【課題】真空成膜技術を用いずに、簡単な製造工程で作製することができる導電性素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性素子の製造方法は、導電性高分子および溶媒を含む導電性組成物を、複数の微細構造体が形成されたモールドの成形面に塗布または印刷する工程と、モールドの成形面に塗布または印刷された導電性組成物に含まれる溶媒を除去し、導電層を形成する工程と、導電層に基体を貼り合わせる工程と、基体が貼り合わされた導電層をモールドの成形面から剥離する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板１０上に第１導電体を形成する第１導電体形成工程と、第１導電体を被覆する様にゲート絶縁膜２１を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、第１導電体上のゲート絶縁膜２１に貫通孔３２を開口して、当該貫通孔３２を介して第１導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体以外の領域に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像形成層上に、容易且つ迅速にパターン形成できる方法で導体パターンを形成するディスプレイ・デバイスを提供する。
【解決手段】ディスプレイ・デバイス１０は、基板１５と、基板上に形成した第１の透明導電性層２０と、第１の透明導電性層上のコレステリック液晶光変調層３０と、コレステリック液晶光変調層上に形成した第２の導電性層４０とを含んでなるディスプレイ・デバイスであって、前記第２の導電性層４０が銀をベースにするＵＶ硬化性の導電性層である。 （もっと読む）

【課題】 信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板１１上にスイッチング用ＦＥＴ２０１及び電流制御用ＦＥＴ２０２を形成し、電流制御用ＦＥＴ２０２にＥＬ素子２０３が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用ＦＥＴ２０２は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用ＦＥＴ２０２にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】上部遮光膜を備えなくともチャネル形成領域を遮光することができる表示層装置。
【解決手段】チャネル形成領域上にシリコンを含むゲート絶縁膜１０３を有し、ゲート絶縁膜を介して、チャネル形成領域上にゲート電極１０４と、容量配線とを有し、その上にシリコンを含む第２絶縁膜１０６を有し、第２絶縁膜上に、Ａｌを含む第２配線を有し、その上に酸化シリコンを有する第３絶縁膜を有し、第３絶縁膜上に、Ａｌを含む第３配線を有する表示装置であって、第２配線及び第３配線はチャネル形成領域を遮光することができる。 （もっと読む）

【課題】有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】対向配置された第１基板と第２基板；第１基板と第２基板との間に配され、画素ごとに分離形成された画素電極、画素電極に対向配置された共通電極、及び画素電極と共通電極との間に配された有機発光層；を備え、第１基板と画素電極との間に配され、画素電極に発光信号を伝達する少なくとも一つの薄膜トランジスタ、少なくとも一つのキャパシタ、及び少なくとも一つの配線部；を備え、薄膜トランジスタ及びキャパシタを構成する電極部及び配線部のうち少なくとも一つの表面には、電極部及び配線部の光学特性が変形された光特性変形層が形成された有機発光表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】メモリー特性を改善し、信頼性に優れる反射型エレクトロクロミック表示素子を提供する。
【解決手段】透明支持基板(21)と、前記透明支持基板上に形成された透明導電層からなる表示電極(22)と、前記透明表示電極と対向して配置された支持基板(26)と、前記支持基板上に形成された導電層からなる対向電極(27)と、前記表示電極の対向電極側面に接して設けられたエレクトロクロミック層(25)と、前記表示電極と対向電極との間に収容された電解質層(28)とを備え、前記対向電極はその表面形状が、平均粒径15nm以上25nm以下の微粒子および該微粒子の凝集体組織構造により形成された凹凸形状を有する表示素子とする。 （もっと読む）

