【課題】高い強磁性共鳴周波数を有するグラニュラ磁性材料を利用しつつ、強磁性共鳴線幅の増加を抑制し、動作周波数の広い積層磁性薄膜及び磁性部品を提供する。
【解決手段】積層磁性薄膜１０は、絶縁体媒質１４中に磁性粒子１６が分散されたグラニュラ磁性層１２と絶縁層１８とを交互に積層した構造であり、磁性粒子１６には結晶配向を促すＰｄが添加されている。Ｐｄの添加量は、グラニュラ磁性層１２をＣｏＦｅＰｄＳｉＯとし、絶縁層１８をＳｉＯ_２とする積層磁性薄膜１０においては、Ｃｏ−Ｆｅの磁性粒子１６に対し、２０ａｔ％以上とすることが好ましい。グラニュラ磁性層１２と絶縁層１８の積層構造により、磁性粒子１６の粒径の分布を抑制して膜厚方向の磁性粒子１６の間隔を一定に保ち、前記Ｐｄの添加により磁性粒子１６の結晶配向を促して磁化容易軸方向の分散に起因した強磁性共鳴線幅の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】一つの試料を作製するだけで、フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定することができるフェライトの特性評価方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する単結晶基板上に、薄膜形成法を用いて、成分組成を水平方向に傾斜させて製膜した複数層の組成傾斜フェライト層からなる組成傾斜フェライト薄膜を形成し、該フェライト薄膜の組成傾斜方向に沿い連続して磁気光学効果を測定することにより、該フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定する。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さく、かつ厚膜である、優れた高周波用磁性材料、この高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ、携帯電話を提供する。
【解決手段】 基板と、基板上の第１の磁性体層と、第１の磁性体層上の第１の磁性体層と異なる材料の中間層と、中間層上の第１の磁性体層と同じ材料の第２の磁性体層とを有し、磁性体層は、長手方向が基板の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する非晶質の磁性相と、柱状体の間隙を充填する絶縁体相とから成る複合磁性膜であり、基板の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料、この高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ装置および携帯電話。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波周波電磁界において高誘電率及び高透磁率の両方を備えた磁気−誘電素子を含むラジオ−周波数デバイスでを提供する。
【解決手段】１ＧＨｚにおいて１０以上の透磁率を示す磁性材料（１６，１８）と１ＧＨｚにおいて１０以上の誘電率を示す誘電材料（１２，２２）とを備えた複合薄膜（１０）を含む磁気−誘電素子を使用するラジオ−周波数デバイスであり、前記磁性材料から形成された層が、交換結合を用いて反強磁性層（２０）と結合された強磁性層によって構成される。前記誘電材料の層が、タンタル、チタン、ハフニウム、ストロンチウム及びニオビウムの酸化物、並びにペロブスカイトであって、特にバリウム及びストロンチウムのチタン酸塩を含む群から選択され、真空筐体内でのイオンビームスパッタリングによって蒸着される。 （もっと読む）

【課題】電子機器への搭載が可能な薄型で、高周波帯での透磁率実部が大きい高周波磁性体を提供する。
【解決手段】絶縁層１０と、この絶縁層１０上に設けられる磁性層２０を備える高周波磁性体であって、磁性層２０は、長さｈの短辺、長さｗの長辺、厚さｔの厚みを有する棒状の磁性部材２２を、長辺方向を揃えて複数個配列させることにより形成され、５≦ｗ／ｈ≦３０であることを特徴とする高周波磁性体。さらに、この高周波磁性体において、磁性部材２２の磁化困難軸と、磁性部材２２の長辺方向が略一致することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 フェライト膜の製造方法において、均一な電磁気特性を有する膜が得られ、溶液の利用効率を高めた製造方法を提供する。
【解決手段】 反応液を供給する反応液ノズルＡ３ａ，反応液ノズルＢ３ｂと、酸化液を供給する酸化液ノズルＡ４ａ，酸化液ノズルＢ４ｂが回転軸を挟まず回転軸から等距離に配置し、好ましくは反応液を供給する反応液ノズルと、酸化液を供給する酸化液ノズルを一対として当該ノズルが複数対配置する。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料、高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ、および携帯電話を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上の複数の平板体を形成する磁性相１４と、磁性相の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８とを備え、磁性相１４が非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内における、絶縁体相１６の伸長方向の平均をＸ軸方向、同面内においてＸ軸と直交する方向をＹ軸方向、基板１２の法線方向をＺ軸方向とする直交座標系の、Ｙ−Ｚ平面において、平板体の長手方向がＺ軸方向から傾斜し、Ｘ−Ｙ平面において、面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０、この高周波用磁性材料１０の製造方法、この高周波用磁性材料１０を用いたアンテナ装置および携帯電話。 （もっと読む）

