説明

Fターム[5E346AA02]の内容

多層プリント配線板の製造 (97,916) | 多層の形状、構造 (21,562) | 基台の形状、構造 (1,878) | 絶縁基板のもの (858)

Fターム[5E346AA02]に分類される特許

121 - 140 / 858


【課題】本発明の目的は、多層プリント配線板作製工程における樹脂残渣除去工程でデスミア性に優れる多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物を提供するものである。また、本発明の目的は、加工性に優れる基材付き絶縁樹脂層を提供するものである。
【解決手段】下記成分を必須成分とする多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシリカ
(B)エポキシ樹脂
(C)硬化促進剤 (もっと読む)


【課題】同時に導電ペーストバイアおよび金属バイアを備える回路板を製造する回路板の製造方法、並びに同時に導電ペーストバイア及び金属バイアを備える回路板を提供する。
【解決手段】回路板が第1配線構造および第2配線構造を含む。第1配線構造が、第1誘電層と第1配線層と第2配線層と金属バイアとを含む。第1誘電層が互いに対向する第1表面および第2表面を有する。第1配線材料層が第1表面上に配置される。第2配線材料層が第2表面上に配置される。金属バイアが第1誘電層中に配置され、第1配線材料層および第2配線材料層を電気接続する。第2配線構造が第1配線構造上に配置される。第2配線構造が第3配線層と第2誘電層と導電ペーストバイアとを含む。第2誘電層が第1表面上に配置され、第1配線層を被覆する。第3配線層が第2誘電層上に配置される。導電ペーストバイアが第2誘電層中に配置され、第1配線層および第3配線層を電気接続する。 (もっと読む)


【課題】高精細かつ密着性に優れた金属配線を製造できると共に、ビアの接続信頼性に優れた多層配線基板を、高歩留まりで製造する製造方法を提供する。
【解決手段】(A)第1の導電層14を備える配線基板表面に、絶縁層、及び、所定の官能基を有するポリマーを含む層にエネルギー付与して得られる密着樹脂層20をこの順で備える積層体を形成する工程と、(B)前記密着樹脂層に対してめっき触媒を付与した後、めっきを行い、第2の導電層24を形成する工程と、(C)レーザ加工又はドリル加工により、第2の導電層、絶縁層を貫通し、前記第1の導電層に達するようにビアホール26を形成する工程と、(D)デスミア処理を行う工程と、(E)前記ビアホール壁面に対して、カーボンブラックまたはグラファイトを付与した後、無電解めっきを行うことなく、電気めっきを行い、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを電気的に接続する工程とを備える製造方法。 (もっと読む)


【課題】複数のシリコン基板同士の電気接続長を短くして、寄生容量を最小にするとともに、パッケージ基板全体の反りを抑制して接続信頼性を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ9は、半導体素子を備えた複数のシリコン基板1を内蔵する半導体パッケージにおいて、第1のシリコン基板にシリコン貫通ヴィア2を備え、パッケージ基板を形成するコア基板10の基材の線膨張係数が、3〜8ppm/℃である。 (もっと読む)


【課題】貫通孔内周面への凹み発生を低減できるグリーンシート積層体および絶縁基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックグリーンシート1の配線基板領域1aとそれぞれの配線基板領域周囲のダミー領域1bとに跨るように配置された貫通孔2を成形する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層加圧して積層体5を作製する工程を有し、貫通孔は間隔をあけて配置された2つの孔がダミー領域側から配線基板領域側へ、配線基板領域とダミー領域との境界線1cの延長線1dを跨いで延びると共に配線基板領域でつながった形状であるグリーンシート積層体の製造方法である。複数のセラミックグリーンシートを積層加圧した際に上下に配置される平板状の金属体または弾性体が、2つの孔の間の積層体によって支持されて平板状の金属体または弾性体が貫通孔内に入り込むことを抑制でき、貫通孔の開口縁に傾斜を低減できる。 (もっと読む)


【課題】反りの発生を抑制できる回路基板を提供すること。
【解決手段】回路基板1は、基板2と、この基板2上に設けられたフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層3とを備える。基板2の第一絶縁層21の25℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数(A)が30ppm/℃以下、3ppm/℃以上である。また、第二絶縁層23の25℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数(B)が(A)よりも大きく、(A)と、(B)との差が5ppm/℃以上、35ppm/℃以下である。 (もっと読む)


