説明

Fターム[5D789AA43]の内容

光ヘッド (64,589) | 目的 (12,827) | 光利用効率の向上 (477)

Fターム[5D789AA43]に分類される特許

81 - 100 / 477


【課題】本発明は連続生産が可能であり、経済性に優れ、かつ得られる偏光性回折素子の光学特性にも優れた偏光性回折素子の製造方法および該製造方法で得られた偏光性回折素子を提供すること。
【解決手段】本発明の偏光性回折素子は、透明樹脂(A)からなる基材(a)の少なくとも片面に、分子配向能を有する層(B)、凹部と凸部とが連続的に形成された化合物(C)に由来する構造単位を有する層(LC)、および前記層(LC)の凹部および凸部と嵌合する連続した凸部と凹部を有する、化合物(D)に由来する構造単位を有する層(LD)がこの順番で積層されてなり、前記層(LC)が光学異方性を有し、前記層(LD)が光学等方性を有する。 (もっと読む)


【課題】光の利用効率を確保しつつ光源波長変動時の球面収差劣化を対物光学素子の倍率変化のみで良好に補正でき、異なる光ディスクに対して適切に情報の記録/再生を行える対物光学素子及びそれを用いた光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】波長λ1の範囲における異なる2波長λ11、λ12(ただしλ11<λ12、且つλ12−λ11=5nm)の光束を対物光学素子に入射させて、波面収差を測定したときに得られる3次、5次の球面収差を、それぞれSA3(λ11)、SA5(λ11)、SA3(λ12)、SA5(λ12)[単位:λrms]とすると、ΔSA3及びΔSA5が共に0より大きく、以下の式を満たす。
ΔSA3:ΔSA5=α:1 (1)
ただし、ΔSA3=SA3(λ12)−SA3(λ11)、ΔSA5=SA5(λ12)−SA5(λ11)であり、5≦α≦9である。 (もっと読む)


【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】クラッド層にリッジストライプ11を有するセルフパルセーション半導体レーザにおいて、リッジストライプ11のうちの共振器長方向の中央部の両側面の近傍の部分にイオン注入などにより高抵抗領域14を形成する。高抵抗領域14は電流狭窄領域として働き、この高抵抗領域14が形成された部分のリッジストライプ11ではこの高抵抗領域14の間の部分が電流注入領域となる。 (もっと読む)


【課題】使用する波長の変化に対して回折光量の変化が少なく、光ディスクへの情報の記録および再生を行う際にも安定した信号検出が可能となる回折素子および光ヘッド装置を得る。
【解決手段】回折素子は、格子の凹凸部を形成する凹凸部材102または充填部材103のいずれか一方の部材またはいずれの部材とも、使用する波長よりも短い波長域に光の吸収端を有する材料であり、かつ前記一方の部材または前記いずれの部材とも、その屈折率が、使用する波長のすべての領域で、凹凸部材102または充填部材103の他方の部材の屈折率よりも低い材料である回折素子として構成し、この素子を光ヘッド装置の光源と対物レンズとの間の光路中に設置する。 (もっと読む)


【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】クラッド層にリッジストライプ11を有する半導体レーザにおいて、リッジストライプ11の両側面およびリッジストライプ11の両側の底面に延在して電流狭窄用絶縁膜14を設ける。電流狭窄用絶縁膜14のうちの両共振器端面の近傍の部分以外の部分に、リッジストライプ11の部分のレーザ構造の等価屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率絶縁体を含ませる。例えば、リッジストライプ11の両側の底面に高屈折率絶縁膜14aを形成する。 (もっと読む)


【課題】光利用効率が高く、光記録媒体の記録・再生時のトラッキング補正精度を向上させることができる液晶光学素子とその製造方法、およびその素子を搭載した光ピックアップ装置を提供すること。
【解決手段】内側表面に凹凸状の光学格子が形成された一方の透明基板と、他方の透明基板とで液晶を挟持する液晶光学素子において、凹凸状の光学格子における凸部形成領域には配向膜が形成されておらず、凹部の底面に配向膜が形成された構成とする。 (もっと読む)


