【課題】軟磁性薄膜を形成するためのＦｅＣｏ系ターゲット材を提供する。
【解決手段】ＦｅＣｏ系合金において、Ｆｅ：Ｃｏのａｔ比が１０：９０〜７０：３０とすることを特徴とする軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材。また、上記にＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５．０ａｔ％含有させてなる軟磁性ＦｅＣｏターゲット材。さらに、上記にＢ，Ｎｂ、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｖのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下含有させてなるＦｅＣｏ軟磁性ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】低周波域ノイズおよび孤立スパイクノイズの低減を可能とした構造の垂直磁気記録媒体とそれを実現するための基板を提供すること。
【解決手段】シリコン基板として多結晶のものを用いることによりＮｉまたはＮｉＰ合金膜等の下地メッキ膜なしに基板上に軟磁性膜をメッキ法で成膜することを可能としている。下地メッキ膜を設けないために顕著なスパイクノイズ低減効果が得られる。１０nm以上１０００ｎｍ以下の厚みの酸化珪素膜１０６を主面に有する直径９０ｍｍ以下の多結晶シリコン基板１０２上に、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚みのメッキ成膜された軟磁性裏打ち層１０２と磁気記録層１０３と保護層１０４と潤滑層１０５が順次積層されて記録媒体とされている。なお、酸化珪素膜１０６と軟磁性裏打ち層１０２との間に１ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚みのＰｄ含有膜１０７を設けるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】パターン化された磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であって、磁気記録層は、多層であり、かつ磁気記録層の間の磁気的相互作用を抑制する手段を備えることを特徴とするパターン化された磁気記録媒体である。ここで、磁気記録層は、第１強磁性層、磁気記録層の間の磁気的相互作用を抑制する手段及び第２強磁性層が順次に積層された構造であり、手段は、軟磁性層でありうる。 （もっと読む）

【課題】 フェライト薄膜は膜を構成する個々の結晶粒が柱状結晶から生成されると均一な薄膜が得られるが、成膜温度を一定条件下に保たないと結晶の柱状が崩れ、粒状の結晶に成膜されやすく、均一なフェライト薄膜の製造は困難であった。そこで、全体にわたって均質で、かつ優れた軟磁気特性を有するフェライト薄膜の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 側面ヒーター５が基体７の側面に配置され、側面の斜め上方向から基体表面が加熱される。基体上にフェライト結晶が成膜されるが、基体表面に充分に熱が照射されることにより、フェライト結晶の上面は常に初期の基体上面の温度と同程度の温度に保つことができるため、均一な柱状結晶を得ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】記録層の磁化容易軸の配向性を向上し、高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に、第１下地層１２、第２下地層１３、第３下地層１４、第４下地層１５、熱安定化層１６、非磁性結合層１７、記録層１８等が順次形成され、基板表面にはテクスチャ１１ａが形成された構成からなる。第１下地層１２はＣｒまたはＣｒＭｎからなり、第２下地層１３はＣｒＭｎからなり、第２下地層１３が第１下地層１２よりもＭｎ含有量が多く設定され、第３下地層１４がＣｒ−Ｘ１合金（Ｘ１＝Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，およびＮｂからなる群のうち、少なくとも一つ）からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い保磁力Ｈｃや逆磁区核形成磁界Ｈｎを維持しつつ、耐衝撃性を高めることの可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、ディスク基体１上に少なくとも第１磁気記録層５、第２磁気記録層６を備える垂直磁気記録方式の磁気記録媒体の製造方法において、第１磁気記録層５および第２磁気記録層６は連続して成長した結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性領域を備えたグラニュラー構造の強磁性層であって、ディスク基体１側の第１磁気記録層は高圧の雰囲気ガス圧でスパッタリング法を用いて成膜し、ディスク基体１から離れて形成する第２磁気記録層は低圧の雰囲気ガス圧でスパッタリング法を用いて成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁障壁層をＡｌ−Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、低いＲＡで且つ高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第２固定磁性層４ｃは、下からＣｏＦｅＢで形成されたＣｏＦｅＢ層４ｃ１、及びＣｏＦｅあるいはＣｏで形成された界面層４ｃ２の順に積層されてなる。前記第２固定磁性層４ｃ上にＡｌ−Ｏから成る絶縁障壁層５が形成されている。このようにＣｏＦｅＢ／ＣｏＦｅ／Ａｌ−Ｏの積層構造とすることで、低いＲＡで且つ高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。さらにＲＡや抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）のばらつきを従来に比べて抑制できる。 （もっと読む）

