【課題】 スピン注入層の強固さを向上させ、より大きな発振磁界を生成可能なＳＴＯ構造を提供する。
【解決手段】 Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］結晶配向構造を有する金属層Ｍ１とを含む複合シード層２１の上に、高い垂直磁気異方性（ＰＭＡ）を示す多層構造（磁性層Ａ１／磁性層Ａ２）_x を含むスピン注入層２２を形成する。さらに、スピン注入層２２の上に、非磁性スペーサ層２３、高飽和磁束密度層（高Ｂｓ層）を含む磁界発生層（ＦＧＬ）２４およびキャップ層２５を順次形成する。薄いシード層であってもスピン注入層２２の強固さを向上させ得る。高いＰＭＡの多層構造（Ａ１／Ａ２）_x と高Ｂｓ層との結合を含む複合ＳＩＬを用いれば、スピン注入層をより強固にできる。高いＰＭＡの多層構造（Ａ１／Ａ２）_Y と高Ｂｓ層との結合を含む複合ＦＧＬを用いれば、高Ｂｓ層内部に部分的ＰＭＡを確立でき、容易なＦＧＬ発振が可能になる。 （もっと読む）

【課題】電気電子機器やロボットなどの駆動源として利用される微小な回転電気機械のトルクを向上する。
【解決手段】厚さが40μm〜300μmであり、かつ、磁気的に等方性のナノスケール結晶組織を有する磁石膜を作製し、磁石膜に被膜形成能を有する樹脂組成物を付与して樹脂複合磁石膜を作製し、樹脂複合磁石膜を機械的に加工して中実または中空状とした後、前記樹脂膜を溶融し架橋により一体的に剛体化したものを磁化して、回転電気機械の可動子構成要素である積層型樹脂複合磁石膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】電気電子機器やロボットなどの駆動源として利用される微小な回転電気機械のトルクを向上させる。
【解決手段】外部磁界Hexに対するトルク勾配dT/dHexは、試料を膜またはフレーク状粉末としたとき、それらの寸法比L/Dの原点をゼロとした一次関数となる。面内方向磁化の場合、フレーク状粉末よりも膜のトルク勾配dT/dHexの方が、寸法比L/Dの依存性が強い。これは、フレーク状粉末よりも膜のパーミアンスが高く、結果として反磁界が小さくなるために試料の寸法比L/Dの影響を受けにくい。両者のトルク勾配dT/dHexの比から本発明の積層磁石膜可動子を用いた回転電気機械のトルク定数は、355μm以下、厚さ45μmのフレーク状粉末の場合に比べて1.13倍となる。 （もっと読む）

【課題】膜面垂直通電（ＣＰＰ）読み取りセンサの縦バイアス積層構造を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を有する読み取りヘッドが提供される。縦バイアス積層構造は、２つの側部領域の各々において、絶縁層によってＣＰＰ読み取りセンサから分離され、絶縁層とＣＰＰ読み取りセンサとともに、読み取りヘッド内の上側および下側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、絶縁層のみの厚さで、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層とＣＰＰ読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないＦｅ−Ｐｔ縦バイアス層は、アニーリング後に良好な膜面内の硬磁性を呈し、間隔が狭いため、この安定化方式は有効である。 （もっと読む）

【課題】 磁性結晶粒が均一であり、かつ、反転磁界分散（ＳＦＤ）の狭い熱アシスト記録媒体、およびこれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、ＭｇＯを主成分として含有し、かつ、融点が２０００℃以上の金属元素を少なくとも一種含有していることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 アモルファス性が高く、かつ高い結晶化温度を有する磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）_{１００−Ｙ}Ｎｉ_Ｙ）_{１００−ａ−ｂ}−Ｍ_ａ−Ｂ_ｂ、１０≦Ｘ≦７０、０≦Ｙ≦２５、７≦ａ、１≦ｂ≦５、１３≦ａ＋ｂ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／またはＴａである磁気記録媒体用軟磁性膜であって、膜厚が１０〜５００ｎｍである磁気記録媒体用Ｆｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜である。 （もっと読む）

