【課題】多層化された磁気記録媒体からの読み出しをより速くする。
【解決手段】実施形態によれば、互いに共鳴周波数が異なる磁性体により形成され積層される複数の磁性層を含み、それぞれの磁性層が記録トラックを含む磁気記録媒体に対して、記録トラックの媒体の磁気共鳴現象を利用して記録の読み出し又は書き込みを行う三次元磁気記録再生装置の磁気ヘッドは、スピントルク発振素子と、補助磁極とを含む。前記スピントルク発振素子は、同時に複数の異なる周波数で発振可能である。前記補助磁極は、前記スピントルク発振素子による前記読み出し又は書き込みを補助する。 （もっと読む）

【課題】スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子
、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層
、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ
，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 （もっと読む）

【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽１１０とゲートバルブ３３の間に二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂを配置し、二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂの間の密閉空間８０ｂに真空排気系３３９を接続し、密閉空間８０ｂを真空排気する。密閉空間８０ｂ内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽１１０内に大気が浸入せず、搬送槽１１０内を高真空状態に置ける。ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】極めて小さいサイズまでスケールダウン可能な磁気センサ設計。
【解決手段】装置１００は、主軸を有し、磁気抵抗積層体１１０を含む。磁気抵抗積層体は第１および第２の対向する面を有し、フリー層とスペーサ層とリファレンス層とを含む。スペーサ層は第１およびリファレンス層間に位置決めされている。フリー層は第１の平面内に自由磁場配向を有する磁性材料を含む。スペーサ層は非磁性材料を含む。リファレンス層は第２の平面内にピン止めされた磁場配向を有する磁性材料を含む。第２の平面は第１の平面に垂直で装置の主軸に平行である。装置は、磁気抵抗積層体の外表面の少なくとも一部分を取囲む絶縁層１２０と、絶縁層の少なくとも一部分を取囲む遮蔽層１３０と、磁気抵抗積層体と遮蔽層との間の電気的接続を提供する導電層１４０とをさらに含む。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバー内で基板を加熱して、次に即座に基板をコーティングする方法に関し、当該方法は、（１）基板の下面を基板ホルダー上に配置する工程、（２）基板を、基板ホルダーに対して所定距離に亘って持ち上げる工程、（３）加熱装置、例えば、放射熱装置を用いて、その上面によって持ち上げ基板を加熱する工程、（４）例えば、コーティングゾーンの中およびそれを通過して移動することによって加熱基板をコーティングする工程、（５）基板をチャック上まで下ろして、基板を冷却する工程、および（６）必要に応じて、冷却基板を更にコーティングする工程を含む。本発明に係る方法は、実施される方法手順を更に可能にし、様々な規定温度を各々の工程の間に基板上に設定でき、および必要に応じて、その後に即座に１以上のコーティングを前記基板温度で行うことができる。例えば、コーティング（抑えた）した後に即座に所定時間に亘って基板を更に高温で保持できる場合も含まれる。
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【課題】面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板２１をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダ２２と、基板２１の周囲に配設され、基板２１の処理面に磁場を形成する基板側磁石３０と、基板２１の斜め上方に配置され、放電用の電力が印加されるカソード４１と、基板２１の回転位置を検出する位置検出部２３と、該位置検出部２３が検出した回転位置に応じて、前記放電用の電力を制御するコントローラ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 既に市場で大量に生産されているＭ（マグネトプラムバイト）型フェライト磁石により、外部磁場で電流を誘起でき、外部磁場で電気分極の強度や方向を制御でき、また、外部電場で誘起した磁化の強度や方向を制御でき、且つ、室温の動作環境温度において動作可能なマルチフェロイックス素子を提供する。
【解決手段】 Ｍ（マグネトプラムバイト）型フェライトからなる強誘電性と強磁性を合わせもつマルチフェロイックス固体材料で、室温の動作環境温度において外部磁場を作用させることにより電流を誘起する。例えば、マルチフェロイックス素子は、ＢａＦｅ_12-x-δＳｃ_x Ｍｇ_δＯ₁₉（δ＝０．０５）結晶材料のＳｃ濃度ｘが１．６から２であるマルチフェロイックス固体材料１とそれを挟むように形成される金属電極２とからなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置され、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】接触センサ素子を有する磁気ヘッド・スライダにおいて、記録素子、再生素子、そして、接触センサ素子の全ての素子の浮上量を効果的に低減する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、磁気ヘッド・スライダ１は、記録素子２と再生素子３とに加え、接触センサ素子を有する。さらに、磁気ヘッド・スライダ１は、第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４とを有する。第１薄膜抵抗ヒータ素子は、磁気抵抗効果素子及び記録磁極よりも、浮上面から遠い位置に形成されている。第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも下層にあり、前記第１ヒータ素子よりも前記浮上面及び前記磁気抵抗効果素子に近くにある。薄膜抵抗接触センサ素子は、第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも上層に形成されており、第２ヒータ素子よりも前記浮上面に近い。 （もっと読む）

