【課題】加熱処理温度をできるだけ抑えてL1₀型の規則相を有するFePtからなる磁性膜を製造する方法、及びこの磁性膜を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】Feを主成分とする層３ａと、Ptを主成分とする層３ｂとを交互に積層し、（110）配向させて成膜する成膜工程と、前記Feを主成分とする層３ａと前記Ptを主成分とする層３ｂを加熱し、前記Feを主成分とする層と前記Ptを主成分とする層との界面においてFeとPtとを拡散させ、L1₀型に規則化させる加熱工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 特に、基板上に高抵抗軟磁性膜（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ）をスパッタ成膜して成るＲＦＩＤ用あるいは電磁波抑制用としての磁性シート及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＲＦＩＤタグ２と、金属部材３との間に磁性シート４が挿入されている。前記磁性シート４には、樹脂シートに、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａのうち少なくともいずれか一種を表す）から成り、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成された高抵抗軟磁性膜がスパッタ成膜されている。これにより効果的にＲＦＩＤ特性の向上を図ることができるともに薄型化に貢献できる。またＦｅ−Ｍ−Ｏ膜に対して熱処理を施す必要がない。 （もっと読む）

【課題】 特に、高抵抗軟磁性膜（Ａ−Ｍ−Ｏ）を用いた磁性シートにおいて、従来に比べて適切に軟磁気特性の向上を図ることが可能な磁性シートを提供することを目的としている。
【解決手段】 樹脂シート５上に、Ｃｒ膜９と、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｙ、Ｓｉのうち少なくともいずれか一種を表す）から成る磁性膜６とが順に積層されている。磁性膜６は、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を維持しつつ、より低抵抗であるグラニュラ膜を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯターゲット３及び強磁性体ターゲット４を備え、基板８に対してＭｇＯ及び強磁性体をスパッタリングするスパッタリング装置において、プラズマ干渉状態を最適化した状態で、前記基板８上に（１１１）配向を有するＭｇＯバリア層と、前記ＭｇＯバリア層中に分散された強磁性体微粒子と、を含む低抵抗グラニュラ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】角型性にすぐれ、ノイズの改善が図られ、安定した磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】少なくとも１対の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗効果素子であって、強磁性層の一方により構成される磁化自由層が、非晶質もしくは微結晶構造を有する材料の単層、あるいは主な部分が非晶質もしくは微結晶構造を有する材料層からなり、磁化自由層がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの強磁性元素のうち少なくとも１種もしく２種以上の成分と、含有量が１０原子％〜３０原子％のＢ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉのいずれか１種もしくは２種以上とを含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】電子機器への搭載が可能な薄型で、高周波帯での透磁率実部が大きい高周波磁性体を提供する。
【解決手段】絶縁層１０と、この絶縁層１０上に設けられる磁性層２０を備える高周波磁性体であって、磁性層２０は、長さｈの短辺、長さｗの長辺、厚さｔの厚みを有する棒状の磁性部材２２を、長辺方向を揃えて複数個配列させることにより形成され、５≦ｗ／ｈ≦３０であることを特徴とする高周波磁性体。さらに、この高周波磁性体において、磁性部材２２の磁化困難軸と、磁性部材２２の長辺方向が略一致することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】高分解能および高信号対雑音比を実現可能な磁気再生ヘッドを提供する
【解決手段】再生ヘッド１は、下部シールド層２と上部シールド層１８の間にＭＴＪ素子１６を配置したＴＭＲセンサである。ＭＴＪ素子１６は、下部シールド層２の上に複合シード層１５を介して設けられている。複合シード層１５は、軟磁性層３と、アモルファス層４と、軟磁性層５と、バッファ層６とが下部シールド層２の側から順に積層されたものである。これにより、ＭＴＪ素子１６の結晶構造が、平滑性や均質性に優れたものとなる。複合シード層１５のうち、軟磁性層３、アモルファス層４および軟磁性層５は、下部シールド層２と共に実効シールド構造１４を形成している。これにより、実効シールド間距離がより低減される。 （もっと読む）

