【課題】入射光が確実に遮光され安定した動作が得られるトランジスターを備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、ソース領域３０ｓと、ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、チャネル領域３０ｃとドレイン領域３０ｄの間に形成された接合領域３０ｆとを有する半導体層３０ａと、半導体層３０ａを覆う第１絶縁膜を介してチャネル領域３０ｃに対向するゲート電極部３０ｇと、平面的に接合領域３０ｆに沿って第１絶縁膜および第２絶縁膜に設けられた溝としてのコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６と、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６内に、ゲート電極部３０ｇから延在して設けられる第１導電膜と、データ線６ａを構成する第２導電膜とを含む少なくとも２層の導電膜を有する遮光性の側壁部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】従来では、ＬＤＤ構造を備えたＴＦＴやＧＯＬＤ構造を備えたＴＦＴを形成しようとすると、その製造工程が複雑なものとなり工程数が増加してしまう問題があった。
【解決手段】第２のドーピング工程によって低濃度不純物領域２４、２５を形成した後、第４のエッチング工程を行うことによって、第３の電極１８ｃに重なる低濃度不純物領域の幅と、第３の電極に重ならない低濃度不純物領域の幅とを自由に調節できる。こうして、第３の電極１８ｃと重なっている領域は、電界集中の緩和が達成されてホットキャリアによる防止ができるとともに、第３の電極１８ｃと重なっていない領域は、オフ電流値を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、データ線に電気的に接続された付加容量の破損を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、対向配置され、シール材（５２）で囲まれた領域に電気光学物質（５０）を挟持する第１基板（１０）及び第２基板（２０）と、第１基板上の画素領域（１０ａ）に走査線（１１）とデータ線（６）との交差に対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極と、走査線及びデータ線との間に、画素電極に容量絶縁膜（７２）を介して対向するように設けられた蓄積容量電極（７１）と、画素電極と同一層からなる第１容量電極（６１０）と、蓄積容量電極と同一層からなる第２容量電極（６２０）とを有し、データ線と電気的に接続された付加容量（６００）とを備える。付加容量は、画素領域と、シール材で囲まれた領域の外周よりも内側との間の領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率が低下しない表示装置を提供する。
【解決手段】発光部１５が位置する凹部１３が充填膜２７で充填されてから無機膜２８が形成されるので、無機膜２８に亀裂が生じない。無機膜２８はダイヤモンドライクカーボンやＡｌＮのように、気密性と熱伝導性が高い材料で構成されているので、発光部１５に水や酸素が進入し難いだけでなく、発光部１５の熱は無機膜２８に伝達され、発光部１５が高温にならない。更に、第一パネル１０、第二のパネル２０の間の隙間は樹脂膜２９で充填されているので、外部から大気が進入しない。発光部１５は水や酸素や熱によってダメージを受けないので、表示装置１は寿命が長い。 （もっと読む）

【課題】熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供する。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】剥離工程を簡略化し、且つ大型基板に対する剥離・転写を均一に行う半導体装置
の方法を提供する。
【解決手段】第１の基板上に金属膜を形成し、金属膜に接して珪素を有する絶縁膜を形成
すると金属膜の表面には酸化金属膜が形成されている。そして、絶縁膜上に薄膜トランジ
スタ等の半導体素子を形成する。第１の接着剤を用いて、半導体素子上に第２の基板を固
定し、かつ第１の基板を分離し、第２の接着剤を用いて、半導体素子下にフィルム基板等
の第３の基板を固定し、かつ第２の基板を分離するときに、紫外線を照射することによっ