【課題】パターンド・メディアを実装する磁気ディスク・ドライブの製造において、磁気ヘッドの歩留まりを向上する。
【解決手段】本発明の一実施形態において、ＨＤＤの製造方法は、パターンド・メディアを製造し、サーボ・データ領域を一方向に着磁する。磁気ヘッドを製造し、そのアシンメトリ特性を測定する。アシンメトリ性が小さい場合、その磁気ヘッドは、いずれのサーボ磁極方向の記録面にも使用される。アシンメトリ性が大きく、そのアシンメトリ特性が正であるとき、上向き磁化のサーボ・データ領域を有する記録面にその磁気ヘッドを合わせる。アシンメトリ性が大きく、そのアシンメトリ特性が負であるとき、下向き磁化のサーボ・データ領域を有する記録面にその磁気ヘッドを合わせる。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子への適正な機械的応力印加のもとで、特性を評価する。
【解決手段】ヘッド作製工程途中における加工バー状態において、素子に圧縮応力及び引張応力を印加し、その前後の電磁変化特性の変化を計測することによって機械的な応力変化に対する耐性を評価する。特性変化が所定の基準を満足する場合に、合格品と判定し、その後、加工バー切断を経て良品スライダーとする。 （もっと読む）

【課題】量産時、ＴＭＲ素子を用いたＭＡＲＭの完成品間で、ＭＲＡＭのメモリー特性にバラツキがあり、不良品発生頻度が高かった。このバラツキは、量産時のＴＭＲ素子のＭＲ比がウエハー製品間で一定値に維持されず、変動していたことが原因していたので、バラツキを抑制する製造方法を提供する。
【解決手段】高周波成分カットフィルターにより高周波成分をカットした直流電力印加の下で、強磁性体ターゲットをDCスパッタリングすることによってアモルファス状態の強磁性体膜を成膜し、そして酸化マグネシウムターゲットを高周波スパッタリングすることによって結晶酸化マグネシウム膜を成膜する工程及び該工程を実行する制御プログラムを備えた成膜スパッタリング装置２００。 （もっと読む）

【課題】高精度の磁気記録用読み取りヘッドに最適な電流垂直型巨大磁気抵抗（ＣＰＰ−ＧＭＲ）素子を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ−ＧＭＲ素子は、ホイスラー合金薄膜４，６間にスペーサ層５を配した構造を持つＣＰＰ−ＧＭＲ素子であって、前記ホイスラー合金薄膜４，６が、Ｂ２規則構造を持つホイスラー強磁性合金からなり、スペーサ層５がＢ２規則構造を持つ金属間化合物からなることを特徴とし、また、前記ＣＰＰ−ＧＭＲ素子において、前記ホイスラー強磁性合金が、ＣｏＦｅＡｌＳｉホイスラー強磁性合金であり、前記金属間化合物が、ＮｉＡｌ金属間化合物である。 （もっと読む）

【課題】
ヘッドの劣化による交換作業回数を低減して検査のスループットを向上させることができるヘッドの劣化検出方法および磁気ディスク検査装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、ＭＲヘッドの両端子に直接接続された抵抗値検出回路を設けてＭＲヘッドの抵抗値を測定して交換したヘッドの初期値と比較することで、測定対象となる磁気ディスクに無関係にヘッドの劣化状態をヘッドごとに個別に把握する。 （もっと読む）

【課題】高記録密度に必要な再生信号を確保でき、かつ再生素子を保護し信頼性の向上した磁気ヘッド、およびこれを備えたディスク装置を提供する。
【解決手段】ディスク装置の磁気ヘッド３３は、記録媒体に情報を記録する記録素子５６と、記録媒体から記録情報を再生する再生素子５４と、記録素子および再生素子を加熱し記録媒体側に熱膨張させるヒータ５８と、を備え、予め決められた振幅以下の記録電流を記録素子に印加した際に、記録素子と記録媒体表面との間の距離ｄ１が再生素子と記録媒体表面との間の距離ｄ２よりも大きく、予め決められた振幅を越える記録電流を記録素子に印加した際に、記録素子面と記録媒体表面の間の距離ｄ１が再生素子の表面と記録媒体表面との間の距離ｄ２よりも小さくなるように記録素子および再生素子が配置されている。 （もっと読む）