【課題】熱膨張率の差による製品の反りや捩れを防止する。
【解決手段】基材2の面部2Aを表裏に貫通する配線用スルーホール5Aを備え、基材2と異なる熱膨張率の絶縁材料6Bを使用した配線用スルーホール部位5と、基材2の面部2Aに形成した下孔6Aを備え、当該下孔6Aに絶縁材料6Bを充填して形成する熱膨張調整部位6とを有し、基材2の面部2Aに区画したセル20内の縦横方向の熱膨張率の差が最小限となるように、当該セル20内の配線用スルーホール部位5の配置位置に応じて、当該セル20内に熱膨張調整部位6を配置した。 (もっと読む)


【課題】絶縁層と、絶縁層の凹部に形成される電極パッドとの界面近傍にデラミネーション等が生じにくい配線基板を提供する。
【解決手段】支持体50上に形成されたレジスト51の開口52に電極パッド23の形状を調整するため調整層53を形成する。調整層53は、支持体50に略平行な平坦面53aと、平坦面53aの外縁から支持体50側に向かって開口52の側壁まで伸びる傾斜面53bとを有する。調整層53上に電極パッド23のパッド本体24を形成し、絶縁層と配線層とを形成する。支持体50及び調整層53をエッチングすることでパッド本体24を露出させる。 (もっと読む)


【課題】 貫通孔の一部にメッキ加工を施す場合であっても、精度良くプリント配線基板を製造することが可能なプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 まず、金属箔又はコア基板と、層間接続用のプリプレグとが積層されて成る第1の多層基板に導通孔を設ける。続いて、前記導通孔の内側の壁面にメッキ加工を施す。続いて、前記導通孔に樹脂を充填する。続いて、前記樹脂を充填した導通孔を塞ぐように蓋メッキ加工を施す。続いて、前記第1の多層基板の一方の表面に第2の多層基板を積層する。続いて、前記第1の多層基板から前記第2の多層基板まで貫通する貫通孔を、前記メッキ加工が施された部分が前記貫通孔を囲むように設ける。そして、前記導通孔に充填された樹脂を除去する。 (もっと読む)


【課題】各層の密着性の高い基板を簡易な工程で製造でき、しかもリジッド部の厚みをより均一にすることができるフレックスリジッド配線基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】プリプレグ11を介してリジッド配線基板の積層単位でフレキシブル配線板10を両側から挟み込んだ積層物を加熱加圧して一体化させる工程と、前記フレキシブル配線板10の端部10aに形成された配線パターンと前記リジッド配線基板の配線パターンとを導電接続する層間接続部を形成する工程とを含むフレックスリジッド配線基板の製造方法であって、前記積層物は、前記両側の積層単位を接着するための両側のプリプレグ11が、前記フレキシブル配線板10の端部10aを挟み込むと共に、残りの部分には別のプリプレグ31を挟み込んだものであるフレックスリジッド配線基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電子部品の冷却効率を向上させつつ、係合用の部位を別途設けることなく、電子部品内蔵配線基板を冷却器へ取り付けた後の電子部品の位置ズレを抑制することができる電子部品内蔵配線基板の冷却器への取付構造を提供すること。
【解決手段】冷却器200は、一方向に並設された複数のチューブ202を有する。配線基板100は、配線部(導体パターン20、層間接続部30)と、配線部に電気的に接続された複数の電子部品と、配線部と複数の電子部品とを内蔵するものであり、電子部品を内蔵する複数の電子部品配置部40、及び、可撓性を有し、電子部品配置部40の間に構成された屈曲部70を含む絶縁基材とを備える。そして、屈曲部70は、チューブ202の先端部位204に対向して配置され、電子部品配置部40は、隣り合うチューブ202によって挟持され、両表面がチューブ202に密着している。 (もっと読む)


【課題】反りを低減可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、各絶縁層は、同一組成のフィラーを含有し、前記各絶縁層の前記フィラーの含有量は、何れも30vol%以上65vol%以下の範囲にあり、前記各絶縁層の熱膨張係数は、何れも12ppm/℃以上35ppm/℃以下の範囲にある。 (もっと読む)


【課題】可溶性のフッ素系樹脂を含む絶縁樹脂組成物及びこれを用いて製造された印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明は可溶性のフッ素系樹脂;熱硬化性樹脂;及び前記可溶性のフッ素系樹脂と前記熱硬化性樹脂を同時に溶解させることができる溶媒;を含む絶縁樹脂組成物及びこれを用いて製造された印刷回路基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、信号伝送特性に優れた配線基板及びその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板3は、樹脂層7と該樹脂層7上に配された導電層13とを備え、樹脂層7は、基材10と、該基材10を被覆するとともに該基材10よりも誘電率の低い樹脂部11と、を有し、基材10は、長手方向が互いに平行な複数の第1繊維10xfからなる第1繊維束10xと、長手方向が互いに平行な複数の第2繊維10yfからなり、第1繊維束10xと交差する第2繊維束10yと、を具備し、樹脂部11の一部は、第1繊維10xf同士の間、第2繊維10yf同士の間及び第1繊維10xfと第2繊維10yfとの間に配されるとともに空隙Vを含んでおり、第1繊維束10xと第2繊維束10yとの交差領域Cにおける空隙Vの密度は、非交差領域Nにおける空隙Vの密度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】LSI内蔵基板のさらなる薄型化ために、内蔵基板の配線層数を低減する。
【解決手段】内蔵されたLSIの最表面の金属パターン(端子等)を複数の任意形状とし、内蔵配線の引き出しが容易となるように、金属パターンと内蔵基板の配線層との接続部を少なくとも1つの接続部がアレイ配置から逸れた配置とする。また、一部の金属パターンはまとめて一つの大きなパターンとし、内蔵配線層との接続ビア数を低減する。 (もっと読む)


