【課題】 反強磁性相と強磁性相との交換結合を有する磁性材料において、交換結合をより強固にし、保磁力を向上させること。
【解決手段】 反強磁性−強磁性（又は、フェリ磁性）転移を起こすＡＦ−ＦＭ合金からなる第１粉末と、強磁性体（又は、フェリ磁性体）からなる第２粉末とを混合し、混合粉末を得る混合工程と、前記混合粉末に磁界を印加した状態で、前記混合粉末を、前記ＡＦ−ＦＭ合金が反強磁性−強磁性（又は、フェリ磁性）転移を起こす転移温度（Ｔ_ｔ）以上、かつ、ブロッキング温度（Ｔ_{ｂｌｏｃｋ}）以上の温度に加熱し、次いで少なくともブロッキング温度（Ｔ_{ｂｌｏｃｋ}）以下の温度まで冷却する磁場中熱処理工程とを備えた磁性材料の製造方法、及び、このような方法により得られる磁性材料。 （もっと読む）

ナノ材料の調製のための方法が提供され、この方法は、１種以上のイオン液体から作製された媒質に、（ａ）１種以上の樹脂基材材料と（ｂ）１種以上の磁性ナノ粒子物質との組み合わせを溶解および／または懸濁して混合物を提供することと、この混合物を非溶媒（イオン液体に対する溶媒であるが、他の成分に対する溶媒ではない）と組み合わせることによる固体ナノ材料を回収することとを包含し、また回収ステップ中に、磁性ナノ粒子物質を配列するために、混合物に電磁場を適用する。独特の情報記憶媒体を特にシートまたは膜の形状で提供するための、得られたナノ材料の使用もまた提供される。 （もっと読む）

