【課題】酸化亜鉛を含む半導体膜を用いたダイオードを提供する。
【解決手段】基板上の、酸化亜鉛を含み、チャネル形成領域を有する半導体膜と、前記半
導体膜とゲート電極との間のゲート絶縁膜と、前記半導体膜と電気的に接続されるソース
電極及びドレイン電極と、を有し、前記ゲート電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン
電極の一方と電気的に接続される。前記ゲート電極は前記チャネル形成領域の上又は下に
あり、前記ゲート電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上にあってもよい。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び一対の電極を有する発光素
子を含む画素が複数設けられた画素部を有し、前記第１のトランジスタは、ゲートが走査
線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソー
スまたはドレインの他方が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第
２のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が電源線に電気的に接続され、ソース
またはドレインの他方が前記一対の電極の一方に電気的に接続され、前記第１のトランジ
スタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。そして、
前記表示装置が静止画像を表示する期間の間に、前記画素部に含まれる全ての走査線に供
給される信号の出力が停止される期間を有する。 （もっと読む）

【課題】発光部が発光した光のうちのより多くの光を、基板の法線方向に放射させることができる自発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】複数の柱状の発光部１０４を基板１０１上に互いに間隔をおいた状態で配置する。各発光部１０４が、第１導電型の半導体１０７と、第２導電型の半導体１０８とを有するようにする。発光部１０４の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率体１０６を、各発光部１０４の側壁に接触するように配置する。 （もっと読む）

【課題】粒子状スペーサを用いず、使用する液晶の特性や駆動方法に応じて自由な範囲で設計された厚みを精度よく有する、高品質な表示装置およびタッチパネルを備えた表示装
置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置された
柱状スペーサを複数備えた表示装置と、光学式の検出素子を備えたタッチパネルとを有す
る。柱状スペーサによって、機械的強度が補強され、頑丈なパネルとすることができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の有機半導体層をレーザ光を用いてパターニングしたときであっても、有機半導体層に損傷が生じ難い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（Ａ）基体１０上にゲート電極１２を形成した後、（Ｂ）基体１０及びゲート電極１２上にゲート絶縁層１３を形成し、次いで、（Ｃ）基体１０に到達する分離溝１６をゲート絶縁層１３に形成した後、（Ｄ）ゲート絶縁層１３上及び分離溝１６の底部に露出した基体１０上に有機半導体層１４を形成し、次に、（Ｅ）少なくとも分離溝１６の底部に露出した基体１０上に形成された有機半導体層１４の部分にレーザ光を照射して分離溝１６の底部の少なくとも一部を露出させる一方、有機半導体層１４の上に一対のソース／ドレイン電極１５を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】高コントラスト、高速応答および低消費電力を実現可能な表示装置を提供する。
【解決手段】電気泳動素子は、泳動粒子と、その泳動粒子とは光学的反射特性が異なる非泳動粒子を保持する繊維状構造体を含む多孔質層と、その多孔質層の一部を包含する光透過性の隔壁とを備えている。 （もっと読む）

