【課題】画素のレイアウト面積を抑えつつ、必要な容量素子の形成を可能にした有機ＥＬ表示装置、及び、当該有機ＥＬ表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】アノード電極２１１とカソード電極２１３との間に有機層２１２を挟んで成る有機ＥＬ素子２１_Aを画素毎に有する有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子２１_Aの発光に寄与しない領域のアノード電極２１１とカソード電極２１３との間に容量Ｃ_subを形成する。そして、発光に寄与しない領域に形成した容量Ｃ_subを、有機ＥＬ素子の駆動回路を構成する容量素子、例えば、有機ＥＬ素子の等価容量Ｃ_oledの容量不足分を補う容量素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、キャパシタ領域を含む基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記キャパシタ領域の前記バッファ層の上部に位置する半導体層と、前記半導体層の上部に形成されるゲート絶縁膜と、前記キャパシタ領域の前記ゲート絶縁膜の上部に形成される透明電極を含み、断面の前記透明電極の幅は前記半導体層の幅より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの寄生容量の容量値の低減を図ることにより、画素回路や周辺回路が実行する回路動作を確実に行うことができるようにした表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】画素（画素回路）を構成する画素トランジスタ８０、即ち、駆動トランジスタ及び書込みトランジスタの少なくとも一方としてＬＤＤ構造のトランジスタを用いる。そして、画素トランジスタ８０のＬＤＤ領域８７の幅Ｗ₁をチャネル領域８３の幅Ｗ₂よりも狭く設定することで、画素トランジスタ８０に付く寄生容量、即ち、ＬＤＤ領域８７−ゲート電極８１間に形成される寄生容量の容量値を小さくする。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電層、ゲート絶縁層となる絶縁層、半導体層、およびチャネル保護層となる絶縁層を連続して形成する。ゲート電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）と島状半導体層の形成を、一回のフォトリソグラフィ工程で行う。該フォトリソグラフィ工程と、コンタクトホールを形成するフォトリソグラフィ工程と、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程と、画素電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程の、４つのフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、静電気流入による層間短絡などの障害が生じたとしても容易に修復することのできる表示装置用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上の表示領域内に配設され、表示領域の内方より表示領域の外方に向けて引き出し形成される第１の配線部１０を有する。さらに、基板１上の表示領域の外の第１の配線部１０と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部７０を有する。さらに、第２の配線部７０に形成され、少なくとも交差する第１の配線部１０と重なり合う領域に開口した開口部７２を有する。さらに、開口部７２の両端に形成され、絶縁膜を介して第１及び第２の配線部１０、７０が重なり合う重畳部７４を有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子を含む表示装置において、生産性および利便性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、表示部に画像情報を伝送する駆動部と表示部に設けられ、且つレーザ光を検出する受光部と、受光部で検出するレーザ光の位置を解析し、位置に基づいて画像情報を操作し、操作に基づいた画像情報とは異なる画像情報を駆動部に伝送する情報処理部を有し、表示部の複数の画素はそれぞれ薄膜トランジスタを有し、受光部は複数の光電変換素子、走査回路、リセット回路および読み出し回路を有し、薄膜トランジスタおよび複数の光電変換素子は、同一の基板に設けられている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
製造プロセスのステップ数を少なくでき、素子の構造が簡単でコストを抑制することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ１００は、主面を有する基材１１０と、前記基材１１０の前記主面に対する積層方向に配設される遮光層１１１と、前記積層方向からみて、前記遮光層１１１に含まれるように設けられる有機半導体層１５０と、前記有機半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記積層方向からみて、前記有機半導体層１５０の外周において前記ソース電極１２０と前記ドレイン電極１３０と重畳しない溝部１６５が設けられたゲート絶縁層１６０と、前記積層方向からみて前記有機半導体層１５０を含むように、前記ゲート絶縁層１６０上及び前記溝部１６５に設けられるゲート電極１４０と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜１を形成する工程と、層間絶縁膜１上に導電性を有する第１の薄膜２を形成する工程と、第１の薄膜２上に第２の薄膜３を形成する工程と、第２の薄膜３上に、複数階調露光によって膜厚差を有するレジストパターン５を形成する工程と、膜厚差を有するレジストパターン５を介して、第２の薄膜３及び第１の薄膜２をエッチングして、レジストパターンの存在しない領域の層間絶縁膜１を露出させる工程と、膜厚差を有するレジストパターン５をアッシングして、レジストパターンの薄膜部５ｂを除去する工程と、薄膜部５ｂが除去されたレジストパターン５ｃを介して、第２の薄膜３をエッチングする工程と、を順次実施する。 （もっと読む）

【課題】軽量で見場のよいディスプレイを提供する。
【解決手段】ディスプレイ１４の周囲部分などのディスプレイの不活性部分２８Ａに、光を透過させるために、開口部２２を不透明マスク層に形成した上部偏光子を備える。不透明マスク層は、上部偏光子の上に形成されてもよいし、上部偏光子とカラーフィルタ層との間に挿入されてもよいし、カラーフィルタ層と薄膜トランジスタ層との間に挿入されてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するこ
