化学的規則垂直記録媒体及び該媒体の製造方法を提供する。この方法は基板上に(002)配向を有する下層を堆積させる工程を含む。下層の上には(002)配向を有する緩衝層を堆積させる。次に、緩衝層の上には磁気記録層を堆積させる。下層及び磁気記録層は格子ミスフィットを有して、磁気記録層の形成中にひずみエネルギーを誘発する。該ひずみエネルギーが、約400℃未満の基板温度で化学的規則構造を備えた磁気記録層を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機材料のみを用いて室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子およびその製造方法、並びにその利用を提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気抵抗素子は、酸化還元が可能で電子スピンを有する分子が、基板上に配置されている。上記分子は、酸化還元が可能であるため、該磁気抵抗素子に電流が印加されると、上記分子間で電子伝達が起こる。また、上記分子は電子スピンを有するため、常磁性を有する。したがって、上記構成により、室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子を実現できる。 （もっと読む）

【課題】白金層の面に対して垂直方向に高い保磁力を持つ垂直磁気異方性を有する磁性体膜を提供する。
【解決手段】（００１）面方位を持つ白金層と、この白金層上に配置され、前記白金層の（００１）面方位と平行な（００１）面方位を持つ島状の鉄白金結晶体とを備え、
前記島状の鉄白金結晶体は、鉄および白金がそれぞれ５０原子％の組成領域を有することを特徴とする磁性体膜。 （もっと読む）

【課題】 高い磁気異方性エネルギーと微細な結晶粒を両立する、高密度磁気記録に適した情報記録媒体及びそれを装着した情報記録装置を提供する。
【解決手段】 本発明による情報記録媒体は、非磁性基板上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、Ｙ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、ＰｔあるいはＹ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｐｔを主成分とする合金層で構成された非晶質の下地層上にＣｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層する積層膜からなる記録層及び保護層を具備する。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】磁壁を移動させうる磁性物質膜を備える半導体装置であって、磁性物質膜は、ダンピング定数が０.０１５〜０.１であることを特徴とする半導体装置である。前記磁性物質膜は、磁性物質内に非磁性物質が含まれた合金である。前記非磁性物質は、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｂ、Ｚｎ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも何れか一つである。 （もっと読む）

【課題】希薄強磁性半導体及びそれと同様の構造を有する希薄常磁性絶縁体を含む希薄磁性体を提供する。
【解決手段】本発明の希薄磁性体は、Ga₂O₃を母相とし、該母相のGaのうちの0.5%〜15%がV, Cr, Mn, Fe, Co, Niのうちのいずれか１種又は複数種の原子に置換することにより得られる。この希薄磁性体は、酸化雰囲気中又は還元雰囲気中で熱処理をする／しないことによりOの欠損数を調整することができ、それによりほぼ同じ構造を有する希薄強磁性半導体及び希薄常磁性絶縁体の双方を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】強磁性導電体薄膜とトンネル障壁薄膜を整合性よく接合することができ、それにより、接合の不具合による特性の低下が生じることを防ぐことができる磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、GaNにおいてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)N薄膜１１と、Ga₂O₃においてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２の間に、Ga₂O₃から成るトンネル障壁薄膜１３を配置したものである。(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。(Ga, Mn)N薄膜１１は、トンネル障壁薄膜１３を基板としてエピタキシャル成長させることによりトンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。また、(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２は、トンネル障壁薄膜１３と基本的に同じ結晶構造を有するため、トンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた電磁変換特性を有しエラー回数を低減した磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】非磁性支持体上に、放射線硬化性化合物を含む層を放射線照射により硬化させた放射線硬化層、及び、強磁性微粉末を結合剤中に分散した少なくとも１層の磁性層を設けた磁気記録媒体であって、該強磁性微粉末がＦｅ及びＮを少なくとも構成元素とした粒状または回転楕円状の窒化鉄系磁性体であることを特徴とする磁気記録媒体、又、非磁性支持体と磁性層の間に非磁性粉末を結合剤中に分散した非磁性層を設けても良い。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性薄膜を形成するためのＦｅＣｏ系ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＦｅＣｏ系合金において、原料粉末のＦｅとＣｏの質量比がＦｅ：Ｃｏ＝８：２〜７：３である原料粉末Ａと、同じく質量比がＦｅ：Ｃｏ＝２：８〜０：１０なる原料粉末Ｂとを用いて、質量比がＦ：Ｃｏ＝８：２〜２：８となるように原料粉末Ａおよび原料粉末Ｂを混合し、かつ原料粉末Ａと原料粉末Ｂの一方または両方に、Ｎｂ，Ｚｒ，ＴａおよびＨｆの１種または２種以上を原料粉末Ａと原料粉末Ｂの混合状態で合計３〜１５ａｔ％となるように添加したことを特徴とするＦｅＣｏ系ターゲット材およびその製造方法。 （もっと読む）