【課題】表示装置および表示装置提供方法を提供する。
【解決手段】第１表示板と、前記第１表示板と対向して配置され、第１領域および前記第１領域を囲む第２領域を有する一面を含む第２表示板と、前記第２表示板の前記第１領域および前記第２領域の少なくともいずれかに形成され、前記第１表示板と接触する一つ以上の第１スペーサ、および前記第２表示板の前記第１領域および前記第２領域に形成され、前記第１表示板と離隔する一つ以上の第２スペーサを含み、前記第２領域に形成された前記第２スペーサの断面積の合計は、前記第１領域に形成された前記第２スペーサの断面積の面積の合計より小さいかまたは０である表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が難しく、ノーマリーオンとなる薄膜トランジスタを有する駆動回路において、回路内の誤動作を低減し、より確度の高い動作を保証する駆動回路を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有するインバータ回路と、第３のトランジスタを有するスイッチと、を含むスタティックのシフトレジスタ回路を有し、第１のトランジスタ乃至第３のトランジスタは、酸化物半導体でなる半導体層を有し、且つディプレッション型のトランジスタであり、第３のトランジスタを駆動するクロック信号の振幅電圧は、インバータ回路を駆動するための電源電圧より大きい駆動回路とする。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】光学特性に優れた透明複合基板、および、かかる透明複合基板を備えた表示素子基板を提供することにある。
【解決手段】本発明の透明複合基板は、ガラスクロスと、ガラスクロスに含浸した脂環式エポキシ樹脂を主成分とする樹脂材料と、ガラスクロスの表面に設けられ、ガラスクロスと樹脂材料との間に発生する応力を緩和する応力緩和成分と、を有し、応力緩和成分は、非イオン性官能基を含むものが好ましい。非イオン性官能基は、エポキシ基、（メタ）アクリロイル基、およびビニル基のうちの少なくとも１種であることが好ましく、応力緩和成分は、有機ケイ素化合物であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光学異方性が小さい透明複合シートを提供する。
【解決手段】透明複合シートは、硬化性組成物を硬化させた硬化物と、該硬化物中に埋め込まれたガラス繊維とを有する。上記硬化性組成物は、正の屈折率異方性を有する高分子を形成する第１の単量体と、負の屈折率異方性を有する高分子を形成する第２の単量体とを含み、波長５８９ｎｍにおける前記硬化物の屈折率と波長５８９ｎｍにおける前記ガラス繊維の屈折率との差が０．０１以下、ガラス繊維に沿って前記高分子が一軸配向した透明複合シートの、波長５５０ｎｍにおける面内位相差が５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、光学特性に優れたガラス繊維複合樹脂シートを提供することにある。
【解決手段】本発明に係るガラス繊維複合樹脂シート１６０は、ガラス繊維集合体１５０およびマトリックス樹脂１６１を備える。ガラス繊維集合体は、ガラス繊維またはガラス繊維束１５１ａ，１５１ｂから形成されている。そして、このガラス繊維集合体は、屈折率の最大値と最小値との差が０．０１以下である。マトリックス樹脂は、ガラス繊維集合体の平均屈折率との差が０．０１以下である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタアレイ基板、有機発光表示装置、及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に配置され、活性層２１２、ゲート電極２１４、ソース電極２１８ａ、ドレイン電極２１８ｂ、活性層とゲート電極との間に配置された第１絶縁層１３、及びゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間に配置された第２絶縁層１５を含む薄膜トランジスタと、第１絶縁層及び第２絶縁層上に配置され、ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結される画素電極１１７と、ゲート電極と同一層で形成された下部電極３１４及び画素電極と同一材料を含む上部電極３１７を含むキャパシタと、第２絶縁層と画素電極との間及び下部電極と上部電極との間に直接配置された第３絶縁層１１６と、ソース電極、ドレイン電極及び上部電極を覆って画素電極を露出させる第４絶縁層１９と、を含む薄膜トランジスタアレイ基板。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層として要求される耐圧や容量を確保しつつ、外光反射率によるコントラストの劣化を抑えやすくした表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板ＧＡと、透明基板ＧＡの上側に形成されるゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に形成される微結晶半導体層ＭＳと、ゲート電極ＧＴと微結晶半導体層ＭＳの間に形成されて、微結晶半導体層ＭＳの外方に延在するゲート絶縁層ＧＩと、ゲート絶縁層ＧＩの微結晶半導体層ＭＳの外方に延在する部分の上面に接して、窒化ケイ素で形成される第２の窒化ケイ素層ＮＩ２と、を有し、ゲート絶縁層ＧＩは、第１の窒化ケイ素層ＮＩ１と、第１の窒化ケイ素層ＮＩ１の上側に形成されて微結晶半導体層ＭＳに接する酸化ケイ素層ＯＩと、を含み、ゲート絶縁層ＧＩは、微結晶半導体層ＭＳの下側の部分よりも第２の窒化ケイ素層ＮＩ２の下面に接する部分で薄く形成される、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】高速かつ精細に光が透過する開口を調節できる開口調節素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る開口調節素子は、流体が流動する空間を構成するチャンバと、当該チャンバ内に設けられるものであって、互いに混合されない性質を持ち、一つは透光性の、他の一つは遮光性または吸光性の物質で形成された第１流体及び第２流体と、チャンバの内側面に設けられるものであって、チャンバ内に電場を形成するために電圧が印加される一つ以上の電極がアレイされた第１電極部と、を備え、電場による第１流体と第２流体間の界面位置変化により光が透過される開口が調節される。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性を向上させることができる表示装置を提供すること。
【解決手段】第一の基板２０と、第二の基板３０と、複数の画素ＰＩＸと、複数の画素ＰＩＸの各々に形成されたシャッタ機構部３２と、第一の基板２０と第二の基板３０との間に封入された流体Ｌと、第一の基板２０または第二の基板３０の一方の基板の流体Ｌとは反対側に形成された緩衝部４０とを有する表示装置１であって、シャッタ機構部３２は第二の基板３０に形成され、且つ、可動すると共に画素ＰＩＸの光透過率を制御するシャッタ部３１を有し、緩衝部４０は、一方の基板の流体Ｌとは反対側に対向する第三の基板４１と、一方の基板と第三の基板４１とを貼り合せるシール部４２と、一方の基板と第三の基板４１とシール部４２との間に形成された所定の間隙とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、これを備えた表示装置、およびその製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板上に形成され、金属触媒の作用による結晶の成長によって結晶化したアクティブ層と、アクティブ層の一部領域上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、ゲート絶縁膜パターンの一部領域上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜パターン上にゲート絶縁膜パターンと同じパターンで形成され、ゲート電極を覆うエッチング防止膜パターンと、アクティブ層およびエッチング防止膜パターン上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、アクティブ層およびエッチング防止膜パターンとソース電極およびドレイン電極の間にソース電極およびドレイン電極と同じパターンで形成され、アクティブ層の結晶化に用いられた金属触媒を除去するゲッタリング層パターンとを含む。 （もっと読む）

【課題】単純化された有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体上にゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上に透明導電層及びゲート金属層を順次に形成する段階と、透明導電層及びゲート金属層を共にパターニングして透明導電層部及びゲート金属層部を含む複層構造を有する画素電極中間体、及び、ゲート電極を形成する段階と、画素電極中間体及びゲート電極上に層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜に画素電極中間体の一部を露出する開口部を形成する段階と、層間絶縁膜上にデータ金属層を形成する段階と、データ金属層をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成し、層間絶縁膜の開口部を通して露出された画素電極中間体のゲート金属層部を除去して画素電極を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、酸化物半導体層を高純度化することで、トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上述したようにトランジスタは、８５℃という高温においてもオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置の表示の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）