【課題】 使用に耐える大型化が可能な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 電子放出素子１は、電極基板２、微粒子層３、薄膜電極４および電気絶縁層５を含んで構成される。電極基板２は、導電性を有する構造体であり、微粒子層３、薄膜電極４および電気絶縁層５を支持する。電気絶縁層５は、電極基板２上に形成され、複数の開口部６を有する。微粒子層３は、開口部６によって形成される開口６Ａに、電極基板２と薄膜電極４との間に充填される。微粒子層３は、絶縁性微粒子および導電性微粒子を含んで構成される第１微粒子層３１と、絶縁性微粒子を含んで構成される第２微粒子層３２とによって構成される。薄膜電極４は、微粒子層３および電気絶縁層５の表面形状に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドにドナー元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたＶ族元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、Ｖ族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加され、結晶粒径が１０μｍ以下である黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】カソードから効率的に電子放出することができ、かつ、耐久性の高い電界放出素子を得る。
【解決手段】基板６に繊維状の電子放出材料７を固定してカソードを得た後（（ａ））、電子放出材料７を覆う接着層９を基板６上に形成し（（ｂ））、基板６から接着層９を剥離して電子放出材料７を起毛する（（ｃ））。（ｂ）の工程において、０．１ＭＰａ以上に加圧しながら電子放出材料７に接着材料を接着させて、基板６に対して１８０度の剥離角度で剥離した時の剥離強さが０．６ｇ／ｍｍ以上の接着層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、第一カーボンナノチューブ構造体と、第二カーボンナノチューブ構造体と、を含む。前記第一カーボンナノチューブ構造体は、複数の第一カーボンナノチューブが面上に配列される。前記第二カーボンナノチューブ構造体は、複数の各行に配列された複数の第二カーボンナノチューブからなるとともに、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に形成される。前記複数の第二カーボンナノチューブは、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に垂直に設けられる。前記第二カーボンナノチューブ構造体の、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面から離れる端部は、電子放出の先端として利用される。前記複数の第二カーボンナノチューブの高さは、中間行が最も高く、前記中間行から離れる方向に沿って次第に減少している。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の電子放出特性を劣化させることを避けつつ、生産コストを低減させた電界放出型光源を提供する。
【解決手段】ナノダイヤモンド／カーボンナノウォール膜を有する電子放出素子を、大気中において、５８０℃以下の温度で加熱する。 （もっと読む）