て、第１の接着剤の粘着性の低下又は剥離と、第２の接着剤の硬化とを同時に行う。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが小さくなったときでも、信号線と保持容量端との間のクロストークを減少させ、良好な出力画像が得られる反射型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】各画素に画像信号を伝送する信号線２を第２メタル層で形成し、保持容量を構成する容量電極１０と信号線２との間に第１メタル層でシールド線１２を配置し、固定電位を与え、シールドを施しクロストークの発生を防ぐ。保持容量は半導体基板上に形成された拡散層からなる共通電極１１と容量電極１０とで構成される。信号線下に半導体基板上に形成された拡散層からなる容量電極と、固定電位とされた共通電極を配置し、シールドを施しクロストークの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】トランジスターを備えた高精細な画素を有する電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の画素Ｐは、第１方向（Ｘ方向）に延在する走査線３ａと、走査線３ａに交差する第２方向（Ｙ方向）に延在するデータ線６ａと、走査線３ａおよびデータ線６ａに電気的に接続された薄膜トランジスター３０と、を備え、薄膜トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に平面的に重なるように配置され、Ｘ方向に延在するドレイン領域３０ａ５と、Ｙ方向に延在するソース領域３０ａ１と、Ｘ方向に延在する第１延在部とＹ方向に延在する第２延在部とを含むチャネル領域３０ａ３と、を有する半導体層３０ａと、チャネル領域３０ａ３に対向するゲート電極部３０ｇと、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの削減が可能な薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 チャネル領域、前記チャネル領域を挟んだ両側にソース領域及びドレイン領域を有する酸化物半導体薄膜と、前記酸化物半導体薄膜と同一材料によって形成され、第１低抵抗部及び第２低抵抗部を有する第１容量形成部と、前記酸化物半導体薄膜の前記チャネル領域上及び前記第１容量形成部の前記第１低抵抗部上に形成されるとともに、前記酸化物半導体薄膜の前記ソース領域及び前記ドレイン領域及び前記第１容量形成部の前記第２低抵抗部を露出するゲート絶縁膜と、を備え、前記酸化物半導体薄膜のうち、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャネル領域の長さＬ１は、前記第１容量形成部のうち、前記ゲート絶縁膜が積層された端部から前記第２低抵抗部に至るまでの長さＬ２よりも短い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輝度を低下させずに高精細化を図ることを目的とする。
【解決手段】複数の画素電極２４を有する回路基板１０に、複数の貫通穴４０を有する蒸着マスク３８を使用した蒸着によって、有機材料からなる複数の発光層３０を形成する蒸着工程を含む。複数の画素電極２４は、複数の列をなすように配列されている。複数の貫通穴４０は、複数の列をなすように配列され、列に沿った方向に長くなる形状を有し、各列で２つ以上の貫通穴４０が並んでいる。各列に並ぶ画素電極２４の数は、少なくとも、各列に並ぶ貫通穴４０の数の２倍以上ある。蒸着工程で、それぞれの貫通穴４０の内側に、いずれかの列に並ぶ２つ以上の画素電極２４を配置して、複数の画素電極２４上に複数の発光層３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】特に耐湿熱性が良好で、低コストで、ガスバリア性の良いガスバリア性フィルムの製造方法及びガスバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基材１１上に、一般式（１）で表されるマレイミド基を有するモノマー化合物と重合開始剤と前記マレイミド基の二量化反応を増感させる増感剤とを含む組成物で有機層２を形成する工程と、その有機層２上に無機層３を形成する工程と、を有する（一般式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基若しくはアリール基を表すか、又は、Ｒ^１及びＲ^２は一つとなって５員環若しくは６員環を形成する炭化水素基を表す。）
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【課題】表示領域の配線とＩＣドライバの端子を接続する引き出し線において、ＩＣドライバの中央部の端子を接続する引き出し線とＩＣドライバの端部の端子を接続する引き出し線における長さが異なることによる引き出し線抵抗に差が生ずることを防止する。
【解決手段】映像信号線とＩＣドライバの端子を接続するドレイン層引出し線５０を途中で分断し、分断した部分を画素ＩＴＯと同時に形成される橋絡ＩＴＯ５０によって橋絡する。ＩＣドライバの中央部分の端子を接続する引き出し線における橋絡ＩＴＯ５０の長さをＩＣドライバの端部の端子を接続する引き出し線における橋絡ＩＴＯ５０の長さより大きくすることによって、引き出し線の配線抵抗の差を小さくする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板、反射膜、反射アノード電極、タッチパネルセンサーなどの製造工程において、塩化ナトリウム溶液の浸漬下におけるＡｌ合金表面の腐食やピンホール腐食（黒点）などの腐食を有効に防止できて耐食性に優れており、しかもヒロックの生成も防止できて耐熱性にも優れたＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ合金薄膜は、基板上に配線膜または反射膜に用いられるＡｌ合金膜であって、Ｔａおよび／またはＴｉ：０．０１〜０．５原子％と、希土類元素：０．０５〜２．０原子％と、を含有するものである。 （もっと読む）

