【課題】低い磁化および低いダンピング定数を合わせ持つ磁性材料を提供する。
【解決手段】Co-Fe-B合金に元素X（CrまたはV）を添加した(Co-Fe)_aX_bB_c (CoとFeの組成比は任意でa=45-80％、b=5-25％、c=15-30％)の組成を持つ磁性材料である。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いマスクの形成を可能にし、磁気記録層のドライエッチングにて微細なパターンの形成を可能にする磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁気記録層と下地層と多孔質膜を順次配置する工程と、該多孔質膜の孔の下部から孔に沿って該下地層を構成する元素を含む酸化物を成長させる工程と、該多孔質膜を除去して基板上に該下地層と該酸化物から成る突起物を得る工程と、該酸化物からなる突起をマスクとして該下地層を通して磁気記録膜をドライエッチングする工程を有する磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性及び耐蝕性を維持しつつ保護層の薄膜化を図ることができる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の上方に形成された磁性層３と、磁性層３の上方に形成された、密度が2.2g/cm³以上の非晶質窒化シリコン膜からなる保護層４と、保護層４上の潤滑層５とを有する。 （もっと読む）

【課題】本基板上に磁性層を成膜したのちに磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法において、従来の磁性層加工型やイオン注入型と比較して格段に製造工程を簡略化し、汚染リスクがすくなく、表面の平滑性に優れた磁気記録媒体が製造可能な方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に磁性層を形成した後、該磁性層の表面を部分的に酸素、ハロゲン等の反応性プラズマにさらし、もしくは該プラズマ中に生成した各種反応性イオンにさらし、該箇所の磁性層を非晶質化せしめ、磁気特性を改質することにより磁気的に分離した磁気記録パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】極めて粒子サイズが小さく、かつ粒状の形状であるにもかかわらず、極めて高い保磁力と、高密度記録に最適な飽和磁化を有する窒素含有磁性粉末の特性を最大限に引き出すための磁性塗膜を得ることを目的とする。
【解決手段】 非磁性支持体上に磁性粉末と結合剤を含有する磁性層を有する磁気記録媒体において、
上記磁性層が磁性粉末と非磁性粉末を含有し、
磁性粉末が鉄および窒素を少なくとも構成元素とし、かつＦｅ_１６Ｎ_２相を少なくとも含む平均粒子サイズが１０〜２０ｎｍの粒状の磁性粉末であり、非磁性粉末の平均粒子サイズが１０〜３０ｎｍであり、かつ磁性層に含まれる磁性粉末と非磁性粉末の合計含有量に対する磁性粉末の含有量が４０〜９０重量％の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気記録に適するパターンメディアとして望ましい２層垂直媒体構造において、個々のビットの磁気的性質の均一化、記録磁化膜の耐食性や機械強度の改善などの点で優れた特性を持つ磁気記録媒体を提供するとともに、1Tb/in²以上の高密度磁気記録が可能な磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気記録媒体は、単結晶基板の上に形成された軟磁性膜と、軟磁性膜の上に形成された非磁性中間層膜と、非磁性中間層膜の上に形成された硬磁性膜とを備え、硬磁性膜が記録単位で隣接ビットと磁気的に分離された構造を持つバターンメディア型の磁気記録媒体において、軟磁性膜(Co膜102)、非磁性中間層膜（Au膜105）、硬磁性膜（Co−26at%Pt合金膜106）のいずれもが単結晶基板101に対してエピタキシャル成長した膜により形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気特性、電磁変換特性及び耐候保存性に優れる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に形成された強磁性金属膜を有する磁気記録媒体であって、前記強磁性金属膜を前記非磁性基板側とは反対側の表面から非磁性基板側に厚み方向に三等分して表面層、中間層及び界面層とした場合の各層におけるグロー放電発光分析装置により測定されるコバルト原子（Ｃｏ）及び酸素原子（Ｏ）のデプスプロファイルにおける酸素原子とコバルト原子との積分強度比Ｏ／Ｃｏが、それぞれ、下記の関係を満たす磁気記録媒体である。
０．９０≦Ｏ／Ｃｏ−１（表面層）≦１．０５
０．８５≦Ｏ／Ｃｏ−２（中間層）≦１．２０
０．７５≦Ｏ／Ｃｏ−３（界面層）≦０．９０ （もっと読む）

