【課題】 内部応力を緩和して、クラックの発生や磁気特性の劣化を防ぐことが可能な電子部品を提供すること。
【解決手段】 積層型インダクタ１は、素体１０と、素体１０の内部に設けられたコイルＬとを備えている。素体１０は、焼結した第１の部分１６と、焼結していない粉体からなる第２の部分１８とを有している。コイルＬは、第２の部分１８の内部に位置するように形成されており、第２の部分１８によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】ディファレンシャルモードのインピーダンスを小さくすることができるコモンモードノイズフィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】第１のコイル導体１３と第１の引出用導体１６とで構成される第１のコイル１５と、第２のコイル導体１４と第２の引出用導体１８とで構成される第２のコイル１７とを備え、前記第１のコイル１５のインピーダンスと第２のコイル１７のインピーダンスとが同一になるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 微小且つ複雑形状とされたセラミックグリーン体、セラミック焼結体、フェライトコアを得ることができるそれぞれ製造方法、並びに、これらの製造方法で製造されたセラミックグリーン体、セラミック焼結体、フェライトコア及びコイル部品を提供すること。
【解決手段】 まず、フェライト粉末と、熱可塑性樹脂及び表面活性剤とを用意して、これらを加熱混練する（混練工程：Ｓ１０１）。次に、加熱混練して得られた組成物を造粒して、ペレット化する（造粒工程：Ｓ１０３）。次に、ペレット化された組成物を金型に射出して、成型体を得る（射出成形工程：Ｓ１０５）。次に、射出成形された成型体からバインダを除去（いわゆる脱脂）する（脱脂工程：Ｓ１０７）。次に、脱脂後の成型体を焼成する（焼成工程：Ｓ１０９）。これにより、フェライトコアが得られることとなる。 （もっと読む）

【課題】銅箔（配線パターン）の同一平面内に抵抗素子および誘電体（キャパシタ素子）を形成することに起因する寸法精度の低下を回避すると共に、ＬＣＲ回路を形成する配線長が長くなることに起因する電気特性の低下（寄生容量やインダクタンス成分の発生）を解消する上で好適な多層配線板を提案する。
【解決手段】絶縁樹脂層と配線パターン層との積層構成からなり、キャパシタ，レジスタ，抵抗，インダクタなどの受動素子部品を内蔵してなる多層配線基板において、少なくとも１層の配線パターン層には、片面に抵抗素子，他面にキャパシタ素子が、別々の側の面に形成された構成の配線パターン層を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ユニットの状態で基板が不要であり、且つ小型、薄型の積層チップ型トランス、積層チップ型コイル及び電子回路ユニットを提供することである。
【解決手段】導体パターンを有する磁性体シートを積層して形成される積層チップ型トランス１０は、モジュール１４に内包されている。このモジュール１４の側面に相当する面１１ｃには、電極パターンである配線パターン１２に接続されたＤＣ／ＤＣコンバータ制御用ＩＣ１５と、コンデンサ１６とが実装され、モジュール１４の他の側面１１ｄには、電極パターンである配線パターン１２に接続された電気部品１７ａ、１７ｂ、１７ｃと、リードランド１８ａ、１８ｂが設けられている。上記リードランド１８ａ及び１８ｂには、外部のリード線１９が半田付け等により接続される。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易で、減衰量を制御し、所望の減衰特性を実現しうるフィルタ素子及び電子モジュールを提供する。
【解決手段】コイル形成用導体２ｂ〜２ｈが形成された複数の誘電体セラミック層１ｂ〜１ｈ、およびＧＮＤ導体３ａが形成された誘電体セラミック層１ａを有し、容量形成用導体４ａ〜４ｃが、絶縁層誘電体セラミック層１ｂ、１ｄ、１ｆに形成されており、コイル形成用導体２ｂ〜２ｈと容量形成用導体４ａ〜４ｃとの間で第１の容量を構成し、容量形成用導体４ａ〜４ｃと接地用導体ＧＮＤ導体３ａとの間で第２の容量を構成し、第１の容量を容量形成部数で割った平均容量Ｃ１で、第２の合成容量Ｃ２を割った値（Ｃ２/Ｃ１）が１〜２．５である。 （もっと読む）

