【課題】ＴＭＲセンサの面積抵抗ＲＡが1.0Ωμm²以下の領域で、ＭＲ比の劣化の少ないＴＭＲヘッドを得る。
【解決手段】第２の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する工程から絶縁障壁層ＭｇＯを成膜する工程にかけて、基板の温度を氷点下１００℃に保つことにより、Ｂ濃度10at%以下でもアモルファス状態のCo-Fe-B合金膜を得ることができる。アモルファスCo-Fe-B合金層上に結晶性の良いＭｇＯを形成することができる。また、MgO上の第３の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する際にも基板を氷点下１００℃に保持しながら形成することにより、Ｂ濃度6at%のアモルファス状のCo-Fe-Bを得ることができる。得られたＴＭＲセンサ膜は低濃度のＢを含むアモルファス状のCo-Fe-B合金膜を含むために、比較的低温(200℃)の熱処理でも大きなＭＲ比が得られる。 （もっと読む）

【課題】配向度の高い希土類磁性薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の希土類高配向磁性薄膜の製造方法は、基材の被覆面上に第１組成の第１被覆層を形成する第１被覆工程と、その第１被覆層上に第１組成とは異なる第２組成の第２被覆層を形成する第２被覆工程とを少なくとも備えてなり、希土類磁性薄膜全体としての合金組成が所望する希土類磁石合金の組成に調整される。これにより、磁化容易軸方向に結晶配向した高配向の希土類磁性薄膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで短時間に作製可能であり、高［１００］垂直配向、高Ｌ１_０規則度、低キュリー温度、及び高結晶磁気異方性を有する、Ｌ１_０ＦｅＰｔ薄膜を備えた磁気記録媒体を製造できる方法、並びに、該方法によって得られるＬ１_０ＦｅＰｔ薄膜を備えた磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【解決手段】ＦｅＰｔ合金とＣｕ酸化物とを含む薄膜を形成する薄膜形成工程、及び該薄膜を加熱する加熱工程を経て、Ｌ１_０規則構造を有したＦｅＰｔ合金とＣｕ酸化物とを含有した磁気記録層を形成する磁気記録媒体の作製方法、および該製造方法で得られる磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】 高速スピン移動トルク書き込み手順を備えた磁気素子を提供する。
【解決手段】 固定磁化方向を有する基準層と、書き込み電流を磁気トンネル接合部に通過させることによって、基準層の磁化方向に対して調整可能な磁化方向を有する第１の記憶層と、前記基準層および第１の記憶層間に配置された絶縁層と、を含む磁気トンネル接合部であって、磁気トンネル接合部が、書き込み電流のスピンを、基準層の磁化方向に垂直に配向されるように偏極する偏極装置をさらに備えることを特徴とし、前記第１の記憶層が、磁化の切り替え時間が１ｎｓ〜１００ｎｓ間に含まれる範囲になるような減衰定数を有する磁気トンネル接合部。改善された書き込み速度および従来のメモリ装置より低い電力消費を有する、開示の磁気トンネル接合部から形成された複数の磁気素子を備える磁気メモリ素子。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法やレーザアブレーション法では基板の加熱処理なしでは得られない固有保磁力の高い膜磁石を、基板を加熱処理することなく得られる製造方法を提供するものである。
【解決手段】 磁石材料を含む電極と導電性の基板との間に所定の間隔を設け、電極と基板との間に電圧を印加してアーク放電を発生させることにより磁石材料を基板の表面に付着させて、内部に平均粒径が２０ｎｍ以上で５００ｎｍ以下の強磁性結晶相が分散した膜磁石を製造する製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、強磁性体からなる上層（２）の磁化の方向を変更させる方法を提供するものであり、ａ）上層（２）は、上層（２）と磁気結合していない下層（３）の上に配置され、下層（３）は、下層（３）の物質の温度がしきい値より高いか低いかにより、上層（２）の磁化方向の変更に適した放射磁界を発生させるか、または発生させないことに適している物質から成り、下層（３）の物質による放射磁界は、上層（２）の強磁性物質の保磁場より強力であり、本方法は、ｂ）下層（３）の温度を、上層（２）と下層（３）の磁化方向が安定した相互配置であり下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない一番目の値から、下層（３）の物質が、不可逆な方法において、上層（２）の磁化方向を変化させるのに適した放射磁界を生じさせる二番目の値へ進むステップ、及びｃ）下層（３）の温度を、二番目の値から、下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない三番目の値へ進むステップ、からなり、温度の変更ステップであるｂ）とｃ）は外部からの磁場を加えることなしに実施されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スピントルク・ベースの磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）を含む、スピントルク磁気抵抗構造体及びデバイスを提供する。
【解決手段】 磁気抵抗構造体、デバイス、メモリ、及びそれらを形成する方法が提示される。例えば、磁気抵抗構造体は、強磁性層と、強磁性層に結合されたフェリ磁性層と、固定層と、非磁性スペーサ層とを含む。磁気抵抗構造体のフリー側は、強磁性層及びフェリ磁性層を含む。非磁性スペーサ層は、少なくとも部分的にフリー側と固定層の間にある。強磁性層の飽和磁化は、フェリ磁性層の飽和磁化と対向する。非磁性スペーサ層は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなるもののようなトンネル障壁層又は非磁性金属層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：７０〜９２％（ただし、Ｎｉは０を含む）、Ｔａ：１〜８％、Ｂ：７％超〜２０％を含有し、かつ、Ｃｏ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．９、Ｆｅ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．６５、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０〜０．３５、およびＢ／Ｔａ：１〜８を満たすことを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体の軟磁性層として用いられる、アモルファス薄膜を作製するための、高ＰＴＦ値を示すスパッタリングターゲット材とこれに使用する低飽和磁束密度原料粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｒを含む軟磁性薄膜を製造するための、粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材おいて、原料粉末としてａｔ％で、Ｃｏ：≦６％、Ｚｒ：１〜２０％に、Ｈｆ：≦２０％、Ｎｂ：≦２０％、Ｔａ：≦２０％を含有し、残部がＦｅ，Ｎｉおよび不可避的不純物からなり、かつ、下記式を満たす原料粉末およびこれを形成したことを特徴とするスパッタリングターゲット材。（ただし、Ｃｏ、Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａは０％を含む）
０．２５≦［Ｎｉ％／（Ｆｅ％＋Ｎｉ％）］−０．０１１×（Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％）≦０．３５ … （１）
Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ≦２０％ … （２） （もっと読む）

