【課題】製造における薄膜構造制御が容易であり、かつ、磁化が２５００Ｇ以上、好ましくは３０００Ｇ以上の磁化を有する強磁性Ｆｅ酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｌ_{１００−ｘ−ｙ}Ｆｅ_ｘＯ_ｙ（但し、９０≦ｘ＋ｙ＜１００，２７≦ｘ≦６７，３７≦ｙ≦６７，Ｌ：Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｒおよびＭｇの一種または二種以上の元素、各数字は原子比率を示す）で表される強磁性薄膜材料を、薄膜製造装置、例えば、高周波スパッタリング装置を用いて成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗効果が発現する磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明の例に係る磁気抵抗効果素子は、第一の磁性膜１１と、第一の磁性膜１１上のトンネルバリア膜１４と、トンネルバリア膜１４上の第二の磁性膜１６とを備える。第一の磁性膜１１は、C,P,As,Sn,Sb,Te,Pbの中から選択される少なくとも一つの元素を含む。トンネルバリア膜１４は、第一の磁性膜１１とトンネルバリア膜１４との界面における第一の磁性膜１１の膜面に対してその法線方向に(001)配向するNaCl型結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性を有すると共に、永久磁石として機能し、かつ透明な磁性薄膜を形成できる磁性材スラリー、磁性材スラリーの製造方法、磁性薄膜及び磁性体を提供する。
【解決手段】シリカの結晶化を大幅に低下できることから、結晶化したシリカによる光散乱を抑制して透明性を向上させることができる。また、溶液内でのε−Ｆｅ_２Ｏ_３粒子の分散性を向上させることができ、かくしてε−Ｆｅ_２Ｏ_３粒子の沈殿を抑制して透明性を向上させることができる。従って、絶縁性を有すると共に、永久磁石として機能し、かつ透明な磁性薄膜３を形成できる磁性材スラリー、磁性材スラリーの製造方法、磁性薄膜及び磁性体を提供できる。 （もっと読む）

【課題】磁性層のエッチングに使用した磁性層上のエッチングレジストを、磁性層の磁気特性を劣化させること無く完全剥離する工程を含むパターン化磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁性層のエッチングに用いたエッチングレジストの剥離工程が、磁性層または保護層上のエッチングレジストに、減圧下にエキシマＶＵＶレーザを照射する工程、および磁性層または保護層上に残存するレジストをレジスト剥離剤溶液に浸漬して洗浄除去する工程、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性部と非磁性部との境界を磁気的に判別しやすく、磁性部の磁気特性劣化を防ぐことができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板１０上に軟磁性層１１を形成する工程と、軟磁性層１１上に磁性材料からなる記録層１４’を形成する工程と、記録層１４’上にマスクパターン２０’を形成する工程と、マスクパターン２０’上から記録層１４’に対してイオン照射を行う工程とを含んでおり、イオン照射を行う工程においては、Ｎｅイオンより重いＸｅイオンを照射する。 （もっと読む）

【課題】反転電流の非対称性を解消し、素子破壊の可能性を低減した磁気記憶素子を実現し、高信頼性で低コストの磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】第１固着層と第１中間層と記憶層と第２中間層と第２固着層が積層されてなり、第１固着層と第２固着層の磁化方向は層面に対し垂直で、第１固着層は、第２固着層から記憶層への漏洩磁界より大きな磁界を記憶層に及ぼすことを特徴とする磁気記憶素子が提供される。記憶層の第１中間層と面する膜の磁化方向と第１固着層の磁化方向との関係と、記憶層の第２中間層と面する膜の磁化方向と第２固着層との磁化方向との関係と、の一方が平行で他方が反平行となる。また、第１固着層と第２固着層の間に電流を双方向に流すことが可能で、電流の方向と値により記憶層の磁化の方向が変わる。また、磁気記憶素子をアレイ状に並べた磁気記憶装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_100−Ｘ）_100−ＹＺｒ_Ｙ、５≦Ｘ≦９５、３≦Ｙ≦１０で表されるＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材であって、該ターゲット材の断面ミクロ組織においてＺｒ化合物相の存在しない領域に描ける最大内接円の直径が５μｍ以下であるＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に順次に形成された下部軟磁性層及び上部軟磁性層を備え、上部軟磁性層の異方性磁界が下部軟磁性層の異方性磁界より高く形成された複数の軟磁性層と、下部軟磁性層と上部軟磁性層との間に介在されて、下部及び上部軟磁性層の磁気的相互作用を防止する隔離層と、上部軟磁性層上に形成される底層と、底層上に形成されるものであって、複数の強磁性層を有し、底層側に位置した下部の強磁性層から上部の強磁性層へ行くほど、磁気異方性エネルギーが次第に低くなるように、それぞれの強磁性層が異なる磁気異方性エネルギーを有する記録層と、を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】磁気記録パターンの形成時における反応性プラズマまたはイオンと磁性層との反応性を高め、また、パターニングにおける像のぼけが生じにくい磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法である。その方法は非磁性基板上に酸化物を０．５原子％〜６原子％の範囲内で含む磁性層を形成する。この磁性層の磁気的に分離する領域を反応性プラズマもしくは反応性イオンにさらす。これによって形成された非磁性化領域で磁性層を分離する方法である。 （もっと読む）