【課題】配線層を低抵抗に保ち、かつ薄膜トランジスタにおける膜剥がれを防止した表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜トランジスタ１０および配線層２０を備える。薄膜トランジスタ１０は、基板１１側からゲート電極１２，ゲート絶縁膜１３および半導体層１４を有し、配線層２０は、配線層２０ａおよび配線層２０ｂにより構成されている。配線層２０ｂとゲート電極１２とは同一の膜厚および構成材料からなる。配線層２０とゲート電極１２との厚みは異なっている。具体的には、ゲート電極１２の厚みは配線層２０の厚みよりも薄く、ゲート電極１２の膜内応力が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な金属配線用膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてＸ群元素（Ｘは、希土類元素、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を３〜５０原子％、および／または酸素を０．２〜３．０質量％含有し、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなるＴｉ合金層（第１層）と、Ａｌ系膜からなる第２層とを含む積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＺＯ系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をＳｎ:Ｇａ:Ｚｎ＝ａ:ｂ:ｃとした場合、組成比が、ａ＋ｂ＝２、且つ１≦ａ≦２、且つ１≦ｃ≦１１／２、且つｃ≧−７ｂ／４＋１１／４を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で１００℃以上３００℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】可撓性表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性表示装置の製造方法は、キャリア基板上に抵抗を有する導電物質を含む発熱部を形成する段階と、発熱部上に可撓性基板を形成する段階と、可撓性基板上に薄膜トランジスタを含む駆動回路部を形成する段階と、駆動回路部上に発光素子および封止部材を形成する段階と、発熱部に電圧を印加してジュール熱を発生させることによって可撓性基板に直接熱を加えて発熱部から可撓性基板を分離する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】視認性の向上した有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】第１基板と；第１基板と対向するように配置された第２基板と；第１基板と第２基板との間に配置されて有機発光素子を含むディスプレイ部と；第１基板と第２基板との間にディスプレイ部を取り囲むように配置され、第１基板と第２基板とを接合させる密封材と；ディスプレイ部を覆うように密封材の内側に配置され、光変色性材料を含む充填材と；を備え、光変色性材料は、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍ波長の光を吸収する第１光変色性材料、及び５５０ｎｍ〜５８０ｎｍ波長の光を吸収する第２光変色性材料を含む有機発光ディスプレイ装置。 （もっと読む）

【課題】対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、対向基板２０には、共通電極２１より下層側に導電性の遮光層２９が設けられ、かかる遮光層２９は絶縁層２７のコンタクトホール２７ａ、２７ｂ、第１導通部２５ａおよび第２導通部２５ｂにおいて共通電極２１と導通している。このため、共通電極２１のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。従って、共通電極２１の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極２１の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層２９の上層には絶縁層２７が形成されているため、遮光層２９に起因する段差が緩和されている。従って、共通電極２１に段差切れが発生しない。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ膜、陰極の断線を防止する技術を提供することを課題とする。陰極と陽極に
挟まれた部分で、ＥＬ膜の膜厚が局所的に薄くなることを抑えることができ、ＥＬ膜に局
所的に電界が集中することを防ぐことができる。
【解決手段】陽極１００上に絶縁膜１０１を形成し、絶縁膜１０１上にＥＬ膜１０２、陰
極１０３を形成したＥＬ素子において、絶縁膜１０１の下端部、上端部を曲面形状とする
。また、絶縁膜１０１の中央部のテーパー角を３５°以上７０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】 １枚の基板から得られる表示パネルの枚数が多くでき、放電破壊を抑制するショート配線としても機能する共通配線の構成のアレイ基板において、外部接続端子と共通配線とを接続する接続配線の、共通配線のコンタクトホールを有する接続部での腐食を抑制して信頼性の向上を図る。
【解決手段】 絶縁性基板１上に、複数の表示パネル５０を構成する複数の表示領域４０が配置され、走査配線２、信号配線６、及び共通配線８０に接続される外部接続端子６０を有するアレイ基板１１０において、外部接続端子６０と隣接する表示パネル５０の共通配線８０とを接続する接続配線７０は、隣接する表示パネル５０の共通配線８０に設けられたコンタクトホール６４を有する接続部６５において接続され、接続部６５は対向基板１２０を貼り合わせるシール材９５が形成される領域下、又はシール材９５より表示領域４０側である内側に配置される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも光学特性及び外観品質に優れた透明フィルムを提供する。
【解決手段】ガラス繊維の基材に透明樹脂組成物を含浸し硬化して形成される透明フィルムに関する。前記ガラス繊維において、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）の含有量が１２〜２２質量％、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の含有量が２〜１２質量％、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）の含有量が７〜１７質量％、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の含有量が４５〜５５質量％、酸化カルシウム（ＣａＯ）の含有量が１０質量％以下、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の含有量が５質量％以下、酸化バリウム（ＢａＯ）の含有量が１０質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】可とう性を有しながら信頼性が高く、優れた表示特性を発揮することのできる表示装置及び電子機器に好適な電気泳動表示シート及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１基板１０の一方の面に開口する隔壁部４０を形成し、第２基板２０の一方の面にバインダー層３０を塗布形成後、黒色粒子５及び白色粒子６を分散媒５０に分散した電気泳動分散液５１をバインダー層３０に浸透させて、電気泳動分散液５１が浸透されたバインダー層３０の面と、隔壁部４０の面を対向させた方向で、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせて製造する電気泳動表示シート及びその製造方法である。隔壁部４０の頂上部４１と第２基板２０との間がバインダー層３０の一部（高密度バインダー層３１）により、接着されているため、信頼性に優れている。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）