合成反強磁性（ＳＡＦ）構造は、第１の強磁性層（２１０）、第１の挿入層（２０８）、結合層（２０６）、第２の挿入層（２０４）、および第２の強磁性層（２０２）を含む。挿入層は、ＳＡＦが反強磁性結合強度の温度依存性の低減を発揮するように選択された材料を含む。挿入層は、ＣｏＦｅまたはＣｏＦｅＸ合金を含んでもよい。挿入層（２０８、２０４）の厚みは、一軸異方性を増大させない、あるいは他の特性を劣化させないように選択される。
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【課題】３値以上の多値記録が可能であり、かつ製造の容易なスピン注入磁化反転素子を提供することにある。
【解決手段】スピン注入磁化反転素子において、磁化が第１の方向に実質的に固定された強磁性固定層１３と、非磁性の分離層１４と、磁化の方向が可変の２以上の強磁性フリー層１５、１６、１７を備え、強磁性固定層１３は分離層１４の一方の主面に配置され、前記各強磁性フリー層１５、１６、１７はそれぞれが分離層１４の他方の主面に接して配置する。 各強磁性フリー層１５、１６、１７は、膜厚、磁化反転臨界電流密度または保磁力が全て異なることが好ましい。 また、スピン注入磁化反転素子を用いて磁気記録装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】生産性を高めることが可能な二層記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１１上に非磁性基板１１と平行な面内に磁化容易軸を有する軟磁性層１２を堆積する軟磁性層堆積段階と、軟磁性層１２上に非磁性基板１１に垂直な磁化容易軸を有する記録磁性層１３を堆積する記録磁性層堆積段階とを含む二層記録媒体の製造方法であって、軟磁性層堆積段階が、軟磁性層１２の比透磁率がイオンアシストのない状態の１．２倍以上となるイオンアシストありのスパッタリングにより軟磁性層１２を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 高密度記録ができ、しかも熱揺らぎに対する安定性を高めることの可能な構造を有する磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 非磁性基板１１上に周方向のテクスチャーを設け、非磁性基板１１の上層には、非磁性アモルファス層からなる密着層１２を形成している。この構成により、１．６より大きなＭｒｔ−ＯＲを実現でき、ＡＦＣ構造を適用しなくても、磁気記録ディスクにおける熱揺らぎに対する安定性を高めることができる。また、Ｍｒｔを円周方向で０．３５０ｍｅｍｕ／ｃｍ²より大きく設定したため、熱揺らぎに対する安定性を実用上、問題のないレベルにまで低減でき、かつ、６５Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ²以上の高記録密度化を達成できる。 （もっと読む）