【課題】 磁気ギャップとなる非磁性体から受ける応力の影響を低減できて、磁性体の磁気特性の劣化を抑制しながら直流重畳特性の向上を図れる積層インダクタ、及び該積層インダクタを内蔵する積層基板を提供する。
【解決手段】 Ｌｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトからなる磁性体１に挟まれて、Ａｇからなるコイルパターン２と、磁気ギャップを形成するための安定化ＺｒＯ₂ にガラスを添加して得られる材料からなる非磁性体３とが存在している。Ｌｉ系フェライトは従来のＮｉ系フェライトに比べて耐応力性が高いため、焼結時に生じる非磁性体３からの応力による影響を磁性体１の磁気特性が受けにくい。 （もっと読む）

トロイダル誘導器は、基板（１００）と、基板内に定められるトロイダルコア領域（４３４）と、トロイダルコア領域の周りに形成される第一の複数の回と、トロイダルコア領域の周りに形成される第二の複数の回とを含むトロイダルコイルとを含む。第二の複数の回は、第一の複数の回によって定められる断面積（４４２）よりも大きい断面積（４４０）を定める。基板及びトロイダルコイルは、トロイダルコイルが少なくとも部分的に基板に埋設された一体型基板構造を形成するよう、同時焼成プロセスにおいて形成され得る。第一及び第二の複数の回は、交互連続で配置され得る。トロイダルコア領域は、基板の少なくとも他の部分よりも大きい透磁率を有する基板材料で形成され得る。
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【課題】 コモンモードチョークコイルアレイ部品の信頼性を高める。
【解決手段】 孔部を持たない非孔部絶縁層３の上側に、平面方向に互いに間隔を介するそれぞれの位置において、コイルパターン４ａ，５ａを積層形成する。各コイルパターン４ａ，５ａの上側には、それぞれ、コイルパターン４ａ，５ａを個別に覆う大きさであって非孔部絶縁層３を構成する絶縁材料とは異なる絶縁材料から成る介在絶縁層６，７を積層形成する。各介在絶縁層６，７の上側にはそれぞれコイルパターン４ｂ，５ｂを積層形成し、当該コイルパターン４ｂ，５ｂの上側には、それらコイルパターン４ｂ，５ｂを共通に覆う非孔部絶縁層１３を積層形成する。非孔部絶縁層３，１３間には、コイルパターン４ａ，４ｂの積層部と、コイルパターン５ａ，５ｂの積層部とをそれぞれ囲む全領域に、非孔部絶縁層３，１３を構成している絶縁材料と同じ絶縁材料が充填されている。 （もっと読む）

【課題】 コイル内蔵基板の内蔵コイルの重畳特性を向上させると共に、上面や下面に搭載された半導体チップやチップ部品に対するコイル用導体から発生する磁力線の影響を大幅に抑制することができるコイル内蔵セラミック基板を提供すること。
【解決手段】 本発明のコイル内蔵基板は、内部にコイル用導体３が埋設されているフェライト層２を、各々が非磁性フェライトから成る一対の絶縁基体１で挟持してなるコイル内蔵基板において、フェライト層３の透磁率をコイル用導体３側より絶縁基体１側に向かって漸次高くすることで成る。 （もっと読む）

【課題】 非磁性基板上に磁性薄膜と平面コイルが積層された磁気検出素子においてフラツクスゲートセンサ又は磁気インピーダンス素子として小型で感度の優れた素子を提供する。
【解決手段】 単一の非磁性基板上に形成された磁性体としての磁性薄膜１２と、磁性薄膜上に絶縁層を介して積層され、磁性薄膜に対しバイアス磁界を印加又は誘導出力を取り出すための渦巻き型平面コイル１４とを具備する。磁性薄膜は平面コイルの渦巻き中心部を横切って配置し、更に平面コイルの渦巻き中心部にあたる部分と一方の端部の間で高周波電流を通電する。また、渦巻きコイルを２個同一平面に直列に接続し、２つの渦巻き中心部間にあたる区間で高周波電流を通電する。 （もっと読む）