【課題】確実に磁性結晶粒の微細化に貢献することができる多結晶構造膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】島状磁性結晶粒３２は第１分離層３３に覆われる。島状磁性結晶粒３６、３８は結晶層３５、４１上に形成される。結晶層３５、４１の働きで磁性結晶粒３６、３８の配向は揃えられる。結晶層３５および磁性結晶粒３２の間や結晶層４１および磁性結晶粒３６の間には非晶質層３４、３９が介在する。非晶質層３４、３９によれば、製造過程で磁性結晶粒３２、３６および結晶層３５、４１の間で界面反応は十分に抑制される。磁性結晶粒３２、３６の配向は確実に維持される。 （もっと読む）

【課題】大きなＭＲ比を示すＴＭＲ素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層４と磁化自由層６の間にトンネルバリア層５を有し、磁化自由層６上にキャップ層７を設けたＴＭＲ素子１において、トンネルバリア層５をＭｇＯ膜により構成し、磁化自由層６をＣｏＦｅＢ膜により構成すると共に、そのＣｏＦｅＢ膜直上に、それに接するようにＴｉ膜を形成してキャップ層７を構成する。これにより、ＴＭＲ素子１のＭＲ比を大幅に向上させることができる。また、このようなＴＭＲ素子１を磁気ヘッドやＭＲＡＭに用いることにより、その高性能化を図ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】優れた短波長記録特性と同時に化学的にも極めて安定で高い信頼性を有する磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】少なくとも鉄および窒素を構成元素とし且つＦｅ₁₆Ｎ₂ 相を含む平均粒子サイズが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の粒状ないし楕円状の磁性粉の表面にリン酸化合物を単位比表面積当たり４．６×１０^-4〜３．２×１０^-3ｇ／ｍ² 結合させ、得られた磁性粉を用いて磁性層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の向上が図れる磁気抵抗素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層とを有し、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層の少なくともいずれかは、式Ｍ１_ａＭ２_ｂＸ_ｃ（５≦a≦６８、１０≦ｂ≦７３、２２≦ｃ≦８５）で表される磁性化合物を有し、Ｍ１は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素、Ｍ２は、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素、Ｘは、Ｎ，Ｏ，Ｃから選択される少なくとも一種の元素である。 （もっと読む）

【課題】高密度に記録可能で、Ｓ／Ｎ比が高い磁気記録媒体及びその効率的な製造方法、並びに情報記録再生能に優れた磁気記録再生装置の提供。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、化学合成により作製した磁性ナノ粒子を少なくとも含む分散液を、被加工面上に塗布して磁性膜を形成する磁性膜形成工程と、該磁性膜に対し、磁場中にて熱処理を行う第１熱処理工程と、該第１熱処理工程の後、前記磁性膜上に磁性材料をスパッタ法により堆積させる磁性材料堆積工程と、該磁性材料が堆積された前記磁性膜に対し、非磁場中にて熱処理を行う第２熱処理工程とを、少なくとも含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＭＲヘッドを使用する磁気記録再生システムにおいて、高出力と低エラーレートを両立し得る磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】非磁性支持体上に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層ならびに強磁性金属粉末および結合剤を含む磁性層をこの順に有する磁気記録媒体。前記強磁性金属粉末は、平均長軸長が２０〜５０ｎｍの範囲であり、かつＦｅを主体としＦｅに対して２〜９ａｔ．％の量のＹを含み、前記磁性層の表面電気抵抗は１０⁺⁴〜１０⁺⁷Ω／ｓｑの範囲であり、前記磁性層に含まれる結合剤は、結合剤総量に対して５０質量％以下の塩化ビニル樹脂を含む。 （もっと読む）