【課題】近接場光を利用することで高密度な記録情報の記録や再生を可能とする情報記録再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】近接場光を発生するアンテナ1として、半導体基板4上に誘電体層2を介して設けられたアンテナ1を用いる。光又は熱により変化する材料とアンテナ1から発生される近接場光との相互作用の程度を、半導体基板4内部での近接場光の強度変化に対応する信号により検出する。 (もっと読む)


【課題】多層間クロストーク除去が可能な光ピックアップにおいてビームの中心部に現れる暗線を除去することでデータ信号のエラーを低減する。
【解決手段】多層ディスク501からの反射光を、中心線で分かれるように分割光学系107で二つに平行分割し、当該層からの反射光が集光されたとき光軸上に設置された減衰素子45から影響を受けないようにする。 (もっと読む)


【課題】光源からの光を平面導波路に良好に光結合させることができる光学装置を提供する。
【解決手段】光源からの光を導く光伝送系と、前記光伝送系に導かれた光が結合される平面導波路と、を備え、前記平面導波路は、前記光伝送系に導かれた光が照射される位置に、所定の角度で入射する該光を該平面導波路に結合させる光入力部を有する光学装置において、前記光伝送系は、第1の正のパワーを有し、前記光源側の焦点近傍を通る光を前記光入力部に所定の角度で照射する第1の光学素子を備え、前記第1の光学素子は、前記平面導波路に対して相対位置が固定されている。 (もっと読む)


【課題】3波長対応光ピックアップ装置用の積層1/2波長板を構成する手段を得る。
【解決手段】複屈折を有する結晶を用いた第1及び第2の波長板を光学軸が交差するように貼り合わせ、全体として1/2波長板として機能する積層波長板であって、所定の波長λに対し、常光線及び異常光線に対する第1及び第2の波長板の位相差をΓ1、Γ2、高次モードの次数を自然数nとし、Γ1=180°+360°×n、Γ2=180°+360°×nを満足するように高次モード積層1/2波長板を構成する。 (もっと読む)


【課題】複数波長の光ビームの利用に伴って、回折素子及び非回折素子として、切り替えて利用することができる液晶光学素子、及びその液晶光学素子を用いた光ピックアップ装置を提供すること。
【解決手段】透明基板上に配置される同心円状の帯状パターンが、(2×m×f×λ)1/2(m:複数の帯状パターンの中心からの個数、f:焦点距離、λ:使用する光ビームの波長)でもって決まる帯状パターンの電極幅と、その帯状パターンの外側に位置する帯状パターン間の空隙幅が、光ビームが位相変調される全ての領域内で、実質的に位相量差がλ/2となる様に設定する。 (もっと読む)


【課題】ビーム電流のロスが無く、高精度でスループットの高いビーム記録装置及び記録方法を提供する
【解決手段】露光ビームを偏向する偏向工程と、露光ビームの偏向によって潜像を形成する記録工程と、を有し、潜像パターンのうち、連続的な露光パターンである長ピットを形成する場合には、長ピットの一部を形成し、上記長ピットの一部を形成した回転の次以降の周期の回転で、上記長ピットの残部を形成する。ビーム偏向速度及び基板速度(線速度)を変化させるとともに、長いピット又はスペースを記録する必要が生じた場合にはビーム遮断を併用する。 (もっと読む)


【課題】PP法を用いた光ピックアップ装置において、再生信号における光利用効率を向上させると共に、低コスト化が可能であり、さらに、集積化に好適である光ピックアップ装置等を提供する。
【解決手段】本発明の光ピックアップ装置は、各第1の受光部131a〜131dが出力した電気信号から、再生信号およびプッシュプル信号を生成し、各第2の受光部131i〜131pが出力した電気信号から、対物レンズシフト信号を生成し、各第3の受光部131e〜131hが出力した電気信号から、フォーカス誤差信号を生成する。ここで、対物レンズシフト信号は、隣接する第2の受光部131i〜131pのいずれか2個が各々出力した電気信号から生成されており、かつ、各電気信号は、一方の値が正、他方の値が負となっている。 (もっと読む)


