配線基板の製造方法及び配線基板
【課題】絶縁層と、絶縁層の凹部に形成される電極パッドとの界面近傍にデラミネーション等が生じにくい配線基板を提供する。
【解決手段】支持体５０上に形成されたレジスト５１の開口５２に電極パッド２３の形状を調整するため調整層５３を形成する。調整層５３は、支持体５０に略平行な平坦面５３ａと、平坦面５３ａの外縁から支持体５０側に向かって開口５２の側壁まで伸びる傾斜面５３ｂとを有する。調整層５３上に電極パッド２３のパッド本体２４を形成し、絶縁層と配線層とを形成する。支持体５０及び調整層５３をエッチングすることでパッド本体２４を露出させる。
【解決手段】支持体５０上に形成されたレジスト５１の開口５２に電極パッド２３の形状を調整するため調整層５３を形成する。調整層５３は、支持体５０に略平行な平坦面５３ａと、平坦面５３ａの外縁から支持体５０側に向かって開口５２の側壁まで伸びる傾斜面５３ｂとを有する。調整層５３上に電極パッド２３のパッド本体２４を形成し、絶縁層と配線層とを形成する。支持体５０及び調整層５３をエッチングすることでパッド本体２４を露出させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板では、表面の絶縁層に形成される開口に電極パッドが形成されている。例えば特許文献１に記載される配線基板では、絶縁層の表面に形成された断面視が矩形状の開口に、この開口の深さよりも厚みが薄い電極パッドが形成されている。この配線基板では、絶縁層の表面が電極パッドの表面よりも突出した位置にあるため、ＬＳＩなどの接続端子が電極パッドにはんだ付けにより接続される場合に、流出したはんだにより隣接する電極が短絡されることを抑制することができる。
【０００３】
この配線基板は、以下のようにして製造される。まず、支持体上に、電極パッドを形成するための開口を有するソルダレジストを形成する。次に、この開口に、電極パッドの高さを調整するための調整層を形成する。調整層は、断面視が矩形状であり、ソルダレジストの開口の深さよりも薄い厚みに形成される。次に、調整層の表面に、断面視が矩形状の電極パッドを形成する。そして、支持体上に電極パッドを覆うようにして絶縁層を形成する。次に、絶縁層における電極パッドに対応する部分にビアホールを形成してビアを形成するとともに、ビアに対応してパターン配線を形成することで配線層を形成する。その後、パターン配線を覆うようにして絶縁層の表面にソルダレジストを形成し、ソルダレジストに開口を形成してパターン配線の一部を露出させる。また、支持体と調整層とをウェットエッチングにより除去することで、電極パッドの表面を露出させる。以上のようにして、絶縁層（ソルダレジスト）の表面が電極パッドの表面よりも突出した形状の配線基板が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１３０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の電極パッドでは、図７（ａ）に示すように、支持体６０と調整層６１とをウェットエッチングで除去する場合に、図７（ｂ）に示すように、電極パッド６２の外縁部（絶縁層６３との界面近傍）がエッチングされる場合がある。このような場合、電極パッド６２の外縁部と絶縁層６３との間に形成される溝を起点として、電極パッド６２や絶縁層６３にデラミネーションやクラックが生じやすくなる。
【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、電極パッドと絶縁層との界面にデラミネーション等が生じにくい配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、支持体上に配線基板の電極パッドの形成位置と対応する位置に開口を有するレジストを形成する工程と、前記レジストの開口に調整層を形成する工程と、前記調整層上に、電極パッドを形成する工程と、前記支持体上に、絶縁層と配線層を積層し、配線部材を形成する工程と、前記支持体及び前記調整層を除去する工程とを有する。前記調整層を形成する工程では、前記支持体に略平行な平坦面と、前記平坦面の外縁から前記支持体側の前記開口の側壁に向かって伸びる傾斜面とを有する調整層を形成し、前記電極パッドを形成する工程では、前記調整層に対応して、中央部が外縁部よりも窪んでいるとともに、前記中央部に平坦面を有する電極パッドを形成する。
【０００８】
この製造方法によれば、仮に調整層を除去する工程において電極パッドの外縁部がエッチングされたとしても、電極パッドは、相対的に突出している外縁部の先端が丸くなる程度であり、電極パッドにおける絶縁層との界面近傍がエッチングされることを抑制することができる。これにより、電極パッドと絶縁層との界面においてデラミネーションやクラックが生じることを抑制することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一観点によれば、電極パッドと絶縁層との界面においてデラミネーションやクラックが生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る配線基板の断面図。
