部電極２１９ｄとを含むことができ、コンタクト電極２１ｃは、コンタクト下部電極２１８ｃとコンタクト上部電極２１９ｃとを含むことができる。一方、ソース電極２１ｓの一端部は画素領域方向に長く延長形成され、このように延長形成された部分は画素電極４１ｐを形成できる。このとき、画素電極４１ｐは、画素下部電極４１８と画素上部電極４１９とを含むことができる。
【００３６】
ここで、ソース電極２１ｓ及びドレイン電極２１ｄは、コンタクトホールを通じて活性層２１３のエッジのソース／ドレイン領域２１３ａ／２１３ｂと電気的に連結されうる。また、コンタクト電極２１ｃは、コンタクトホールを通じて補助電極１１と電気的に連結されうる。
【００３７】
ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ、コンタクト電極２１ｃ及び画素電極４１ｐの上部には、画素定義膜４２０が形成されて画素領域を定義する。そして、画素電極４１ｐの上部に有機発光層を含む中間層４２２を形成した後、その上に対向電極４２３を形成する。この時、対向電極４２３は、コンタクトホールを通じてコンタクト電極２１ｃと電気的に連結されうる。
【００３８】
結果的に補助電極１１と対向電極４２３とは、コンタクト電極２１ｃを通じて電気的に連結される。このような本発明の一実施形態により、開口率の優秀な前面発光構造で、対向電極４２３にかかる高い抵抗によるＩＲドロップ問題を解決できる。これについてさらに詳細に説明すれば、次の通りである。
【００３９】
有機発光ディスプレイ装置は画像が具現される方向によって、基板１０の逆方向、すなわち、基板１０から対向電極４２３側に画像が具現される前面発光型と、基板１０側に画像が具現される背面発光型とに分類できる。このうち、画像が前面に具現される前面発光型の場合、背面発光型に比べてさらに高い開口率を持つという長所を持つ。一方、画像が前面に具現されるためには対向電極４２３がＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極にならねばならないが、このような透明電極は大体抵抗が高いため、このような抵抗によりＩＲドロップ現象が発生するという問題点があった。
【００４０】
したがって、開口率のさらに高い前面発光を具現すると同時に、対向電極４２３の高い抵抗を低めるために、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、基板１０の真上に補助電極１１を配置し、コンタクト電極２１ｃを通じて対向電極４２３と補助電極１１とを電気的に連結させることを一特徴とする。このように抵抗の高いＩＴＯなどの透明電極で形成された対向電極４２３を、メタルからなる補助電極１１に電気的に連結することで、対向電極４２３にかかる抵抗を画期的に低めることができる。このような本発明によって、開口率の高い前面発光型有機発光ディスプレイ装置を具現しつつも、対向電極４２３の抵抗を低める効果を得ることができる。
【００４１】
以下、図１に図示された有機発光ディスプレイ装置の製造方法について詳細に説明する。図２ないし図１１は、図１の有機発光ディスプレイ装置の製造段階を概略的に示す断面図である。
【００４２】
図２を参照すれば、基板１０上に第１導電層１１、第１絶縁層１２及び半導体層１３を順次形成する。
【００４３】
基板１０は、ＳｉＯ２を主成分とする透明材質のガラス材で形成できる。ただし、基板１０は必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材または金属材など、多様な材質の基板を利用できる。
【００４４】
基板１０の上面には、補助カソード電極の役割を行う第１導電層１１が蒸着される。第１導電層１１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことができる。このように本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、基板１０の真上に補助電極の役割を行う第１導電層１１を形成し、コンタクト電極２１ｃ（図１）を通じて、対向電極４２３（図１）と第１導電層１１とを電気的に連結することで、対向電極４２３（図１）にかかる抵抗を画期的に低めることを一特徴とする。以下では、第１導電層を補助電極と称する。
【００４５】
一方、第１導電層１１の上面には、不純物イオンが広がることを防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面を平坦化するためのバリア層及び／またはバッファ層などの第１絶縁層１２が備えられうる。前記第１絶縁層１２は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどを使用して、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＰＣＶＤ（ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ）法、ＬＰＣＶＤ（ｌｏｗ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ）法などの多様な蒸着方法により蒸着できる。
【００４６】
