【課題】記憶層にかかる漏れ磁場をキャンセルするために用いる磁性層の膜厚を低減することを可能にする。
【解決手段】膜面に略垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が可変の記憶層２と、記憶層上に設けられた第１の非磁性層４と、第１の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に略垂直方向の磁気異方性を有する参照層６と、参照層上に設けられた反強磁性層８と、反強磁性層の上に設けられ、かつ膜面に略垂直方向の磁気異方性を有するとともに参照層の磁化の向きと反平行の磁化を有する強磁性層１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】金属ガラス物品を製造する場合に、その物品の大きさや立体形状にかかわらず容易かつ迅速に対応できる金属ガラス物品の製造方法の提供。
【解決手段】この発明は、金属ガラス物品を製造する方法であって、第１工程と第２工程を基本とする。第１工程では、粉末状の金属ガラス３を所定の厚さに敷き詰めて金属ガラス層を形成する。第２工程では、第２工程で形成した金属ガラス層の所定部に対してレーザ光を照射し、当該照射部の金属ガラスを局所的に過熱、溶融して再凝固させ、その所定の厚さからなる所望の凝固形状を作成する。そして、第１工程と第２工程とを交互に繰り返し、金属ガラスで所望の立体形状を作成する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体及び記憶装置において、記録密度を更に向上することを目的とする。
【解決手段】非磁性グラニュラ層と、前記非磁性グラニュラ層上に設けられた記録層を備え、前記記録層は、前記非磁性グラニュラ層上に設けられた第一グラニュラ磁性層と、前記第一グラニュラ磁性層上に設けられた第二グラニュラ磁性層を有し、前記非磁性グラニュラ層の金属粒子を磁気的に分離する非磁性材料が、前記第一グラニュラ磁性層の磁性粒子を磁気的に分離する非磁性材料とは異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】低コストでホイスラー合金の規則化を促進させ、高い磁気抵抗効果を実現すること。
【解決手段】下地層１１に自由磁化層１２、非磁性層１３、固定磁化層１４、反強磁性層１５および保護層１６を積層した積層構造を有する磁気抵抗効果素子１において、自由磁化層１２を固定磁化層１４のうち少なくともいずれか１層をホイスラー合金で形成し、下地層、非磁性層１３、保護層１６のうち少なくとも１層をＢ２規則化構造の合金層で形成する。 （もっと読む）

【課題】 特に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１軟磁性層１３と第２軟磁性層１５との間に、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＲｕあるいはＰｔのうち少なくともいずれか１種で形成された金属挿入層１４が挿入されている。前記第１軟磁性層１３と前記第２軟磁性層１５は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第１軟磁性層１３と絶縁障壁層５との間にはエンハンス層１２が形成されている。これにより、絶縁障壁層５がＭｇ−Ｏで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層内にＴａ層を挿入した形態に比べて、上下シールド層間のギャップ長（ＧＬ）を小さくしつつ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、例えば、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。前記エンハンス層１２は例えばＣｏ−Ｆｅで、第１軟磁性層１３及び第２軟磁性層１５は例えばＮｉ−Ｆｅで、非磁性金属層１４は例えばＴｉで形成される。前記エンハンス層１２の平均膜厚と前記第１軟磁性層１３の平均膜厚を足した総合膜厚Ｔ５は１９Å以上２８Å以下で形成される。これにより従来に比べて安定して高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さく、かつ厚膜である、優れた高周波用磁性材料、この高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ、携帯電話を提供する。
【解決手段】 基板と、基板上の第１の磁性体層と、第１の磁性体層上の第１の磁性体層と異なる材料の中間層と、中間層上の第１の磁性体層と同じ材料の第２の磁性体層とを有し、磁性体層は、長手方向が基板の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する非晶質の磁性相と、柱状体の間隙を充填する絶縁体相とから成る複合磁性膜であり、基板の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料、この高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ装置および携帯電話。 （もっと読む）

【課題】低保磁力と低い残留磁束密度をもつ軟磁性膜を備え、この軟磁性薄膜で磁気収束する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に設けられたホール素子２と、このホール素子１上に設けられた軟磁性薄膜６とを備え、軟磁性薄膜６が、少なくともホウ素を含有している。半導体基板１上で、かつホール素子２上に設けられた有機絶縁膜４と、この有機絶縁膜４と軟磁性薄膜６との間に設けられた金属導電層５とを備え、軟磁性薄膜６が、金属導電層５上で少なくとも１個以上のホール素子２の感磁部を覆うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 軟磁気特性を高く維持した上で、耐候性に優れた垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｃｏ_{１００−Ｘ}−Ｆｅ_Ｘ）_{１００−Ｙ}−Ｎｉ_Ｙ）_{１００−（ａ＋ｂ＋ｃ）}−Ｍ１_ａ−Ｍ２_ｂ−Ｗ_ｃ、５≦Ｘ≦８０、０≦Ｙ≦２５、２≦ａ≦６、２≦ｂ≦１０、０．５≦ｃ≦５で表され、残部不可避的不純物からなるＣｏ−Ｆｅ系合金であって、前記組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素、前記組成式のＭ２元素が（Ｔａ、Ｎｂ）から選ばれる１種もしくは２種の元素である軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金である。 （もっと読む）

【課題】磁気異方性の方向のバラツキを低減した磁性膜を形成可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード８０２と、回転可能なステージ８０１と、回転可能な遮蔽板８０５とを備える。上記スパッタリング装置は、スパッタリング中において、ターゲット８０３ａから発生したスパッタ粒子のうち、基板８０４の法線との成す角度が０°以上５０°以下の角度で入射するスパッタ粒子を基板８０４に入射させるように、カソード８０２、ステージ８０１、および遮蔽板８０５の少なくとも１つの回転を制御する。 （もっと読む）

