【課題】Ｃｏ、Ｒｕなどの希少金属を用いることなく、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルを提供すること。
【解決手段】第１磁性層と第２磁性層とが非磁性層を介さず、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体磁気記録媒体ならびに垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルであって、第１磁性層がスピネル型または逆スピネル型のイオン結晶構造をもつ酸化物からなり、第２磁性層が単体で強磁性を有する金属または、単体で強磁性を有する金属を含む合金からなる。 （もっと読む）

【課題】 厚さが薄く、垂直磁気記録層における磁性体の配向分散を減少させることができ、かつ、安価に製造できる下地層を有する垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 平坦な非磁性基板１の上に、軟磁性裏打ち層２としてＣoＺrＮb系合金層を形成する。続いて第３下地層３および第２下地層４を形成した後、第１下地層５としてＲu層を形成する。次にＣoＣrＰt系合金からなる磁性体微結晶とＳiＯ₂またはＴiＯ₂からなるグラニュラ構造の垂直磁気記録層６を形成して、垂直磁気記録媒体１０を作製する。本発明の特徴として、Ｔaからなる第２下地層４と、ＨfまたはＺrの単体、或いはその合金からなる第３下地層３を形成する。合金はＮi、Ｔa、Ｒu、Ｃo、またはＺrとの合金であり、ＨfまたはＺrの分率が１０ａｔ％以上である。上記の構成で、Δθ₅₀を３度程度、第３下地層３と第２下地層４の合計膜厚を３．５ｎｍ程度に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】構成要素であるナノマグネットの形状を選択することで磁気特性を設計可能な磁性論理素子を提供すること。
【解決手段】 ３次又は５次の回転対称性を有するナノマグネットを有し、前記ナノマグネットが超常磁性となりかつ実質的に磁気ヒステリシスをなくし、その結果前記ナノマグネットの磁化は適用された磁場の現在値のみに依存し、前記磁場の履歴には依存しなくなるように前記回転対称性が選択されている。単純な材料に対して、単に構成要素であるナノマグネットの対称性を変化させることにより、新規で多様な特性を付与でき、桁外れに広い範囲を有する人工磁性材料をつくり出すことができる。 （もっと読む）

【課題】良好な熱安定性と良好な記録・再生特性をともに有し、高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地層と垂直磁気記録層と保護層を有する垂直磁気記録媒体において、垂直磁気記録層を、主記録層と非磁性中間層と補助層から構成し、主記録層を、磁性結晶粒子とそれを取り囲む粒界領域を有し、かつ垂直磁気異方性を有する材料から構成し、補助層を、負の結晶磁気異方性を有する材料から構成し、非磁性中間層を、主記録層と補助層の間に形成し、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒから選択される少なくとも一種の金属または合金から構成する。 （もっと読む）