一方、第１絶縁層１２の上面には、半導体層１３が形成される。さらに詳細には、第１絶縁層１２の上部に非晶質シリコンをまず蒸着した後、これを結晶化することで、多結晶シリコン層を含む半導体層１３を形成する。ここで、非晶質シリコンは、ＲＴＡ（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法、ＳＰＣ（ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｚａｔｉｏｎ）法、ＥＬＡ（ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法、ＭＩＣ（ｍｅｔａｌ ｉｎｄｕｃｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｚａｔｉｏｎ）法、ＭＩＬＣ（ｍｅｔａｌ ｉｎｄｕｃｅｄ ｌａｔｅｒａｌ ｃｒｙｓｔａｌｌｚａｔｉｏｎ）法、ＳＬＳ（ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ ｌａｔｅｒａｌ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）法などの多様な方法により結晶化できる。このように半導体層１３は、後述するＴＦＴの活性層２１３及びストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ下部電極３１３にパターニングされる。
【００４７】
次いで、図３に示したように、半導体層１３をパターニングして第１絶縁層１２の上部に、ＴＦＴの活性層２１３とストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ下部電極３１３とを形成する。さらに詳細には、半導体層１３は、第１マスク（図示せず）を使用したマスク工程により、ＴＦＴの活性層２１３及びストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ下部電極３１３にパターニングされる。本実施形態では、活性層２１３とキャパシタ下部電極３１３とが分離形成されたが、活性層２１３とキャパシタ下部電極３１３とを一体に形成してもよい。このようにＴＦＴの活性層２１３とストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタ下部電極３１３とは、同一層に同一物質で形成できる。
【００４８】
次いで、図４に示したように、活性層２１３とキャパシタ下部電極３１３とが形成された基板１０の全面に、第２絶縁層１４、第２導電層１５及び第３導電層１６を順次蒸着する。
【００４９】
第２絶縁層１４は、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘなどの無機絶縁膜を、ＰＥＣＶＤ法、ＡＰＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法などの方法で蒸着できる。前記第２絶縁層１４は、ＴＦＴの活性層２１３とゲート電極２１ｇ（図１）との間に介在されて、ＴＦＴのゲート絶縁膜の役割を行い、キャパシタ上部電極３１５（図１）と下部電極３１３との間に介在されて、ストレージキャパシタＣｓｔの誘電体層の役割を行う。
【００５０】
第２導電層１５は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことができる。または第２導電層１５は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。そして、前記第２導電層１５は、ゲート下部電極２１５及びキャパシタ上部電極３１５にパターニングされ得る。
【００５１】
一方、第３導電層１６も、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことができる。または第３導電層１６は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明物質から選択された一つ以上の物質を含んでもよい。そして、前記第３導電層１６は、ゲート上部電極２１６にパターニングされ得る。
【００５２】
次いで、図５に示したように、第２絶縁層１４上にゲート電極２１ｇと、キャパシタ上部電極３１５とをそれぞれ形成する。さらに詳細には、基板１０の全面に順次積層された前記第２導電層１５及び前記第３導電層１６は、第２マスク（図示せず）を使用したマスク工程によりパターニングされる。
【００５３】
この時、活性層２１３の上部にはゲート電極２１ｇが形成され、前記ゲート電極２１ｇは、第２導電層１５の一部で形成されたゲート下部電極２１５と、第３導電層１６の一部で形成されたゲート上部電極２１６とを含む。
【００５４】
ここで、ゲート電極２１ｇは活性層２１３の中央に対応するように形成され、ゲート電極２１ｇをマスクとして、活性層２１３にｎ型またはｐ型の不純物をドーピングして、ゲート電極２１ｇの両側に対応する活性層２１３のエッジにソース／ドレイン領域２１３ａ／２１３ｂと、これら間のチャンネル領域とを形成する。
【００５５】
一方、キャパシタ下部電極３１３の上部には、キャパシタ上部電極３１５がパターニングされる。ここで、キャパシタ上部電極３１５は、図５に示したように、第２導電層１５の単一層で形成できる。または、図面には図示されていないが、第２導電層１５と第３導電層１６との二層構造で形成してもよい。
【００５６】
次いで、図６に示したように、ゲート電極２１ｇ及びキャパシタ上部電極３１５が形成された基板１０の全面に第３絶縁層１７を蒸着する。
【００５７】
前記第３絶縁層１７は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つ以上の有機絶縁物質で、スピンコーティングなどの方法で形成される。第３絶縁層１７は十分な厚さに形成されて、例えば、前述した第２絶縁層１４より厚く形成されて、ＴＦＴのゲート電極２１ｇとソース／ドレイン電極２１ｓ／２１ｄ（図１）との間の層間絶縁膜の役割を行う。一方、第３絶縁層１７は、前記のような有機絶縁物質だけでなく、前述した第２絶縁層１４などの無機絶縁物質でも形成でき、有機絶縁物質と無機絶縁物質とを交互にして形成してもよい。