【課題】所望の電子放出特性が安定して得られる電子放出素子を製造する。
【解決手段】シリコンからなる第１層１０ｂ、絶縁体からなる第２層２０ｂ、及び、非絶縁体からなる第３層３０ｂがこの順で積層され、第１乃至３層の各々の側面（１０３ｂ、２０３ｂ、３０３ｂ）を含む連続面４０３ｂを有する積層構造４０ｂと、連続面４０３ｂを覆うように設けられて第１乃至３層と界面を成す、シリサイド化し得る金属材料からなる金属膜５０と、を備える構造体６０を加熱することによって、第１層１０ｂと金属膜５０との界面をシリサイド化する第１工程（ｄ）と、金属材料のシリサイドに対するエッチングレートよりも金属材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いて、第２層２０ｂの側面２０３ｂが露出するように、金属膜５０の一部を除去する第２工程（ｅ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】多様な機能装置となる新規な構造を実現し、その装置の変換率化の向上と、装置の大面積化の実現。
【解決手段】基板上に複数立設された、有機材料から成る直径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の柱状体と、柱状体の少なくとも表面に担持された、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子とを有するナノ微粒子を担持したナノ構造体である。また、製法は、有機材料から成る平板の上に、粒径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のナノ微粒子を、一様に形成するナノ微粒子形成工程と、ナノ微粒子形成工程により、面上においてナノ微粒子が形成された平板を、ナノ微粒子をマスクとして、反応性イオンエッチングによりエッチングして、複数の柱状体を形成すると共に、その柱状体の少なくとも表面に、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子を担持させる柱状体形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】機械的にパターン形成されたＩＩＩ族窒化物の層を製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は結晶質基板を提供すること、および基板の平坦な表面上にＩＩＩ族窒化物の第１の層を形成することを含む。第１の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。次いで、本方法は、第１の層と基板の露出部の上に第２のＩＩＩ族窒化物の第２の層をエピタキシャル成長することを含む。第１および第２のＩＩＩ族窒化物は異なる合金組成物を有する。また、本方法は第２の層を塩基の水性溶液に曝し、第２層を機械的にパターン形成することも含む。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてデバイス特性の向上が可能な電子デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスである電子源１０は、基板１１と、この基板１１の一表面側に形成された第１の電極である下部電極２と、この下部電極２の基板１１側とは反対側で下部電極２に対向する第２の電極である表面電極７と、下部電極２と表面電極７との間に設けられ、第１の多結晶半導体層を電解液により陽極酸化処理することによって形成された多数の微結晶半導体３３を具備した機能層５ａとを備える。下部電極２と機能層５ａとの間において機能層５ａの直下に、第１の多結晶半導体層よりも電解液による陽極酸化速度が遅く第１の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第２の多結晶半導体層３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブで構成されるスクリーン印刷可能なペーストを使用して、ペーストを印刷し、電子電界エミッタを形成する工程を含む陰極アセンブリを作製する方法を提供すること
【解決手段】 電子電界エミッタを形成するためにカーボンナノチューブが固形分の総重量に対して９重量パーセント未満を占める、固形分にカーボンナノチューブを含むスクリーン印刷可能なペーストを使用して電子電界エミッタを形成することにより、該電子電界エミッタを含んだ陰極アセンブリを作製すること、または、さらに材料と電子電界エミッタを接触させ、その材料を剥離し電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは電子電界エミッタを再配列させ、電子電界エミッタの新たな表面を形成する工程を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】適度な電圧の印加により十分な電子放出量が得られる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、絶縁体微粒子で構成された絶縁体微粒子層と、前記絶縁体微粒子層上に形成された第２電極と、を備え、前記絶縁体微粒子層は、第２電極側の表面に前記絶縁体微粒子層の層厚よりも深さが小さい凹部が形成され、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されると、第１電極から供給される電子を前記絶縁体微粒子層で加速させて第２電極から放出させる電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体基板の厚み方向に連なり、且つ半導体基板の面内において周期的に形成された周期的ナノ構造体を制御性よく製造する製造方法および電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板（半導体基板）１に下部電極２を形成し、シリコン基板１の一表面１ａに周期的に配列された複数個の垂直孔３１を陽極酸化により形成してから、垂直孔３１の内周面の平滑性を向上させ、垂直孔３１の内周面に沿ってシリコン基板１の厚み方向に連なるシリコン微結晶（半導体微結晶）３３を陽極酸化により形成することで周期的ナノ構造体を得て、各シリコン微結晶３３それぞれの表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）３４を形成することで強電界ドリフト部３を形成し、強電界ドリフト部３上に表面電極４を形成することで電界放射型電子源１０を得る。 （もっと読む）

【課題】素子作成工程が単純であり、機械的、電気的に安定な冷陰極電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明は、SiC結晶基板の上に金属膜を堆積させ、加熱処理し、SiCと金属を反応させて形成した金属シリサイドと、この反応プロセスでSiCとの反応にあずからないカーボンをグラファイト状クラスターとして金属シリサイド内或いは最表面層に析出させて作成した表層構造物からなり、この表層構造物を冷陰極電子放出素子として機能させると共に、SiC基板を電極として機能させる。 （もっと読む）