【課題】素子抵抗が低く、ＭＲ比の高いトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）を提供すること。
【解決手段】基板１１の上方に下地層１２、反強磁性層１３、ピンド層１４、非磁性結合層１５、リファレンス層１６、トンネルバリア層１７、フリー強磁性層１８、及びキャップ層１９が順に形成されたトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子１０）において、トンネルバリア層１７を、ＭｇＯ膜等の結晶性酸化物膜を低酸素分圧（例えば１０^-7Ｐａ程度の高真空下）下で形成し、その後結晶性酸化物膜を酸素ガス又は酸素を含むガスと接触させる。このようにして形成された結晶性酸化物膜を備えたＴＭＲ素子１０によれば、従来よりも高いＭＲ比が得られる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングでのプラズマダメージを受けて高温になっても基板、磁性層、及びレジスト層が損傷することなく、また、磁性層のエッチングレートが低下せず、基板自体の温度変化が小さいので、膨張及び収縮によるパターンサイズの変化が少なく、磁気特性が安定した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】基板の表面にレジスト層及び磁性層をこの順に有する磁気記録媒体における該レジスト層に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、前記レジスト層に凹凸パターンを形成した磁気記録媒体を冷却する冷却工程と、冷却された前記凹凸パターンをマスクとして、ドライエッチングにより前記磁性層に凹凸形状を形成するドライエッチング工程とを含む磁気記録媒体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】素子サイズを微小にしても、高い磁気抵抗比を維持しつつ磁化反転に必要な電流密度を低くすることができる磁気抵抗効果素子等を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１磁性層４１と、第１磁性層４１の一つの面に対峙する非磁性層４２と、非磁性層４２の第１磁性層４１に対峙する面とは反対の面に対峙して形成される第２磁性層４３と、第１磁性層４１と第２磁性層４３との間に設けられた非磁性層４２と、第２磁性層４３の非磁性層４２に対峙する面とは反対の面に対峙して形成され、Ｇｄ等の希土類金属とＦｅ等の遷移金属との合金からなる第３磁性層４４と、を有し、第２磁性層４３の磁化方向は、第３磁性層４４の磁化方向の反転に応じて反転することを特徴とする磁気抵抗効果素子である。 （もっと読む）

【課題】構成要素であるナノマグネットの形状を選択することで磁気特性を設計可能な磁性論理素子を提供すること。
【解決手段】 ３次又は５次の回転対称性を有するナノマグネットを有し、前記ナノマグネットが超常磁性となりかつ実質的に磁気ヒステリシスをなくし、その結果前記ナノマグネットの磁化は適用された磁場の現在値のみに依存し、前記磁場の履歴には依存しなくなるように前記回転対称性が選択されている。単純な材料に対して、単に構成要素であるナノマグネットの対称性を変化させることにより、新規で多様な特性を付与でき、桁外れに広い範囲を有する人工磁性材料をつくり出すことができる。 （もっと読む）

【課題】良好な熱安定性と良好な記録・再生特性をともに有し、高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地層と垂直磁気記録層と保護層を有する垂直磁気記録媒体において、垂直磁気記録層を、主記録層と非磁性中間層と補助層から構成し、主記録層を、磁性結晶粒子とそれを取り囲む粒界領域を有し、かつ垂直磁気異方性を有する材料から構成し、補助層を、負の結晶磁気異方性を有する材料から構成し、非磁性中間層を、主記録層と補助層の間に形成し、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒから選択される少なくとも一種の金属または合金から構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏ、Ｒｕなどの希少金属を用いることなく、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルを提供すること。
【解決手段】第１磁性層と第２磁性層とが非磁性層を介さず、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体磁気記録媒体ならびに垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルであって、第１磁性層がスピネル型または逆スピネル型のイオン結晶構造をもつ酸化物からなり、第２磁性層が単体で強磁性を有する金属または、単体で強磁性を有する金属を含む合金からなる。 （もっと読む）

