【課題】 本発明は、飽和磁束密度の大きいＦｅ−Ｎｉ系合金にＡｌまたはＣｒを０．２〜５ａｔ％添加した耐候性を向上させた軟磁性ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ−Ｎｉ系合金において、Ｆｅ：Ｎｉのａｔ比が１００：０〜２０：８０とし、Ｂ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下、かつ、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５ａｔ％含有させてなることを特徴とする軟磁性ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】磁気薄膜構造体、磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に遷移金属窒化物で下地層を形成し、下地層上に磁気異方性エネルギーが１０^６ないし１０^８ｅｒｇ／ｃｃである磁性物質からなり、単位記録領域である複数の磁性ドットを備える磁気記録媒体及びその製造方法である。ドットをなす磁性物質は、Ｌ１_０構造を有する。下地層は、磁気記録層と対向する結晶面が（００１）面である。下地層は、磁気記録層と５ないし１５％の格子不整合を有する。 （もっと読む）

【課題】これまで以上に磁気情報を正確に読み出すことができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性の自由磁性層５８および導電性の固定磁性層５６の間には導電性の非磁性中間層５７が挟み込まれる。自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかは、窒化された磁性金属合金から構成される。本発明者らの検証によれば、自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかで単位面積あたりの磁気抵抗変化量（ΔＲＡ）が増大することが確認された。その結果、ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の出力は向上する。しかも、窒化された磁性金属合金では飽和磁束密度（Ｂｓ）が減少する。その結果、磁性層では磁化は容易に反転する。ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の読み出し感度はこれまで以上に向上する。こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子はこれまで以上に正確に磁気情報を読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】リード素子が小型化した場合でもリードヘッドの特性を劣化させることなく、磁気記憶媒体の記録密度の増大に好適に対応することができるリードヘッド、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】フリー層を備えるリード素子１０と、前記フリー層を磁区制御する磁区制御層２０ａ、２０ｂとを備え、前記磁区制御層２０ａ、２０ｂは、Ｆｅ、Co、Niの少なくとも一種を含む軟磁性材からなり、該磁区制御層２０ａ、２０ｂのコア幅方向の長さａ、ハイト方向の長さｂの比ａ／ｂが５以上、磁区制御層２０ａ、２０ｂのハイト方向の長さｂが１００nm以下に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小さい保磁力およびＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】ＭｇＯｘからなるトンネルバリア層１７の上に、ＣｏＢ_X からなる低磁歪（λ＝−５×１０^-6〜０）のフリー層１８を形成する。フリー層１８は、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＢ_X （Ｙは０〜１００原子％）という２層構造、あるいは、ＦｅＣｏ_Y ／Ｃｏ_U Ｆｅ_W Ｂ_Z ／ＣｏＢ_X 、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＢ_X ／Ｃｏ_U Ｆｅ_W Ｂ_Z 、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＦｅ_W ／ＣｏＢ_X 、またはＦｅＣｏ_Y ／ＦｅＢ_V ／ＣｏＢ_X という３層構造として形成してもよい。ここで、ＣｏＢ_X を、ＣｏＮｉＦｅＢまたはＣｏＮｉＦｅＢＭに置き換えてもよい。但し、ＭはＶ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，ＴａおよびＭｏのうちのいずれかである。小さい保
磁力およびＲＡ値を確保しつつ、従来のＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ構造のフリー層の場合に比べてＴＭＲ比が１５〜３０％程度向上する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗の強磁性体をトンネル障壁に用い、室温かつ低外部磁界で、非常に大きなＴＭＲを有するスピンフィルタ効果素子を提供する。
【解決手段】
非磁性層からなる第１の電極１１と、第１の電極１１上のマグネタイトを除く高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜１２と、強磁性スピネルフェライト膜１２上の絶縁膜１６と、絶縁膜１６上の強磁性層からなる第２の電極１３Ａと、が順に配置され、高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜１２が、電子に対してスピンに依存したトンネル障壁として作用し、絶縁膜１６が電子に対してスピンに依存しないトンネル障壁として作用し、かつ、強磁性スピネルフェライト膜１２と第２の電極となる強磁性層１３Ａとの磁気的結合を弱める作用する。室温において、低磁界で非常に高い磁気抵抗変化率が得られる。 （もっと読む）

