【課題】 ＩｒとＭｎとを含む反強磁性のピニング層の表面の平坦度を高めることができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 基板の主表面上に、ＮｉＦｅＮで形成されている下地層(2)が配置されている。その上に、ＩｒとＭｎとを含む反強磁性材料で形成されているピニング層(3)が配置されている。その上に、ピニング層と、直接または他の強磁性材料層を介して交換結合することにより磁化方向が固定される強磁性材料からなるレファレンス層(4ｃ)が配置されている。その上に、非磁性材料からなる非磁性層(7)が配置されている。その上に、外部磁場の影響によって磁化方向が変化する強磁性材料からなるフリー層(8)が配置されている。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、基板Ｓ上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスＬを供給し、エッチング領域５１Ｅとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域５１Ｅの磁性層５１をメタロセンＭＣにして排気させた。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を発現すると共に製造に伴う欠陥の少ないＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】このＭＴＪ素子３１は、反強磁性層２６と、ＡＰ２層、結合層およびＡＰ１層からなるＳｙＡＦピンド層２７と、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８と、フリー層２９と、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子）を含むキャップ層３０とを順に備える。ＳｙＡＦピンド層２７におけるＡＰ１層は、反強磁性層２６の側から順に積層された非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む。キャップ層３０は酸素原子に対する高い吸着能力を有するので、隣接するフリー層２９における酸素原子の含有率が低減される。また、キャップ層３０の構成原子がフリー層２９へ拡散する現象は抑制される。さらに、結晶質ＣｏＦｅ層の存在により、ピンホールなどの欠陥の少ない、均質化されたトンネルバリア層が得られる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一方の強磁性体にスピン分極率がほぼ１００％のフルホイスラー合金を具えるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いＭｇ層を具えている。フルホイスラー合金は、Ｘ_２ＹＺの組成式で表わされる金属間化合物であることが好ましい。特に、フルホイスラー合金は、Ｃｏ_２ＭｎＳｉからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】磁性結晶粒子が互いに面内方向で空隙により分離された構成の記録層を有する垂直磁気記録媒体において、磁性結晶粒子の粒子サイズの面内分散を低減する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板（１１）と、第１下地層（１５）と、記録層（１７）と、前記第１下地層と記録層の間に挿入される結晶粒サイズ抑制層（１９）を備える。第１下地層は、基板に対して垂直方向に延びるＲｕ又はＲｕ合金の結晶粒子（１５ａ）と、前記結晶粒子を面内方向で互いに隔てる空隙部（１５ｂ）を含む。記録層は、前記基板に対して垂直方向に延びる磁性結晶粒子（１７ａ）と、前記磁性結晶粒子を面内方向で互いに隔てる空隙部（１７ｂ）を含む。前記結晶粒サイズ分散抑制層（１９）は、前記基板に対して垂直方向に延びるＣｏ基合金結晶粒子（１９ａ）と、前記Ｃｏ基合金結晶粒子を面内方向で互いに隔てる酸化物（１９ｂ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体における磁気記録層の配向性を改善し、さらに磁気記録層における初期成長層を低減することにより、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能の向上の実現。
【解決手段】非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を順次有し、下地層が軟磁性であり、中間層が非磁性であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】微細構造、面内配向性を両立させて低ノイズ化を図ると共に、良好な被ライト性能を実現した高出力の磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】磁気記録媒体において、CoCrPtB合金からなる記録磁性層を上下二層に別け、下層を高Cr、低Bとし、上層を低Cr、高Bとすることで、低ノイズ化と高出力化を図り、さらに、上層を上下二層に別け、中間層(低Cr、高B層の下層)を高Ptとし、最上層(低Cr、高B層の上層)を低Ptとすることで、膜全体の異方性磁界を増大させずに、面内配向性を改善することができ、低ノイズ化と良好な被ライト性能を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を実現するとともに、信頼性の向上した磁性薄膜を提供する。
【解決手段】磁性薄膜１５は、一対の磁性層７，９と、一対の磁性層７，９の間に挟まれた非磁性中間層８と、を有し、センス電流が一対の磁性層７，９、及び非磁性中間層８の膜面に対して直交方向に流れるようにされている。非磁性中間層８は、ＳｎＯ₂を含む第１の層８２と、第１の層８２を挟んで設けられ、Ｓｎよりも腐食電位の高い材料からなる一対の第２の層８１，８３と、を有している。 （もっと読む）

【課題】電気めっき法による磁性膜を製造する際に、磁性膜の成長が早く、かつ、異常析出の形成を防止する磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被めっき体１の基板１１上に磁性膜１３をめっき法で形成する磁気記録装置の製造方法において、前記磁気記録装置の製造方法は、磁性膜１３を析出させる析出工程と、磁性膜１３に発生する異常析出１４を除去する溶解工程とを有する。生産性の高いＤＣめっき法を用いて磁性膜１３を析出、成長させて、このときに、生ずることがある異常析出１４を除去する。これによって、高生産性と磁性膜の安定した特性の両方を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェーハ等の基板の表面に露出した金属表面に磁性膜、特に合金磁性膜を選択的かつ容易に成膜することができるようにする。
【解決手段】基板の表面に露出した金属表面に磁性膜を選択的に成膜する磁性膜成膜装置であって、磁性膜成膜装置２２は、めっき槽４０内のめっき液３８に表面を接触させて配置した基板Ｗの周囲に該基板Ｗと平行な磁場を発生させる磁場発生装置３４を有する無電解めっき装置３６からなる。 （もっと読む）