【図２】実施形態に係る配線基板において、電極パッド周辺を拡大して示す断面図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）及び（ｅ）は、実施形態に係る配線基板の製造過程における状態を示す断面図であり、（ｄ）及び（ｆ）は、（ｃ）及び（ｅ）の要部拡大図。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、実施形態に係る配線基板の製造過程における状態を示す断面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、他の実施形態の表面めっき層を示す配線基板の断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、他の実施形態において、調整層上に形成する表面めっき層を示す配線基板の製造過程における断面図。
【図７】従来の配線基板の製造過程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（実施形態）
以下、一実施形態を図１〜図４に基づいて説明する。
図１に示すように、実施形態に係る配線基板１０では、第１〜第３の各絶縁層２０，３０，４０が積層されている。各絶縁層２０，３０，４０には、複数の配線層２１，３１，４１が形成されている。各絶縁層２０，３０，４０は、例えばエポキシ樹脂からなり、配線層２１，３１，４１は、例えば銅などの金属からなる。
【００１２】
第１の絶縁層２０にはビアホール２０ａが形成されている。第１の配線層２１は、ビアホール２０ａに形成されるビア２１ａと、ビア２１ａに接続される配線パターン２１ｂとを有している。第２の配線層３１及び第３の配線層４１は、第１の配線層２１と同様に、第２の絶縁層３０及び第３の絶縁層４０のビアホール３０ａ，４０ａに形成されるビア３１ａ，４１ａと、ビア３１ａ，４１ａに接続される配線パターン３１ｂ，４１ｂとを有している。
【００１３】
第１の絶縁層２０には、第１の配線層２１に対応して凹部２２が形成されている。凹部２２の平面視は図示を省略するが、円形状であり、その直径は例えば５０〜５００μｍである。なお、図１〜図４の各断面図は、この円形状の凹部２２の円の中心を通る縦断面図である。
【００１４】
図２に示すように、第１の絶縁層２０の凹部２２には、電極パッド２３が形成されている。電極パッド２３は、パッド本体２４と、パッド本体２４の表面に形成される表面めっき層２５とを有している。パッド本体２４は、銅からなり、表面めっき層２５は、パッド本体２４上に直接形成されるニッケル層２５ａと、その上に形成される金層２５ｂとを有している。パッド本体２４の厚みは、例えば５〜２５μｍであり、ニッケル層２５ａの厚みは、例えば０．０５〜１０μｍであり、金層２５ｂの厚みは、例えば０．００５〜０．５μｍである。また、表面めっき層２５は、上記ニッケル層２５ａと金層２５ｂの２層に限らず、図５（ａ）に示すパラジウム層２５ｃ、金層２５ｂの２層構造や、図５（ｂ）に示すニッケル層２５ａ、パラジウム層２５ｃ及び金層２５ｂからなる３層構造、図５（ｃ）に示すスズ層２５ｄのみからなる１層構造としてもよい。
【００１５】
電極パッド２３は、中央部に位置する平坦部２６と、平坦部２６の外縁から突出する突出部２７とを有している。平坦部２６は、第１の絶縁層２０の凹部２２の底面に対して略平行な平坦面２６ａを有している。突出部２７は、平坦面２６ａの外縁から凹部２２の壁面に向かって傾斜する傾斜面２７ａを有しており、その先端２７ｂは略平坦な形状となる。凹部２２の上端から平坦面２６ａまでの距離Ｌ１は、例えば１０〜１５μｍであり、凹部２２の側壁から平坦部２６の外縁までの距離Ｌ２は、例えば１０〜１５μｍであり、突出部２７の高さＬ３は、例えば５μｍ未満である。
【００１６】
電極パッド２３は、平坦部２６と突出部２７とを備え、第１の絶縁層２０と接触するため、平坦部のみからなる電極パッドと比べて、突出部２７だけ第１の絶縁層２０との接触面積が増え、電極パッド２３と第１の絶縁層２０との間の密着性が向上する。したがって、電極パッド２３と第１の絶縁層２０との界面近傍にクラック等が生じることを抑制することができる。
【００１７】
また、図２では、電極パッド２３にはんだボール２８が接続された状態を示しており、電極パッド２３は、はんだボール２８を介して図示しない半導体素子のパッドに接続される。
【００１８】