【００５８】
次いで、図７に示したように、第３絶縁層１７をパターニングして、前記補助電極１１とソース／ドレイン領域２１３ａ／２１３ｂとの一部を露出する開口１７ａ、１７ｂ、１７ｃを持つ層間絶縁膜２１７を形成する。
【００５９】
さらに詳細には、前記第３絶縁層１７は、第３マスク（図示せず）を使用したマスク工程によりパターニングされることで前記開口１７ａ、１７ｂ、１７ｃを形成する。ここで、前記開口１７ｂ、１７ｃは、前記ソース／ドレイン領域２１３ａ／２１３ｂの一部を露出させ、前記開口１７ａは、補助電極１１の一部を露出させる。
【００６０】
次いで、図８に示したように、前記層間絶縁膜２１７を覆うように基板１０の全面に第４導電層１８及び第５導電層１９を蒸着する。前記第４導電層１８及び第５導電層１９は、前述した第２または第３導電層１５、１６と同じ導電物質から選択できるが、これに限定されずに多様な導電物質で形成できる。また、前記導電物質は、前述した開口１７ａ、１７ｂ、１７ｃを充填できるほど十分な厚さに蒸着される。すなわち、開口１７ａを通じて第４導電層１８及び第５導電層１９が補助電極１１と接触可能になる。
【００６１】
次いで、図９に示したように、第４導電層１８及び第５導電層１９をパターニングして、ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ、コンタクト電極２１ｃ及び画素電極４１ｐをそれぞれ形成する。
【００６２】
さらに詳細には、前記第４導電層１８及び第５導電層１９を、第４マスク（図示せず）を使用したマスク工程によりパターニングして、ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ及びコンタクト電極２１ｃをそれぞれ形成する。したがって、ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ及びコンタクト電極２１ｃは同一層に同一物質で形成される。このように形成されたコンタクト電極２１ｃの一端部は補助電極１１と接触する。
【００６３】
ここで、前記ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄのうち一つの電極（本実施形態の場合、ソース電極２１ｓ）の一端部は、有機発光素子ＥＬ（図１）が形成された領域方向に長く延長形成でき、このように延長形成された部分は画素電極４１ｐを形成できる。この時、画素電極４１ｐは、画素下部電極４１８と画素上部電極４１９とを含むことができる。
【００６４】
次いで、図１０及び図１１に示したように、基板１０上に画素定義膜（ｐｉｘｅｌ ｄｅｆｉｎｅ ｌａｙｅｒ：ＰＤＬ）４２０を形成する。
【００６５】
さらに詳細には、図１０に示したように、前記ソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ、コンタクト電極２１ｃ及び画素電極４１ｐが形成された基板１０の全面に第４絶縁層２０を蒸着する。この時、前記第４絶縁層２０は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つ以上の有機絶縁物質でスピンコーティングなどの方法で形成できる。一方、前記第４絶縁層２０は、前記のような有機絶縁物質だけでなく、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３などから選択された無機絶縁物質で形成できることはいうまでもない。また前記第４絶縁層２０は、有機絶縁物質と無機絶縁物質とが交互になっている複数層構造で形成してもよい。
【００６６】
そして、図１１に示したように、第４絶縁層２０をパターニングして、前記コンタクト電極２１ｃ及び画素電極４１ｐの一部を露出する開口２０ａ、２０ｂを持つ画素定義膜４２０を形成する。
【００６７】
さらに詳細には、前記第４絶縁層２０は、第５マスク（図示せず）を使用したマスク工程によりパターニングされて、画素電極４１ｐの中央部が露出されるように開口２０ｂを形成することで、画素を定義する画素定義膜４２０を形成する。これと同時に、コンタクト電極２１ｃの中央部を露出させる開口２０ａも形成される。
【００６８】
このような画素定義膜４２０は、所定の厚さを持つことで画素電極４１ｐのエッジと対向電極４２３（図１）との間隔を広げ、画素電極４１ｐのエッジに電界が集中する現象を防止することで、画素電極４１ｐと対向電極４２３（図１）との短絡を防止する。
【００６９】
以後、前記画素電極４１ｐを露出する開口２０ｂに有機発光層を含む中間層４２２（図１）を形成した後、画素電極４１ｐを露出する開口２０ｂと、コンタクト電極２１ｃを露出する開口２０ａとに対向電極４２３を形成すれば、図１に示したような本発明の有機発光ディスプレイ装置の製造が完成される。
【００７０】
さらに詳細には、前記中間層４２２は、有機発光層（ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）や、その他に正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などの機能層のうちいずれか一つ以上の層が、単一あるいは複合の構造で積層されて形成できる。
【００７１】
前記中間層４２２は、低分子または高分子有機物で形成されうる。
【００７２】