とを課題とし、安価な表示装置を提供することを課題とする。また、本発明の表
示装置を表示部に用いた安価な電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するために
画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴもし
くはｎチャネル型ＴＦＴのいずれか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて
画素部と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。これにより製造工程
を大幅に削減し製造コストを低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の開口率を向上させる。
【解決手段】複数のトランジスタ素子を備えたアクティブマトリクス基板１０１Ａであって、可視光を透過させることが可能な基板１０と、基板上に形成され、亜鉛錫酸化物から構成される導電体材料よりなり、可視光を透過させることが可能な配線（Ｌ_Ｇ、Ｌ_Ｄ、Ｌ_Ｐ、Ｌ１、Ｌ２等）であってトランジスタ素子における電極として機能している、配線と、基板の垂直方向からみて配線の少なくとも一部と重なり、配線よりもキャリア濃度が低く、亜鉛錫酸化物から構成される半導体材料よりなり、かつ可視光を透過させることが可能な半導体層４４と、配線および半導体層の少なくとも一部を覆い、可視光を透過させることが可能な絶縁膜（４０、５０）と、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、所望の色温度を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、半導体層（１ａ）を有する画素トランジスター（３０）と、画素トランジスターに対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極に対応して設けられたカラーフィルター（２２０）と、平面的に見てカラーフィルターと少なくとも部分的に重なるように、且つ半導体層と同じ層に形成されており、透過する光の色温度を調整する色温度調整層（５００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 発光素子において、高い光取り出し効率を有する発光素子を得る。
【解決手段】 基板上に、微細構造を介して配置された発光層を有する発光素子であって、
微細構造は、第一微細構造と第二微細構造との積層体を備え、第一、第二微細構造は、それぞれ主要部材中に主要部材とは屈折率が異なる部材が基板の面と平行な方向に周期的に配列されており、第一微細構造と第二微細構造とは屈折率が異なる部材の配列周期が異なる。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】表示部の密封機能を向上させると共に、駆動ドライバ信号線の抵抗を減らすことによってＲＣ遅延を抑制できる表示装置及び有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】
基板１０と、基板上に形成された表示部２０と、表示部の外側に配置された、複数の信号線を含む駆動ドライバ３０と、表示部と駆動ドライバとを囲む接合層４１によって基板に固定され、樹脂マトリックスと複数の炭素繊維とを含む複合部材５１、及び複合部材の一面に配置された第１金属膜５２を含む密封基板５０と、接合層の外側に配置され、拡張配線３３を通じて複数の信号線それぞれに接続された複数のパッド部３４と、複数のパッド部に対向した複合部材の一面に配置され、導電接合層４２を通じて複数のパッド部それぞれに接続された複数の第２金属膜５３と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 従来の多画面表示装置は、表示画面の左右方向の視野角に応じて、異なる画像を表示できるものであった。表示画面の左右および上下の４方向のうち３方向以上に、異なる画像を同時に表示できる多画面表示装置を、新規な部材や製造工程を増やすことなく得る。
【解決手段】 液晶表示装置１００の表示画面５０を構成する複数の画素３０は、平面視上、十字型をしており、各画素３０は４つの副画素３２から構成され、この領域に対向する対向基板２０の液晶１５側に形成された視差バリア７０は、画素３０の中央近傍に開口部７５が設けられ、開口部７５周辺に、副画素３２が配置され、表示画面５０の左右および上下の４方向の所定の視野角範囲に、開口部７５を通して、互いに異なる画像を同時に表示することができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法により高精細かつ高い素子耐久性と表示メモリ性を兼ね備えるエレクトロクロミック表示装置を提供すること。
【解決手段】対向して設けられた表示基板１及び対向基板９と、前記表示基板上１に設けられた表示電極２と、前記対向基板９上に設けられた複数の画素電極８と、前記表示基板１と前記対向基板９とに挟持され、前記表示電極２に接して設けられたエレクトロクロミック層３と、前記複数の画素電極９上に、当該複数の画素電極９形成領域の全面に亘って形成された電荷保持層８と、前記電荷保持層８上に、当該電荷保持層８を被覆するように設けられた保護層７と、を備え、前記表示電極２と前記画素電極８との間に充填されてなる電解質を含む電解液４を有し、前記電荷保持層７は、酸化ニッケルを含み、前記電荷保持層７と前記保護層６とからなる積層構造体の表面抵抗は、１Ｅ＋６Ω／□以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネル材料とする薄膜トランジスタを用いるに当り、配線交差部において酸化物半導体の経時的な特性の変化に伴って耐圧低下が生じないようにする。
【解決手段】酸化物半導体ＴＦＴを用いる回路部の配線交差部において、下部配線４３１と上部配線４３２との間に、ゲート絶縁膜４３４、酸化物半導体層４３５、及び、チャネル保護膜４３６を積層し、酸化物半導体層４３５の立ち上げ部４３５_Aの外周面と上部配線４３２の内周面との間にチャネル保護膜４３６を介在させる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製す
るための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に
少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより
、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程と
を行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）