上記したように、電極パッド２３の外縁部には突出部２７が形成されている。したがって、はんだボール２８は、相対的に窪んでいる中央部（平坦部２６）に収まりやすくなる。また、はんだボール２８は、電極パッド２３の平坦部２６と突出部２７とで支持されるため、平坦部のみからなる電極パッドと比べて、はんだボール２８と電極パッド２３との接触面積が大きくなるとともに、はんだボール２８と電極パッド２３及び凹部２２の側壁の間の空隙が低減される。したがって、本実施形態の電極パッド２３は、はんだボール２８に応力が作用した場合に、より大きい面積（接触点）ではんだボール２８を支持することができ、はんだボール２８を安定的に支持することができる。
【００１９】
また、本実施形態の電極パッド２３の表面は、一様な曲面や平坦面ではなく、平坦面２６ａと傾斜面２７ａとを有し、その境界が角部となっている。ここで、電極パッドの表面が一様な曲面や平坦面のみで構成されている場合には、電極パッドの表面に沿ってはんだボールに応力が作用したり、この表面に沿ってクラックが発生したりすると、これらの伝播が電極パッドの表面形状に沿って進行する。しかしながら、本実施形態の電極パッド２３の表面は一様な面ではないため、例えば、はんだボール２８に傾斜面２７ａに沿った応力が加わった場合でも、その応力の伝播が平坦面２６ａと傾斜面２７ａとの境界近傍で停止される。また、電極パッド２３において、その傾斜面２７ａに沿ってクラックが発生した場合でも、そのクラックの伝播が平坦面２６ａと傾斜面２７ａとの境界近傍で停止される。
【００２０】
図１に示すように、第３の絶縁層４０には、ソルダレジスト４２が積層されている。ソルダレジスト４２は、第３の配線層４１のそれぞれに対応する開口４３を有しており、これにより、第３の配線層４１の配線パターン４１ｂの一部が露出している。第３の配線層４１には、図示しないプリント基板の電極が接続される。これにより、半導体素子とプリント基板とが、配線基板１０を介して電気的に接続される。
【００２１】
次に、配線基板１０の製造方法を、図３及び図４に基づいて説明する。
配線基板１０を製造するには、まず、図３（ａ）に示すように、支持体５０を用意する。支持体５０としては、金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅箔を用いる。次に、図３（ｂ）に示すように、支持体５０にレジスト５１を形成する。また、このレジスト５１としては、例えばドライフィルムを利用することができる。レジスト５１には、電極パッド２３の形成部位に対応して開口５２が形成される。
【００２２】
次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト５１に形成された開口５２に、電極パッド２３の形状を調整するための調整層５３を形成する。調整層５３は、支持体５０におけるレジスト５１の開口５２から露出した部位に、電解めっきにより銅めっきを施すことにより形成される。すなわち、調整層５３は銅からなる。電解めっきでは、めっき液として、例えば硫酸銅、硫酸及び塩素の無機成分に、添加剤として、例えばレベラー、ポリマー及びブライトナーといった有機成分を添加したものを用いる。調整層５３の厚みは、図２に示した凹部２２の上端（第１の絶縁層２０）から平坦面２６ａ（電極パッド２３）までの距離Ｌ１に相当し、例えば、１０〜１５μｍであり、開口５２の深さよりも薄い厚みに形成される。
【００２３】
また、上記めっき液の配合を適宜調整することで、開口５２の中央部に平坦なめっき層が得られる。したがって、本実施形態では、図３に示すように、調整層５３が、開口５２の底面に対してほぼ平行な平坦面５３ａと、平坦面５３ａの外縁から支持体５０側に向かって開口５２の側壁まで伸びる傾斜面５３ｂとを有する形状に形成される。なお、図３（ｄ）に示す例では、調整層５３が六角形状であるが、電解めっきが短時間で行われる場合には、この傾斜面５３ｂが支持体５０近傍に存在するため、略台形状となることもある。このようにして、調整層５３の傾斜面５３ｂと開口５２の側壁面との間に、断面視が略「Ｖ」字状の溝部５４が形成される。
【００２４】
次に、図３（ｅ）に示すように、調整層５３の表面に電極パッド２３のパッド本体２４を形成する。本実施形態では、図３（ｆ）に示すように、調整層５３の表面に、ニッケル層５５を厚みが０．０５〜１０μｍとなるように形成した後に、銅めっきを施してパッド本体２４を厚みが５〜２５μｍとなるように形成する。図３（ｆ）に示すように、ニッケル層５５は、調整層５３の表面に沿った形状に形成され、パッド本体２４は、平坦面２４ａと傾斜面２４ｂとを有する形状に形成される。
【００２５】
次に、図４（ａ）に示すように、レジスト５１を除去する。そして、パッド本体２４及び支持体５０の表面粗化処理を行う。表面粗化処理は、表面粗さが０．５〜２μｍとなるように行われる。この処理は、図４（ｂ）に示す次工程で、支持体５０及びパッド本体２４に対して第１の絶縁層２０を密着させやすくするために行われる。粗化処理としては、異方性エッチング（例えばウェットエッチング）などを用いることができる。
【００２６】