低分子有機物で形成される場合、中間層４２２は、有機発光層を中心として画素電極４１ｐの方向に正孔輸送層及び正孔注入層などが積層され、対向電極４２３の方向に電子輸送層及び電子注入層などが積層される。それ以外にも必要に応じて多様な層が積層されうる。この時、使用可能な有機材料として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとした多様な材料が適用できる。
【００７３】
一方、高分子有機物で形成される場合には、中間層４２２は有機発光層を中心として画素電極４１ｐの方向に正孔輸送層のみ含まれうる。正孔輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ｐｏｌｙ−（２，４）−ｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｄｉｈｙｄｒｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用して、インクジェットプリンティングやスピンコーティングの方法により画素電極４１ｐの上部に形成できる。この時に使用可能な有機材料としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物を使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。
【００７４】
前記対向電極４２３は、基板１０の全面に蒸着されて共通電極として形成できる。本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、画素電極４１ｐはアノード電極として使われ、対向電極４２３はカソード電極として使われる。もちろん、電極の極性は逆に適用できるということはいうまでもない。
【００７５】
有機発光ディスプレイ装置が基板１０の逆方向、すなわち、基板１０から対向電極４２３側に画像が具現される前面発光型の場合、対向電極４２３は透明電極になり、画素電極４１ｐは反射電極になる。この時、反射電極は仕事関数の小さい金属、例えば、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌまたはこれらの化合物を薄く蒸着して形成できる。
【００７６】
前述した有機発光ディスプレイ装置を形成するための各マスク工程時、積層膜の除去はドライエッチングまたはウェットエッチングで行われうる。
【００７７】
このように抵抗の高いＩＴＯなどの透明電極からなる対向電極４２３を、メタルからなる補助電極１１に電気的に連結することで、対向電極４２３にかかる抵抗を画期的に低めることができる。したがって、開口率の高い前面発光型有機発光ディスプレイ装置を具現しつつも、対向電極４２３の抵抗を低める効果を得ることができる。
【００７８】
一方、前述した実施形態では、有機発光ディスプレイ装置を例として説明したが、本発明はこれに限定されず、液晶表示装置をはじめとする多様な表示素子に使用できるということはいうまでもない。
【００７９】
また、本発明による実施形態を説明するための図面には一つのＴＦＴと一つのキャパシタのみ図示されているが、これは説明の便宜のためのものであって、本発明はこれに限定されず、本発明によるマスク工程を増やさない限り、複数のＴＦＴと複数のキャパシタとが含まれうるということはいうまでもない。
【００８０】
本明細書では本発明を限定された実施形態を中心として説明したが、本発明の範囲内で多様な実施形態が可能である。また説明されていないが、均等な手段も本発明にそのまま結合されるといえる。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、発光ディスプレイ装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００８２】
１０ 基板
１１ 補助電極
１２ 第１絶縁層
２１ｇ ゲート電極
２１ｓ ソース電極
２１ｄ ドレイン電極
２１ｃ コンタクト電極
２１７ 層間絶縁膜
４２０ 画素定義膜
４１ｐ 画素電極
４２２ 中間層
４２３ 対向電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される補助電極と、
前記補助電極上に形成され、活性層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に連結され、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一部と同一層に同一物質で形成された画素電極、発光層を含む中間層、及び前記画素電極と対向するように配置された対向電極が順次積層された有機発光素子と、
前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で一定ほど離隔して形成されて、前記補助電極と前記対向電極とを電気的に連結するコンタクト電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記補助電極と前記活性層との間には第１絶縁層が介在され、前記活性層と前記ゲート電極との間には第２絶縁層が介在され、前記ゲート電極と前記コンタクト電極との間には層間絶縁膜が介在され、
