【課題】２０ｋＯｅ以上の保磁力を持つ磁気媒体を提供する。
【解決手段】高配向磁性薄膜が、Ｌ１₀構造を有する島状微結晶が相互に不連続に並置されてなることを特徴とする構成を採用した。基板温度を上昇させて原子拡散の活発な温度領域で基板上に合金薄膜をスパッタ成膜することによって、２０ｋＯｅ以上の保持力を持つ磁気媒体を提供。電子顕微鏡により観察されたＦｅＰｔ薄膜の微細構造からは、ＦｅＰｔ微粒子の形状が島状になっていることが確認され、個々の島は互いに完全に孤立している。 （もっと読む）

【課題】大きなＭＲ比を示すＴＭＲ素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層４と磁化自由層６の間にトンネルバリア層５を有し、磁化自由層６上にキャップ層７を設けたＴＭＲ素子１において、トンネルバリア層５をＭｇＯ膜により構成し、磁化自由層６をＣｏＦｅＢ膜により構成すると共に、そのＣｏＦｅＢ膜直上に、それに接するようにＴｉ膜を形成してキャップ層７を構成する。これにより、ＴＭＲ素子１のＭＲ比を大幅に向上させることができる。また、このようなＴＭＲ素子１を磁気ヘッドやＭＲＡＭに用いることにより、その高性能化を図ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。
【解決手段】第１の磁性層及び第２の磁性層を形成し、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に、Cr, Feの少なくともひとつを含む金属層を酸素暴露量が1000ラングミュア以下なる条件で自然酸化することにより中間層を形成し、さらに前記第１の磁性層、前記第２の磁性層及び前記中間層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極を形成して磁気抵抗効果素子を得る。 （もっと読む）

【課題】既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反強磁性結合ソフト基層を含む垂直磁気記録メディア提供する。
【解決手段】第１の磁性層と、スペーサ層と、第２の磁性層をこの順に含む磁気記録メディアであって、スペーサ層が非磁性層を含み、スペーサ層の厚さが第１の磁性層と第２の磁性層との間に反強磁性結合を確立させるように選ばれ、第１および第２の磁性層の両方の厚さが磁性層中にストライプ・ドメインを形成する臨界厚さよりも小さい磁気記録メディアが開示されている。 （もっと読む）

【解決課題】 スピン偏極電流が非磁性層において電流に変換される機構を解明し、この機構を利用した、強磁性層／非磁性層／強磁性層の積層構造を有するバッテリー装置、ならびに、非磁性層に印加した電流がスピン偏極電流に変換される現象を利用した磁化制御方法及びマイクロ波発信装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも第１強磁性金属層１３と、非磁性金属層１２と、第２強磁性金属層１１とをこの順に備え、前記非磁性金属層１２の対向する端面２３から電流を取り出すための対向電極を備えたバッテリーセルであって、前記第１強磁性金属層および第２強磁性金属層の各層の厚さが、１ｎｍ〜２００ｎｍであり、前記第１強磁性金属層および第２強磁性金属層の磁化方向１４が、磁場２１を印加することによりともに変化するバッテリーセルである。 （もっと読む）

【課題】
最もスピン分極率が高いと期待されるＦｅ_２ＣｒＳｉ組成においては、その性能を実現するにはＬ２_１構造であることが必要であるが、Ｆｅに対してＲｕを一定割合で置換したときのみ、Ｌ２_１構造が得られていた。しかしＲｕは高価でしかも環境負荷の大きい重金属であることから、Ｒｕ等を用いること無く、Ｌ２_１構造の単相組織を得るための方法が求められていた。
【解決手段】
Ｆｅ_２ＣｒＳｉの組成となるように各原料を秤量、配合し、これをアーク溶解法または高周波溶解法で溶解し、インゴットを得る。 このインゴットをＬ２_１構造の単相組織を得る目的で熱処理を行う。その条件として、１３７５Ｋ以上１５２３Ｋ以下の温度で、１時間以上２４０時間以下の範囲で不活性ガス中で熱処理を行うことにより、Ｌ２_１構造（ホイスラー構造）の単相組織が得られる。 （もっと読む）

