本発明は磁気抵抗メモリデバイスを含む。メモリデバイスは、第１磁性層、第２磁性層、及び第１磁性層と第２磁性層の間の非磁性層を有するスタックからなるメモリビットを含む。第１導電性ラインはスタックに近接して設けられ、メモリビットから情報を読み出すように構成される。第２導電性ラインは、第１導電性ラインがスタックから離れている距離よりはもっとスタックから離れて設けられ、メモリビットへ情報を書き込むように構成される。本発明はまた、クロスポイントアレイ構造における情報の記憶及び再生の方法を含む。
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改良型の新規デバイス及び磁性素子（１００）の形成方法に関し、特に、後続層のナノ結晶成長のシード層となる、結晶構造が不規則配列化されたシード層（１２０）及び／テンプレート層（１２２）を備える磁性素子に関するものであり、この磁性素子は固着化層（１２４）、固着層（１２５）、及び固定層（１２６）を含む。
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島状磁性結晶粒（３２）は第１分離層（３３）に覆われる。島状磁性結晶粒（３６、３８）は結晶層（３５、４１）上に形成される。結晶層（３５、４１）の働きで磁性結晶粒（３６、３８）の配向は揃えられる。結晶層（３５）および磁性結晶粒（３２）の間や結晶層（４１）および磁性結晶粒（３６）の間には非晶質層（３４、３９）が介在する。非晶質層（３４、３９）によれば、製造過程で磁性結晶粒（３２、３６）および結晶層（３５、４１）の間で界面反応は十分に抑制される。磁性結晶粒（３２、３６）の配向は確実に維持される。
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【課題】耐食性や熱特性に優れるＭｎ合金からなる反強磁性体膜において、膜組成や膜質の安定化を図り、室温および高温域で十分な交換結合力を安定して得られるようにする。
【解決手段】反強磁性体膜は、20〜95原子％のＭｎを含み、残部が実質的にＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷおよびＲｅから選ばれる少なくとも1種のＲ元素からなる。このような反強磁性体膜において、Ｒ元素とＭｎとの合金相および化合物相から選ばれる少なくとも1種を有すると共に、最大粒径が50μmを超える単相のＭｎ粒が存在しないスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜してなる反強磁性体膜であって、スパッタリングターゲットからの組成のずれが10原子％以下の膜組成を有する。反強磁性体膜３は強磁性体膜４と積層して交換結合膜２を構成する。 （もっと読む）

本発明は、情報記憶媒体に関し、特に、磁性材料の複数の離散的なアイランドを含む超高密度磁気情報記憶媒体に関する。
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【課題】 低ノイズ化と耐熱擾乱性の向上を両立させる磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 非磁性の基板と、その上に順次堆積された、ＣｒもしくはＣｒ基合金からなる少なくとも１層の下地層、Ｃｏ基合金からなる少なくとも１層の中間層及びＣｏＣｒ基合金からなる少なくとも１層の磁気記録層とを含んでなり、かつ前記下地層及び（又は）前記中間層が、それぞれ、クリプトンガス及び（又は）キセノンガスの存在においてスパッタリング法によって成膜された薄膜であるように構成する。 （もっと読む）

【課題】１０００〜４０００エルステッドの間の保磁力値を持ち、低ノイズの磁気記録媒体を得るためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、Ｃｏ、０より多く２４原子パーセント以下のＣｒ、０より多く２０原子パーセント以下のＰｔ、０より多く２０原子パーセント以下のＢ及び０より多く１０原子パーセント以下のＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、Ａｇ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｉｎ，Ｌａ，Ｌｕ，Ｍｏ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｔｌ，Ｗ及びＹｂからなるグループから選択された１つの元素である。このスパッタターゲットは、更にＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、Ｗ，Ｙ，Ｍｎ及びＭｏからなるグループから選択された１つの元素である。スパッタターゲットは、更に０〜７原子パーセントまでのＸ₃を含み、前記Ｘ₃が、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ及びＩｒからなるグループから選択された１つの元素である。 （もっと読む）

【課題】 より高い抵抗変化率を発現する磁気トンネル接合素子を備えた磁気メモリ構造を提供する。
【解決手段】
磁気メモリ構造３６におけるＭＴＪ素子３７は、フリー層５０の側から順に内部拡散バリア層５１１と酸素吸着層５１２と上部金属層５１３とが積層されてなるキャップ層５１を有している。酸化吸着層５１２がフリー層５０に含まれる酸素原子を吸着することにより、ＭＴＪ素子３７の抵抗変化率が向上する。また内部拡散バリア層５１１によって、酸素吸着層５１２を構成する材料の、フリー層５０への拡散が抑制されるので、磁歪定数が減少し、ねじれ（kink）や渦（vortex）のない良好な磁化曲線（Ｒ−Ｈ曲線）が確保される。したがって、高集積化した場合であっても高精度かつ高感度なスイッチング特性を得ることができる。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（１０）は、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）において有用なものであるが、合成反強磁性体（ＳＡＦ）構造である自由層（１４）を有している。このＳＡＦ（１４）は、カップリング層（２８）によって分離される２つの強磁性層（２６，３０）から構成される。カップリング層（２８）は、非磁性のベース材料と、さらにはＳＡＦ（１４）の耐熱性、カップリング強度の制御性、および磁気抵抗比（ＭＲ）を改善する別の材料も有している。好ましいベース材料はルテニウムであり、好ましい別の材料はタンタルである。これらの利点を高めるために、タンタルと強磁性層のうちの１つとの間の界面にコバルト鉄が加えられる。また、カップリング層（２８）はより多く層をさらに（３８，４０）有してもよく、使用される材料は種々に異なり得る。また、カップリング層（２８）は、それ自体が合金であってもよい。
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【課題】平滑度のよいグラニュラ構造の磁性膜を備え、磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に下地膜２を形成し、その下地膜２上に、強磁性材料と電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いたスパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるターゲットと電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料からなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グラニュラ構造の磁性膜３を成膜し、その上に保護膜４を成膜して磁気記録媒体とする。 （もっと読む）