【課題】 微細なナノ結晶組織を付与したFeあるいはFe濃度の高い合金材料からなる軟磁性金属膜を提供する。
【解決手段】 組成式：Ｆｅ_{１００−ａ}Ｍ_ａ（但し、Ｍ元素はMn,Si,Al,B,Zr,Ti,Crから選択された１種または２種以上の元素であり、ａは原子％で０≦ａ≦１０で、不可避不純物を含む）で表された合金組成で、粒子径が３nm以上１００nm以下の磁気的に等方性のナノ粒子が堆積した軟磁性金属膜。単位重量当たりの飽和磁化は180emu/ｇ以上、保磁力は100A/m以下である。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。第１の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】ディジタル回路を始めとするスイッチングモード電気回路のシグナルインテグリティを向上しＥＭＣ問題を解決する。
【解決手段】電源デカップリング素子を構成する伝送線路構造チップは、アルミニウム層６１、ポリチオフェンが含浸されていないエッチング層６２、レジスト層６３、ポリチオフェンが含浸されているエッチング層６４、磁性薄膜層６５、カーボン含有層６６、金属粉皮膜層６７、ポリチオフェン層６８で構成される積層構造体から形成される。伝送線路構造チップを外装樹脂で封止して電源デカップリング素子として完成させ、エージングによって単極性の前記伝送線路構造チップとして機能させる。電源デカップリング素子をディジタル回路を始めとするスイッチングモード電気回路の印刷配線基板に搭載し、コンデンサに代えて電源分配回路に使用する。 （もっと読む）

【課題】１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２以上の面記録密度を有する熱アシスト磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも基板１０１の上に、第１の磁性層１０６と第２の磁性層１０７とが順に積層された構造を有し、第１の磁性層１０６が、L１_０構造を有するＦｅＰｔ合金、Ｌ１_０構造を有するＣｏＰｔ合金、又はＬ１_１構造を有するＣｏＰｔ合金の何れかの結晶粒と、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｃのうち少なくとも１種以上の粒界偏析材料とを含むグラニュラー構造を有し、且つ、第１の磁性層１０６中の粒界偏析材料の含有率が、基板１０１側から第２の磁性層１０７側に向かって減少している。 （もっと読む）

【課題】スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。非磁性層１５を介して形成された強磁性層１４と強磁性層１６との間には反強磁性結合が形成されている。 （もっと読む）

【課題】巨大な垂直磁気異方性定数を持つ材料を用いた垂直磁化膜を利用することなく、レファレンス層と高周波磁気発振層の磁化方向を反平行にする必要がなく、高周波磁気発振層に注入する偏極電子として反射電子を用いる必要がない磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】負の磁気異方性定数を持つ磁性材料を主成分とする高周波磁界発振層１８と、スピンが偏極した電子を高周波磁界発振層１８に供給するレファレンス層１４と、高周波磁界発振層１８とレファレンス層１４間に配置された非磁性層１６と、を有する高周波磁界発振素子１１と、主磁極１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを提供すること。垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、ＭｇＯトンネル障壁によって分離された垂直磁化をもつ強磁性ピンおよび自由層を本質的に含む。金属Ｍｇ堆積とその後の酸化処理によってまたは反応性スパッタリングによって作製されるＭｇＯトンネル障壁の微細構造はアモルファスまたは不完全な（００１）面垂直方向組織をもつ微晶質である。
【解決手段】本発明では、少なくとも強磁性ピン層のみまたは強磁性ピンおよび自由層の両方が、トンネル障壁と強磁性ピン層のみとの間に、またはトンネル障壁とピンおよび自由層の両方との間に位置する結晶好適結晶粒成長促進（ＰＧＧＰ）シード層を有する構造とすることが提案される。この結晶ＰＧＧＰシード層は、堆積後アニーリングに際してＭｇＯトンネル障壁の結晶化および好適結晶粒成長を誘起する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置され、異なる方向に磁化される磁性ブロックを備えるデバイスを製造するための方法を提供すること。
【解決手段】前記方法は、
ａ）基板上に配置される、少なくとも１つの反強磁性体の１つまたは複数の層（１０４_１、１０４_２、１０４_３）、および、少なくとも１つの強磁性体の１つまたは複数の層（１０５_１、１０５_２）の積層体（１０８）として、少なくとも１つの第１のブロックおよび少なくとも１つの第２のブロックを形成するステップであって、前記ブロックは、長い線状であり、分離しており、かつ、第１の主方向および第２の主方向にそれぞれ延在し、第１の主方向および第２の主方向は、それらの間に第１の非ゼロの角度αを形成するステップと、
ｂ）前記ブロックを、前記反強磁性体の規則化温度よりも、またはブロッキング温度よりも、または前記反強磁性体のネール温度よりも高い温度でアニールするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気トンネル接合構造体並びにそれを含む磁性素子、及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の垂直磁気トンネル接合は、上部磁性層及び下部磁性層のうちいずれか１層の磁性層に自由層を含み、トンネリング層と自由層との間に、分極強化層と交換遮断層とが積層されており、該交換遮断層は、非晶質の非磁性層であり、該分極強化層は、Ｆｅ層、体心立方（ｂｃｃ）構造を有するＦｅ系合金層、ＣｏＦｅＢ系非晶質合金層、Ｌ２１型ホイスラ（Ｈｅｕｓｌｅｒ）合金層及びそれらの複合層のうちいずれか１層であり、該非晶質非磁性層は、ジルコニウム・ベース非晶質合金層、チタン・ベース非晶質合金層、パラジウム・ベース非晶質合金層、アルミニウム・ベース非晶質合金層及びそれらの複合層のうちいずれか１層であり、また該非晶質非磁性層は、全体的には非晶質であるが、局所的にはナノ結晶構造を有するものでありうる。 （もっと読む）

