【課題】電子放出材料の電極基板からの剥離を防止し、かつ電子放出源マトリックスの硬化度を最適化して活性化処理時に起毛しやすく、電子放出特性の良好な電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供すること。
【解決手段】電子放出材料、シリコーン、および一般式（１）で表されるシラン化合物を含む電子放出源用ペースト。 （もっと読む）

【課題】所望の電子放出特性が安定して得られる電子放出素子を製造する。
【解決手段】シリコンからなる第１層１０ｂ、絶縁体からなる第２層２０ｂ、及び、非絶縁体からなる第３層３０ｂがこの順で積層され、第１乃至３層の各々の側面（１０３ｂ、２０３ｂ、３０３ｂ）を含む連続面４０３ｂを有する積層構造４０ｂと、連続面４０３ｂを覆うように設けられて第１乃至３層と界面を成す、シリサイド化し得る金属材料からなる金属膜５０と、を備える構造体６０を加熱することによって、第１層１０ｂと金属膜５０との界面をシリサイド化する第１工程（ｄ）と、金属材料のシリサイドに対するエッチングレートよりも金属材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いて、第２層２０ｂの側面２０３ｂが露出するように、金属膜５０の一部を除去する第２工程（ｅ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で電子放出可能で、さらに長寿命の電子放出が得られる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ等の電子放出材料、無機粉末および有機成分を含む電子放出源用ペーストであって、無機粉末として鉛を含有しないハンダ粉末を含む電子放出源用ペースト。無機粉末として、さらに導電性金属酸化物やガラス粉末を含む。 （もっと読む）

【課題】段差形成部材２の上面に設けられたゲート５と、段差形成部材２の側面２０におけるゲート５の直下に形成された凹部７と、段差形成部材２の側面２０に設けられ、上端に凹部７の下縁から上縁に向かって突起した突起部６ａを有するカソード６とを備えた電子放出素子について、電子放出効率を向上させると同時に、素子に流れる電流のバラツキを抑制する電流制限用の抵抗層を素子の構成部材の一部として組み込む。
【解決手段】段差形成部材２の側面２０は、凹部７の下縁から高さ方向中間部３０までの上段２１の傾斜角θ１より、高さ方向中間部３０から下端までの下段２２の傾斜角θ２が大きくなっており、しかもカソード６の上段２１の部分である上段カソード部分６ｂよりもカソード６の下段２２の部分である下段カソード部分６ｃの電気的抵抗値が大きい電子放出素子とする。 （もっと読む）

【課題】容易に微細パターンを形成することができるパターン状電子源の製造方法、パターン状電子源を提供する。
【解決手段】表面が導電性を有する第１の基板２上に第１のパターン５を形成し、当該第１のパターン５に沿って１または２以上の第１のエミッタ１０を設けて第１のフィールドエミッション部１を形成するステップと、前記第１のエミッタ１０から電子線を照射して表面が導電性を有する第２の基板１６上に第２のパターン１８を形成し、当該第２のパターン１８に沿って１または２以上の第２のエミッタを設けて第２のフィールドエミッション部１５を形成するステップとを備え、前記第２のフィールドエミッション部１５を複数形成してパターン状電子源２５を製造する。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって連続して駆動できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記開口部を挟んで第１電極と対向するとともに、その一部が前記絶縁層と重なるように配置された第２電極と、第１及び第２電極と前記絶縁層との間に配置され、絶縁性微粒子及び導電性微粒子で構成された微粒子層と、を備え、第１電極と第２電極との間に電圧を印加し、第１電極から放出される電子を前記微粒子層で加速させて第２電極を透過するように構成したことを特徴とする電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板にナノ炭素材料を好適にパターニングして成長させること出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の手法を用いることにより、基板上に形成した開口部の断面部分に触媒層が露出させられ、この触媒層が露出されられた部分にのみナノ炭素材料が成長したナノ炭素材料複合基板が作製できる。このため、本発明のナノ炭素材料複合基板は、開口部により露出された触媒層にのみナノ炭素材料が生成されており、パターニングされてナノ炭素材料が配置されることから、電界が集中しやすく、優れた電子放出特性が発揮されることが期待できる。また、個々のナノ炭素材料は、基板の表面層によって保護されているために、衝撃やスパークなどからナノ炭素材料を保護することができ、ナノ炭素材料複合基板が優れた耐久性を発揮することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 寸法が１００μｍ未満の三極管を製造する際に、全面スクリーン印刷で達成できる精度および解像度の限度があるのを解消するとともに、電気的な短絡の防止、多層形成時の異なるスクリーンの位置合わせ精度の低下などの問題を解決すること。
【解決手段】 ゲート三極管には、フィールドエミッタの陰極と陽極との間に物理的なゲート電極があり、反転ゲート三極管には、ゲートと陽極との間に物理的なフィールドエミッタ陰極がある。微粒子の形で銀または誘電体に加えて、少量の低融点ガラスフリットが光重合開始剤および光モノマーなどの光画像形成型成分を含む有機媒体中に含有されているＦｏｄｅｌ(R)銀および誘電体ペースト組成物（それぞれＤＣ２０６およびＤＧ２０１など）などの光画像形成型の厚いフィルム配合物を均一な層を厚さを調節しながら基板にスクリーン印刷し、所望のパターンを含む接触型フォトマスクをフィルムと相互に接触させて配置し、紫外（ＵＶ）線に暴露する。次に、このフィルムを弱い炭酸ナトリウム水溶液中にて現像し、これらのスクリーン印刷された厚いフィルムに光画像形成処理を施す光画像形成型の厚膜法により１０μｍと小さい造作寸法を達成する。 （もっと読む）