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて前記コンタクト電極と前記補助電極とが接触することを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記コンタクト電極と前記対向電極との間には画素定義膜が介在され、前記画素定義膜を貫通するコンタクトホールを通じて前記コンタクト電極と前記対向電極とが接触することを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記コンタクト電極の一端部は前記対向電極と直接接触し、前記コンタクト電極の他端部は前記補助電極と直接接触することを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一電極が一方向に延長形成されて、前記画素電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一電極と前記画素電極とは、一体に形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記有機発光ディスプレイ装置は、画像が前記対向電極側に具現される前面発光型であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含むことを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１０】
基板上に形成された補助電極と、
前記補助電極上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成された活性層と、
前記活性層を覆うように形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に前記活性層と重畳して形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上部に形成されて、前記活性層と電気的に連結されるソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で形成され、前記補助電極の少なくとも一部と接触するように形成されたコンタクト電極と、
前記コンタクト電極と前記ソース電極及びドレイン電極を覆うように形成された画素定義膜と、
前記画素定義膜の上部に形成され、少なくとも一部が前記コンタクト電極と接触するように形成された対向電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記有機発光ディスプレイ装置は、画像が前記対向電極側に具現される前面発光型であることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１４】
基板上に補助電極を形成する段階と、
前記補助電極上に活性層を形成する第１マスク工程段階と、
前記活性層の上部にゲート電極を形成する第２マスク工程段階と、
前記活性層の両側と前記補助電極の一部とを露出する開口を持つ層間絶縁膜を形成する第３マスク工程段階と、
前記活性層の露出された両側と接触するソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極から一方向に延長した画素電極と、前記補助電極の露出された一部と接触するコンタクト電極とをそれぞれ形成する第４マスク工程段階と、
前記画素電極の少なくとも一部と前記コンタクト電極の少なくとも一部とを露出する画素定義膜を形成する第５マスク工程段階と、
前記画素定義膜の上部に前記コンタクト電極の露出された一部と接触する対向電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第３マスク工程は、
前記ゲート電極の上部に第３絶縁層を蒸着する段階と、
前記第３絶縁層をパターニングして、前記活性層のソース及びドレイン領域の一部と、前記補助電極の一部とを露出する開口を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第４マスク工程は、
前記層間絶縁膜の上部に第４導電層及び／または第５導電層を蒸着する段階と、
前記第４導電層及び／または第５導電層をパターニングして、前記ソース及びドレイン電極と前記画素電極と前記コンタクト電極とを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第５マスク工程は、
前記基板全面に第４絶縁層を積層する段階と、
前記第４絶縁層をパターニングして、前記コンタクト電極及び前記画素電極の一部を露出する開口を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される補助電極と、
前記補助電極上に形成され、活性層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備えるＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に連結され、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一部と同一層に同一物質で形成された画素電極、発光層を含む中間層、及び前記画素電極と対向するように配置された対向電極が順次積層された有機発光素子と、
前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で一定ほど離隔して形成されて、前記補助電極と前記対向電極とを電気的に連結するコンタクト電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記補助電極と前記活性層との間には第１絶縁層が介在され、前記活性層と前記ゲート電極との間には第２絶縁層が介在され、前記ゲート電極と前記コンタクト電極との間には層間絶縁膜が介在され、