【課題】高密度記録を実現する垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１００上に第一中間層１０６、第二中間層１０７、磁気記録層１０８，１０９を備える。第一中間層はＲｕ又はＲｕ合金とする。第二中間層は、ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とし、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成し、膜厚を５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の結晶配向、磁気クラスターサイズを保持しながら、書き込み性能を向上し、記録再生特性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】基板１１上に密着層１２、軟磁性下地層１３、平坦化層１４、シード層１５、中間層１６、磁気記録層１７、保護層１８が順次形成されてなる垂直磁気記録媒体において、シード層１５は第一シード層１５１と第二シード層１５２の積層構造とし、第一シード層１５１はＮｉＷ合金を主成分とするｆｃｃ構造を有する非磁性合金により構成し、第二シード層１５２はＮｉＦｅ合金若しくはＣｏＦｅ合金を主成分とするｆｃｃ構造を有する軟磁性合金によって構成する。 （もっと読む）

【課題】 記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜３と、垂直磁性膜４と、保護膜５とが設けられ、軟磁性下地膜２が、以下の組成で表される材料を含む。
ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｅＸ2−ｆＮ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏのうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｅ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｅ≦１０、３≦ｆ≦３０である。） （もっと読む）

【課題】 基材上に物理蒸着法にて磁性膜を成膜する構造に係り、特に、従来に比べて、通信感度を効果的に向上させることができるＲＦＩＤ用磁性部材及びＲＦＩＤデバイスを提供することを目的としている。
【解決手段】 従来では基材上に磁性膜を単層で成膜したが、本実施形態では、磁性膜７，８を複数層に絶縁膜６ｂを介して分断して物理蒸着法にて積層した。各磁性膜７，８の膜厚は、０．５μｍ以上で３μｍ以下であることが好ましい。また、前記磁性膜の積層数は、２〜８の範囲内にでき、特に、積層数は、２であることが好適である。磁性膜７，８は例えば、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ膜、絶縁膜６ａ，６ｂ，６ｃは例えばＳｉＯ₂膜で形成できる。本実施形態のＲＦＩＤ用磁性部材４を用いることで、従来に比べて、ＲＦＩＤデバイスの通信感度を効果的に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の電気比抵抗の増加率が相対的に小さく、かつ、電気比抵抗の増加率が均一な金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料、及び、これを用いた薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】（１）式で表される組成を有する強磁性粒子と、前記強磁性粒子の周囲に充填されたＭｇ−Ｆ系化合物からなる絶縁マトリックスとを備えた金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料、及び、これを用いた薄膜磁気センサ。
(Ｆｅ_1-xＣｏ_x)_100-z(Ｂ_1-yＳｉ_y)_z ・・・（１）