【課題】回折素子で回折した±1次光の両方を受光して再生信号として利用することができ、かつ小形化することのできる半導体レーザ装置、これを備える光ピックアップおよび情報処理装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置10は、光源14と、回折素子16と、受光素子17と、反射鏡18とを含んで構成される。回折素子16は、光源14から発せられ、記録媒体の記録面で反射された光を回折させる。受光素子17は、回折素子16で回折した光を受光する。反射鏡18には、反射面19が形成され、反射面19は、回折素子16で回折した光のうち一部を反射する。反射鏡18は、反射面19で反射した光を受光素子17に入射させる。回折素子16で回折した光のうち他の一部は、受光素子17に直接入射する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、戻り光の光量を増大することができる。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体100は、記録層101において直径が100[nm]以下でなるナノ微粒子2が、光としての記録光ビームLWに基づく近接場光LWnの照射に応じて複素誘電率を変化させる媒質3に包囲された状態で配置されている。また光情報記録媒体100は、記録層101において、媒質3の複素誘電率εの変化に応じてナノ微粒子2が生じる局所プラズモン共鳴の度合いを変化させるようにする。 (もっと読む)


【課題】近接場光を利用することで高密度な記録情報の記録や再生を可能とする情報記録再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】近接場光を発生するアンテナ1として、半導体基板4上に設けられた層構造(第1の層2及び第2の層3)のアンテナ1を用いる。光又は熱により変化する材料とアンテナ1から発生される近接場光との相互作用の程度を、半導体基板4内部での近接場光の強度変化に対応する信号により検出する。 (もっと読む)


【課題】近接場光を発生させる端面上における近接場光の発光位置が、磁極端に十分近い位置となるように設置可能な表面プラズモン・アンテナを提供する。
【解決手段】この表面プラズモン・アンテナは、光と表面プラズモンモードで結合する部分を有しており、この部分から近接場光が発生する近接場光発生端面まで伸長したエッジであって、この光によって励起される表面プラズモンを伝播させるためのエッジを備えている。この表面プラズモンが伝播するエッジは、非常に狭い伝播領域となっている。従って、プラズモン・アンテナの形成の際に研磨加工後の研磨面として現れる近接場光発生端面のサイズを非常に小さくし、その上で確実に表面プラズモンが伝播されてくるようにすることが可能となる。さらに、近接場光発生端面の形状及びサイズを調整することによって、この近接場光発生端面上での近接場光の発光位置を調整することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】サブプッシュプル信号のSN比の低下を抑制するとともに視野特性の要求水準を満たす。
【解決手段】光ピックアップ装置は、第1又は第2波長のレーザ光を選択的に発光するレーザ光源と、互いに位相の異なる周期構造の第1及び第2領域と、第1及び第2領域と異なる位相の周期構造であり、第1及び第2領域の間に配設された第3領域とを有し、レーザ光から主光束及び副光束を生成する回折格子と、主プッシュプル信号及び副プッシュプル信号を生成するための検出信号を出力する光検出器と、を備え、差動プッシュプル信号の信号レベルの最大値に対する最小値の割合が略50%以上であり、主プッシュプル信号の信号レベルに対する副プッシュプル信号の信号レベルの割合が略15%以上となるよう、第3領域に応じた対物レンズに入射される入射光の幅と、第1及び第2波長に応じた対物レンズの瞳径との関係が調整されている。 (もっと読む)


【課題】光路差付与構造によって生じる回折光を、光情報記録媒体の情報記録面にスポットとして集光する光ピックアップ装置用の対物レンズにおいて、使用波長の変化による回折効率の変動を小さく抑えることができる対物レンズ及びそれを用いた光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】対物レンズにおける光路差付与構造を形成する複数の基礎構造の回折効率が最大となる波長を、基礎構造に応じて調整することで、トータルでの回折効率の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】収差変動や透明性の低下を抑制する。
【解決手段】波長λが350≦λ≦450nmの光を出射する半導体レーザ発振器32を有する光ピックアップ装置30に用いられる対物レンズ37において、樹脂を成形した成形部50と、成形部50上に形成された1層又は複数層の反射防止膜60と、を備え、反射防止膜60の層構成のうち少なくとも1層(第1層61)がSiで構成され、SiとOとの組成比r(=y/x)が式(1)の条件を満たす。
1.40≦r≦1.80 … (1) (もっと読む)


81 - 100 / 477