【課題】 厚さが薄く、垂直磁気記録層における磁性体の配向分散を減少させることができ、かつ、安価に製造できる下地層を有する垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 平坦な非磁性基板１の上に、軟磁性裏打ち層２としてＣoＺrＮb系合金層を形成する。続いて第３下地層３および第２下地層４を形成した後、第１下地層５としてＲu層を形成する。次にＣoＣrＰt系合金からなる磁性体微結晶とＳiＯ₂またはＴiＯ₂からなるグラニュラ構造の垂直磁気記録層６を形成して、垂直磁気記録媒体１０を作製する。本発明の特徴として、Ｔaからなる第２下地層４と、ＨfまたはＺrの単体、或いはその合金からなる第３下地層３を形成する。合金はＮi、Ｔa、Ｒu、Ｃo、またはＺrとの合金であり、ＨfまたはＺrの分率が１０ａｔ％以上である。上記の構成で、Δθ₅₀を３度程度、第３下地層３と第２下地層４の合計膜厚を３．５ｎｍ程度に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】熱処理による磁気抵抗変化率の劣化を抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】対の強磁性層（磁化固定層５と磁化自由層７）が中間層６を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、対の強磁性層５，７のうち少なくとも一方は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉを主成分とし、非晶質化のための添加元素として、Ｃ，Ｐ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｏのいずれか１種以上を含み、結晶化温度が６２３Ｋ以上である非晶質強磁性材料を含む磁気抵抗効果素子１と、この磁気抵抗効果素子１を厚み方向に挟むビット線及びワード線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の記録再生時のノイズを抑えつつ、適切な保磁力Ｈｃを有するよう、補助記録層を改善し、さらに、補助記録層が、生産の再現性、量産性を得られるだけの十分な厚さを有する、垂直磁気記録媒体を提供。
【解決手段】少なくともコバルト（Ｃｏ）を含有する結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性物質を含むグラニュラー構造の磁気記録層２２と、磁気的に連続した薄膜からなる補助記録層２４とを備える垂直磁気記録媒体１００において、補助記録層２４はコバルト、クロム（Ｃｒ）、プラチナ（Ｐｔ）を含有する単層からなり、補助記録層２４の膜厚は４〜１２ｎｍであり、当該垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎ比は１７〜２５（ｄＢ）であり、当該垂直磁気記録媒体の保磁力は３５００〜５０００（Ｏｅ）であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】バインダー樹脂が不要で、簡単な方法で製造することができ、高い記録密度と耐剥離性とを兼ね備えた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の反応性基を有する第１の膜化合物で表面が覆われた磁性微粒子２１と、第１の反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤１２とを含む混合物を基体３１の表面に塗布し、第１の反応性基と架橋反応基との架橋反応により硬化され磁気記録層が形成された磁気記録媒体１０を得る。 （もっと読む）

【課題】 結晶粒の小さな微結晶金属薄膜を用いた磁気記録媒体及びその製造方法、並びに微結晶金属薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ニッケル、鉄、コバルトを含む遷移金属から選択される少なくとも１種の金属とＩＶ族元素とを含み、軟磁性体である多結晶薄膜からなる微結晶金属薄膜１０２を含む。 （もっと読む）

【課題】比較的に簡単に微小ホールに均一に磁性体を充填することができる複合材およびその製造方法を提供する。または、結晶核の大きさや分散を十分に制御することができる多結晶構造膜を提供する。
【解決手段】複合材３９は非磁性の基体４１を備える。基体４１の表面には微小ホール４２が穿たれる。微小ホール４２内には磁性の微小粒子４３が配置される。こうした複合材３９では、微小粒子４３は微小ホール４２内に確実に配置されることができる。しかも、微小ホール４２の位置は規則的に制御されることができる。こうした微小ホール４２に基づき微小粒子４３は規則的に配置されることができる。 （もっと読む）

【課題】 熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子１は、磁化の方向が固定された第１磁化固定層２を含む。磁化可変層３は、磁化の方向が可変で、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎから選ばれる少なくとも１つの元素と、を含む。第１中間層４は、第１磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。第１磁化固定層と第１中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって磁化可変層の磁化の方向が可変とされる。 （もっと読む）