【課題】磁性体同士のナノコンタクト構造を持つ垂直通電型スピンバルブ膜を含み、高ＭＲを実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された強磁性膜を有する磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する強磁性膜を有する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に介在した、絶縁部と磁性金属部とを含む複合スペーサー層と、前記磁化固着層、前記複合スペーサー層および前記磁化自由層の膜面に対して垂直方向にセンス電流を通電するように設けられた一対の電極と具備し、前記磁化固着層を構成し前記複合スペーサー層に接する磁性層がｂｃｃ構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】磁性体と半導体の両方の性質を備えるイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜の伝導性を制御する。
【解決手段】本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、パルスレーザー堆積法によって単結晶基板上にｃ軸配向して成長されたイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜であって、組成式が、
｛ｘＦｅＴｉＯ_３・（１−ｘ）Ｆｅ_２Ｏ_３｝（但し、ｘは全体に対するイルメナイトＦｅＴｉＯ_３の構成比を表し、０〜１の間の値をとる。）で表されることを特徴とする。
本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、所望の伝導性を有し、かつｃ軸配向したイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜からなる。本発明に係る方法により製造された薄膜はｃ軸方向に高配向しており、単結晶と同程度の品質を具備している。 （もっと読む）

【課題】マグネチックドメイン移動を利用した磁気メモリを提供する。
【解決手段】複数のマグネチックドメインが形成され、該マグネチックドメインからなるデータビットがアレイに保存されうるメモリトラックを具備し、該メモリトラックは、非晶質軟磁性物質からなることを特徴とする磁気メモリである。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、磁性結晶粒を十分微細化且つ均一化し、再現性良く成長させて、Ｓ／Ｎ比を高める。
【解決手段】 Ａｌ系合金基板或いはガラス基板からなる非磁性基板１上に少なくともアモルファス膜２を介してＣｏ層或いはＣｏ合金層のいずれかからなるとともに、互いに分離し、Ｃｒ系下地層（４）で覆われた島状膜からなるシード層３を設ける。 （もっと読む）

【課題】高出力の磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】ＧＭＲ膜３０は、下地層３１、下部反強磁性層３２、下部固定磁化積層体３３、下部非磁性金属層３７、下部界面磁性層３８、自由磁化層３９、上部界面磁性層４８、上部非磁性金属層４７、上部固定磁化積層体４３、上部反強磁性層４２、保護層４０が順次積層された構成を有する。自由磁化層３９はＣｏＦｅＡｌ膜からなり、磁気抵抗変化量ΔＲＡがＣｏＦｅ膜よりも大きい。さらに、下部および上部界面磁性層３８，４８はＣｏＦｅＮｉを主成分とするので、スピン依存界面散乱が増加し、磁気抵抗変化量ΔＲＡがさらに増加する。さらに下部および上部界面磁性層３８，４８にＣｏＮｉＦｅ膜を所定の組成とすることで、ＣｏＦｅＡｌ膜単体の場合よりも保磁力が低下し、信号磁界に対する感度が良好になる。 （もっと読む）

【課題】２種の合金材料を同時にメッキする必要の無い、新規なＬ１０規則合金相を有する構造体の製造方法、磁気記録媒体および永久磁石を提供する。
【解決手段】Ｐｔ又はＰｄのいずれかの金属Ｘからなる膜面に対して垂直な多数の柱状部材１１と、該柱状部材を取り囲むマトリックス２から成る薄膜を用意する工程と、該マトリックッス２の一部または全部を除去する工程と、該マトリックスの除去により露出した金属Ｘからなる柱状部材の表面をＦｅ、Ｃｏ又はＮｉのいずれかの金属Ｙで被覆する工程と、熱処理により金属Ｘ及び金属Ｙを含むＬ１０規則合金相を形成する工程とを有する構造体の製造方法。微細なＦｅＰｔ等のＬ１０規則合金相が内包された構造体を用いた磁気記録媒体および永久磁石。 （もっと読む）

【課題】極めて安定なペロブスカイト構造を有し、強磁性及び強誘電性を併有する材料を、超高圧等の特殊環境を要せず安価で比較的容易に製造し、半導体メモリに適用する。
【解決手段】組成式がＡＢＯ₃の結晶格子を有する強磁性・強誘電性材料であって、ＡサイトにＢｉイオン及び少なくとも１種の希土類陽イオンを、Ｂサイトに陽イオンであって超交換相互作用を示す複数種の磁性イオンをそれぞれ含み、強磁性及び強誘電性を併有する材料をキャパシタ膜３に適用し、ＭＦＩＳ−ＦＥＴを構成する。 （もっと読む）