【課題】２つの磁性層間に挟まれたトンネルバリア層の劣化を低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、第１の電極層１２と、第１の電極層１２上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層１４と、固定層１４上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層１５と、トンネルバリア層１５上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層１６と、自由層１６上に設けられた第２の電極層１７とを含む。そして、第１の電極層１２及び第２の電極層１７のうち少なくとも一方は、導電性金属酸化物を含む。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつ書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が固定された固定層１５と、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造からなり、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が変化可能である記録層１７と、固定層１５と記録層１７との間に設けられ、かつ非磁性材料からなる中間層１６とを具備する。記録層１７を構成する磁性層のうち中間層１６と接する磁性層１７Ａ−１は、コバルト（Ｃｏ）及び鉄（Ｆｅ）を含む合金からなり、かつその膜厚が中間層１６と接していない磁性層の膜厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつメモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を確保する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、ＮａＣｌ構造を有し、かつ（００１）面に配向する窒化物から構成される下地層２３と、下地層２３上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつＬ１_０構造を有し、かつ（００１）面に配向する強磁性合金から構成される第１の磁性層１４と、第１の磁性層１４上に設けられた第１の非磁性層１６と、第１の非磁性層１６上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第２の磁性層１７とを含む。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を含む磁性材料からなる磁性薄膜であって、前記磁性材料からなる孤立した島粒子が不連続膜状に配列された島状構造が形成されており、前記島粒子の粒径が十分に小さく、膜の厚みが十分に薄く、しかも十分に高い保磁力を有することが可能な島状磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】磁性材料からなる孤立した島粒子が不連続膜状に配置された島状磁性薄膜であって、前記磁性材料が希土類元素を含有するものであり、前記島粒子の面内直径の平均値が４０〜１４０ｎｍの範囲にあり、且つ、前記薄膜の厚みが２〜２５ｎｍの範囲にあることを特徴とする島状磁性薄膜。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材および該磁性材とは異種材料のターゲット２１，２１をそれぞれ保持するためのカソード２，２を、前記ターゲット２１，２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１，２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構、前記カソード２，２の背後に位置するマグネット２２，２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための回転駆動手段を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は結合層（層間結合力制御層）を介して複数の記録層を積層配置した垂直磁気記録媒体に関し、薄膜化による媒体ノイズの低減と記録性能の両立を図ることを課題とする。
【解決手段】非磁性基板１と、非磁性基板１上方に形成された軟磁性裏打ち層１０と、軟磁性裏打ち層１０上に形成された中間層２０と、中間層２０上に形成された磁気記録層３０（第１記録層３１，層間結合力制御層３２，第２記録層３３よりなる）とを有する垂直磁気記録媒体であって、層間結合力制御層３２と第１記録層３１の界面３４、及び層間結合力制御層３２と第２記録層３３の界面３５に、反強磁性結合状態となる磁性領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】シリコン上へ強磁性相を積層化したスピンエレクトロニクスデバイスを作製するにあたり、強磁性元素の鉄(Fe)から構成されるFe₃Si化合物をシリコン系半導体基板上へ結晶成長させる。
【解決手段】この際Fe₃Si層の組成制御性の向上および、ハーフメタル構造を有する規則構造相形成のためにSiCからなる半導体基板を使用あるいは表面にSiCを有するシリコン基板上にFe₃Si磁性相を形成する。 （もっと読む）

【課題】高出力で高感度な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、固定磁化層と、自由磁化層と、前記固定磁化層と自由磁化層の間に挿入される非磁性層とを備え、前記自由磁化層と前記固定磁化層の少なくとも一方は、Ｃｏ及び／又はＦｅを構成成分として含みＭｇをさらに含むＣｏＦｅＭｇ合金膜で構成され、当該ＣｏＦｅＭｇ合金膜は、（Ｃｏ_ｘＦｅ_100-ｘ）Ｍｇ_ｙ（ここで０≦ｘ≦１００，０<ｙ<３０ａｔ％）の組成範囲の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】本基板上に磁性層を成膜したのちに磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法において、従来の磁性層加工型やイオン注入型と比較して格段に製造工程を簡略化し、汚染リスクがすくなく、表面の平滑性に優れた磁気記録媒体が製造可能な方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に磁性層を形成した後、該磁性層の表面を部分的に酸素、ハロゲン等の反応性プラズマにさらし、もしくは該プラズマ中に生成した各種反応性イオンにさらし、該箇所の磁性層を非晶質化せしめ、磁気特性を改質することにより磁気的に分離した磁気記録パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】極めて粒子サイズが小さく、かつ粒状の形状であるにもかかわらず、極めて高い保磁力と、高密度記録に最適な飽和磁化を有する窒素含有磁性粉末の特性を最大限に引き出すための磁性塗膜を得ることを目的とする。
【解決手段】 非磁性支持体上に磁性粉末と結合剤を含有する磁性層を有する磁気記録媒体において、
上記磁性層が磁性粉末と非磁性粉末を含有し、
磁性粉末が鉄および窒素を少なくとも構成元素とし、かつＦｅ_１６Ｎ_２相を少なくとも含む平均粒子サイズが１０〜２０ｎｍの粒状の磁性粉末であり、非磁性粉末の平均粒子サイズが１０〜３０ｎｍであり、かつ磁性層に含まれる磁性粉末と非磁性粉末の合計含有量に対する磁性粉末の含有量が４０〜９０重量％の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｃａを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、短時間で処理することのできる熱処理技術。
【解決手段】 非磁性ガーネット単結晶基板にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する液相エピタキシャル法において、Ｃａを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を窒素と水素３〜２０ｖｏｌ％の混合ガス雰囲気下で短時間熱処理することで、所望の光損失特性を有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を得ることができる （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を実現できる磁気抵抗効果素子などの磁性多層膜通電素子を提供する。
【解決手段】第１の開口部を有する第１の絶縁層、第２の開口部を有する第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の間に位置した導電体を含み、前記第２の絶縁層の、前記第２の開口部及び前記第１の絶縁層間の距離Ａが、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層間の最近接距離Ｂよりも大きくなっており、バレル形状を呈する少なくとも１つの薄膜構造体を、第１の磁性層、第２の磁性層、及び前記第１および第２の磁性層間に形成されたスペーサ層の少なくとも一部に配置する。 （もっと読む）

【課題】素子サイズを微小にしても、高い磁気抵抗比を維持しつつ磁化反転に必要な電流密度を低くすることができる磁気抵抗効果素子等を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１磁性層４１と、第１磁性層４１の一つの面に対峙する非磁性層４２と、非磁性層４２の第１磁性層４１に対峙する面とは反対の面に対峙して形成される第２磁性層４３と、第１磁性層４１と第２磁性層４３との間に設けられた非磁性層４２と、第２磁性層４３の非磁性層４２に対峙する面とは反対の面に対峙して形成され、Ｇｄ等の希土類金属とＦｅ等の遷移金属との合金からなる第３磁性層４４と、を有し、第２磁性層４３の磁化方向は、第３磁性層４４の磁化方向の反転に応じて反転することを特徴とする磁気抵抗効果素子である。 （もっと読む）