【課題】磁気記録層の結晶配向、磁気クラスターサイズを保持しながら、書き込み性能を向上し、記録再生特性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】基板１１上に密着層１２、軟磁性下地層１３、平坦化層１４、シード層１５、中間層１６、磁気記録層１７、保護層１８が順次形成されてなる垂直磁気記録媒体において、シード層１５は第一シード層１５１と第二シード層１５２の積層構造とし、第一シード層１５１はＮｉＷ合金を主成分とするｆｃｃ構造を有する非磁性合金により構成し、第二シード層１５２はＮｉＦｅ合金若しくはＣｏＦｅ合金を主成分とするｆｃｃ構造を有する軟磁性合金によって構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体及び記憶装置において、記録密度を更に向上することを目的とする。
【解決手段】非磁性グラニュラ層と、前記非磁性グラニュラ層上に設けられた記録層を備え、前記記録層は、前記非磁性グラニュラ層上に設けられた第一グラニュラ磁性層と、前記第一グラニュラ磁性層上に設けられた第二グラニュラ磁性層を有し、前記非磁性グラニュラ層の金属粒子を磁気的に分離する非磁性材料が、前記第一グラニュラ磁性層の磁性粒子を磁気的に分離する非磁性材料とは異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】低コストでホイスラー合金の規則化を促進させ、高い磁気抵抗効果を実現すること。
【解決手段】下地層１１に自由磁化層１２、非磁性層１３、固定磁化層１４、反強磁性層１５および保護層１６を積層した積層構造を有する磁気抵抗効果素子１において、自由磁化層１２を固定磁化層１４のうち少なくともいずれか１層をホイスラー合金で形成し、下地層、非磁性層１３、保護層１６のうち少なくとも１層をＢ２規則化構造の合金層で形成する。 （もっと読む）

【課題】態様は、改良された書き易さを得るための高められた磁気特性を備えた記録媒体に関する。
【解決手段】一様に高い異方性及び狭い反転磁界分布のような、一様な磁気特性を得るように欠陥を減少させて改良された書き易さを可能にする方法、システム及び要素に関する例が示される。一部の例は、媒体の書き易さの改善を最大にするように、硬質層と軟質、半軟質または薄い半硬質の層との間に挿入された交換調整層を持つ記録媒体を有している。交換調整層は粒状であって、磁気記録または記憶装置の硬質層と、軟質、半軟質または半硬質の層との間の垂直結合を減少または最適化することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層内にＴａ層を挿入した形態に比べて、上下シールド層間のギャップ長（ＧＬ）を小さくしつつ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、例えば、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。前記エンハンス層１２は例えばＣｏ−Ｆｅで、第１軟磁性層１３及び第２軟磁性層１５は例えばＮｉ−Ｆｅで、非磁性金属層１４は例えばＴｉで形成される。前記エンハンス層１２の平均膜厚と前記第１軟磁性層１３の平均膜厚を足した総合膜厚Ｔ５は１９Å以上２８Å以下で形成される。これにより従来に比べて安定して高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることを目的とする。
【解決手段】チャンバと、第１の材料で形成された第１のターゲットをチャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、第２の材料で形成された第２のターゲットをチャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、成膜処理時に第１のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面に第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、コーティング処理時に第２のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面以外の部分の第１の材料を覆うように第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備える。 （もっと読む）

【課題】 特に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１軟磁性層１３と第２軟磁性層１５との間に、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＲｕあるいはＰｔのうち少なくともいずれか１種で形成された金属挿入層１４が挿入されている。前記第１軟磁性層１３と前記第２軟磁性層１５は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第１軟磁性層１３と絶縁障壁層５との間にはエンハンス層１２が形成されている。これにより、絶縁障壁層５がＭｇ−Ｏで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】低保磁力と低い残留磁束密度をもつ軟磁性膜を備え、この軟磁性薄膜で磁気収束する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に設けられたホール素子２と、このホール素子１上に設けられた軟磁性薄膜６とを備え、軟磁性薄膜６が、少なくともホウ素を含有している。半導体基板１上で、かつホール素子２上に設けられた有機絶縁膜４と、この有機絶縁膜４と軟磁性薄膜６との間に設けられた金属導電層５とを備え、軟磁性薄膜６が、金属導電層５上で少なくとも１個以上のホール素子２の感磁部を覆うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】傾斜異方性を利用して熱安定性を損なうことなく書込み効率を改善する磁気ビットパターン記録媒体用磁気記録層を得る。
【解決手段】磁気記録媒体の垂直磁気記録層は複数のビットパターン磁気アイランドを含み、その各々が軟磁性下層を覆っている。各磁気アイランドが第２の磁気サブレイヤに隣接する第１の磁気サブレイヤを含み、それは第２のサブレイヤよりも大きい比較的高い磁気異方性を有する。磁気記録層はさらに第３のサブレイヤを含み、それは複数のアイランドの各々と接続するように延びている。第３のサブレイヤは各磁気アイランドの第２のサブレイヤよりも小さい磁気異方性を有し、かつ／または記録媒体の第１のサブレイヤおよび軟磁性下層間を延びる中間層として働くことができ、第１の磁気サブレイヤのより大きな異方性を作り出すのを助ける構造を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体及びその製造方法並びに記憶装置において、記録層をパターニングする際に記録層を形成する磁性粒子の体積の局所的減少を抑えて熱揺らぎの影響を受けにくくすることを目的とする。
【解決手段】非磁性母体の中に磁性粒子を分散させたグラニュラ構造を有する記録層と、記録層に形成されたパターンの凹部に埋め込まれた非磁性体を備え、磁性粒子は記録層の上部領域内の直径が記録層の下部領域内の直径より大きい逆円錐台形状を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの磁性粒子を所望の形状やサイズで製造する。
【解決手段】有機溶媒での溶解処理で溶解することができるレジスト５１２からなり、ナノサイズの凹凸を有する型５１０を作成し（ステップＳ１０１〜ステップＳ１０２）、ＭＢＥ法によりＣｏの膜とＰｄの膜とを型５１０上に交互に積層して磁性膜５３０を形成し（ステップＳ１０３）、型５１０の凹部内に堆積した磁性膜５３０を、有機溶媒での溶解処理によってレジスト５１２を除去することで取り出すことで磁性粒子２１１を得る。 （もっと読む）