磁気層構造体を備えるデバイスを製造する方法であって、−前記磁気層構造体（２）を形成するステップと、−前記磁気層構造体を電流で加熱するステップと
を有し、前記電流が、前記層構造体から前記層構造体の環境（４）への熱伝達特性はほとんどもたらされないような期間を有するパルス（３）になるので、前記電流パルスの前後で前記環境の温度はほぼ同じになる方法が開示されている。熱は層構造体においてかなり消費される。それ故に本方法は、隣接するデバイスのような環境を妨害することなく、磁気抵抗デバイスの磁気又は電気的特性を最適化するため、層構造体における物理プロセスの選択を可能にする。本方法は、有利なことに、ホイートストンブリッジ構成体（１６）において構成される異なる磁気抵抗デバイス（12,13,14,15）のバイアス層（5,7）において異なる磁化方向（９，１０）をセットするために、又は前記ホイートストンブリッジの出力特性におけるオフセットを低減するために使用され得る。
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【課題】 高密度記録に対応する磁気記録媒体に好適な、磁気パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板１０上において、磁性層１６、イオンバッファ層２０をこの順に形成し、このイオンバッファ層２０を介在させた状態で、磁性層１６に対してイオンを注入する。その後、イオン注入された磁性層１６に熱処理を加えることで、イオンの注入領域の磁気特性を改質し、この改質を利用して磁性パターンを形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 より高記録密度に対応できる磁気記録媒体で、より高保持力を有してより低ノイズである磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、非磁性中間層、磁性層および保護層がこの順番で積層され、非磁性下地層の少なくとも一層がＷＶ系合金あるはＭｏＶ系合金で構成されることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 テクスチャ条痕が施され、且つＮｉＰがメッキされたアルミニウム基板（Ａｌ−Ｍｇ合金）を用いて、円周方向の磁気異方性を有する、高保持力、高角型比で電磁変換特性の良好な磁気記録媒体及びその製造方法と磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 表面に条痕を有するＮｉＰまたはＮｉＰ合金がメッキされたアルミニウム基板上に、少なくとも配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スピン依存界面散乱の増加とスピン依存バルク散乱の増加を両立させ、磁気抵抗変化を増大させた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子（１０）は、磁気抵抗効果膜（１３）と、前記磁気抵抗効果膜に対して面直方向にセンス電流を印加する上部電極および下部電極とを備える。磁気抵抗効果膜は、外部磁界により磁化方向が変化する第１の磁性層（２０）、前記外部磁界に対して磁化の方向が固定された第２の磁性層（１６）、および前記第１の磁性層と第２の磁性層を磁気的に分離する非磁性中間層（１８）を含み、第１および第２の磁性層の少なくとも一方は、不純物元素が添加された強磁性材料で構成され、不純物元素の添加量が、非磁性中間層との界面側よりも層内バルク側で高くなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＰｔ合金をめっきするためのめっき液、該めっき液を用いた構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくともＦｅ及びＰｔを含み、Ｐｔ成分がシクロヘキサクロロ白金酸アンモニウムであるめっき液。Ｆｅ成分が錯化剤によりＦｅ錯体としてめっき浴中で安定化し、錯化剤が酒石酸イオン又はクエン酸イオンである。めっき液のｐＨは６以上９．５以下である。上記のめっき液がはいった容器に電極とめっきされる対象物とを用意する工程と、前記電極に電圧を印加することによって、めっき液からＦｅＰｔを含む磁性体を前記対象物にめっきして構造体を形成する工程とを備える構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を保持したままで、フリー層の軟磁気特性を改善し、（S／N）の高いＭＲ素子を提供すること。
【解決手段】ピンド層１４０は非磁性導電膜１５０の一面に隣接し、フリー層１６０は、非磁性導電膜１５０の他面に隣接する。フリー層１６０は、第１の膜１６１と、第２の膜１６２と、第３の膜１６３とを含んでいる。第１の膜１６１は、第２の膜１６２と第３の膜１６３の間に配置されている。第２の膜１６２及び第３の膜１６３は、Coを主成分とする。第１の膜１６１は、Fe及びNiを含み、FeNi中のNiが２５〜４５(at％)の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】 所望の粒径の強磁性規則合金相の磁性ナノ粒子を有する磁性材料を効率よく得る。
【解決手段】 支持体上に、強磁性規則合金相を形成し得る合金ナノ粒子及び融合防止剤を含有するナノ粒子分散液を塗布して塗布膜を形成することと、該塗布膜に加熱処理を施して合金ナノ粒子を強磁性化することと、を含む。ここで、前記融合防止剤が、耐熱温度が５００℃以上で、かつナノ粒子分散液の分散溶媒に可溶な無機物であることが好ましい。また、前記加熱処理が、レーザー光の照射によって実施されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】強磁場中加熱を利用してコバルトフェライト磁性材料の保磁力及び磁気的角形比を高め、これを磁性層に用いて磁気的特性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１上に、混合したコバルトと酸化鉄より成る材料（材料層２）、またはコバルトフェライトを堆積させる工程と、この基板１を磁場中で加熱処理する工程とを少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】変造防止機能を高めた情報記録媒体を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１の片面に設けられ、非磁性特性を有した金属材料により形成される金属層２と、金属層２の上に設けられ、特定の磁気履歴特性を有したアモルファス強磁性体膜３、４と、アモルファス強磁性体膜３、４の少なくとも一部にパターン情報を記録したパターン情報部とを備え、アモルファス強磁性体膜３、４及び／又はパターン情報部は、磁気履歴特性を変化させるときにパンチ穴１０があけられる。 （もっと読む）

