【課題】磁気抵抗効果素子（磁気ヘッド）のコア幅を微細化とすることができる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドの製造方法及び磁気再生記録装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１０は、下地層１１と、反強磁性層１２と、ピンド層（固定側磁性層）１３と、非磁性中間層１４とが順次積層された状態で形成されるとともに、非磁性中間層１４の上面に形成された自由側磁性層（フリー層）１５の一部には、自発磁化を有する磁性金属３０を内部に内包したナノチューブ２０を有する。 （もっと読む）

【課題】磁性部と非磁性部との境界を磁気的に判別しやすく、磁性部の磁気特性劣化を防ぐことができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板１０上に軟磁性層１１を形成する工程と、軟磁性層１１上に磁性材料からなる記録層１４’を形成する工程と、記録層１４’上にマスクパターン２０’を形成する工程と、マスクパターン２０’上から記録層１４’に対してイオン照射を行う工程とを含んでおり、イオン照射を行う工程においては、Ｎｅイオンより重いＸｅイオンを照射する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録パターンの形成時における反応性プラズマまたはイオンと磁性層との反応性を高め、また、パターニングにおける像のぼけが生じにくい磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法である。その方法は非磁性基板上に酸化物を０．５原子％〜６原子％の範囲内で含む磁性層を形成する。この磁性層の磁気的に分離する領域を反応性プラズマもしくは反応性イオンにさらす。これによって形成された非磁性化領域で磁性層を分離する方法である。 （もっと読む）

【課題】本基板上に磁性層を成膜したのちに磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法において、従来の磁性層加工型やイオン注入型と比較して格段に製造工程を簡略化し、汚染リスクがすくなく、表面の平滑性に優れた磁気記録媒体が製造可能な方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に磁性層を形成した後、該磁性層の表面を部分的に酸素、ハロゲン等の反応性プラズマにさらし、もしくは該プラズマ中に生成した各種反応性イオンにさらし、該箇所の磁性層を非晶質化せしめ、磁気特性を改質することにより磁気的に分離した磁気記録パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】第三元素を添加しない場合でも飽和磁束密度Ｂ_sが２４．５ｋＧ以上、異方性磁界Ｈ_kが１５．５Ｏｅ以上の特性を実現することが可能な軟磁性薄膜の製造方法、軟磁性薄膜、磁気ヘッド、垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１１上に非磁性下地膜１２を製膜する下地膜製膜段階と、非磁性下地膜１２上にＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３を製膜する磁性膜製膜段階とを含む軟磁性薄膜の製造方法であって、磁性膜製膜段階が、非磁性下地膜１２上にアシストイオンビームＩＢａを照射しながらＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３を製膜するイオン照射製膜段階と、イオン照射製膜後のＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３に磁界を印加しながら熱処理する熱処理段階を含むことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】例えばＣＧＣ媒体等において、トラックエッジノイズを低減して、トラック密度を向上させる。
【解決手段】磁気記録媒体１０の製造方法であって、垂直磁気記録層３０を形成する記録層形成工程と、垂直磁気記録層３０のトラック間の領域にイオンビームを照射することにより、トラック間を磁気的に分離する分離領域２０２を形成するイオンビーム照射工程とを備える。記録層形成工程は、ＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８が積層された多層膜の連続膜層２４を形成し、イオンビーム照射工程は、イオンビームによってＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８を融解させて、ＣｏＢ層１０６及びＰｄ層１０８のそれぞれに含まれる金属の合金を形成することにより、分離領域２０２を形成する。 （もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗効果素子の薄層化を図るべく、反強磁性層の表面粗さやトンネルバリア層の結晶性の問題を解消し、良好な磁気抵抗特性を得る。
【解決手段】下地層、反強磁性層、第１の固定磁性層、非磁性中間層、第２の固定磁性層、トンネルバリア層、自由磁性層、保護層の順に積層された磁気抵抗効果において、第１の固定磁性層を平滑化することで、非磁性中間層をも平滑化し、第１の固定磁性層と第２の固定磁性層の間に安定した反強磁性交換結合を得ることができる。また、トンネルバリア層をも平滑化し、薄層化した場合においても安定した磁気抵抗特性を得ることができる。さらに、結晶性を必要とするトンネルバリア層においても良好な磁気抵抗特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスの整合性に優れており、基板と磁性半導体薄膜とが格子整合し、Ｔｃが３００Ｋ付近でバラツキが少ないＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族の磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法を提供する
【解決手段】加熱した基板上に緩衝層を形成した後に、該緩衝層上に磁性半導体層として遷移金属元素を添加したＺｎＳｎＡｓ_２をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】記録密度の低下を抑制しつつ耐蝕性が著しく向上した磁気記録媒体を備えた磁気記録装置、その製造方法、そのような磁気記録媒体を得るための評価方法および評価装置を提供する。
【解決手段】基板上に磁性層と炭素を含有する保護膜層と潤滑剤層とを順次積層してなる磁気記録媒体を備えた磁気記録装置において、潤滑剤層に使用された潤滑剤が、主鎖にパーフルオロアルカン結合とパーフルオロポリエーテル結合との少なくともいずれか一方を有するポリマーを含み、同軸型直衝突イオン散乱分光法により、１５°のイオンビーム入射角度で、ヘリウムイオンを２ｋｅＶで磁気記録媒体表面に照射し、散乱した当該ヘリウムイオンのエネルギー変化を測定することによって得られる、当該磁気記録媒体表面のフッ素と炭素との原子数比（Ｆ／Ｃ比）が１．５以上であるようにする。 （もっと読む）

