【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタ
を有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成す
る。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、
プラズマ（少なくとも酸素プラズマを含む）の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化
物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】表示品位を改善することが可能な表示装置及び表示装置用アレイ基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置され可視光領域での透過率が０．５以上の下地層、前記下地層より厚い膜厚を有するとともに前記下地層の上に積層された透明材料からなる透明層、及び、前記透明層の上に積層された主配線材料からなる主配線層の積層体によって形成された信号配線と、を備え、前記透明層の膜厚をｄ（ｎｍ）とし、前記透明層の屈折率をｎとしたとき、積ｎ×ｄが４００より小さいことを特徴とする表示装置用アレイ基板。 （もっと読む）

【課題】隣接画素へのリークの問題を解消して良好な色再現性を得ることが可能な有機ＥＬ表示装置、及び、当該有機ＥＬ表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】白色有機ＥＬ素子２１_Wとカラーフィルタ８０との組み合わせにより、ＲＧＢの各色光を取り出す方式を採用し、しかも、タンデム構造の画素構造を有する有機ＥＬ表示装置において、有機層（電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７）に対して電気的に接続された金属配線９０をアノード電極２１１の周囲を囲むように形成する。そして、当該金属配線９０の電位を有機ＥＬ素子２１が非発光時のアノード電極２１１の電位よりも低い電位に設定する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、限られた基板上の領域内で蓄積容量の容量値を向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に設けられた画素電極（９）と、基板と画素電極との間に設けられ、互いに交差するデータ線（６）及び走査線（１１）と、基板とデータ線との間に設けられ、データ線に電気的に接続された第１ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された第２ソースドレイン領域を有する半導体層（３０ａ）と、データ線と半導体層との間に設けられた第１絶縁膜（４２）と、データ線と画素電極との間に設けられた第２絶縁膜（４３）と、半導体層と画素電極との間に設けられ、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を貫通するように設けられた溝（９１）内の少なくとも一部に設けられた溝内部分（７０ａ）を有する蓄積容量（７０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置において、簡単な構成で、好適に装置の温度を検出する。
【解決手段】液晶装置は、シール材（５２）を介して貼り合わされた一対の基板（１０，２０）と、一対の基板間に挟持された液晶（５０）と、一方の前記基板の少なくとも一辺に沿って配置され、平面的に見てシール材と重なる位置に配置された感温配線（２００）とを備える。感温配線は、温度を検出可能な配線として構成されており、装置の温度を好適に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、データ線（６）に接続された第１ソースドレイン領域、及び画素電極（９）に接続された第２ソースドレイン領域を含んでなる半導体層（３０ａ）と、半導体層と画素電極との間に配置され、一の走査線（１１）に接続されたゲート電極（３０ｂ）とを有するトランジスター（３０）と、一の走査線に隣り合う走査線に接続された第２トランジスターのゲート電極が延在してなる第１容量電極と、第１容量電極と画素電極との間に設けられるとともに第２ソースドレイン領域に接続された第２容量電極とを有する蓄積容量（７０）とを備える。蓄積容量は、半導体層とゲート電極との間の絶縁膜及び半導体層と基板との間の絶縁膜を貫通するとともに基板に設けられた溝内の少なくとも一部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】表示用配線の腐食による断線や短絡を確実に防止する。
【解決手段】表示パネルの基板６に表示用配線７、絶縁膜８、電極９を順に積層する。電極９は絶縁膜８に形成された開口を介して表示用配線７に電気的に接続される。この開口を埋めるようにＩＴＯなどの透明導電膜が供給され、この透明導電膜により電極９が形成される。このようにして電極９と表示用配線７が電気的に接続する。また、電極９以外の領域では、絶縁膜８上に保護導電膜１０が形成されている。これにより絶縁膜８のピンホールや傷による表示用配線７の腐食が発生しない。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の表示パネルに表示されるイメージの間に色感の差を最小化した表示装置を提供する。
