【課題】本発明は、無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による無収縮セラミック基板の製造方法は、ビア電極が形成されたセラミック基板を用意する第１段階と、上記セラミック基板にシード層を形成する第２段階と、上記シード層にめっき層を形成する第３段階と、を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性を向上させる要求に応える配線基板の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板４の製造方法は、樹脂基板１５を、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置する工程と、蒸着法を用いて、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置された樹脂基板１５の露出した一主面に金属層１２を形成する工程と、を備えている。また、本発明の一形態にかかる配線基板４の製造方法は、一主面に第１金属層１２ａを有する樹脂基板１５の該第１金属層１２ａ側にフッ素ゴム１７を配しつつ、樹脂基板１５を、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置する工程と、蒸着法を用いて、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置された樹脂基板１５の露出した他主面に第２金属層１２ｂを形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板１０は、セラミックス基板１１とその上に形成された配線層１２とを具備する。配線層１２は、セラミックス基板１１の表面に順に積層された下地金属層１５、第１の拡散防止層１６および第１のＡｕ層１７を有する配線部１３と、配線部１３上の所望の位置に順に積層された第２の拡散防止層１９、空孔抑制層２０および半田層１８を有する接続部１４とを備える。空孔抑制層２０はＡｕやＡｕを８５質量％以上含むＡｕ−Ｓｎ合金により構成される。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を確保しつつ電子部品の電極のファインピッチ化に対応可能なプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板１の製造方法は、シード層１３を有する基材２０を準備する第１の工程Ｓ１０と、第１及び第２の開口３１，３２を有するレジストパターン３０をシード層１３上に形成する第２の工程Ｓ２０と、第１の開口３１内に形成した第１の接着層１６によって半導体デバイス１５を基材２０に接着する第３の工程Ｓ３０と、シード層１３上に形成されためっき層１４を第２の開口３２内に満たすことで、電極１５３とめっき層１４とを直接接続する第４の工程Ｓ４０と、レジストパターン３０を除去する第５の工程Ｓ５０と、シード層１３の露出領域を除去する第６の工程Ｓ６０と、半導体デバイス１５と絶縁性フィルム１１の間の空隙６０に第２の接着層１７を形成する第７の工程Ｓ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】優れたスループットを実現できる配線構造体を提供する。
【解決手段】配線構造体は、微細ピッチで構造体が多数形成された第１の領域Ｒ１と、平面状に形成された第２の領域Ｒ２とを有する基体１と、第１の領域Ｒ１、および第２の領域Ｒ２のうち第２の領域Ｒ２に連続的に形成されて、配線パターンをなす金属層４とを備える。 （もっと読む）

パターン化されたマスク層を有する基板を製造する方法が開示され、そのマスク層は、反復する縞などの微細な形体を備えたものである。その方法は、基板の第１の主表面上に所定のパターンを備えた転写層を有する基板を形成する工程と、第１の主表面上に転写層を有する基板を用意する工程と、本体と複数の接触部分とを有する構造化成形型を用意する工程であって、接触部分は、約０．５Ｇｐａ〜約３０Ｇｐａのヤング率を有する、工程と、構造化成形型か又は基板のいずれかを加熱する工程と、転写層を構造化成形型と接触させる工程と、転写層を冷却する工程と、転写層の各部分が、構造化成形型と共に分離するように、構造化成形型を転写層から引き離し、転写層を完全に貫いて基板まで延びる開口部を転写層内に開口部を残し、所定のパターンを備えた転写層を形成する工程とを含む。
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【課題】ポリイミド基板と金属層との密着性を向上させて、安価で高品質な積層板を提供することが可能な積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】本積層板の製造方法では、ポリイミド基板Ｓの表面に表面処理層（アルカリ処理層）３を形成するアルカリ処理工程（ステップ２）を行った後、表面処理層（アルカリ処理層）３に触媒を付与する触媒付与工程（ステップ４）を行う前に、ポリイミド基板Ｓの熱処理を行う熱処理工程（ステップ３）を行う。 （もっと読む）