図４（ｂ）に示す工程では、支持体５０の表面に、第１の絶縁層２０をビルドアップ法により形成し、パッド本体２４を被覆する。具体的には、支持体５０に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレスしながら熱処理して硬化させることにより、第１の絶縁層２０を形成する。そして、図４（ｃ）に示すように、第１の絶縁層２０においてパッド本体２４に対応する部位に、例えばレーザを照射してビアホール２０ａを形成し、パッド本体２４を露出させる。その後、図４（ｄ）に示すように、各ビアホール２０ａに、第１の配線層２１を例えばセミアディティブ法により形成する。
【００２７】
そして、図４（ｅ）に示すように、第２の絶縁層３０及び第２の配線層３１、第３の絶縁層４０及び第３の配線層４１を、同様に順に形成し、配線部材を形成する。第３の絶縁層４０の表面を、ソルダレジスト４２で被覆し、第３の配線層４１に対応して開口４３を形成する。なお、第１〜第３の各絶縁層２０，３０，４０及び各配線層２１，３１，４１からなる配線部材の形成方法としては、上記したセミアディティブ法の他にサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を採用することができる。
【００２８】
次に、図４（ｆ）に示すように、支持体５０及び調整層５３を例えばウェットエッチングにより除去する。次に、ニッケル層５５をエッチングし、パッド本体２４を露出させる。ここで、パッド本体が平坦面のみを備える場合には、第１の絶縁層２０の凹部２２の側壁面とパッド本体の表面とが接する角が略直角となる。これに対し、本実施形態ではパッド本体２４の外縁が傾斜面２４ｂであるため、第１の絶縁層２０の凹部２２の側壁面とパッド本体２４の表面とのが接する角が鈍角となる。したがって、エッチング液がパッド本体２４の表面における外縁近傍に滞留しにくくなり、仮にパッド本体２４がエッチングされたとしても、傾斜面２４ｂの先端が丸くなる程度である。このようにして、パッド本体２４における第１の絶縁層２０との境界部分がエッチングされることが抑制される。
【００２９】
最後に、パッド本体２４が露出した状態において、図２に示すように、パッド本体２４に無電解めっきによる表面処理を施し、ニッケル層２５ａ及び金層２５ｂを順に形成する。なお、ニッケル層２５ａ及び金層２５ｂを有する表面めっき層２５を形成するようしたが、表面処理はこの方法に限定されない。例えば、無電解めっきにより、パッド本体２４の表面に、ニッケル、パラジウム及び金の３層からなる表面めっき層を形成してもよいし、パラジウム及び金の２層からなる表面めっき層を形成してもよいし、スズのみなる表面めっき層を形成してもよい（図５（ａ）〜（ｃ）参照）。また、ＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative ）処理を行って、パッド本体２４の表面に有機成分からなる酸化防止被膜を形成するようにしてもよい。このようにして、電極パッド２３が形成される。以上のようにして、配線基板１０が製造される。
【００３０】
以上の実施形態をまとめると、以下のようになる。
（１）配線基板１０を製造するにあたって、調整層５３は、支持体５０に略平行な平坦面５３ａと、平坦面５３ａの外縁から支持体５０側に向かってレジスト５１の開口５２の側壁まで伸びる傾斜面５３ｂとを有している。これにより、調整層５３上に形成されるパッド本体２４は、調整層５３の表面に対応して中央部に平坦面２４ａを有するとともに、外縁部が中央部よりも突出した傾斜面２４ｂを有する形状に形成される。したがって、支持体５０及び調整層５３をエッチングする際に、パッド本体２４の一部がエッチングされる場合であっても、突出した傾斜面２４ｂの先端が丸くなる程度である。これにより、パッド本体２４における第１の絶縁層２０との境界部分がエッチングされることが抑制され、この部位がエッチングされることに起因して電極パッド２３と第１の絶縁層２０との界面にデラミネーション等が生じることを抑制することができる。
【００３１】
（２）配線基板１０では、第１の絶縁層２０の表面に形成された凹部２２に電極パッド２３が形成され、電極パッド２３は、平坦面２６ａを有する平坦部２６と、傾斜面２７ａを有する突出部２７とを含んでいる。これにより、電極パッド２３は、平坦部２６と突出部２７とを備え、第１の絶縁層２０と接触するため、平坦部のみからなる電極パッドに比べて、突出部２７だけ第１の絶縁層２０との接触面積が増え、電極パッド２３と第１の絶縁層２０との間の密着性が向上し、これらの境界部分にクラックが生じることを抑制することができる。
【００３２】
（３）電極パッド２３は、平坦部２６と突出部２７とを含み、電極パッド２３には、はんだボール２８が接続される。これにより、はんだボール２８が電極パッド２３の中央部に収まりやすくなるとともに、平坦部のみからなる電極パッドに比べて、はんだボール２８と電極パッド２３との接触面積が大きくなる。これにより、はんだボール２８の搭載性が向上するとともに、電極パッド２３によってはんだボール２８をより安定的に支持することができる。