【課題】
高性能小型電気電子機器やロボットなどの駆動源として高トルク微小回転電機が求められている。
【解決手段】
Ｒ_ＸＴＭ_１４Ｂ系合金（Ｒは希土類元素Ｎｄ、Ｐｒ、ＴＭは遷移金属元素Ｆｅ、Ｃｏ）のｘを２未満とした所定寸法の中空円板状アモルファス膜を６ ｓｅｃ以内の高速真空熱処理で磁気的に等方性の多結晶集合組織とし、しかるのち、面内方向に極対数２以上に多極磁化した外径２ ｍｍ以下の膜磁石を所定数積層した回転子磁石、並びに励磁巻線を備えた固定子鉄心と組合せた等方性膜磁石積層型微小回転電機とする。 （もっと読む）

【課題】高い保持力および比較的小さな磁性粒度をともなう磁性材料を提供する。
【解決手段】硬質磁石１６００は、Ｐｔ族金属、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、およびＣｏの少なくとも１つを含む第１の成分を含むシード層１６０２、第１の成分を含むキャップ層１６１２、ならびにシード層１６０２とキャップ層１６１２との間の多層積層体１６０４を含む。多層積層体１６０４は、第１の成分と、Ｐｔ族金属、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、およびＣｏの少なくとも１つを含む第２の成分とを含む第１の層１６０６を含む。第２の成分は第１の成分と異なる。多層積層体１６０４はさらに、第１の層１６０６上に形成され第２の成分を含む第２の層１６０８と、第２の層１６０８上に形成され第１の成分および第２の成分を含む第３の層１６１０とを含む。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】本発明の磁気メモリ素子は、基板上のトンネルバリア、トンネルバリアの一面と接する第１接合磁性層、第１接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第１垂直磁性層、トンネルバリアの他の面と接する第２接合磁性層、第２接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第２垂直磁性層、及び第１接合磁性層と第１垂直磁性層との間の非磁性層を含む。 （もっと読む）

【課題】高保磁力の希土類磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の希土類磁石の製造方法は、希土類元素（Ｒ１）を含む磁性合金の表面にその共晶点よりも低温で液相を生じ得る浸透材（Ｎｄ−Ｃｕ合金）を付着させる付着工程と、この付着工程後に加熱して磁性合金の結晶粒の粒界へ浸透材を浸透拡散させる浸透工程とを備えてなる。これにより、結晶粒が少なくとも浸透材の構成元素で被包された希土類磁石が得られ、希土類磁石の保磁力を高めることができる。 （もっと読む）