【課題】フラックス成分に鉛を含まない融液を用いた液相エピタキシャル法にて、鉛を含まないビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｌｉ_２Ｏ、Ｂ_２Ｏ_３およびＢｉ_２Ｏ_３により構成されたフラックスから融液を生成し、該融液を用いて非磁性ガーネット単結晶上に液相エピタキシャル法によりビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成することを特徴とする、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料およびこれを用いたアンテナ装置を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上に形成され、長手方向が基板１２の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する磁性相１４と、これらの柱状体の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８を備え、磁性相１４が、ＮｂまたはＺｒまたはＨｆのうち少なくともいずれかひとつと、ＦｅとＢとを含み、かつ、非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０およびこれを用いたアンテナ装置。 （もっと読む）

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。
【解決手段】本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波領域での透磁率を簡易に向上させることが可能な薄膜磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下部磁性膜１１および上部磁性膜１４の表面または裏面のうちの少なくとも一方側に、コイル１３の延在方向（例えば、第２のコイルパターンの延在方向であるＹ軸方向）に沿って延在するキズ状溝１６，１７を形成する。キズ状溝１６，１７の形成領域（下部磁性膜１１Ｂ，１１Ｄおよび上部磁性膜１４Ｂ，１４Ｄの形成領域）において、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向が制御され、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向の変位（回転）がキズ状溝１６，１７によってピン止めされる。したがって、高周波領域でもある程度の透磁率が維持される。また、このようなキズ状溝１６，１７の形成によって、製造工程が複雑化することはない。 （もっと読む）