【解決手段】互いに隣接した第１及び第２表示パネルと、第１光を放出する第１光源及び第１光を反射する第１反射シートを含む第１バックライトアセンブリと、前記第１光と異なる色座標領域を有する第２光を放出する第２光源及び第２光を反射し、第１反射シートと異なる物質を含む第２反射シートを含む第２バックライトアセンブリとを含み、第１反射シートは第１光が第１反射シートから反射した第３光を第１表示パネルに反射し、第２反射シートは第２光が第２反射シートから反射して前記第３光と同一の色座標領域を有する第４光を第２表示パネルに反射する。 （もっと読む）

【課題】光変調層への電界印加効率の低下を抑えつつ高い反射率を実現できる誘電体多層膜を備える反射型光変調装置を提供する。
【解決手段】反射型液晶装置（反射型光変調装置）１は、光Ｌを透過する導電性材料を含む透明導電膜２２と、透明導電膜２２に沿って二次元配列された金属製の複数の画素電極１６と、複数の画素電極１６と透明導電膜２２との間に配置され、各画素電極１６及び透明導電膜２２により形成される電界に応じて光Ｌを変調する液晶層２０と、複数の画素電極１６上に形成された誘電体多層膜１８とを備える。誘電体多層膜１８は、画素電極１６に接する第１の層と、第１の層より屈折率が高く第１の層に接する第２の層とを含む。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】トランジスターの静電破壊を抑制する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板上に第１トランジスターを形成する工程と
、第１トランジスターが形成された基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜を
エッチングして、第１トランジスターに通じる第１貫通孔を形成する工程と、第１貫通孔
を介して第１トランジスターに接続された第１部分および第１部分とは接続されていない
第２部分を有する第１導体膜を第１絶縁膜上に形成する工程と、第１導体膜上に第２絶縁
膜を形成する工程と、第２絶縁膜をエッチングして第１導体膜の第１部分および第２部分
のそれぞれに通じる第２貫通孔および第３貫通孔を形成する工程と、第２貫通孔および第
３貫通孔を介して、第１導体膜の第１部分および第２部分を電気的に接続する第２導体膜
を第２絶縁膜上に形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】画素回路の制御ラインやトランジスタとの接続ライン配線による開口率の減少を抑制する。
【解決手段】容量セットラインＣＳを画素の上端部に配置し、発光セットラインＥＳを画素の下端部に配置し、ゲートラインＧＬを両者の真ん中に配置する。ゲートラインＧＬと容量セットラインＣＳの間には、選択トランジスタＴ１、電位制御トランジスタＴ２および容量Ｃｓを配置し、ゲートラインＧＬと発光セットラインＥＳの間には短絡トランジスタＴ３、駆動トランジスタＴ４および駆動制御トランジスタＴ５を配置する。このような配置によって、配線の引き回しおよびコンタクトの効率的な配置ができ、開口率を比較的高くできる。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】開口率の低減を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】各画素の中央を通り直線状に延在した信号配線と、前記信号配線を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記信号配線の直上に位置し且つ前記信号配線と略平行な直線状に延在した帯状の画素電極と、を備えた第１基板と、隣接する画素の間にそれぞれ配置され前記画素電極と略平行な直線状に延在した帯状の対向電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされる容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜、第２の金属層、平坦化膜、バリア膜及び第３の金属層の順に積層され、平坦化膜に設けられた第１開口部の側面がバリア膜に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層は前記第１開口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体、ゲート絶縁膜、ゲート電極、第１パッシベーション膜及び前記第２の金属層で積層形成された容量素子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画品位に影響を及ぼす、２層目の平坦化膜のコンタクト部を自由にレイアウトできるようにする。
【解決手段】回路部が形成された基板表面を平坦化するための平坦化膜を、基板上に順に積層された第１，第２の平坦化膜７４，７７からなる２層構造とする。そして、第１，第２の平坦化膜７４，７７間に中継配線７６を形成し、この中継配線７６によって、第１の平坦化膜７４に形成され、トランジスタ（ＴＦＴ）７２を含む回路部に接続された第１のコンタクト部７５と、第２の平坦化膜７７の第１のコンタクト部７５と平面視で異なる位置に形成された第２のコンタクト部７５とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、キャパシタ領域を含む基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記キャパシタ領域の前記バッファ層の上部に位置する半導体層と、前記半導体層の上部に形成されるゲート絶縁膜と、前記キャパシタ領域の前記ゲート絶縁膜の上部に形成される透明電極を含み、断面の前記透明電極の幅は前記半導体層の幅より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）