【００３３】
（４）電極パッド２３の表面は、平坦面２６ａと傾斜面２７ａとを有しており、平坦面２６ａと傾斜面２７ａとの境界が角部となっている。したがって、仮に電極パッド２３において、この傾斜面２７ａに沿ったクラック等が発生したとしても、このクラックの伝播が角部近傍で停止されやすい。また、傾斜面２７ａに沿ってはんだボール２８に応力が作用したとしても、その応力も角部近傍で停止されやすい。
【００３４】
（その他の実施形態）
・上記実施形態では、図３（ｅ）に示す工程で、調整層５３の表面にニッケル層５５を形成した後にパッド本体２４を形成するようにしている。また、図４（ｆ）で示す支持体の除去工程では、支持体５０、調整層５３及びニッケル層５５を除去し、その後にパッド本体２４上に表面めっき層２５を形成するようにしている。これに対して他の実施形態では、図３（ｅ）の電極パッド２３の形成工程において、調整層５３上（ニッケル層５５に相当する位置）に、表面めっき層２５を形成した後に、パッド本体２４を形成する。そして、図４（ｆ）の支持体除去工程では、支持体５０と調整層５３のみを除去する。この場合、表面めっき層２５がすでに形成されているため、一実施形態のように図４（ｆ）の工程後、パッド本体２４に表面めっき層２５を形成する必要がなく、製造工程を減らすことができる。例えば、調整層上に形成される表面めっき層２５としては、図６（ａ）に示すように、金層２５ｂ（０．００５〜０．５μｍ）、パラジウム層２５ｃ（０．００５〜０．５μｍ）及びニッケル層２５ａ（０．０５〜１０μｍ）からなる３層の表面めっき層を形成してもよい。また、図６（ｂ）に示すように、例えば金層２５ｂ（０．００５〜０．５μｍ）及びニッケル層２５ａ（０．５〜１０μｍ）からなる２層の表面めっき層や、金層２５ｂ（０．００５〜０．５μｍ）及びパラジウム層２５ｃ（０．００５〜０．５μｍ）からなる２層の表面めっき層を形成してもよい。
【００３５】
・上記実施形態では、電極パッド２３が平坦部２６と突出部２７とを備えており、図２に示すように、突出部２７の傾斜面２７ａは平坦な面となっている。しかしながら、突出部の形状は特に限定されず、例えば突出部の表面は、平坦な面でなく曲面であってもよい。なお、この場合であっても、突出部の表面と平坦部の平坦面との境界には、角部が形成されることが好ましい。これにより、上記実施形態の（４）の作用効果を得ることができる。
【００３６】
・上記実施形態の配線基板１０では、電極パッド２３が、はんだボール２８を介して半導体素子の電極パッドに接続されている。しかしながら、電極パッド２３が、半導体素子と金属ワイヤにより接続されていてもよい。
【００３７】
・上記実施形態の配線基板１０では、電極パッド２３がはんだボール２８を介して半導体素子に接続され、第３の絶縁層４０側にプリント基板が接続されている。しかしながら、電極パッド２３にプリント基板が接続され、第３の配線層４１（ソルダレジスト４２の開口４３から露出している部分）に半導体素子が接続される構成であってもよい。
【００３８】
・上記実施形態の製造方法では、パッド本体２４の形成後、レジスト５１を除去してから第１の絶縁層２０を形成したが、レジスト５１を除去することなく、第１の絶縁層２０を形成するようにしてもよい。この場合、製造される配線基板は、レジスト５１の表面に形成される開口５２に電極パッド２３が形成される構造となる。
【００３９】
・上記実施形態では、絶縁層の材料としてエポキシ樹脂を用い、電極パッドのパッド本体及び配線層の材料として銅を用いたが、絶縁層には、例えばポリイミド系樹脂などその他の材料を用いてもよく、パッド本体や配線層に用いる材料も銅に限定されず、適宜変更可能である。また、絶縁層に形成される凹部の大きさ、電極パッドの大きさ、各層の厚み、配線パターンなどは例示であって、特に限定されない。また、絶縁層及び配線層の積層枚数も例示であり、特に限定されない。また、製造時に用いた支持体及び調整層についても、銅に限定されず、その材料は適宜変更可能である。また、調整層は、平坦面と傾斜面とを有するように形成されればよく、調整層を形成するために用いるレジスト及びめっき液は限定されず、形成方法も限定されない。すなわち、例えば、全表面が平坦な調整層を形成した後に、外縁部をエッチングして傾斜面を形成してもよいし、電解めっき以外の方法で調整層を形成するようにしてもよい。他の製造工程においても、例示した方法に限定されない。
【符号の説明】
【００４０】
１０ 配線基板
２０ 第１の絶縁層
２１ 第１の配線層
２２ 凹部
２３ 電極パッド
２４ パッド本体
２５ 表面めっき層
２６ 平坦部
２７ 突出部
２８ はんだボール
５０ 支持体
５１ レジスト
５２ 開口
５３ 調整層
５３ａ 平坦面
