【課題】垂直磁気記録層の結晶粒の分離と結晶粒径の微細化を両立することで、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも軟磁性裏打ち層と下地層と中間層と垂直磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体において、垂直磁気記録層を１層以上の磁性層から構成し、その内の少なくとも１層を、Ｃｏを主成分とする強磁性結晶粒と酸化物粒界から構成し、その酸化物をＣｅの酸化物と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｙｂ，Ｔａ，Ｗから選ばれる元素の酸化物を含む構成とする。また、Ｃｅの酸化物を含む磁性層の酸化物の総量を４モル％〜１５モル％の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】イオン注入の際にマスクとして用いたレジストを効率よく除去することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。上記フッ素処理によって、イオンの照射により変質したレジストパターンは、上記アッシングによる除去処理に適した物質へ変換される。これにより、アッシング工程において効率よくレジストパターンを除去することが可能となる。また、レジストの残渣量が低減されることで、表面平坦度の高い磁気記録媒体を安定して製造することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】書込み電流の増大や書込みの信用性の向上が図られた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は、基板１１と、基板１１上に設けられたライト線ＷＴと、ライト線ＷＴに対して基板１１の厚み方向に間隔をあけて配置され、ライト線ＷＴの延在方向と交差する方向に延びるビット線ＢＬと、ライト線ＷＴおよびビット線ＢＬの間に位置する磁気記憶素子ＭＭとを備え、磁気記憶素子ＭＭは、磁化方向が固定された固定層１と、外部磁界によって磁化方向が変化する記録層３とを含み、記録層３は合金膜を含み、合金膜はコバルトと鉄とホウ素とを含み、ホウ素は２１ａｔ％より高い。 （もっと読む）

【課題】 磁性結晶粒が均一であり、かつ、反転磁界分散（ＳＦＤ）の狭い熱アシスト記録媒体、およびこれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、ＭｇＯを主成分として含有し、かつ、融点が２０００℃以上の金属元素を少なくとも一種含有していることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】微粒子の六方晶系フェライト磁性粉末の本来の低ノイズを実現することにより、高いＳＮＲを達成する高密度記録に適した磁気記録媒体を得る。
【解決手段】磁気記録媒体において、磁性粉末として、板状比が１〜２の範囲にあり、平均粒子サイズが１０〜２０ｎｍで、かつ保磁力が７９．６〜３１８．４ｋＡ／ｍ（１，０００〜４，０００エルステッド）の範囲に、飽和磁化量が２０〜６０Ａｍ^２／ｋｇ（２０〜６０ｅｍｕ／ｇ）の範囲にある板状の六方晶系フェライト磁性粉末を含有させる。特に、従来の板状の六方晶系フェライト磁性粉末は板状比の高いものが用いられていたのに対して、板状比が１〜２と小さい六方晶系フェライト磁性粉末を用いる。前記六方晶系フェライト磁性粉末は、バリウムフェライトあるいはストロンチウムフェライトの中から選ばれた少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２以上の面記録密度を有する熱アシスト磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも基板１０１の上に、第１の磁性層１０６と第２の磁性層１０７とが順に積層された構造を有し、第１の磁性層１０６が、L１_０構造を有するＦｅＰｔ合金、Ｌ１_０構造を有するＣｏＰｔ合金、又はＬ１_１構造を有するＣｏＰｔ合金の何れかの結晶粒と、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｃのうち少なくとも１種以上の粒界偏析材料とを含むグラニュラー構造を有し、且つ、第１の磁性層１０６中の粒界偏析材料の含有率が、基板１０１側から第２の磁性層１０７側に向かって減少している。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンで形成された記録層を有し記録密度が高く磁気信号の記録の信頼性が高い磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４を構成する記録層１６と、を有し、記録層１６の材料はＣｏ、Ｃｒ及びＰｔを含む磁性粒子と、Ｃｒを含み磁性粒子の間に存在する非磁性材料と、を含む材料であり、記録要素１４を構成するＣｏ、Ｃｒ及びＰｔの原子数の合計値に対する記録要素１４を構成するＣｒの原子数の比率が記録要素１４の側壁部１４Ａにおいて記録要素１４の中央部１４Ｂにおけるよりも低くなるように記録要素１４中にＣｒが偏って分布している。 （もっと読む）