【課題】 磁気シフト・レジスタ・メモリ・デバイスを構築するために必要な磁気データ・トラックを製造する改良した方法を提供する。
【解決手段】 磁気データ・トラックは、交互の誘電体および／またはシリコン層の多層スタックを形成することによって製造することができる。この交互の層の多層スタックに、約１０ミクロンの高さで、縦が約１００ｎｍで横が約１００ｎｍの断面を有するバイアをエッチングする。交互のタイプの強磁性体またはフェリ磁性体金属の層を電気めっきすることによって、バイアを充填する。交互の強磁性体またはフェリ磁性体層は、異なる磁化または磁気交換または磁気異方性を有する磁気材料から成る。これらの異なる磁気特性によって、これらの層の間の境界に磁壁を固定することができる。磁壁は、バイアの壁に沿ってノッチまたは突出に生じる強磁性体または強磁性体材料における切れ目によって形成される。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲのＭＲ比を高める。
【解決手段】 単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し、５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し、次いで、超高真空において、３５０℃でアニールを行う。２ｎｍ厚のＭｇＯ（００１）バリア層２１をＦｅ（００１）下部電極１７上に室温でエピタキシャル成長する。ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に室温で、厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した。連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２１をＦｅ（００１）上部電極２３上に堆積した。次いで、上記の作製試料を微細加工してＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子を形成する。この際、第１あるいは第２のうち少なくともいずれか一方のＦｅ（００１）層と単結晶ＭｇＯ（００１）との間の界面に存在する転位欠陥の密度が２５〜５０個／μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】記録再生特性を向上させ高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、下地膜３と、垂直磁気記録膜５と、保護膜６とが設けられ、下地膜３が、少なくともＰｔとＣとを含む合金、あるいは少なくともＰｄとＣとを含む合金からなる。 （もっと読む）

【課題】次世代の高密度磁気情報記録媒体において、大容量化や高集積化を可能とすること。
【解決手段】ナノスケールオーダーの強磁性構造体の長手方向の略中央部に括れ部５を有する磁気情報記録素子１を構成する。磁気情報の記録においては磁気情報記録素子１に所定の臨界電流密度ｊ₁以上の電流を流して括れ部に磁壁を生成し、磁気情報の消去においては磁壁移動電流密度ｊ₂以上の電流を流して磁壁を追い出し、磁気情報の読み取りにおいては、ｊ₃＜ｊ₂＜ｊ₁の関係にある読取り電流密度ｊ₃を流す。 （もっと読む）

【課題】多層構造を有する磁性層の渦電流損失を低減させる。
【解決手段】一連の磁性層１１０から構成される多層構造１００を具備する物品が提供される。磁性層１１０は、磁性材料から形成され、連続する磁性層１１０の間に、絶縁層１２０が配置される。各磁性層１１０は、少なくとも約２μｍの厚さを有し、磁性材料は、２００ｎｍを超えない平均粒径を有する。物品を製造する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】高い媒体S/Nを有し、オーバーライト特性に問題なく、ビットエラーレートに優れ、かつ熱揺らぎに対しても十分に安定な面内磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に、下地膜、磁性膜、保護膜を順次形成した磁気記録媒体において、磁性膜は、クロムを含有するコバルト基合金膜であり、非磁性層を介さずに積層された複数の磁性層を有し、複数の磁性層は、第１と第２と第３の磁性層を有し、第１の磁性層は下地膜と第2の磁性層との間に配置され、第２の磁性層は第１の磁性層と第３の磁性層との間に配置され、第３の磁性層は第２の磁性層と保護膜との間に配置され、第1の磁性層に含有されるクロムの濃度は、第2の磁性層に含有されるクロム濃度より低く、第1の磁性層の膜厚は第2の磁性層の膜厚より薄く、第1の磁性層の上層側の磁性層はさらに白金と硼素を含有し、第3の磁性層に含有されるクロムの濃度は第2の磁性層に含有されるクロムの濃度より低い。 （もっと読む）

【課題】 良好な磁気特性及び耐熱性を有する記憶素子を提供する。
【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、トンネルバリアとなる絶縁層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、記憶層１７が、酸化物層１８を介して、下地層或いは上層の保護層１９に接している記憶素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７の上下に、中間層１６，１８を介して磁化固定層３１，３２が設けられ、それぞれの中間層１６，１８がいずれも絶縁層から成り、記憶層１７の上下の磁化固定層３１，３２のそれぞれ記憶層１７に最も近い強磁性層１５，１９の磁化Ｍ１５，Ｍ１９の向きが互いに反対向きであり、記憶層１７の上下２つの中間層１６，１８の面積抵抗値が異なり、積層方向に電流を流すことにより記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層に情報が記録される記憶素子３を構成する。 （もっと読む）