【課題】 電界放出型電子源の冷陰極を構成する炭素材の表面構造の先鋭化を実現すると共に、その先鋭化を１回の工程で行うことで製造コストを抑える。
【解決手段】 電界が印加されることにより電子を放出する冷陰極を備えた電界放出型電子源の製造方法であって、冷陰極の素材となる炭素材１０を水素酸素混合ガスの燃焼炎１１に暴露することで、該炭素材１０の表面に炭素のナノメートル構造を形成するエッチング処理を行い、得られた炭素材１０で冷陰極を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の電子放出の効率を向上させるとともに素子の損傷を防止する。
【解決手段】非結晶質の電子供給層（４）と、電子供給層（４）上に形成された絶縁体層（５）と、絶縁体層（５）上に形成された上部電極（６）とを有し、電子供給層（４）と上部電極（６）間に電界が印加されたときに電子を放出する電子放出素子であって、
上部電極（６）と絶縁体層（５）が切り欠かれ電子供給層（４）が露出した凹部（７）と、上部電極（６）と凹部（７）上を覆って電子供給層（４）の露出面（４ａ）の縁部分（４ｃ）に接触し、さらに電子供給層（４）の露出面（４ａ）の内側部分（４ｂ）上で隆起して電子供給層（４）との間に空洞（８ｂ）を有するドーム形状（８ａ）となっている炭素層（８）とを有する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いてエッチングを行うときに、素子特性に悪影響を及ぼすことのない電界放出陰極の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板１上に絶縁層２と、ゲート電極層３と、加熱によりＨｖ９５〜１４０の範囲のビッカース硬度を発現する熱硬化性樹脂からなる犠牲層４とをこの順に形成し、犠牲層４を１８０〜２１０℃の温度に所定時間保持して硬化させる。（ｂ）集束イオンビームを照射して、犠牲層４とゲート電極層３とに開口部５を形成する。（ｃ）犠牲層４とゲート電極層３とをマスクとして絶縁層２をエッチングして空孔部６を形成する。（ｄ）基板１に対して垂直上方からエミッタ材料７を蒸着させ、空孔部６内の基板１上にエミッタ電極８を形成する。（ｅ）エミッタ材料７を犠牲層４と共にゲート電極層３上から除去する。 （もっと読む）

【課題】長時間に渡り安定して動作する電子源を提供する。
【解決手段】電子源のエミッタ１１は、先端に｛１００｝結晶面１６ａを電子放出面１６ａとして備える先端部１６を備える＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａを備える。電子放出面１６ａは、仕事関数を低減させるためのＺｒＯ膜で被覆されている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａには、補助棒１１ｂ、１１ｃが取り付けられている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａと補助棒１１ｂ、１１ｃには、ＺｒとＯを拡散・供給するための拡散源１２が配置されている。補助棒１１ｂ、１１ｃは、＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａの外表面以外に、ＺｒとＯを電子放出面１６ａに拡散供給するための通路を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、冷陰極の表面処理方法に関する。
【解決手段】本発明の冷陰極の表面処理方法は、複数の一次元のフィールド・エミッターを含む冷陰極を形成させる第一ステップと、液体の接着剤を前記冷陰極の表面に塗布する第二ステップと、前記冷陰極の表面に塗布された液体の接着剤を固化させる第三ステップと、前記固化された接着剤を、前記冷陰極の表面から除去して、前記複数の一次元のフィールド・エミッターを前記冷陰極の表面に直立させる第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
電子デバイスへ適応できる製造方法は、高温処理が必要で、量産には耐え難く、ナノ粒子の持っている凝集力を活用して自己組織化させる低価格のゾル・ゲル法を利用した電子デバイスはまだ実現されていない。
【解決手段】
自己組織化膜の形成方法であって、ナノ微粒子を溶媒で分散させる工程と、前記ナノ微粒子を溶媒で分散させた溶液を基板上に塗布する工程と、溶媒の蒸発が他の空間領域より遅延する空間領域を形成し、その空間領域は、該基板に対し垂直方向の成分を有するように形成し、その空間領域でナノ微粒子を自己組織的に成長させる工程を有している。 （もっと読む）

【課題】電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡や電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される、量産性に優れ入手の容易な遷移金属炭化物を用いた高輝度電子源を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡、電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される電子源であって、電子放出部分は表層部と基材部からなり、該表層部は遷移金属炭化物であり、該基材部はダイヤモンド単結晶であることを特徴とする電子源により解決される。 （もっと読む）