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通じて前記コンタクト電極と前記補助電極とが接触することを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記コンタクト電極と前記対向電極との間には画素定義膜が介在され、前記画素定義膜を貫通するコンタクトホールを通じて前記コンタクト電極と前記対向電極とが接触することを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記コンタクト電極の一端部は前記対向電極と直接接触し、前記コンタクト電極の他端部は前記補助電極と直接接触することを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一電極が一方向に延長形成されて、前記画素電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちいずれか一電極と前記画素電極とは、一体に形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記有機発光ディスプレイ装置は、画像が前記対向電極側に具現される前面発光型であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含むことを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１０】
基板上に形成された補助電極と、
前記補助電極上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成された活性層と、
前記活性層を覆うように形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に前記活性層と重畳して形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上部に形成されて、前記活性層と電気的に連結されるソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に同一物質で形成され、前記補助電極の少なくとも一部と接触するように形成されたコンタクト電極と、
前記コンタクト電極と前記ソース電極及びドレイン電極を覆うように形成された画素定義膜と、
前記画素定義膜の上部に形成され、少なくとも一部が前記コンタクト電極と接触するように形成された対向電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記有機発光ディスプレイ装置は、画像が前記対向電極側に具現される前面発光型であることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１４】
基板上に補助電極を形成する段階と、
前記補助電極上に活性層を形成する第１マスク工程段階と、
前記活性層の上部にゲート電極を形成する第２マスク工程段階と、
前記活性層の両側と前記補助電極の一部とを露出する開口を持つ層間絶縁膜を形成する第３マスク工程段階と、
前記活性層の露出された両側と接触するソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極から一方向に延長した画素電極と、前記補助電極の露出された一部と接触するコンタクト電極とをそれぞれ形成する第４マスク工程段階と、
前記画素電極の少なくとも一部と前記コンタクト電極の少なくとも一部とを露出する画素定義膜を形成する第５マスク工程段階と、
前記画素定義膜の上部に前記コンタクト電極の露出された一部と接触する対向電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第３マスク工程は、
前記ゲート電極の上部に第３絶縁層を蒸着する段階と、
前記第３絶縁層をパターニングして、前記活性層のソース及びドレイン領域の一部と、前記補助電極の一部とを露出する開口を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第４マスク工程は、
前記層間絶縁膜の上部に第４導電層及び／または第５導電層を蒸着する段階と、
前記第４導電層及び／または第５導電層をパターニングして、前記ソース及びドレイン電極と前記画素電極と前記コンタクト電極とを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第５マスク工程は、
前記基板全面に第４絶縁層を積層する段階と、
前記第４絶縁層をパターニングして、前記コンタクト電極及び前記画素電極の一部を露出する開口を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記対向電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうち一つ以上を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記補助電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕから選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−１２９１９７（Ｐ２０１２−１２９１９７Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４９５３５（Ｐ２０１１−２４９５３５）
【出願日】平成２３年１１月１５日（２０１１．１１．１５）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１５日（２０１１．１１．１５）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
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