【課題】書き込みヘッドに高い飽和磁束密度を有する磁気コアを用いてある場合でも、電磁変換特性（特にOW特性）を悪化させることなく、熱揺らぎ問題を解決し、SNRの改善およびPW50の狭小化により、高記録密度を達成する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板１上に、磁気記録膜３と、軟磁性膜４と保護膜５とが備えられてなる磁気記録媒体であって、磁気記録膜３の保磁力が2500Oe以上であり、かつ軟磁性膜４の膜厚が0.2〜0.5nmの範囲であり、前記軟磁性膜４の飽和磁束密度が1.5Ｔ以上であることを特徴とする磁気記録媒体を採用する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて交換結合力が高く、かつ製造が容易な交換結合膜及びその交換結合膜を備えた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る交換結合膜３０は、Ｒｕ−Ｒｈ合金からなる非磁性層３１を２つの強磁性層３２ａ，３２ｂで挟んだ構造を有している。本発明の交換結合膜を磁気ヘッド（読み取り素子）に適用する場合、例えば非磁性層３１の厚さを０．４〜０．５ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜４０ａｔ％とする。また、本発明の交換結合膜を磁気記録媒体に適用する場合、例えば非磁性層３１の厚さを０．４〜０．６ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜７０ａｔ％とする。更に、本発明の交換結合膜をＭＲＡＭに適用する場合、非磁性層３１の厚さを例えば０．３〜０．７ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜４０ａｔ％とする。 （もっと読む）

【課題】高密度記録化を図りつつ、双方向記録再生が可能で、しかも、記録再生時におけるスペーシングロスの発生を回避し得る磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】複数のカラム５をそれぞれ有すると共に磁化容易軸が相反する方向（矢印Ａ１，Ａ２の方向）に傾いている第１磁性層３および第２磁性層４が非磁性支持体２の上にこの順で形成され、両磁性層３，４は、各カラム５における基端部側のそれぞれの一部で構成された初期成長部３ａ，４ａと、各カラム５における先端部側のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部３ｂ，４ｂとを備え、初期成長部３ａ，４ａは各カラム５が非磁性支持体２の厚み方向に成長することで形成され、後期成長部３ｂ，４ｂは各カラム５が非磁性支持体２の長手方向に沿って傾斜しつつ側面視円弧状となるように成長することで形成されている。 （もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗効果素子の薄層化を図るべく、反強磁性層の表面粗さやトンネルバリア層の結晶性の問題を解消し、良好な磁気抵抗特性を得る。
【解決手段】下地層、反強磁性層、第１の固定磁性層、非磁性中間層、第２の固定磁性層、トンネルバリア層、自由磁性層、保護層の順に積層された磁気抵抗効果において、第１の固定磁性層を平滑化することで、非磁性中間層をも平滑化し、第１の固定磁性層と第２の固定磁性層の間に安定した反強磁性交換結合を得ることができる。また、トンネルバリア層をも平滑化し、薄層化した場合においても安定した磁気抵抗特性を得ることができる。さらに、結晶性を必要とするトンネルバリア層においても良好な磁気抵抗特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】微細な磁区と許容範囲内の熱安定比を持ち、高い面密度を有する磁気データ記録層を備える磁気記録媒体及びそのためのスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】磁気データ記録層１０６が、高い磁気異方性定数Ｋｕを有する合金と、酸素と単一元素又は合金のいずれか一方とからなる酸化化合物とを含む。高いＫｕを有するため、約５０〜７０の許容範囲内の熱安定比を維持すると同時に磁気データ記録層の磁区を著しく小さくでき、これにより２００Ｇｂ/ｉｎ²（約３１Ｇｂ/ｃｍ²）より大きな面密度を提供する。更に、そのような磁気データ記録層のスパッタリング用スパッタターゲットを提供する。スパッタターゲットは、高いＫｕを有する合金と、所望の酸化化合物又は反応的スパッタリングプロセスで酸化される元素のいずれか一方とを含む。高いＫｕを有する合金は、少なくとも０．５×１０⁷ｅｒｇ/ｃｍ³（０．５Ｊ/ｃｍ³）の磁気異方性定数を有する。 （もっと読む）

化学的規則垂直記録媒体及び該媒体の製造方法を提供する。この方法は基板上に(002)配向を有する下層を堆積させる工程を含む。下層の上には(002)配向を有する緩衝層を堆積させる。次に、緩衝層の上には磁気記録層を堆積させる。下層及び磁気記録層は格子ミスフィットを有して、磁気記録層の形成中にひずみエネルギーを誘発する。該ひずみエネルギーが、約400℃未満の基板温度で化学的規則構造を備えた磁気記録層を形成する。 （もっと読む）