５３ｂ 傾斜面
【技術分野】
【０００１】
配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板では、表面の絶縁層に形成される開口に電極パッドが形成されている。例えば特許文献１に記載される配線基板では、絶縁層の表面に形成された断面視が矩形状の開口に、この開口の深さよりも厚みが薄い電極パッドが形成されている。この配線基板では、絶縁層の表面が電極パッドの表面よりも突出した位置にあるため、ＬＳＩなどの接続端子が電極パッドにはんだ付けにより接続される場合に、流出したはんだにより隣接する電極が短絡されることを抑制することができる。
【０００３】
この配線基板は、以下のようにして製造される。まず、支持体上に、電極パッドを形成するための開口を有するソルダレジストを形成する。次に、この開口に、電極パッドの高さを調整するための調整層を形成する。調整層は、断面視が矩形状であり、ソルダレジストの開口の深さよりも薄い厚みに形成される。次に、調整層の表面に、断面視が矩形状の電極パッドを形成する。そして、支持体上に電極パッドを覆うようにして絶縁層を形成する。次に、絶縁層における電極パッドに対応する部分にビアホールを形成してビアを形成するとともに、ビアに対応してパターン配線を形成することで配線層を形成する。その後、パターン配線を覆うようにして絶縁層の表面にソルダレジストを形成し、ソルダレジストに開口を形成してパターン配線の一部を露出させる。また、支持体と調整層とをウェットエッチングにより除去することで、電極パッドの表面を露出させる。以上のようにして、絶縁層（ソルダレジスト）の表面が電極パッドの表面よりも突出した形状の配線基板が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１３０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の電極パッドでは、図７（ａ）に示すように、支持体６０と調整層６１とをウェットエッチングで除去する場合に、図７（ｂ）に示すように、電極パッド６２の外縁部（絶縁層６３との界面近傍）がエッチングされる場合がある。このような場合、電極パッド６２の外縁部と絶縁層６３との間に形成される溝を起点として、電極パッド６２や絶縁層６３にデラミネーションやクラックが生じやすくなる。
【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、電極パッドと絶縁層との界面にデラミネーション等が生じにくい配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、支持体上に配線基板の電極パッドの形成位置と対応する位置に開口を有するレジストを形成する工程と、前記レジストの開口に調整層を形成する工程と、前記調整層上に、電極パッドを形成する工程と、前記支持体上に、絶縁層と配線層を積層し、配線部材を形成する工程と、前記支持体及び前記調整層を除去する工程とを有する。前記調整層を形成する工程では、前記支持体に略平行な平坦面と、前記平坦面の外縁から前記支持体側の前記開口の側壁に向かって伸びる傾斜面とを有する調整層を形成し、前記電極パッドを形成する工程では、前記調整層に対応して、中央部が外縁部よりも窪んでいるとともに、前記中央部に平坦面を有する電極パッドを形成する。
【０００８】
この製造方法によれば、仮に調整層を除去する工程において電極パッドの外縁部がエッチングされたとしても、電極パッドは、相対的に突出している外縁部の先端が丸くなる程度であり、電極パッドにおける絶縁層との界面近傍がエッチングされることを抑制することができる。これにより、電極パッドと絶縁層との界面においてデラミネーションやクラックが生じることを抑制することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一観点によれば、電極パッドと絶縁層との界面においてデラミネーションやクラックが生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る配線基板の断面図。
【図２】実施形態に係る配線基板において、電極パッド周辺を拡大して示す断面図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）及び（ｅ）は、実施形態に係る配線基板の製造過程における状態を示す断面図であり、（ｄ）及び（ｆ）は、（ｃ）及び（ｅ）の要部拡大図。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、実施形態に係る配線基板の製造過程における状態を示す断面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、他の実施形態の表面めっき層を示す配線基板の断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、他の実施形態において、調整層上に形成する表面めっき層を示す配線基板の製造過程における断面図。