【課題】スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗効果素子において、適当な材料をピン層およびフリー層のうち少なくとも１層に配置することにより、抵抗変化量を大きくする。
【解決手段】磁化の方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化の方向が外部磁場に応じて変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に形成された非磁性中間層と、前記磁化固着層、非磁性中間層および磁化自由層の膜面に対して略垂直にセンス電流を通電するための電極とを具備し、前記磁化固着層が実質的に、（ｉ）一般式Ｆｅ_aＣｏ_100-a（ここで、２５原子％≦ａ≦７５原子％）で表される２元合金から形成された２つ以上の層と、（ii）Ｃｕで形成された厚さ０．１ｎｍから１ｎｍの１つ以上の層とを交互に積層した構造を有することを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】熱処理による磁気抵抗変化率の劣化を抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】対の強磁性層（磁化固定層５と磁化自由層７）が中間層６を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、対の強磁性層５，７のうち少なくとも一方は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉを主成分とし、非晶質化のための添加元素として、Ｃ，Ｐ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｏのいずれか１種以上を含み、結晶化温度が６２３Ｋ以上である非晶質強磁性材料を含む磁気抵抗効果素子１と、この磁気抵抗効果素子１を厚み方向に挟むビット線及びワード線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の記録再生時のノイズを抑えつつ、適切な保磁力Ｈｃを有するよう、補助記録層を改善し、さらに、補助記録層が、生産の再現性、量産性を得られるだけの十分な厚さを有する、垂直磁気記録媒体を提供。
【解決手段】少なくともコバルト（Ｃｏ）を含有する結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性物質を含むグラニュラー構造の磁気記録層２２と、磁気的に連続した薄膜からなる補助記録層２４とを備える垂直磁気記録媒体１００において、補助記録層２４はコバルト、クロム（Ｃｒ）、プラチナ（Ｐｔ）を含有する単層からなり、補助記録層２４の膜厚は４〜１２ｎｍであり、当該垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎ比は１７〜２５（ｄＢ）であり、当該垂直磁気記録媒体の保磁力は３５００〜５０００（Ｏｅ）であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 結晶粒の小さな微結晶金属薄膜を用いた磁気記録媒体及びその製造方法、並びに微結晶金属薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ニッケル、鉄、コバルトを含む遷移金属から選択される少なくとも１種の金属とＩＶ族元素とを含み、軟磁性体である多結晶薄膜からなる微結晶金属薄膜１０２を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、交互する異なった材料組成の第一強磁性層と第二強磁性層とを包含する構造を形成する方法に関する。
【解決手段】最初に、少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスと、導電ベース層とを包含する基材が形成される。次いで、少なくとも一つの強磁性金属元素と、さらなる一つ以上の異なった金属元素を包含する電気メッキ液の中で該基材の電気メッキが行われる。交互する高電位と低電位とを有するパルス電流を基材構造の導電ベース層に印加し、これにより、支持マトリックスの開孔中に、交互する異なった材料組成の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子１は、磁化の方向が固定された第１磁化固定層２を含む。磁化可変層３は、磁化の方向が可変で、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎから選ばれる少なくとも１つの元素と、を含む。第１中間層４は、第１磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。第１磁化固定層と第１中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって磁化可変層の磁化の方向が可変とされる。 （もっと読む）

【課題】 ＩｒとＭｎとを含む反強磁性のピニング層の表面の平坦度を高めることができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 基板の主表面上に、ＮｉＦｅＮで形成されている下地層(2)が配置されている。その上に、ＩｒとＭｎとを含む反強磁性材料で形成されているピニング層(3)が配置されている。その上に、ピニング層と、直接または他の強磁性材料層を介して交換結合することにより磁化方向が固定される強磁性材料からなるレファレンス層(4ｃ)が配置されている。その上に、非磁性材料からなる非磁性層(7)が配置されている。その上に、外部磁場の影響によって磁化方向が変化する強磁性材料からなるフリー層(8)が配置されている。 （もっと読む）

【課題】膜の厚みを抑えて渦電流損失を低減しつつ、良好な高周波特性を得ることができる高周波用磁性薄膜及びそれを利用した高周波用磁性デバイスを提供する。
【解決手段】反強磁性層１６の厚みｔAFが薄い領域ＷＡでも、強磁性共鳴から求めた交換結合の強さＪｃの値が増大している（黒丸参照）。これは、反強磁性層１６の厚みｔAFが薄くても強磁性層１４と反強磁性層１６の間に交換結合が存在しており、その強さＪｃは、交換バイアス磁界Ｈｅから決定した交換結合の強さＪｃ（白丸）よりも大きい。従って、領域ＷＡにおける大きな強磁性層−反強磁性層間交換結合を利用することで、優れた高周波透磁率特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層５１と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、エッチング領域５１Ｅに対応する磁性層５１を核にして内包片５１ａを内包したＣＮＴを成長させた後、同ＣＮＴを基板Ｓ上から除去させた。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を発現すると共に製造に伴う欠陥の少ないＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】このＭＴＪ素子３１は、反強磁性層２６と、ＡＰ２層、結合層およびＡＰ１層からなるＳｙＡＦピンド層２７と、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８と、フリー層２９と、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子）を含むキャップ層３０とを順に備える。ＳｙＡＦピンド層２７におけるＡＰ１層は、反強磁性層２６の側から順に積層された非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む。キャップ層３０は酸素原子に対する高い吸着能力を有するので、隣接するフリー層２９における酸素原子の含有率が低減される。また、キャップ層３０の構成原子がフリー層２９へ拡散する現象は抑制される。さらに、結晶質ＣｏＦｅ層の存在により、ピンホールなどの欠陥の少ない、均質化されたトンネルバリア層が得られる。 （もっと読む）