【課題】優れた電子放出特性を発揮する三極構造型の電界電子放出型ランプを簡便な手法で低コストに製造する。
【解決手段】ゲート電極に対してカソード電極上への電子放出素子形成の際に必要な触媒形成のためのマスクとしての機能を付与させる。カソード電極およびゲート電極を密着させ、ゲート電極をマスクとして利用してカソード電極上に触媒形成を行い、次にカソード電極とゲート電極を一旦引き離してカソード電極上に電子放出素子としてのナノスケール炭素材料を形成させ、さらにナノスケール炭素材料が形成されたカソード電極をゲート電極に形成された開口部の直下に配置させることにより、三極構造型の電界電子放出型ランプを製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に３次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる３次元構造ラインパターンと、前記３次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。本発明によれば、３次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は３次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。このため、３次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。 （もっと読む）

【課題】 安価で大面積の基板を用い、生産性を向上させることが可能な工程により、電
界放出表示装置の電界放出素子を形成する技術を提供する。
【解決手段】 本発明に係る電界放出素子は、絶縁性表面を有する基板上に形成されたカ
ソード電極と、前記カソード電極表面に形成された凸形状の電子放出部とを有し、前記カ
ソード電極と前記電子放出部とは、同一の結晶性半導体膜で形成されており、前記電子放
出部は、円錐形又はウィスカー状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を有する従来のアノード基板では、エミッタから放出される電子が拡散し、電荷注入効率が悪い。また、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき易い。
【解決手段】処理基板１１上に順次積層したカソード電極層１２、絶縁層１４及びゲート電極層１５を備え、この絶縁層に形成したホール１４ａの底部にエミッタＥを設けると共に、前記ゲート電極層にゲート孔開口部１６を形成する。この場合、ゲート孔開口部を、絶縁層のホールの開口面積より小さい面積を有する複数個の開口１６ａから構成し、各開口を、エミッタに対向して絶縁層のホール直上に密集させる。 （もっと読む）

本発明は、電界放出素子用のカソードアセンブリを製造するための方法に関する。
（もっと読む）

本発明は、電界放出素子用のカソードアセンブリを製造するための方法に関する。
（もっと読む）

【課題】触媒薄膜にダメージを与えることのない製造プロセスで容易に製造可能で、従来よりも径の細い炭素系微細繊維を備えた冷陰極素子を提供すること。
【解決手段】冷陰極素子１０は、ガラス基板１１と、ガラス基板１１上に形成されたカソード電極層１２と、カソード電極層１２上に順次形成されたグラニュラー触媒薄膜１３、第１保護層１４及び第２保護層１５と、カソード電極層１２上に形成された絶縁層１６と、絶縁層１６上に形成されたゲート電極層１７と、電界に応じて電子を放出する炭素系微細繊維１９とを備え、第１保護層１４をアルカリ性のエッチング液で溶解することができる材料で形成し、グラニュラー触媒薄膜１３にダメージを与えることのない製造プロセスで、従来よりも径の細い炭素系微細繊維１９を成長させる構成を有する。 （もっと読む）

【課題】薄いエミッタ材層の一部を起立させてエミッタを作製する際に、基板上に段差を発生させることがなく、もって信頼性の高い電界放出素子を提供できる電界放出素子用エミッタの作製方法を提案する。
【解決手段】基板10上の局所的な部位に、少なくとも周側面の一部が斜面21になった犠牲層丘20を形成する。基板10上及び犠牲層丘20上にエミッタ材層30を形成する。エミッタ材層30のパターニングにより、犠牲層丘20の斜面21に乗っている部分に、先端に電子放出端31を有するエミッタ構成用パタン32を形成する。犠牲層丘20を除去し、エミッタ構成用パタン32の電子放出端31が基板10から浮いた片持ち梁構造を作る。片持ち梁構造を基板に垂直な方向に向けて起立させてエミッタとする。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を最小限に抑えつつ、電子放出素子の高精細化が可能な電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上にカソード電極２０を形成する工程と、（ｂ）前記カソード電極上に、カソード電極の一部が露出するようパターニングされた犠牲層５２を形成する工程と、（ｃ）前記パターニングされた犠牲層および露出したカソード電極の上に電子放出物質層を形成する工程と、（ｄ）前記犠牲層と前記犠牲層上の電子放出層を除去する工程を含む電子放出素子の製造方法であって、前記犠牲層が画像反転レジストによって形成されることを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】材料にガラスを用いた基体上にＴａＮ（６方晶）、αＴａ、銅がこの順形成された溝配線構造の場合、配線と基体との間で十分な密着強度が得られない場合があった。
【解決手段】本発明は、ガラスからなる基体上に銅配線が形成された、配線基板であって、銅配線が、Ｔａ₂Ｎ膜、αＴａ膜、および、銅あるいは銅を主成分とする合金からなる膜がこの順に形成された積層構造であることを特徴とする配線基板である。 （もっと読む）

【課題】 放出電子の集束性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる電子放出装置及び電子放出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出装置は、基板２と、基板２上に配置された第１電極３と、第１電極３上に第１絶縁層４を介して配置され、第１電極３を選択的に覆うとともに、第１電極３を露出させるように複数の第１開口部１３が配置された第２電極６と、第２電極６上に配置された保護層７と、保護層７上に第２絶縁層８を介して配置され、第１開口部１３と連通するように第２開口部１４が配置された第３電極９と、第１電極３上の第１開口部１３領域に配置された電子放出部５とを備える。 （もっと読む）