【図７】従来の配線基板の製造過程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（実施形態）
以下、一実施形態を図１〜図４に基づいて説明する。
図１に示すように、実施形態に係る配線基板１０では、第１〜第３の各絶縁層２０，３０，４０が積層されている。各絶縁層２０，３０，４０には、複数の配線層２１，３１，４１が形成されている。各絶縁層２０，３０，４０は、例えばエポキシ樹脂からなり、配線層２１，３１，４１は、例えば銅などの金属からなる。
【００１２】
第１の絶縁層２０にはビアホール２０ａが形成されている。第１の配線層２１は、ビアホール２０ａに形成されるビア２１ａと、ビア２１ａに接続される配線パターン２１ｂとを有している。第２の配線層３１及び第３の配線層４１は、第１の配線層２１と同様に、第２の絶縁層３０及び第３の絶縁層４０のビアホール３０ａ，４０ａに形成されるビア３１ａ，４１ａと、ビア３１ａ，４１ａに接続される配線パターン３１ｂ，４１ｂとを有している。
【００１３】
第１の絶縁層２０には、第１の配線層２１に対応して凹部２２が形成されている。凹部２２の平面視は図示を省略するが、円形状であり、その直径は例えば５０〜５００μｍである。なお、図１〜図４の各断面図は、この円形状の凹部２２の円の中心を通る縦断面図である。
【００１４】
図２に示すように、第１の絶縁層２０の凹部２２には、電極パッド２３が形成されている。電極パッド２３は、パッド本体２４と、パッド本体２４の表面に形成される表面めっき層２５とを有している。パッド本体２４は、銅からなり、表面めっき層２５は、パッド本体２４上に直接形成されるニッケル層２５ａと、その上に形成される金層２５ｂとを有している。パッド本体２４の厚みは、例えば５〜２５μｍであり、ニッケル層２５ａの厚みは、例えば０．０５〜１０μｍであり、金層２５ｂの厚みは、例えば０．００５〜０．５μｍである。また、表面めっき層２５は、上記ニッケル層２５ａと金層２５ｂの２層に限らず、図５（ａ）に示すパラジウム層２５ｃ、金層２５ｂの２層構造や、図５（ｂ）に示すニッケル層２５ａ、パラジウム層２５ｃ及び金層２５ｂからなる３層構造、図５（ｃ）に示すスズ層２５ｄのみからなる１層構造としてもよい。
【００１５】
電極パッド２３は、中央部に位置する平坦部２６と、平坦部２６の外縁から突出する突出部２７とを有している。平坦部２６は、第１の絶縁層２０の凹部２２の底面に対して略平行な平坦面２６ａを有している。突出部２７は、平坦面２６ａの外縁から凹部２２の壁面に向かって傾斜する傾斜面２７ａを有しており、その先端２７ｂは略平坦な形状となる。凹部２２の上端から平坦面２６ａまでの距離Ｌ１は、例えば１０〜１５μｍであり、凹部２２の側壁から平坦部２６の外縁までの距離Ｌ２は、例えば１０〜１５μｍであり、突出部２７の高さＬ３は、例えば５μｍ未満である。
【００１６】
電極パッド２３は、平坦部２６と突出部２７とを備え、第１の絶縁層２０と接触するため、平坦部のみからなる電極パッドと比べて、突出部２７だけ第１の絶縁層２０との接触面積が増え、電極パッド２３と第１の絶縁層２０との間の密着性が向上する。したがって、電極パッド２３と第１の絶縁層２０との界面近傍にクラック等が生じることを抑制することができる。
【００１７】
また、図２では、電極パッド２３にはんだボール２８が接続された状態を示しており、電極パッド２３は、はんだボール２８を介して図示しない半導体素子のパッドに接続される。
【００１８】
上記したように、電極パッド２３の外縁部には突出部２７が形成されている。したがって、はんだボール２８は、相対的に窪んでいる中央部（平坦部２６）に収まりやすくなる。また、はんだボール２８は、電極パッド２３の平坦部２６と突出部２７とで支持されるため、平坦部のみからなる電極パッドと比べて、はんだボール２８と電極パッド２３との接触面積が大きくなるとともに、はんだボール２８と電極パッド２３及び凹部２２の側壁の間の空隙が低減される。したがって、本実施形態の電極パッド２３は、はんだボール２８に応力が作用した場合に、より大きい面積（接触点）ではんだボール２８を支持することができ、はんだボール２８を安定的に支持することができる。
【００１９】
また、本実施形態の電極パッド２３の表面は、一様な曲面や平坦面ではなく、平坦面２６ａと傾斜面２７ａとを有し、その境界が角部となっている。ここで、電極パッドの表面が一様な曲面や平坦面のみで構成されている場合には、電極パッドの表面に沿ってはんだボールに応力が作用したり、この表面に沿ってクラックが発生したりすると、これらの伝播が電極パッドの表面形状に沿って進行する。しかしながら、本実施形態の電極パッド２３の表面は一様な面ではないため、例えば、はんだボール２８に傾斜面２７ａに沿った応力が加わった場合でも、その応力の伝播が平坦面２６ａと傾斜面２７ａとの境界近傍で停止される。また、電極パッド２３において、その傾斜面２７ａに沿ってクラックが発生した場合でも、そのクラックの伝播が平坦面２６ａと傾斜面２７ａとの境界近傍で停止される。