【課題】ＩｒＭｎＣｒを反強磁性層として用いた積層フェリ型固定層を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、外部ストレスによる固定層の磁化反転を防止する。
【解決手段】磁気抵抗効果型ヘッドの素子部２０は、反強磁性層１、第１固定層２、反強磁性結合層４、第２固定層５、非磁性導電層６、自由層７が積層されている。反強磁性層１と接する第１固定層２と、非磁性導電層層６と接する第２固定層５の異方性エネルギーの差を小さくするために、第１固定層２の組成はＣｏ₇₅Ｆｅ₂₅で、第２の固定層５の組成はＣｏ₉₅Ｆｅ₅とする。膜厚はそれぞれ１８オングストローム（３．５ｎｍ・Ｔ）と２１オングストローム（３．９ｎｍ・Ｔ）である。これによって第１固定層２と第２固定層５の磁歪定数の差｜λ１-λ２｜を５．０×１０^−６以下にすることができる。このため、外部からの応力や磁界による固定層回転が抑止できるようになる。 （もっと読む）

【課題】微細な磁区と許容範囲内の熱安定比を持ち、高い面密度を有する磁気データ記録層を備える磁気記録媒体及びそのためのスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】磁気データ記録層１０６が、高い磁気異方性定数Ｋｕを有する合金と、酸素と単一元素又は合金のいずれか一方とからなる酸化化合物とを含む。高いＫｕを有するため、約５０〜７０の許容範囲内の熱安定比を維持すると同時に磁気データ記録層の磁区を著しく小さくでき、これにより２００Ｇｂ/ｉｎ²（約３１Ｇｂ/ｃｍ²）より大きな面密度を提供する。更に、そのような磁気データ記録層のスパッタリング用スパッタターゲットを提供する。スパッタターゲットは、高いＫｕを有する合金と、所望の酸化化合物又は反応的スパッタリングプロセスで酸化される元素のいずれか一方とを含む。高いＫｕを有する合金は、少なくとも０．５×１０⁷ｅｒｇ/ｃｍ³（０．５Ｊ/ｃｍ³）の磁気異方性定数を有する。 （もっと読む）

【課題】
フリー磁性層の磁歪の増大が低く、かつ抵抗変化率の高いトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記フリー磁性層上にマグネシウム（Ｍｇ）で形成された第１保護層が形成される。これにより、第１保護層が形成されない従来構造、あるいは第１保護層をＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＩｒＭｎで形成した構造に比べて、フリー磁性層の磁歪が低く、かつ高い抵抗変化率を示す。 （もっと読む）

【課題】 一般的な成膜方法であるスパッタリング法や蒸着法等の物理的気相成長法において、特殊な処理をしなくても、Ｐｔ−Ｆｅ二元系合金膜よりも低温で規則化することができる磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】Ｐｔ ４０〜６０ａｔ％、Ｆｅ ４０〜６０ａｔ％およびＰ ０．０５〜１．０ａｔ％ならびにさらに場合によりＣｕおよび／またはＮｉ ０．４〜１９．５ａｔ％より構成される磁性薄膜およびスパッタリングターゲットまたは蒸着材料。 （もっと読む）

【課題】RTでの熱揺らぎ耐性と高温での書き込みやすさの相克を図れ、記録温度直下での保磁力の温度に対する変化を急峻にでき、低温形成、特定異方性軸配向、グラニュラー化が可能である熱アシスト磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に、T_B＜T_Wの高K_AFの下層反強磁性膜300、T_W＜T_Cの高K_Fの記録再生層である上層強磁性膜400を順次積層した交換結合膜を含み、反強磁性体をT_B＜＜T_N、T_B＜T_C＜T_Nの関係を満たすよう構成し、T_B、及びT_B＜＜T_Nの特質を利用し、保磁力H_C対温度の特性を、T_W直下T_Bの温度で階段状に変化させる〔T_W：記録温度、T_C：キュリー温度、T_N：ネール温度、T_B：ブロッキング温度、K_F：強磁性体の結晶磁気異方性エネルギー定数、K_AF：反強磁性体の結晶磁気異方性エネルギー定数〕。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録が可能な上、粒径の制御が容易な磁性体粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁性体粒子(1)は、Ｐｄ、Ｆｅ及びＣｏを含むことを特徴とする。また、本発明の磁性体粒子(1)の製造方法は、i)岩塩型単結晶基板(20)の主面(20a)上に、岩塩型単結晶基板(20)を加熱しながらＰｄ粒子を配置する工程と、ii)Ｐｄ粒子上に、岩塩型単結晶基板(20)を加熱しながらＣｏ及びＦｅを配置して、Ｐｄ、Ｆｅ及びＣｏを含む磁性体粒子(1)を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
フリー磁性層の磁歪の増大が低く、かつ抵抗変化率の高いトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
トンネル型磁気検出素子を構成する積層体Ｔ１は、下から、固定磁性層４、絶縁障壁層５、及びフリー磁性層８の順に形成された部分を有する。前記フリー磁性層８の絶縁障壁層５側に形成されたエンハンス層６を、絶縁障壁層５側の第１エンハンス層６ａと軟磁性層７側の第２エンハンス層６ｂとし、第１エンハンス層６ａを形成するＣｏＦｅ合金のＦｅ含有量を、第２エンハンス層のＣｏＦｅ合金のＦｅ含有量より大きいものとする。これにより、フリー磁性層の磁歪の増大を抑え、抵抗変化率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】積層された反強磁性層と固定層とを備え、固定層がシンセティック構造となっている交換結合膜における固定層の交換係合磁界を大きくする。
【解決手段】交換結合膜３０は、反強磁性層２２と固定層２３を備えている。固定層２３は、反強磁性層２２に近い順に配置された第１層３１１、第２層３１２、第３層３１３、非磁性中間層３２およびインナー層３３を含んでいる。第１層３１１は、強磁性材料よりなり、且つ面心立方構造を有している。第２層３１２は、コバルトをｘ原子％、鉄を（１００−ｘ）原子％含み、ｘが０より大きく６０以下である合金または鉄のみよりなる。第３層３１３は、コバルトをｙ原子％、鉄を（１００−ｙ）原子％含み、ｙが６５以上８０以下である合金よりなる。反強磁性層２２と第１層３１１は交換結合している。第３層３１３とインナー層３３は反強磁性的に結合している。 （もっと読む）