【課題】配線基板の製造においてスパッタプロセスを採用しつつ、スループットの向上及びランニングコストの低減が可能な配線基板の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を表面に有する被処理基板１０２上に、導電体メッキ層を形成する場合、導電体メッキ層の下地となるシード層をスパッタのみによって形成した場合、密着性及びスループットの向上ができない。同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】 耐屈折性に優れたフレキシブル性銅張積層板（２層ＦＣＣＬ板のうち樹脂フィルム基材上に銅層をめっき法により形成した通称めっき板）、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルム基材の表面に接着剤を介さずにシード層を形成し、そのシード層上に１０℃〜１７℃の温度の硫酸銅めっき浴中で不溶性アノードを用いて銅層を電気めっきした後、１７０℃〜１８０℃の温度で２時間以上熱処理する。このフレキシブル性銅張積層板の銅層は、ビッカース硬度が８０Ｈｖ以下であり、銅の平均結晶粒径が２μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第２電極の誘電層に接する面積の偏差を最小化することができ、結果的に、キャパシタの静電容量の誤差を減らすことができるキャパシタ内蔵型の印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るキャパシタ内蔵型の印刷回路基板は、絶縁層と、絶縁層の一面に形成される第１電極と、第１電極の一面に形成される第２電極と、第２電極の一面に形成される誘電層と、誘電層の一面に形成される第３電極とを備え、第１電極の一面に第２電極を形成する二重構造にキャパシタの電極を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く、電気特性に優れ、信頼度が高く、結合力が強固で、製造コストを低減させることができるセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、セラミック基板１の金属化方法を提供するものである。セラミック基板１は、無機物であり、電気的極性を有さないため、金属との接合が非常に困難である。従って、めっきの製造工程を利用し、先ず、セラミック基板１を洗浄し、マイクロエッチングにより、セラミック基板１の表面に粗面化処理を行う。次に、セラミック基板１の表面にナノレベルのＳｉを含む界面活性剤２を塗布し、電気的極性を有さないセラミック基板１の表面に、負極の電気的極性を発生させる。次に、めっき工程を通じてナノ界面活性剤２上に厚さが薄く、セラミックと接合させやすい正帯電の第１の金属層３を析出させる。 （もっと読む）

【課題】高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウを提供する。
【解決手段】薄膜形成対象物の表面とガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、照射スポット１１６予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａから、照射スポット予定位置に向けて集中するように、薄膜形成対象物の表面と平行に、ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われる。 （もっと読む）

【課題】 本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、搬送ロールに蓄えられる静電気が、離型層表面に傷を発生させる主要因となっていることを見出し、離型層中に帯電防止剤を含有させることにより、搬送中に生じる離型層表面の傷発生を防止し得ることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の内容を含む。
【解決手段】 支持体層上に帯電防止剤を含有する離型層が形成され、該離型層上に金属膜層が形成されている金属膜付きシート。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層と配線層との密着性を確保でき、かつ、高周波信号伝送及び微細配線形成に好適な多層配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本多層配線基板の製造方法は、第１配線層、絶縁層、及び多孔質薄膜を順次積層形成する第１工程と、前記多孔質薄膜及び前記絶縁層に前記第１配線層を露出する開口部を形成する第２工程と、前記開口部内に露出する前記第１配線層上の残渣を除去するとともに、前記多孔質薄膜をマスクとして、前記絶縁層の前記多孔質薄膜が形成されている面にナノメートルオーダーの多数の凹凸を形成する第３工程と、前記多孔質薄膜を除去する第４工程と、前記絶縁層の前記ナノメートルオーダーの多数の凹凸が形成されている面に第２配線層を形成する第５工程と、を有することを要件とする。 （もっと読む）