【課題】磁性層等で発生する腐食を防ぎ、耐環境性の向上を可能とした磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、そのような磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】基板１の上に、少なくとも磁性層２と、磁性層２を覆うカーボン保護層９とを備え、磁性層２の表面には、磁気記録領域である凸部７と、磁気記録領域を分離する境界領域である凹部６とが設けられ、磁性層２の凹部６とカーボン保護層９との間には、Ｃｒ又はＴｉを主として含むバリア層８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】より良い特性を与える配向制御層を提供し、長手磁気記録媒体の信号雑音比を向上させる。
【解決手段】基板上に、非晶質合金からなる下地層と、体心立方構造を有するＣｒ−Ｍｎ−Ｆｅ合金からなる配向制御層と、体心立方構造を有する合金層と、六方最密構造を有する合金層と、磁性層とをこの順に有し、前記Ｃｒ−Ｍｎ−Ｆｅ合金配向制御層の（１１０）面が基板に垂直方向に配向しており、かつ、前記Ｃｒ−Ｍｎ−Ｆｅ合金配向制御層のＭｎ濃度が５ａｔ％以上１０ａｔ％以下であることを特徴とする長手磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、静磁気特性（特に保磁力Ｈｃ）を高めつつ、電磁変換特性（特にＯＷ特性およびＳＮＲ）を高めることにより、さらなる高記録密度化を図ることのできる垂直磁気記録媒体を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、基板上に少なくとも第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂをこの順に備える垂直磁気記録方式の磁気記録媒体１００において、第１磁気記録層および第２磁気記録層は柱状に連続して成長した磁性粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層であって、第１磁気記録層および第２磁気記録層の粒界部は、それぞれ複数の種類の酸化物を含有し、第１磁気記録層の膜厚をＡｎｍ、第２磁気記録層の膜厚をＢｎｍとすると、Ａ／（Ａ＋Ｂ）が０．１２＜Ａ／（Ａ＋Ｂ）＜０．６４の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶配向を劣化させず、かつ結晶粒の密度を下げずに、下地層及び磁性層の結晶粒を微細化した垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】ディスク基体１１上に軟磁性層１３、配向制御層１４、下地層１５及び主記録層１７を備える垂直磁気記録媒体１０であって、前記配向制御層１４は、ＮｉＷ、ＮｉＰｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＭｏ、ＮｉＴａ、ＮｉＶ、ＮｉＮｂ、ＮｉＺｒ、ＮｉＨｆ、ＮｉＣｕから選択される少なくとも一つに酸化物を添加してなる合金を主材料とし、配向制御層１４上に成長する下地層１５、主記録層１７の結晶粒を微細化する。 （もっと読む）

【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 磁化反転の際の反転電流密度のばらつきを低減する。
【解決手段】 磁気抵抗素子１０は、（００１）面に配向した立方晶構造又は正方晶構造を有する下地層１２と、下地層１２上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ（００１）面に配向するｆｃｔ（face-centered tetragonal）構造を有する記録層１３と、記録層１３上に設けられた非磁性層１４と、非磁性層１４上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する参照層１５とを含む。下地層１２の膜面内方向の格子定数ａ１及び記録層１３の膜面内方向の格子定数ａ２は、記録層１３のバーガースベクトルの大きさｂ、記録層１３の弾性定数ν、記録層１３の膜厚ｈｃとすると、
│√２×ａ１／２−ａ２│／ａ２＜ｂ×{ｌｎ（ｈｃ／ｂ）＋１}／{２π×ｈｃ×（１＋ν）}
の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】本発明は垂直磁気記録に適した磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、交換結合力制御層を厚くしても垂直磁気記録特性を維持し、量産性の向上を図ることを課題とする。
【解決手段】基板１と、その上部に形成された軟磁性裏打ち層２と、その上部に形成された非磁性中間層３と、その上部形成された垂直磁気異方性を有する第１記録磁性層４と、その上部に形成された交換結合力制御層５と、その上部に形成された垂直磁気異方性を有する第２記録磁性層６とを有し、前記第１記録磁性層４と第２記録磁性層６が交換結合力制御層５を介して強磁性結合してなる磁気記録媒体であって、前記交換結合力制御層５としてルテニウムに酸化物を添加したグラニュラ材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料、高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ、および携帯電話を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上の複数の平板体を形成する磁性相１４と、磁性相の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８とを備え、磁性相１４が非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内における、絶縁体相１６の伸長方向の平均をＸ軸方向、同面内においてＸ軸と直交する方向をＹ軸方向、基板１２の法線方向をＺ軸方向とする直交座標系の、Ｙ−Ｚ平面において、平板体の長手方向がＺ軸方向から傾斜し、Ｘ−Ｙ平面において、面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０、この高周波用磁性材料１０の製造方法、この高周波用磁性材料１０を用いたアンテナ装置および携帯電話。 （もっと読む）