【課題】規則性の高い結晶構造を持つホイスラー合金を用いたＴＭＲ比が高いトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】体心立方格子構造を有する強磁性層１２上には、体心立方格子構造を有するＣｒ層１３が形成されている。さらに、Ｃｒ層１３上には、ホイスラー合金層１４、トンネルバリア層１５、ホイスラー合金層１６が順次形成されている。 （もっと読む）

【課題】飽和磁束密度の大きいＦｅ−Ｃｏ系合金にＡｌまたはＣｒを０．２〜５ａｔ％添加した耐候性を向上させた軟磁性ターゲット材を提供する。
【解決手段】厚さ５ｍｍ以上とするスパッタ性に優れたＦｅ−Ｃｏ系合金において、Ｆｅ：Ｃｏのａｔ比が１００：０〜３０：７０とし、Ｂ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下、かつ、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５ａｔ％含有させてなることを特徴とする軟磁性ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ−ＧＭＲにおいて、適度な面積抵抗と高い磁気抵抗変化率を有し、かつ狭リードギャップの要請に対応した実用的な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１の強磁性体膜１１７を含む強磁性固定層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜１２３を含む強磁性自由層と、強磁性固定層と強磁性自由層との間に設けられた中間層１２１と、電流を絞り込むための電流狭窄層１２０を有し、強磁性固定層及び強磁性自由層の少なくとも一方は高分極率層を有する。 （もっと読む）

【課題】強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜した後、スパッタリング法を用いて、全層にわたって（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムのバリア層を成膜し、更にアニーリング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】従来の交換結合素子と比較してより大きな磁化の一方向異方性を備えた新規な構成の交換結合素子およびこの交換結合素子を用いた磁気抵抗効果素子、磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】規則型の反強磁性層１２と、前記反強磁性層１２と交換結合し、磁化が一方向異方性を有する磁化固定層１３とを有し、前記磁化固定層１３は、面心立方格子となる組成の第１の磁化固定層１３ａと、体心立方格子となる組成の第２の磁化固定層１３ｂとから構成されている。前記規則型の反強磁性層１２としては、L12型規則合金Mn3Irが使用でき、前記第１の磁化固定層１３ａとしては、Co_xFe_1-x(ｘ＝1〜0.7)、前記第２の磁化固定層１３ｂとしては体心立方格子となる組成のCoFeが用いられる。 （もっと読む）

【課題】磁性層の軟磁気特性を確保しつつ、高い磁気抵抗変化率を実現する
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、一対の磁性層７，９であって、該一対の磁性層の磁化方向がなす相対角度が外部磁界に応じて変化するようにされた一対の磁性層７，９と、一対の磁性層の間に挟まれた結晶質のスペーサ層８と、を有し、センス電流２２が一対の磁性層およびスペーサ層の膜面に対して直交方向に流れるようにされている。スペーサ層８は、結晶質酸化物を含み、一対の磁性層７，９のうち、外部磁界に応じて磁化方向が変化する少なくとも一方の磁性層は、CoFe層とNiFe層の間にCoFeB層が挟まれ、かつCoFeB層が前記スペーサ層と前記NiFe層との間に位置する膜構成を有している。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化膜を磁気センサやメモリデバイスとして利用する場合、その磁化反転磁界を低減することが重要である。また、垂直磁化膜と関連して作製される均一な絶縁膜等を必要としない構成が重要である。
【解決手段】磁気センサやメモリデバイスに利用される電流磁気効果素子は、非導電性の基板１０と、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有する第１磁性層１１と、第１磁性層１１の上に形成された強磁性体の第２磁性層１２を有する。第２磁性層上には、２点間で電流を流すために電流電極１４ａと１４ｂが配置され、電流を流す方向と直角方向の別な２点間でホール電圧を検出するために電圧電極１５ａと１５ｂが配置される。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて当該基板８の回転と一体に回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】媒体Ｓ／Ｎが高く、ヘッドの書き滲みを抑え、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板１１の上部に軟磁性下地層１３を介して垂直記録層１６を有する。軟磁性下地層１３はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層１３１及び第二の軟磁性層１３３と、第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層１３２とを有し、反強磁性結合層１３２はＲｕ−Ｆｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３ａｔ％である。特に、Ｆｅの含有率が８３ａｔ％〜９３ａｔ％であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク装置の更なる高記録密度化に伴い、記録媒体が更に狭トラック化し高保磁力化しても十分な書き込み能力を有する記録ヘッドを提供する。
【解決手段】少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極、ヨーク、リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上の元素を含有し、さらにＳを０.５ｗｔ％−１.０ｗｔ％の組成比で含有する磁性膜であり、結晶粒の膜面に平行な面の格子定数ａと膜面に垂直な面の格子定数ｂの比（ａ／ｂ）が０．９９５以下である、薄膜磁気ヘッドを提供する。本発明の薄膜磁気ヘッドを用いると、薄膜磁気ヘッドの主磁極に使用される磁性膜が薄膜化しても、高Ｂｓを得ることができる。また、記録周波数が高周波数化しても、高μを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気薄膜構造体、磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に遷移金属窒化物で下地層を形成し、下地層上に磁気異方性エネルギーが１０^６ないし１０^８ｅｒｇ／ｃｃである磁性物質からなり、単位記録領域である複数の磁性ドットを備える磁気記録媒体及びその製造方法である。ドットをなす磁性物質は、Ｌ１_０構造を有する。下地層は、磁気記録層と対向する結晶面が（００１）面である。下地層は、磁気記録層と５ないし１５％の格子不整合を有する。 （もっと読む）