【課題】磁性膜を基体に付着させる際の適切な形成条件を定め、磁性膜の膜厚が２μｍを超えるような場合であっても剥離の生じないような磁性膜付着体の製造方法を提供すること。
【解決手段】磁性膜５を基体３に付着してなる磁性膜付着体１０の製造方法を提供する。この製造方法は、基体３を準備する工程と、交互に積層された有機物膜６及びフェライト膜７からなる磁性膜５を基体３上に形成する工程とを備える。この製造方法において、磁性膜５を形成する工程は、２０μｍ以下の膜厚を有するフェライト膜７をフェライトメッキ法により形成する工程と、０．１μｍ以上２０μｍ以下の膜厚を有する有機物膜６であって当該有機物膜６の膜厚ｔとヤング率Ｅとの比ｔ／Ｅが０．０２５μｍ／ＧＰａ以上である有機物膜６を形成する工程とを交互に行うものである。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比のバイアス依存性を改善し、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】飽和磁化の異なる固定層１３と自由層１５を有し、かつホイスラー合金などの高スピン散乱材料を有する磁気抵抗効果素子において、固定層と自由層のうち飽和磁化が低い方の磁性層から高い磁性層の方に電子が流れるようにバイアス電圧を印加することで、高ＭＲ比と高バイアス耐性を両立し、高い再生出力を実現する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波周波電磁界において高誘電率及び高透磁率の両方を備えた磁気−誘電素子を含むラジオ−周波数デバイスでを提供する。
【解決手段】１ＧＨｚにおいて１０以上の透磁率を示す磁性材料（１６，１８）と１ＧＨｚにおいて１０以上の誘電率を示す誘電材料（１２，２２）とを備えた複合薄膜（１０）を含む磁気−誘電素子を使用するラジオ−周波数デバイスであり、前記磁性材料から形成された層が、交換結合を用いて反強磁性層（２０）と結合された強磁性層によって構成される。前記誘電材料の層が、タンタル、チタン、ハフニウム、ストロンチウム及びニオビウムの酸化物、並びにペロブスカイトであって、特にバリウム及びストロンチウムのチタン酸塩を含む群から選択され、真空筐体内でのイオンビームスパッタリングによって蒸着される。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子（磁気ヘッド）のコア幅を微細化とすることができる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドの製造方法及び磁気再生記録装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１０は、下地層１１と、反強磁性層１２と、ピンド層（固定側磁性層）１３と、非磁性中間層１４とが順次積層された状態で形成されるとともに、非磁性中間層１４の上面に形成された自由側磁性層（フリー層）１５の一部には、自発磁化を有する磁性金属３０を内部に内包したナノチューブ２０を有する。 （もっと読む）

【課題】軟磁性下地層の高い透磁率と反強磁性結合との両方を実現できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、複数の軟磁性層を反強磁性結合させた軟磁性下地層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とが積層されてなる磁気記録媒体であって、軟磁性層は、Ｆｅを第１の主成分、Ｃｏを第２の主成分として、さらにＴａを含み、軟磁性下地層は、複数の軟磁性層の間に挟まれるスペーサ層の厚みによって変化する反強磁性結合力の２番目以降に現れるピークを用いて反強磁性結合されており、なお且つ、その透磁率が１０００Ｈ／ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 磁気抵抗素子は、マンガンを有する層で形成した反強磁性層と、反強磁性層側に位置し、強磁性体及び白金族系金属を有する層で形成した第一磁化固定層、強磁性体を有する層で形成した第二磁化固定層及び該第一磁化固定層と該第二磁化固定層との間に位置する第一非磁性中間層を有する積層磁化固定層と、強磁性体を有する層で形成した磁化自由層と、積層磁化固定層と前記磁化自由層との間に位置する第二非磁性中間層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化自由層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】スピン注入書き込みに要する電流を低くすることを可能にする磁気抵抗効果素子及び磁気メモリの提供。
【解決手段】磁化の方向が固着された第１磁化固着層４と、磁化の方向が可変な磁化自由層６と、第１磁化固着層と磁化自由層との間に設けられたトンネルバリア層５と、磁化自由層のトンネルバリア層とは反対側に設けられ磁化が固着された第２磁化固着層８と、磁化自由層と第２磁化固着層の間に設けられた非磁性層７とを備え、第１磁化固着層と第２磁化固着層間に電流を流すことにより磁化自由層の磁化の方向が可変となり、第２磁化固着層が、Ｃｏを含む場合には、非磁性層にＭｎ、Ｖ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種の元素を含む金属であり、第２磁化固着層が、Ｆｅを含む場合には、非磁性層にＩｒ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種の元素を含む金属であり、第２磁化固着層が、Ｎｉを含む場合には、非磁性層にＭｎを含む金属である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪、低ＲＡ値および高ＴＭＲ比と維持し、ノイズを低減する。
【解決手段】ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から硼素を含まないＮＢＣ層と、硼素を含有するＢＣ層とが交互に積層された複合構造を有する。ＮＢＣ層は、ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＭ，またはＣｏＦｅＬＭなどからなり、トンネルバリア層と接している。ＢＣ層は、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＦｅＢＭ，ＣｏＢ，ＣｏＢＭ，またはＣｏＢＬＭなどからなり、ＮＢＣ層よりも大きな厚みを有する。ＭおよびＬは、Ｎｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＴｂおよびＮｂのうちのいずれか１種の元素を表す。ＭとＬとは互いに異なる元素である。 （もっと読む）