【課題】より確実に磁気抵抗効果膜の破壊を防止することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置を提供する。
【解決手段】スライダ本体と、前記スライダ本体の空気流出側端面に積層形成される絶縁性の非磁性膜と、前記非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、前記非磁性膜に埋め込まれて、前記磁気抵抗効果膜を挟み込むよう接続される導電性及び磁性を有した第１シールド層および第２シールド層と、前記非磁性膜に埋め込まれて、前記第１シールド層を介し前記磁気抵抗効果膜に接続される第１配線パターンと、前記非磁性膜に埋め込まれて、前記第２シールド層を介し前記磁気抵抗効果膜に接続される第２配線パターンと、前記非磁性膜に埋め込まれて前記磁気抵抗効果膜に並列に前記第１および第２シールド層に接続される第３配線パターンと、前記非磁性膜に埋め込まれ、前記磁気抵抗効果膜に供給されるセンス電流の一部によって前記第３配線パターンの導通および非導通を切り替えるスイッチ素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】再生ヘッド構造の突出量を増加させることが可能な磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気ヘッドは、再生ヘッド構造１００および記録ヘッド構造２００を備えており、その再生ヘッド構造１００では、絶縁層２の上に下部再生シールド層３が形成されている。ＡＢＳ３０−３０から後退するように絶縁層２に設けられた窪み６２に、非磁性埋込層３が形成されており、その非磁性埋込層３の上面３ａは、絶縁層２の上面２ａと同一面内にある。 （もっと読む）

【課題】ハードマスク層の除去に伴う膜厚方向の段差や突起の発生を回避し、高密度記録に対応可能な狭ギャップ幅化を可能にする磁気再生ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気再生ヘッド１の製造方法は、下部シールド層１１上に、磁気抵抗効果膜１２、第１のＲＩＥストッパ兼上部シールド層１３、パターニングされたハードマスク層１４を形成し、さらに絶縁膜１６、磁区制御膜１７、第２のＲＩＥストッパ兼上部シールド層１８、ＣＭＰストッパ層１９を積層し、ハードマスク層１４を露出させた後、ハードマスク層１４及びＣＭＰストッパ層１９を除去して、反応性イオンエッチングプロセスにより選択的に第１のＲＩＥストッパ兼上部シールド層１３と第２のＲＩＥストッパ兼上部シールド層１８との間にある磁区制御膜１７を除去し、さらに絶縁膜１６を除去した後、上部シールド層２０を積層する。 （もっと読む）

【課題】薄膜磁気抵抗効果膜等の薄膜について、その膜面に垂直方向の抵抗を高精度に計測することを可能にする薄膜の抵抗測定方法及びこれを用いた磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にアモルファス層２５と、第１の導体層１３と、抵抗を測定する対象である薄膜３２と、第２の導体層２０とをこの順に積層して形成した抵抗測定用のサンプルを形成する工程と、前記サンプルの、前記基板１１上の最上層２１の表面に、抵抗測定用のプローブ１０ａ〜１０ｄを接触させ、前記薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】再生素子のリードギャップの狭幅化、および加工プロセスの制御性の向上を図ることによって、再生素子の出力特性の安定化およびを再生感度の向上が可能な磁気再生ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気再生ヘッド１は、下部シールド層１１と磁気抵抗効果膜１３Ａとの間に、磁気抵抗効果膜１３Ａのコア幅方向の両側に設けられる磁区制御膜１７に対応したコア幅長さを有するストッパ層１２を備え、ストッパ層１２は、反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する軟磁性材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子について、本来の耐電圧を有するＴＭＲ素子を判別する判別手法を提供する。
【解決手段】ストレス電圧をＴＭＲ素子に印加した直後にＴＭＲ素子の抵抗値Ｒ１を測定する（Ｓ１）。ストレス電圧の所定の印加時間が経過すると、ストレス電圧印加により低下したＴＭＲ素子の抵抗値が元の抵抗値近くに戻ることができる時間、ＴＭＲ素子を放置する（Ｓ３）。その後、ストレス電圧をＴＭＲ素子に再度印加した直後にＴＭＲ素子の抵抗値Ｒ２を測定する（Ｓ４）。抵抗値Ｒ１、Ｒ２に基づいて、ＴＭＲ素子の抵抗値の戻り率を算出する（Ｓ５）。戻り率が１００％に近いと、良品と判定する（Ｓ６）。 （もっと読む）