【課題】ＳＮＲを改善した垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基板上に設けられた垂直磁気記録層と、基板と前記垂直磁気記録層との間に設けられた軟磁性下地層とを具備する垂直磁気記録媒体である。この垂直磁気記録媒体では、軟磁性下地層は飽和磁化の相異なる複数の軟磁性下地層を含み、少なくとも１つの軟磁性下地層は半径方向に磁化容易軸を有することを特徴とする。 （もっと読む）

この磁性多層膜は、連続する交互の磁性金属層Ｍ、及び、酸化物層、水素化物層または窒化物層Ｏを基板上に備える。前記層Ｍの数が、少なくとも２に等しい。前記層Ｍが、連続である。前記Ｍ／Ｏ界面のレベルにおける前記層の平面に垂直な界面の磁気異方性がある。
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【課題】 特に、従来に比べて、ＲＡや抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の変動を小さく抑え、且つ、層間結合磁界Ｈｉｎを小さくすることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１固定磁性層４ａは、Ｔａで形成された第１挿入層４ａ２が下側強磁性層４ａ１と上側強磁性層４ａ３との間に介在する積層構造で形成されている。前記第１挿入層４ａ２の平均膜厚は３Åよりも大きく６Å以下である。これにより、前記第１挿入層４ａ２を有しない従来と同様のＲＡ及び抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、層間結合磁界Ｈｉｎを従来よりも低減できる。 （もっと読む）

【課題】電磁変換特性、熱安定性が共に優れた長手磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に、シード層と、ｂｃｃ構造を有するCr合金からなる下地層と、ｈｃｐ構造を有するRu合金からなる中間層と、Co-Cr-Pt-B基合金からなる下部記録層と、前記下部記録層と同じ合金の基成分を有し、下部記録層よりＢの原子濃度が大きく、かつ、Ｃｏ原子濃度とＣｒ原子濃度の比が大きな値を有する上部記録層と、保護層とを形成した磁気記録媒体において、前記下部記録層は、第一下部記録層と第二下部記録層との二層からなり、第一下部記録層のＢ原子濃度をＢ１、第二下部記録層のＢ原子濃度をＢ２とした場合に、Ｂ１＜Ｂ２の関係を満たし、かつ第一下部記録層のＣｏ原子濃度とＣｒ原子濃度との比を（Co/Cr）１、前記第二下部記録層のＣｏ濃度とＣｒ濃度との比を（Co/Cr）２とした場合に、（Co/Cr）１ ＜ （Co/Cr）２ の関係を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、信頼性及び機能の高い磁気記録媒体を提供することである。
【解決手段】
基板と、前記基板の一主面側に形成された軟磁性下地膜と、非磁性膜と、中間膜と、記録層と、前記記録層に接触して形成された第一保護膜と、前記第一保護膜に接触して形成された第二保護膜と、前記第二保護膜に接触して形成された第三保護膜を備え、前記記録層が非磁性材料の凹凸パターンに磁性膜が接触して形成されたパターン構造を持つパターンドメディアにおいて、前記第一保護膜および前記第三保護膜の主構成材料をカーボンとし、前記第二保護膜を塗布膜とする。
【効果】
カーボンと塗布膜の密着性が高いので剥離を防止ができ、塗布膜が緩衝材として衝撃を吸収する。 （もっと読む）

【課題】パターン化された磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であり、磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金で形成されたパターン化された磁気記録媒体。これにより、読み出し及び書き込み特性に優れ、高い耐蝕性及び記録密度を有する。 （もっと読む）

【課題】強磁性から常磁性への転移が必要とされる、強磁性体を用いたデバイスを小型化することが可能な磁性制御方法を提供する。
【解決手段】強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、光照射又は電界印加により強磁性半導体１１０に強磁性半導体１１０のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを与えて強磁性半導体１１０内に伝導電子を発生させ、該伝導電子により強磁性半導体１１０における強磁性を担うイオンの価数を変化させて強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性に優れたマグネトプランバイト型化合物から成る柱状構造体が均一に分散された磁性膜を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型基板１３上に形成されたマグネトプランバイト型化合物１１が柱状構造を有し、その長軸方向がマグネトプランバイト型化合物１１の磁化容易軸と一致し、かつ前記長軸方向がペロブスカイト型基板１３に対して垂直である磁性膜。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、主に垂直磁気記録媒体における磁気記録など電子部品用の薄膜を形成するために用いられるＣｏ−Ｂ系ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｂ：０．５〜１０％、残部Ｃｏおよび不可避的不純物よりなるＣｏ−Ｂ系合金であって、該Ｃｏ−Ｂ系合金中に、１０μｍ以下のＣｏ硼化物が分散していることを特徴とするＣｏ−Ｂ系ターゲット材。また、上記、Ｃｏ−Ｂ系合金アトマイズ粉末の焼結体であるＣｏ−Ｂ系ターゲット材およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 特に、プラズマ処理を施す場所を適正化することで、従来よりもＲＡを低減でき、ひいては、従来と同等以下の層間結合磁界Ｈｉｎを得ることができるトンネル型磁気検出素子の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５の直下に位置する第２固定磁性層１２の上面１２ａよりも下側の位置でプラズマ処理を施している。例えば図に示す（１）〜（６）の少なくともいずれか一箇所でプラズマ処理を施す。これによって、ＲＡ（抵抗値Ｒ×素子面積Ａ）を、前記第２固定磁性層１２の上面１２ａにプラズマ処理を施した従来例に比べて低減させることが可能であり、また、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）やＲＡの特性のばらつきを、プラズマ処理自体を行わない比較例に比べて十分に、また、上記の従来例に比べても抑制することが可能である。 （もっと読む）