【課題】耐熱性、寸法安定性、接着性に優れ、厚さ方向に微細な貫通孔を有し、前記貫通孔の壁面に金属層を積層した際、冷熱衝撃サイクル試験後においても金属層の剥離が生じないポリイミドボードを提供すること。
【解決手段】複数枚の(A)非熱可塑性ポリイミドフィルムが、(B)熱可塑性樹脂を介して交互に積層され、かつ厚さ方向に直径が10μm〜200μmの貫通孔を有するポリイミドボードにおいて、面方向での線膨張係数が−5ppm/℃〜15ppm/℃、厚さが50μm〜3000μm、かつ前記(A)層と(B)層を貫通する孔の直径比{(A)層を貫通する孔の直径(平均値)/(B)層を貫通する孔の直径(平均値)}が75%〜99%であることを特徴とするポリイミドボード。 (もっと読む)


【課題】多層配線が簡易な方法によって低コストで形成される電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1配線層30の上に、絶縁層22の上に金属層32aが積層された積層膜CFを形成する工程と、積層膜CFの上に開口部23aが設けられたレジスト23を形成する工程と、レジスト23の開口部23aを通して金属層32aをエッチングすることにより金属層32aに開口部32xを形成する工程と、ウェットブラスト法により、金属層32aの開口部32xを通して絶縁層22をエッチングすることにより、第1配線層30に到達するビアホールVHを形成する工程と、ビアホールVHに導電性ペースト40又ははんだからなるビア導体を形成することにより、第1配線層30と第2配線層32となる金属層32aとをビア導体で接続する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法で、配線に対するガラス繊維密度の疎密の影響を低減することが可能な配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本配線基板は、複数の第1繊維束、及び前記複数の第1繊維束とは異なる方向に配置された複数の第2繊維束が織り込まれた補強部材と、絶縁性の樹脂と、を含む絶縁層と、前記絶縁層上に配置された並走する一対の差動配線と、を有し、前記絶縁層の一部の領域において、前記第1繊維束及び前記第2繊維束は平面方向に蛇行しており、前記差動配線は、前記絶縁層の一部の領域上に配置されていることを要件とする。 (もっと読む)


【課題】 樹脂基板、電子部品内蔵樹脂基板、電子部品を内蔵した電子部品などの電子デバイスの製造方法において、導電ビアと内部の接続用電極との接合を確実におこなう。また、そのような導電ビアを、簡易に形成する。
【解決手段】 本発明の電子デバイスの製造方法は、接続用電極1aが形成された配線基板2を準備する工程と、接続用電極1a上に柱状ダミー体4aを形成する工程と、柱状ダミー体4aを埋設して、配線基板2の主面に樹脂層5を形成する工程と、樹脂層5に埋設された柱状ダミー体4aを、樹脂層5は溶解しにくいが柱状ダミー体4aは溶解可能な薬液を用いて溶解し、樹脂層5に柱状ダミー体と略同形状の空孔6aを形成する工程と、空孔6a内に導電成分を充填し、導電ビア7aを形成する工程と、を備えたものとした。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、電子部品との接続信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態にかかる配線基板3は、基体11と、該基体11の上面側のみに積層された複数の絶縁層14と、基体11の下面に部分的に形成された第1接続パッド7aと、基体11と該基体11に隣接する絶縁層14との間に部分的に形成された第1導電層10aと、隣接した絶縁層14同士の間に部分的に形成された第2導電層10bと、最上層に位置する絶縁層14の上面に部分的に形成された第2接続パッド7bと、を備え、基体11および絶縁層14の平面方向の熱膨張率は、第1接続パッド7a、第1導電層10a、第2導電層10bおよび第2接続パッド7bの平面方向の熱膨張率よりも小さく、絶縁層14の平面方向の熱膨張率は、基体11の平面方向の熱膨張率よりも小さい。 (もっと読む)


121 - 140 / 858