【課題】 例えば−４５℃以上８５℃以下の範囲においてコモンモードインピーダンスの温度変化が小さく、安定したコモンモードインピーダンス特性を有する積層型コモンモードチョークコイル及び製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数の非磁性絶縁材シート２３ａ〜２３ｄを積層し、これらの各別のものに第１及び第２内部導体３１、３２が形成された非磁性絶縁材料層２３と、第１及び第２磁性材料層２２、２４とを備え、非磁性絶縁材料層２３と第１及び第２磁性材料層２２、２４との界面に、非磁性絶縁材シートの組成と磁性材シートとの中間の組成を主に有する第１から第４拡散層が形成され、非磁性絶縁材シート２３ａ〜２３ｄ、磁性材シート２２ａ〜２２ｈ、２４ａ〜２４ｈ及び第１から第４拡散層の比透磁率の−４５℃以上８５℃以下の範囲での温度係数の絶対値が、それぞれ２０００ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】 磁束の逆バイアスの作用を確実に得ることができ、直流重畳特性を向上でき、大電流の通電時にも高インダクタンスが得られて電源回路等の用途に好ましく適用できる積層インダクタを提供すること
【解決手段】 磁性体膜１と導体パターン２を適宜な順に積層し、当該内部に導体パターン２が螺旋状に繋がったコイル２０を内蔵するチップ本体３を形成し、コイル２０の軸線に沿う対向２面に外部電極４，４を形成して縦巻き型の積層インダクタ１０にする。導体パターン２の層間には永久磁石７を配置する。永久磁石７の膜層は、導体パターン２が積み重ね方向に仮想的になす筒体の略中央に位置し、当該筒体の内側周縁を上回る面積サイズに形成し、例えば導体パターン２の幅ｄに対して２分の１程度まで重なる設定とし、隣接する上下の導体パターン２，２と重畳部位が接触する設定である。 （もっと読む）

【課題】 コモンモードチョークコイル部品の通電による信号波形の歪みを抑制できるコモンモードチョークコイル部品を提供する。
【解決手段】 コイル形成用導体パターンＭと、磁性層とが交互に積層形成されている積層体の側面に複数の外部接続用電極が設けられている構成を備えたコモンモードチョークコイル部品であって、前記積層体の内部には、コイル形成用導体パターンＭにより構成されるコモンモードチョークコイルの両端部をそれぞれ予め定められた接続相手の外部接続用電極に接続させるための引き出し導体パターン３ｂ，３ｃ（３ｉ，３ｊ）を設け、コモンモードチョークコイルの両端側の引き出し導体パターン３ｂ，３ｃ（３ｉ，３ｊ）のうちの少なくとも一方側は、コイル形成用導体パターンＭよりも導体パターンの幅を細くして、信号波形歪みの発生を抑制するためのインダクタンスを持つ構成とした。 （もっと読む）