但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｚ≦２０。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比を大幅に向上させることができ、また熱揺らぎ特性、記録特性を向上させることによって、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを積層してなる磁気記録媒体において、垂直磁性層４を２層以上の磁性層４ａ，４ｂから構成し、当該磁性層４ａ，４ｂの間にＦｅと非磁性材料とを含む合金層７を配置する。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊電圧と漏れ電流特性の改善された薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサの第一電極２と、その反対側の第二電極３と、第一電極と第二電極の間に配置され、ドープされた誘電体層４１を有する誘電体層構造４を含む。ドープされた誘電体層は、ドープ剤をその中に含み、０原子／ｃｍ³より大きく、１０¹⁰原子／ｃｍ³より大きくないドーピング濃度を有する。誘電体層構造には、ドープされていない誘電体層を有してもよい。誘電体層はＳｉＯ２などの酸化物、ドープ剤はＡｌやＣｏなどを含む。電極はＦｅＣｏＮｉを含む強磁性合金からなる。 （もっと読む）

【課題】軟磁性下地層の密度を高め、また表面粗度を低下させることによって、更なる高記録密度化に対応することを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板１の上に、複数の軟磁性層２ａを反強磁性結合させた軟磁性下地層２と、磁化容易軸が非磁性基板１に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、軟磁性層２ａをスパッタリング法で形成し、スパッタリングガスとしてＫｒ又はＸｅを用い、このスパッタリングガスの圧力を０．３Ｐａ以下とする。これにより、高エネルギーのスパッタリング粒子を生成することが可能となり、また、膜中に混入するガス粒子も減少し、密度が高く緻密且つ平坦性の高い軟磁性下地層２が形成可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、摺動耐性や腐食耐性等の耐久性を向上させつつ、薄膜化を図ることのできる保護層を備える磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体上１１０に少なくとも、磁気記録層１２２と、保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００において、保護層１２６は表層側に希ガスの原子を含有し、かつ、保護層のラマン分光法におけるＧピークの高さをＧｈとし、Ｄピークの高さをＤｈとし、Ｇピークの蛍光を含んだバックグラウンド強度をＢとし、Ｇピークの蛍光を除いたピーク強度をＡとした場合、保護層１２６のラマン分光法による測定結果は、Ｄｈ／Ｇｈが０．７８〜０．９６であり、Ｂ／Ａが１．３１〜１．３４であることにより、保護層を薄膜化可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 第１軟磁性層と第２軟磁性層の結晶性を略等しくし、軟磁性層の面内磁気異方性を大きくすることにより、ＯＷ特性およびＳＮＲを向上させた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成は、ディスク基体１１０上に少なくとも、軟磁性層１１４と、磁気記録層１２２を備える垂直磁気記録媒体１００であって、軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄと、第１軟磁性層１１４ｂの下に設けられた結晶調整層１１４ａと、第１軟磁性層１１４ｂと前記第２軟磁性層１１４ｄの間に第１軟磁性層１１４ｂおよび第２軟磁性層１１４ｄが反強磁性交換結合相互作用を及ぼすように設けられたスペーサ層１１４ｃとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気異方性を有し、かつより大きな磁気抵抗効果を発現する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、安定化層１１と、非磁性層１３と、安定化層１１と非磁性層１３との間に設けられ膜面に垂直な方向の磁気異方性を有するスピン分極層１２と、非磁性層１３に対してスピン分極層１２とは反対側に設けられた磁性層１４とを含む。安定化層１１は、スピン分極層１２より膜面内方向の格子定数が小さい。スピン分極層１２は、コバルト（Ｃｏ）及び鉄（Ｆｅ）からなるグループから選ばれる１つ以上の元素を含み、かつＢＣＴ（body-centered tetragonal）構造を有し、かつ膜面に垂直な方向をｃ軸、膜面内方向をａ軸とした場合の格子定数の比ｃ／ａが１．１０以上１．３５以下である。 （もっと読む）