【課題】白金層の面に対して垂直方向に高い保磁力を持つ垂直磁気異方性を有する磁性体膜を提供する。
【解決手段】（００１）面方位を持つ白金層と、この白金層上に配置され、前記白金層の（００１）面方位と平行な（００１）面方位を持つ島状の鉄白金結晶体とを備え、
前記島状の鉄白金結晶体は、鉄および白金がそれぞれ５０原子％の組成領域を有することを特徴とする磁性体膜。 （もっと読む）

【課題】低抵抗領域（1平方ミクロンあたり１オーム以下の領域）において、巨大な磁気
抵抗比を持つＣＣＰ（current confined path: 電流狭窄）−ＣＰＰ（current perpendicular to plane: 電流が面直に流れる形状）型の巨大磁気抵抗素子、および当該巨大式抵
抗素子を用いた磁気センサを提供する。
【解決手段】ＣＣＰ−ＣＰＰ型巨大磁気抵抗素子Ａは、反強磁性層１と、磁化固定層３と、中間層７ａと、磁化自由層５による積層構造を有し、膜面に対して垂直に電流が流れる構造に形成されている。このとき、中間層７ａとして微小孔を有する（００１）方位に優先配向した極薄酸化マグネシウム層を使用することにより、磁化自由層５から磁化固定層３（あるいはその反対方向）に流れる電流が微小孔中の金属により狭窄され、電極層の寄生抵抗の影響が相対的に減少するため磁気抵抗比が増大する。 （もっと読む）

【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁化の方向が固定された第１の磁化参照層１１と、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する磁化自由層１３と、磁化の方向が固定された第２の磁化参照層１５と、第１の磁化参照層１１と磁化自由層１３との間に設けられた第１の中間層１２と、磁化自由層１３と第２の磁化参照層１５との間に設けられた第２の中間層１４とを具備し、磁化自由層１３及び第１の磁化参照層１１の容易磁化方向は、膜面に対して垂直或いは平行であり、第１の磁化参照層１１と第２の磁化参照層１５との容易磁化方向は、互いに直交する。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】磁壁を移動させうる磁性物質膜を備える半導体装置であって、磁性物質膜は、ダンピング定数が０.０１５〜０.１であることを特徴とする半導体装置である。前記磁性物質膜は、磁性物質内に非磁性物質が含まれた合金である。前記非磁性物質は、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｂ、Ｚｎ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも何れか一つである。 （もっと読む）

【課題】秩序化温度が低減されたホイスラー合金を含み、より高い信号検出感度を得ることのできるスピンバルブ構造を提供する。
【解決手段】スピンバルブ構造１は、フリー層１８と、非磁性スペーサ層１７と、フリー層１８の側から第１強磁性層１５と結合層１４と第２強磁性層１３とが順に積層されたＳｙＡＰ層１６とを有するＣＰＰ−ＧＭＲセンサである。第１強磁性層１５およびフリー層１８は、Ｃｏ₂ ＭｎＳｉなどのホイスラー合金からなる複数のホイスラー合金層と、それらのホイスラー合金層の間に設けられた挿入層との多層構造を有している。挿入層はアルミニウムやＦｅＣｏによって構成されている。これにより、ホイスラー合金における結晶構造を秩序化するためのアニール温度が低減される。 （もっと読む）