【課題】 工数を削減すると共に、製造工程を簡素化し、もって製造コストを削減することが可能な磁性素子を提供すること。
【解決手段】 コア部材２０と、導電性の金属粉末と樹脂系の接合剤との混練物の硬化により形成され、コア部材２０の内部に設けられ、一方の端部がコア部材２０の一の外面２１ｂに露出する第１の露出部分となり、他方の端部がコア部材２０の他の外面２１ｄに露出する第２の露出部分となる複数の導体パターン３０を具備する。また、コア部材２０の外面２１ｂ，２１ｄに設けられ、第１の露出部分に電気的に接続される外部導体４０を有していて、さらに第２の露出部分に対して電気的に接続され、コア部材２０の外面に形成される端子電極５０と、を具備している。加えて、コア部材２０は、磁性部材の重ね合わせにより形成され、導体パターン３０は、コア部材２０の内部における特定の磁性部材上のる導体用平面上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 コイル内における特性インピーダンスの変化を抑制することが可能なコモンモードチョークコイルを提供すること。
【解決手段】 コモンモードチョークコイルＣＣ１は、素子１と、当該素子１内に位置する第１〜第３のコイル導体２１，３１，４１とを備えている。第１のコイル導体２１と第２のコイル導体３１とは、素子１内においてセラミックグリーンシート１０〜１９の積層方向に直交する方向に所定の間隔を有して互いに沿うように配置されている。第３のコイル導体４１は、素子１内において第１及び第２のコイル導体２１，３１にセラミックグリーンシート１０〜１９の積層方向に所定の間隔を有して対向して沿うように配置されている。第１〜第３のコイル導体２１，３１，４１は、互いに磁気結合する。 （もっと読む）

【課題】 ショート不良の発生を抑制して、信頼性を向上させることが可能な積層型ＬＣ複合部品を提供すること。
【解決手段】 積層体１は、コイル部１０とコンデンサ部８０とを備える。コイル部１０は、複数の絶縁体が積層されると共に当該絶縁体の積層方向に沿って配された内部導体２１〜２７，３１〜３７により構成されるコイルＬ１，Ｌ２を有する。コンデンサ部８０は、複数の絶縁体が積層されると共に当該絶縁体の積層方向に沿って配された第１及び第２のコンデンサ電極９１〜９６により構成されるコンデンサＣを有する。コンデンサ部８０における絶縁体の積層方向に垂直な一側面は、積層体１における絶縁体の積層方向に垂直な第６の側面１ｆを構成している。ダミー導体９７は、第６の側面１ｆと当該第６の側面１ｆに対して最近位置にある第２のコンデンサ電極９６との間に配されている。 （もっと読む）

【課題】 ガラスセラミック基板内部にフェライト層を形成し、このフェライト層にコイルを埋設したガラスセラミック基板において、側面に露出したフェライト層から大気中の水分などが侵入し、ガラスセラミック基板に吸水が発生していた。
【解決手段】ガラスおよびフィラーからなるガラスセラミック絶縁層６が複数層積層されて成る絶縁基体１と、絶縁基体１の内層に、ガラスセラミック絶縁層６と同じ大きさのフェライト層２が形成され、フェライト層２の内部にはコイル用導体３が埋設されてなっており、分割溝７が、フェライト層２に到達している （もっと読む）

【課題】 直流重畳特性に優れ、比抵抗が高く、温度特性が良好なフェライト材料を提供する。
【解決手段】 所定の主成分配合組成に対して、酸化ビスマスをＢｉ₂Ｏ₃換算で０．０５〜０．４８重量％、酸化錫をＳｎＯ₂換算で０．５〜２．０重量％、酸化チタンをＴｉＯ₂換算で０．０５〜１．０重量％添加するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性に優れた磁気素子を提供する。
【解決手段】 基板２上に平面コイル４および磁性薄膜１を設け、接続用端子Ｊ１，Ｊ２間にインダクタを形成する。また、磁性薄膜１における斜め成長磁性層１１を、基板２の表面に対して斜め方向に柱状に結晶成長させる（斜め成長磁性体１２）。さらに、この斜め成長磁性層１１において、斜め成長磁性体１２を軟磁性化させるため、この斜め成長磁性体１２に絶縁体１３を混入する。斜め成長磁性層１１が面内結晶磁気異方性を示すようになると共にこの面内結晶磁気異方性が強まり、異方性磁界が増加する。斜め成長磁性層１１の結晶成長方向のみで異方性磁界Ｈｋを変化させることができるので、飽和磁化４πＭｓを減少させることなく異方性磁界Ｈｋを増加させることができ、磁性薄膜１の共鳴周波数ｆｒを高めることができ、高周波特性に優れたインダクタを得ることができる。 （もっと読む）