【課題】線幅の細線化および線厚の増大といった要望に応え得る配線導体の能率的な形成方法を提供する。
【解決手段】基材１上に金属膜３を形成し、金属膜３の上方から、パルス幅が１ピコ秒未満のフェムト秒レーザー光４を照射することによって、基材１に溝５を形成するとともに、金属膜３を構成していた金属を溶融させながら、溶融した金属を溝５に充填し、次いで、金属を冷却・固化することによって、基材１に埋設された配線導体２を得る。その後、必要に応じて、溝５を除く基材１の表面上に残存している金属膜３を除去する工程が実施される。上記のレーザー光照射工程において、レーザー光４の焦点は、基材１上に合わされることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
モールドを用いて、微細構造物を安定に製造できる技術を提供する。
【解決手段】
表面に３次元微細構造を有するモールドの有機樹脂層を準備し、有機樹脂層の表面上に、３次元微細構造を完全に埋め込み、共通支持部も形成する金属層を形成し、有機樹脂層と金属層の界面に金属酸化物を介した結合を形成し、有機樹脂層を蟻酸ガスに曝し、有機樹脂層を浸透した蟻酸により、金属層との界面における金属酸化物を還元し、金属層と有機樹脂層との結合を切断し、結合を切断した金属層を有機樹脂層から剥離し、有機樹脂層から剥離した金属層を、軟化させた有機樹脂層中に押し込み、金属層の有機樹脂層上方の共通支持部を化学機械研磨により除去することにより、微細構造を製造する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜を剥離した後、回路パターンの変色を除去することで、回路パターンにおけるワイヤボンディング不良を抑制する。
【解決手段】ドデシルベンゼンスルホン酸を含む剥離液により、パターン形成工程後の回路基板に対し、レジスト膜を溶解するレジスト剥離工程、上記レジスト剥離工程後の回路基板をアルコール脱脂した後、青化ソーダにより基板表面を活性化する表面活性化工程、上記表面活性化工程により表面の活性化された回路基板を洗浄する洗浄工程、により回路パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム系基板に回路を形成するに際して、高密着性の絶縁膜を効率よく形成することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化アルミニウム系基板表面に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜表面に導電性の下地膜を形成する工程と、形成しようとする導体回路の回路パターンの輪郭に沿って前記下地膜を電磁波照射により除去することにより、導体回路となる部分を導体回路が形成されない部分から絶縁する工程と、導体回路となる部分の下地膜に電解メッキ処理を施すことにより、厚膜化して導体回路を形成する工程と、を備え、絶縁膜を形成する際に、導体回路を形成する領域とその周辺領域以外の部分をマスキングした後、溶射法により導体回路を形成する領域とその周辺領域のみに絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】導体パターンの精密な配置を実現できるとともに、配線回路基板の変形を防止することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】貫通孔１７が形成された支持基板２を用意し、絶縁フィルム２６を、支持基板２の上に、貫通孔１７を被覆するように積層することにより、ベース絶縁層３を形成し、導体パターン４を形成するための種膜２１を、ベース絶縁層３の上に、真空蒸着法により形成し、その後、導体パターン４を、種膜２１を介してベース絶縁層３の上に形成することにより、配線回路基板１を得る。 （もっと読む）

【課題】表面が絶縁性を有する基板上に配設される導線の線幅が微細になっても、導線の基板からの剥離を容易に防止できるようにする。
【解決手段】表面が絶縁性を有する基板１１上に、導電性の密着層１２が配線パターン状に接着して配設される。そして、密着層１２の縁端に沿って被覆しその上面に開口部１３を有する側壁保護絶縁層１４が基板１１表面を被覆して形成される。側壁保護絶縁層１４は基板１１および密着層１２との密着性に優れた絶縁膜により成る。側壁保護絶縁層１４の上記開口部１３を通して密着層１２に接続する金属拡散防止層１５が形成され、その上部に例えばメッキ下地層１６を介して導体層１７が積層される。このようにして、導電性の密着層１２、金属拡散防止層１５、メッキ下地層１６および導体層１７から成る配線構造体１８が作製される。 （もっと読む）