【課題】有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に配置され、屈折率の異なる複数の絶縁膜を含み、前記複数の絶縁膜のうち少なくとも一つは同一面上で異なる厚さで形成されたバッファ層と、前記バッファ層の厚い領域に形成された薄膜トランジスタの活性層と、前記バッファ層の薄い領域に形成された画素電極と、ゲート絶縁膜を介して前記活性層上に形成された前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記活性層に接続された前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と、前記画素電極上に形成された発光層と、前記発光層を介して、前記画素電極に対向配置される対向電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画像の周囲に光漏れに起因する像が現れるということを極力防止等することで、画質を高める。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、データ線、走査線、ＴＦＴ及び画素電極を備えている。前記基板は、ＴＦＴ及び画素電極の形成領域として規定される画像表示領域（１０ａ）と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域とを有する。画像表示領域上には、画素電極における電位を所定期間保持する蓄積容量と、該蓄積容量を構成する容量電極に接続される容量配線（４００）とを備え、前記画像表示領域及び前記周辺領域間を画する額縁領域（５３）上には、容量配線と同一膜として形成され、且つ、当該額縁領域の少なくとも一部に形成された額縁パターン（４０６）を備えている。この額縁パターンは、外部回路接続端子（１０２Ｑ）に接続された配線（４０４）とも同一膜として形成されている。 （もっと読む）

【課題】構造及び製造工程を簡素化しながら、開口率を向上させた、ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るディスプレイ装置１０１は、基板１１１、前記基板１１１上に形成された前記第１透明導電膜１３０１及び前記第１透明導電膜１３０１上に形成された第１金属膜１３０２を含む多重膜構造と前記第１透明導電膜１３０１で形成された単一膜構造とを含むゲート配線、前記ゲート配線の一部の領域上に形成された半導体層１５３、そして前記半導体層上に形成された第２透明導電膜１７０１及び前記第２透明導電膜１７０１上に形成された第２金属膜１７０２を含む多重膜構造と前記第２透明導電膜１７０１で形成された単一膜構造とを含むデータ配線を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体層の損傷を防止しつつ製造工程を単純化できる構造を有する表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１１と、基板上に形成されたゲート電極１３３及び第１キャパシタ電極１３８を含むゲート配線と、ゲート配線上に形成されたゲート絶縁膜１４０と、ゲート絶縁膜上に形成され、ゲート電極と少なくとも一部が重なるアクティブ領域１５３と、第１キャパシタ電極と少なくとも一部が重なるキャパシタ領域１５８とを含む半導体層パターンと、半導体層パターンのアクティブ領域の一部上に形成されたエッチング防止膜１６５と、エッチング防止膜の上から半導体層のアクティブ領域の上にわたって形成され、エッチング防止膜を介在して互いに離隔したソース電極１７５及びドレイン電極１７７と、半導体層のキャパシタ領域の上に形成された第２キャパシタ電極１７８とを含むデータ配線と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯ_Ｘ膜と、ＳｉＯ_Ｘ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】必要十分なキャパシティをもつ保持容量を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属表面を有する基板１１と、前記金属表面を有する基板上に形成された絶縁膜１２と、前記絶縁膜上に形成された画素部とを有する半導体装置において、前記画素部は、ＴＦＴと、該ＴＦＴと接続する配線２１とを有しており、保持容量は、前記金属表面を有する基板、前記絶縁膜および前記配線により構成されている。前記絶縁膜の膜厚が薄いほど、また、前記絶縁膜と前記配線の接する領域の面積が大きいほど、大きなキャパシティを得られるので有利である。 （もっと読む）