【課題】メモリセル中に形成された磁壁を移動させ記録状態消去状態を実現する磁壁移動型メモリセルに於いて、情報記録層となる磁性体の磁化を低減させ記録電流、記録磁界の低減をはかることにより、高速・低電流で動作し、高密度なＭＲＡＭ実現可能であることを提供する。
【解決手段】磁壁を生成する磁性層に非金属元素を添加する、あるいは磁性層と非金属元素を周期的あるいは非周期的に積層させた多層構造を作製することにより磁化を低減し、記録電流を抑制する。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、基板Ｓ上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスＬを供給し、エッチング領域５１Ｅとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域５１Ｅの磁性層５１をメタロセンＭＣにして排気させた。 （もっと読む）

【課題】アニール処理の温度を比較的低く抑えても高いスピン分極率が得られるホイスラー合金層を、その磁歪を小さく抑えることによってフリー層中に採用可能にし、それによって高いＭＲ比を達成することができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されたピンド層４３と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層４５と、ピンド層４３とフリー層４５との間に設けられている非磁性のスペーサ層４４とを含み、フリー層４５は、ホイスラー合金層４５ｃと、４族元素、５族元素、または６族元素からなる磁歪低減層４５ｂとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】磁性結晶粒子が互いに面内方向で空隙により分離された構成の記録層を有する垂直磁気記録媒体において、磁性結晶粒子の粒子サイズの面内分散を低減する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板（１１）と、第１下地層（１５）と、記録層（１７）と、前記第１下地層と記録層の間に挿入される結晶粒サイズ抑制層（１９）を備える。第１下地層は、基板に対して垂直方向に延びるＲｕ又はＲｕ合金の結晶粒子（１５ａ）と、前記結晶粒子を面内方向で互いに隔てる空隙部（１５ｂ）を含む。記録層は、前記基板に対して垂直方向に延びる磁性結晶粒子（１７ａ）と、前記磁性結晶粒子を面内方向で互いに隔てる空隙部（１７ｂ）を含む。前記結晶粒サイズ分散抑制層（１９）は、前記基板に対して垂直方向に延びるＣｏ基合金結晶粒子（１９ａ）と、前記Ｃｏ基合金結晶粒子を面内方向で互いに隔てる酸化物（１９ｂ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体における磁気記録層の配向性を改善し、さらに磁気記録層における初期成長層を低減することにより、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能の向上の実現。
【解決手段】非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を順次有し、下地層が軟磁性であり、中間層が非磁性であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】飽和保磁力Ｈｃ、異方性磁界Ｈｋが低く、かつ飽和磁束密度Ｂｓの高い軟磁性層の形成方法を提供する。
【解決手段】基板９上に、軟磁性材料を用いた電気めっきにより、互いに交差する第１軸磁化方向および第２軸磁化方向を有する磁性層を形成する。そののち、第１軸磁化方向に第１磁界を印加しつつ軟磁性層を加熱し（第１アニール工程）、次いで、第２軸磁化方向に第２磁界を印加しつつ軟磁性層を加熱する（第２アニール工程）。２段階アニール処理により、磁性層の磁化容易軸飽和保磁力Ｈｃｅ，磁化困難軸飽和保磁力Ｈｃｈおよび異方性磁界Ｈｋが低減される。 （もっと読む）