【課題】 高周波で高い透磁率を実現することが可能であると共に、等方的な透磁率が得られ、複雑な磁場発生設備を使用しなくても作製することが可能である磁性多層膜を提供する。
【解決手段】 磁性金属から成る強磁性材料の薄膜１１と、絶縁材料の薄膜１２とを、交互に少なくとも２層以上積層した構造を有し、強磁性材料の薄膜１１の各層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、絶縁材料の薄膜１２の各層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、強磁性材料の薄膜１１の膜面内の透磁率が等方性である磁性多層膜１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】高周波で高い透磁率を実現することが可能であると共に、等方的な透磁率が得られ、複雑な磁場発生設備を使用することなく作製することが可能である磁性多層膜及びその製造方法の提供
【解決手段】 強磁性金属層と希土類金属層とを、交互に少なくとも２層以上積層した構造を有し、前記強磁性金属層の一層あたりの膜厚が１Å〜１００Å、前記希土類金属層の一層あたりの膜厚が２Å〜１００Åである磁性多層膜。この磁性多層膜は、強磁性金属の薄膜を、１Å〜１００Åの範囲内の膜厚で成膜する工程と、希土類金属の薄膜を、２Å〜１００Åの範囲内の膜厚で成膜する工程とを、１０^-5Pa以下の高真空下で交互に少なくとも２回以上繰り返して磁性多層膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高い共鳴周波数を有し、高周波特性に優れた磁性薄膜を提供する。
【解決手段】 基板２の上に、斜め成長磁性層３を形成する。その際、斜め成長磁性層３を、基板２の表面に対して斜め方向に柱状に結晶成長させる（斜め成長磁性体４）。また、この斜め成長磁性層３において、斜め成長磁性体４を軟磁性化させるため、この斜め成長磁性体４に絶縁体５を混入する。斜め成長磁性層３が面内結晶磁気異方性を示すようなると共にこの面内結晶磁気異方性が強まり、異方性磁界Ｈｋが増加する。磁性薄膜１の組成を変化させることなく、斜め成長磁性層３の結晶成長方向のみで異方性磁界Ｈｋを変化させることができるので、飽和磁化４πＭｓを減少させることなく異方性磁界Ｈｋを増加させることができ、磁性薄膜１の共鳴周波数ｆｒを高めることができる。よって、高周波特性に優れた磁性薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高周波で高い透磁率を実現することが可能であると共に、複雑な磁場発生設備を使用しなくても作製することが可能である磁性膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁物質１中に、強磁性金属を粒径１０ｎｍ以下の微粒子２で含有して成り、微粒子２が単磁区構造を有し、各微粒子２の磁化の向きが揃っていない磁性膜１０を構成する。また、絶縁物質の薄膜と強磁性金属の薄膜とを交互に積層した多層膜構造を形成し、この多層膜構造を５００℃〜８００℃の範囲で熱処理することにより、上記磁性膜１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】
磁性薄膜内部の磁区構造の最適化により、高い共振周波数を有し、ＧＨｚ帯域で有効に動作する磁性薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１２上に、磁性粒子１６を絶縁体１４Ａで包み込んだグラニュラ層１８と絶縁層を積層する際に、前記絶縁層の厚みを周期的に変化させて、前記グラニュラ層１８と薄い絶縁層１４Ｂとの積層構造よりなる強磁性領域２０と、厚い絶縁層１４Ｃからなる非磁性領域２２とを交互に形成し、前記非磁性領域２２中に磁壁２４を配置して、磁性薄膜１０の内部の磁区構造を最適化する。磁区構造を任意に変更できるため、磁壁を介して磁気的相互作用が制御可能となり、異方性磁界の値を増大させて共振周波数を高め、ＧＨｚ帯域で有効に動作する磁性薄膜１０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
グラニュラ膜を利用し、積層磁性薄膜の高抵抗率化と、高周波帯域における優れた軟磁気特性の両立を図る。
【解決手段】
積層磁性薄膜１０は、基板１２上に、絶縁層１４とグラニュラ層１６を交互に複数成膜した積層構造となっている。絶縁層１４は、ＳｉＯ_２膜によって形成される。グラニュラ層１６は、ＦｅＮｉＳｉＯ膜によって形成されており、磁性粒子２０を包み込むように、粒界に絶縁体１８が存在する構造となっている。成膜時に基板１２の加熱を行うことで、絶縁層１４及び絶縁体１８の絶縁性を向上させて抵抗率を高めることができる。また、所定の範囲内の組成の磁性粒子２０の粒径を、絶縁層１４及びグラニュラ磁性層１６の厚みや、絶縁体１８に対する磁性粒子２０の比率を変えて適正化することにより、高抵抗率化に起因する磁気特性の劣化を抑制し、高い磁気特性と高抵抗率の両立が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い磁化と絶縁特性を兼ね備える軟磁性薄膜を生成するための方法に関する。
【解決手段】該方法は、アモルファス基板内に浸漬したＦｅリッチな強磁性ナノ粒子の窒化、および、該アモルファス基板の選択的酸化を含む。本発明はまた、該方法によって得られた、磁化の高い、絶縁性のある、軟磁性薄膜に関する。本発明はまた、該方法によって得られた薄膜を組み込んだメンブレンを使用するコンポーネントを備える集積回路を提案する。 （もっと読む）

非晶質状態の強磁性金属とこの強磁性金属とは異なる非晶質金属とにより形成されたＤＭ（ディスコンティニュアス・マルチレイヤ）構造の採用により、ＧＨｚ帯域の高周波領域で高い透磁率を有し且つ高い飽和磁化を有する高周波用磁性薄膜を実現した。このとき、（ｉ）強磁性金属が、Ｆｅ又はＦｅＣｏを主成分とし、Ｃ、ＢおよびＮから選ばれる１又は２以上の元素を含む金属であり、非晶質金属がＣｏ系非結晶質合金であること、（ｉｉ）非晶質金属がＣｏＺｒＮｂであること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ある周波数ｆ₀ において、ある電力Ｐｓｈ以下の入力信号に対して、周波数ｆ₀ を中心として出力信号が３ｄＢ以上抑圧された範囲の帯域幅Ｂａの狭い静磁波素子を得る。
【解決手段】 静磁波素子１０は、ＧＧＧ基板などの非磁性基板１２を含む。非磁性基板１２上に、ＹＩＧ単結晶膜のような磁性ガーネット単結晶膜１４を形成する。磁性ガーネット単結晶膜１４については、不純物としてのＰｂの含有量が５重量ｐｐｍ以下となるようにする。磁性ガーネット単結晶膜１４上に、間隔を隔ててマイクロストリップライン１６，１８を形成する。マイクロストリップライン１６，１８に平行な向きに磁界Ｈを印加する。そして、マイクロストリップライン１６に信号を入力し、マイクロストリップライン１８から信号を出力する。 （もっと読む）