【課題】垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを提供すること。垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、ＭｇＯトンネル障壁によって分離された垂直磁化をもつ強磁性ピンおよび自由層を本質的に含む。金属Ｍｇ堆積とその後の酸化処理によってまたは反応性スパッタリングによって作製されるＭｇＯトンネル障壁の微細構造はアモルファスまたは不完全な（００１）面垂直方向組織をもつ微晶質である。
【解決手段】本発明では、少なくとも強磁性ピン層のみまたは強磁性ピンおよび自由層の両方が、トンネル障壁と強磁性ピン層のみとの間に、またはトンネル障壁とピンおよび自由層の両方との間に位置する結晶好適結晶粒成長促進（ＰＧＧＰ）シード層を有する構造とすることが提案される。この結晶ＰＧＧＰシード層は、堆積後アニーリングに際してＭｇＯトンネル障壁の結晶化および好適結晶粒成長を誘起する。 （もっと読む）

【課題】従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。
【解決手段】非磁性基体上に少なくとも下地層および磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は結晶粒子と非晶質結晶粒界とからなり、該結晶粒子が、（成長初期の底面積）＞（上部の面積）である形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】鮮明な磁気記録パターンを有する磁性層の平滑化プロセスを高速で行うことを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨加工は、回転する研磨パッド１０１を非磁性基板１の表面に押し付けながら、この非磁性基板１の表面と研磨パッド１０１との間に研磨液Ｓを供給し、非磁性基板を回転又は揺動させることにより行い、研磨液Ｓは、単結晶のダイヤモンド粒子と研磨助剤とを含み、ダイヤモンド粒子は、その１次粒子径が１〜１０ｎｍの範囲、その２次粒子径が５０〜１００ｎｍの範囲にあり、研磨助剤は、スルホン酸基又はカルボン酸基を有する有機重合物を含む。 （もっと読む）

【課題】磁性層のパターン形状を精度よく形成できる、歩留まりの高い磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１に、磁性層２と、炭素により構成される炭素マスク層３と、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、Ｔａのいずれかを主として構成される膜厚０．５ｎｍ〜２ｎｍの薄膜１０と、レジスト層４とを順次積層して、前記レジスト層４に前記磁気記録パターンを転写する工程と、前記レジスト層４をマスクにして前記炭素マスク層３を酸素を用いたイオンエッチングによりパターニングする工程と、前記レジスト層４と前記薄膜１０及び前記炭素マスク層３を除去する工程を有することを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】磁性層を備えたトラック及びそれを備える磁性素子を提供する。
【解決手段】複数の磁区及びそれらの間に磁壁を有するトラックと、前記トラックに連結された磁壁移動手段と、前記トラックについての情報の再生及び記録のための読み取り／書き込み手段と、を備え、前記トラックは、前記磁区及び磁壁を有する磁性層と、前記磁性層の第１面に備えられた第１非磁性層と、前記磁性層の第２面に前記第１非磁性層と異なる物質で形成され、原子番号が１４以上である金属及びマグネシウムのうち少なくとも一つを含む第２非磁性層と、を備える磁性素子である。かかる構造に起因して、磁性層は、高い非断熱係数（β）を有する。磁性素子は、例えば、情報保存素子（メモリ）である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気トンネル接合デバイスおよびその製造方法に関する。
【解決手段】磁気トンネル接合デバイスは、ｉ）（Ａ_{１００−ｘ}Ｂ_ｘ）_{１００−ｙ}Ｃ_ｙの化学式を有する化合物を含む第１磁性層と、ｉｉ）第１磁性層の上に位置する絶縁層と、ｉｉｉ）絶縁層の上に位置し、（Ａ_{１００−ｘ}Ｂ_ｘ）_{１００−ｙ}Ｃ_ｙの化学式を有する化合物を含む第２磁性層とを含む。第１磁性層および第２磁性層は垂直磁気異方性を有し、Ａおよび前記Ｂはそれぞれ金属元素であり、ＣはＢ（ホウ素）、Ｃ（炭素）、Ｔａ（タンタル）、およびＨｆ（ハフニウム）からなる群より選択された一つ以上の非晶質化元素である。 （もっと読む）