【課題】特にＧＨｚ帯域においても優れた特性を備える高周波磁性材料、これを用いたアンテナ装置およびこの高周波磁性材料の製造方法を提供する。
【解決手段】マトリックス絶縁性酸化物相１４中に、板状磁性体１６が配向分散する磁性膜１２を有する高周波磁性材料１０であって、板状磁性体１６が、磁性膜１２面に対して略垂直に形成され、板状磁性体１６がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち少なくとも１種の金属を含有し、マトリックス絶縁性酸化物相１４がシリコン酸化物またはアルミニウム酸化物を主成分酸化物とすることを特徴とする高周波磁性材料、これを用いたアンテナ装置およびこの高周波磁性材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】短波長記録特性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性支持体の一方の主面に磁性粉末と結合剤とを含む磁性塗料を塗布することにより磁性層形成してなる磁気記録媒体の製造方法において、前記磁性塗料が、バッチ式混練装置にて第１の固形分濃度にて前記磁性粉末と前記結合剤とを混練し、磁性混練物を得る混練工程と、前記バッチ式混練装置内で、第２の固形分濃度にまで希釈を行い第１希釈物を得る第１希釈工程と、前記第１希釈物を前記バッチ式混練装置の排出部から排出手段により排出する排出工程を経て製造され、前記排出部にはドロップドアが配設され、前記排出手段がモーノポンプであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で、然も安定な磁気構造を有するハーフメタリック反強磁性体を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフメタリック反強磁性体は、ニッケルヒ素型、閃亜鉛鉱型、ウルツ鉱型、カルコパイライト型或いは岩塩型の結晶構造を有する化合物であって、２種類以上の磁性元素とカルコゲン或いはプニクトゲンとから構成されている。前記２種類以上の磁性元素には、有効ｄ電子数が５より少ない磁性元素と有効ｄ電子数が５より多い磁性元素とが含まれ、前記２種類以上の磁性元素の有効ｄ電子数の総和は１０或いは１０に近い値である。 （もっと読む）

【課題】磁化又は磁化反転できるレベルまで記録層の被加熱部の保磁力を容易に低減できる垂直記録型の磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１６は、基板２４と、軟磁性層２６と、断熱層２８と、配向層３０と、記録層１２と、を有し、これらの層がこの順で基板２４の上に形成され、断熱層２８の熱伝導率が配向層３０の熱伝導率よりも低く、且つ、軟磁性層２６の熱伝導率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】高周波をかけた場合でも高い透磁率を有し、比較的厚膜な軟磁性膜を提供すること。そのような軟磁性膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基材の少なくとも一方面に、絶縁層により表面被覆された多数の軟磁性粒子が付着・堆積されて形成されている軟磁性膜とする。当該軟磁性膜は、絶縁層により表面被覆された軟磁性粉末を、圧縮気体により加速させて噴射し、基材上に多数の軟磁性粒子を衝突させて付着・堆積させる工程を経れば得ることができる。上記軟磁性粉末の噴射方式は、コールドスプレー法、ＨＶＡＦ法、および、ＨＶＯＦ法から選択される１種または２種以上のメカニカルデポジション方式を好適に採用することができる。 （もっと読む）