【課題】磁性層の酸化による非磁性化や、フッ素化合物残存によるアフターコロージョンのないパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面に磁性層および第１の保護層を含む磁気記録媒体中間体を準備する準備工程と、所定のパターンを有するマスクを用いて前記磁気記録媒体中間体の、第１の保護層及び磁性層を部分的に除去して凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、
凹凸パターンの全表面に第２の保護層を形成する第２保護層形成工程と、凹凸パターンの凹部に非磁性材料を充填し、かつ、凸部表面にも非磁性材料層を形成する非磁性材料充填工程と、凸部表面の非磁性材料層、第２の保護層及びマスクを除去して、平坦な表面を有するパターンドメディア型磁気記録媒体を形成する平坦化工程とを含むことを特徴とするパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 磁気抵抗素子は、マンガンを有する層で形成した反強磁性層と、反強磁性層側に位置し、強磁性体及び白金族系金属を有する層で形成した第一磁化固定層、強磁性体を有する層で形成した第二磁化固定層及び該第一磁化固定層と該第二磁化固定層との間に位置する第一非磁性中間層を有する積層磁化固定層と、強磁性体を有する層で形成した磁化自由層と、積層磁化固定層と前記磁化自由層との間に位置する第二非磁性中間層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が実現可能な磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】ＣｏＦｅＡｌＳｉに第５元素としてＧｅ及び／又はＣｕを添加した膜でで形成され、内部の磁化の向きが固定されているリファレンス層１４３ｃと、リファレンス層１４３ｃ上に非磁性材料で形成された非磁性層１４４と、この非磁性層１４４上に、ＣｏＦｅＡｌＳｉに第５元素としてＧｅ及び／又はＣｕを添加した膜で形成され、磁化の向きが、外部の磁界の向きに応じた向きに変化する自由磁化層１４５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】狭リードギャップ長化を図り、所要の特性を備える磁気抵抗効果膜及びトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】スペーサ層２７と、硬磁性層２３と、磁化自由層２８とを備える磁気抵抗効果膜であって、前記硬磁性層２３が、m-D0₁₉型CoPt規則合金相、またはL1₁型CoPt規則合金相として形成され、該硬磁性層２３の磁化容易軸方向が硬磁性層の面内に向いている。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗材料薄膜を製造する際に、生産性よく良質な結晶性を有する巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜することを可能にする。
【解決手段】対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。第１の段階で良質なエピタキシャル薄膜を成膜でき、の後の段階で、成膜速度を大きくして生産性を高めた状態で良質の高結晶性薄膜を成膜できる。 （もっと読む）

【課題】 ホイスラー合金が形成される下地層の選択自由度が高く、熱処理温度及び熱処理回数を低減し、ホイスラー合金の高いスピン偏極率を活用できる積層体を提供する。
【解決手段】 ＭｇＯ層３と接触するように、結晶質のホイスラー合金層１が配置されている。ホイスラー合金層１のＭｇＯ層３に対して反対の面側には、非晶質のホイスラー合金層４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が実現可能な磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、内部の磁化の向きが固定されているリファレンス層１４３ｃと、リファレンス層１４３ｃ上に非磁性材料で形成された非磁性層１４４と、この非磁性層１４４上に、ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、磁化の向きが、外部の磁界の向きに応じた向きに変化する自由磁化層１４５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来には望むことの出来ない高いスピン偏極率を持つＣｏ基ホイスラー合金を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明のＣｏ基ホイスラー合金は、組成式 Ｃｏ_２Ｍｎ_１−ＸＦｅ_ＸＳｎ（ただし、0＜Ｘ＜0.2）であることを特徴とする。 （もっと読む）