【課題】 強磁性層における磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】 垂直磁気記録に用いる磁気ディスク１０であって、基体１２と、下地層１８と、グラニュラー構造の微細化促進層２０（非磁性グラニュラー層）と、グラニュラー構造の強磁性層３２を有する磁気記録層２２とを備え、微細化促進層２０は、無機酸化物のマトリックスと、非磁性の金属結晶粒子とを有し、強磁性層３２は、無機酸化物のマトリックスと、金属結晶粒子の結晶方位に応じた所定の方位に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子とを有する。 （もっと読む）

【課題】量産時、ＴＭＲ素子を用いたＭＡＲＭの完成品間で、ＭＲＡＭのメモリー特性にバラツキがあり、不良品発生頻度が高かった。このバラツキは、量産時のＴＭＲ素子のＭＲ比がウエハー製品間で一定値に維持されず、変動していたことが原因していたので、バラツキを抑制する製造方法を提供する。
【解決手段】高周波成分カットフィルターにより高周波成分をカットした直流電力印加の下で、強磁性体ターゲットをDCスパッタリングすることによってアモルファス状態の強磁性体膜を成膜し、そして酸化マグネシウムターゲットを高周波スパッタリングすることによって結晶酸化マグネシウム膜を成膜する工程及び該工程を実行する制御プログラムを備えた成膜スパッタリング装置２００。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで短時間に作製可能であり、高［１００］垂直配向、高Ｌ１_０規則度、低キュリー温度、及び高結晶磁気異方性を有する、Ｌ１_０ＦｅＰｔ薄膜を備えた磁気記録媒体を製造できる方法、並びに、該方法によって得られるＬ１_０ＦｅＰｔ薄膜を備えた磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【解決手段】ＦｅＰｔ合金とＣｕ酸化物とを含む薄膜を形成する薄膜形成工程、及び該薄膜を加熱する加熱工程を経て、Ｌ１_０規則構造を有したＦｅＰｔ合金とＣｕ酸化物とを含有した磁気記録層を形成する磁気記録媒体の作製方法、および該製造方法で得られる磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】記録された磁気信号の安定性に優れ、かつ、熱アシスト磁気記録方式による磁気信号記録の可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】Ｐｔ含有量が４４ａｔ％以上５５ａｔ％以下であり、かつ、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の原子含有量比が０．６４以上０．８以下であるＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金の強磁性結晶粒子を含む磁気記録層５０を磁気記録媒体１に適用する。この磁気記録媒体１は、磁気記録層５０を構成する上記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金が常温では非常に高い異方性磁界を有するため、記録された磁気信号の安定性に極めて優れている。また、この磁気記録媒体１は、磁気記録層５０を構成する上記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金が適切な温度範囲のキュリー点をもつため、熱アシスト磁気記録方式での信号記録が可能である。 （もっと読む）

【課題】スピン消極を引き起こすことなく、また、加熱処理を必要とせずに、［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層構造の十分な垂直磁気異方性を確保する。
【解決手段】このスピンバルブ構造は、上部の［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３の垂直磁気異方性を向上させるため、Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］構造を有する金属層とを含む複合シード層２２を備える。［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３は、ＣｏとＮｉとの界面の損傷を防止し、これにより垂直磁気異方性を保つため、低いパワーと高圧のアルゴンガスとを用いたプロセスにより成膜する。その結果、薄いシード層を用いることが可能となる。垂直磁気異方性は２２０℃の温度で１０時間にわたって熱処理を行った後であっても維持される。この構造は、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子やＣＰＰ−ＴＭＲ素子に適用できるほか、スピントランスファー発振器やスピントランスファーＭＲＡＭにも適用できる。 （もっと読む）

【課題】高密度記録を実現する垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１００上に第一中間層１０６、第二中間層１０７、磁気記録層１０８，１０９を備える。第一中間層はＲｕ又はＲｕ合金とする。第二中間層は、ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とし、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成し、膜厚を５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）