【課題】 磁性材料薄膜の表面を粗雑にすることなく、垂直磁気異方性を増加させることができる磁性材料薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁性材料薄膜の製造方法は、磁性材料薄膜を成膜した後、それを試料３として、垂直磁気異方性定数の値がイオンビーム２の照射によって正となるような数値範囲の電流密度でイオンビーム２を試料３に照射する。イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ²以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】低いスイッチング磁場と高い磁気抵抗比を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】本発明は、非磁性中間層に分離される自由層と固定層とを含む磁気トンネル接合構造であって、非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ強磁性層を含む自由層と、前記自由層の上部に形成された非磁性体からなる中間層と、前記中間層の上部に形成された強磁性層である固定層と、を含むことを特徴とする。前記自由層は、例えば非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ/ＲＵ/非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ層で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 高い共鳴周波数を有し、高周波特性に優れた磁性薄膜を提供する。
【解決手段】 基板２の上に、斜め成長磁性層３を形成する。その際、斜め成長磁性層３を、基板２の表面に対して斜め方向に柱状に結晶成長させる（斜め成長磁性体４）。また、この斜め成長磁性層３において、斜め成長磁性体４を軟磁性化させるため、この斜め成長磁性体４に絶縁体５を混入する。斜め成長磁性層３が面内結晶磁気異方性を示すようなると共にこの面内結晶磁気異方性が強まり、異方性磁界Ｈｋが増加する。磁性薄膜１の組成を変化させることなく、斜め成長磁性層３の結晶成長方向のみで異方性磁界Ｈｋを変化させることができるので、飽和磁化４πＭｓを減少させることなく異方性磁界Ｈｋを増加させることができ、磁性薄膜１の共鳴周波数ｆｒを高めることができる。よって、高周波特性に優れた磁性薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】面積抵抗ＲＡの大幅な増大を招くことなく、高いＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子を製造できる方法を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層及び前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子において、前記スペーサ層の下側に位置する前記磁化固着層または前記磁化自由層は膜厚方向に延びる粒界によって分離された結晶粒を含み、前記結晶粒の一端の面内方向位置を０とし、前記結晶粒の他端に隣接する粒界の面内方向位置を１００としたとき、前記電流パスは面内方向位置が２０以上８０以下の範囲内にある領域上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】面積抵抗ＲＡの大幅な増大を招くことなく、高いＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子を製造できる方法を提供する。
【解決手段】磁化固着層と、磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層を形成するにあたり、前記電流パスを形成する第１の金属層を成膜し、前記第１の金属層上に、前記絶縁層に変換される第２の金属層を成膜し、前記第２の金属層に希ガスのイオンビームまたはＲＦプラズマを照射して前記第２の金属層中に前記第１の金属層の一部を侵入させる前処理を行い、酸化ガスまたは窒化ガスを供給して、前記第２の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記電流パスを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い磁化と絶縁特性を兼ね備える軟磁性薄膜を生成するための方法に関する。
【解決手段】該方法は、アモルファス基板内に浸漬したＦｅリッチな強磁性ナノ粒子の窒化、および、該アモルファス基板の選択的酸化を含む。本発明はまた、該方法によって得られた、磁化の高い、絶縁性のある、軟磁性薄膜に関する。本発明はまた、該方法によって得られた薄膜を組み込んだメンブレンを使用するコンポーネントを備える集積回路を提案する。 （もっと読む）

本発明は、情報記憶媒体に関し、特に、磁性材料の複数の離散的なアイランドを含む超高密度磁気情報記憶媒体に関する。
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