【００２０】
図１に示すように、第３の絶縁層４０には、ソルダレジスト４２が積層されている。ソルダレジスト４２は、第３の配線層４１のそれぞれに対応する開口４３を有しており、これにより、第３の配線層４１の配線パターン４１ｂの一部が露出している。第３の配線層４１には、図示しないプリント基板の電極が接続される。これにより、半導体素子とプリント基板とが、配線基板１０を介して電気的に接続される。
【００２１】
次に、配線基板１０の製造方法を、図３及び図４に基づいて説明する。
配線基板１０を製造するには、まず、図３（ａ）に示すように、支持体５０を用意する。支持体５０としては、金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅箔を用いる。次に、図３（ｂ）に示すように、支持体５０にレジスト５１を形成する。また、このレジスト５１としては、例えばドライフィルムを利用することができる。レジスト５１には、電極パッド２３の形成部位に対応して開口５２が形成される。
【００２２】
次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト５１に形成された開口５２に、電極パッド２３の形状を調整するための調整層５３を形成する。調整層５３は、支持体５０におけるレジスト５１の開口５２から露出した部位に、電解めっきにより銅めっきを施すことにより形成される。すなわち、調整層５３は銅からなる。電解めっきでは、めっき液として、例えば硫酸銅、硫酸及び塩素の無機成分に、添加剤として、例えばレベラー、ポリマー及びブライトナーといった有機成分を添加したものを用いる。調整層５３の厚みは、図２に示した凹部２２の上端（第１の絶縁層２０）から平坦面２６ａ（電極パッド２３）までの距離Ｌ１に相当し、例えば、１０〜１５μｍであり、開口５２の深さよりも薄い厚みに形成される。
【００２３】
また、上記めっき液の配合を適宜調整することで、開口５２の中央部に平坦なめっき層が得られる。したがって、本実施形態では、図３に示すように、調整層５３が、開口５２の底面に対してほぼ平行な平坦面５３ａと、平坦面５３ａの外縁から支持体５０側に向かって開口５２の側壁まで伸びる傾斜面５３ｂとを有する形状に形成される。なお、図３（ｄ）に示す例では、調整層５３が六角形状であるが、電解めっきが短時間で行われる場合には、この傾斜面５３ｂが支持体５０近傍に存在するため、略台形状となることもある。このようにして、調整層５３の傾斜面５３ｂと開口５２の側壁面との間に、断面視が略「Ｖ」字状の溝部５４が形成される。
【００２４】
次に、図３（ｅ）に示すように、調整層５３の表面に電極パッド２３のパッド本体２４を形成する。本実施形態では、図３（ｆ）に示すように、調整層５３の表面に、ニッケル層５５を厚みが０．０５〜１０μｍとなるように形成した後に、銅めっきを施してパッド本体２４を厚みが５〜２５μｍとなるように形成する。図３（ｆ）に示すように、ニッケル層５５は、調整層５３の表面に沿った形状に形成され、パッド本体２４は、平坦面２４ａと傾斜面２４ｂとを有する形状に形成される。
【００２５】
次に、図４（ａ）に示すように、レジスト５１を除去する。そして、パッド本体２４及び支持体５０の表面粗化処理を行う。表面粗化処理は、表面粗さが０．５〜２μｍとなるように行われる。この処理は、図４（ｂ）に示す次工程で、支持体５０及びパッド本体２４に対して第１の絶縁層２０を密着させやすくするために行われる。粗化処理としては、異方性エッチング（例えばウェットエッチング）などを用いることができる。
【００２６】
図４（ｂ）に示す工程では、支持体５０の表面に、第１の絶縁層２０をビルドアップ法により形成し、パッド本体２４を被覆する。具体的には、支持体５０に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレスしながら熱処理して硬化させることにより、第１の絶縁層２０を形成する。そして、図４（ｃ）に示すように、第１の絶縁層２０においてパッド本体２４に対応する部位に、例えばレーザを照射してビアホール２０ａを形成し、パッド本体２４を露出させる。その後、図４（ｄ）に示すように、各ビアホール２０ａに、第１の配線層２１を例えばセミアディティブ法により形成する。
【００２７】
そして、図４（ｅ）に示すように、第２の絶縁層３０及び第２の配線層３１、第３の絶縁層４０及び第３の配線層４１を、同様に順に形成し、配線部材を形成する。第３の絶縁層４０の表面を、ソルダレジスト４２で被覆し、第３の配線層４１に対応して開口４３を形成する。なお、第１〜第３の各絶縁層２０，３０，４０及び各配線層２１，３１，４１からなる配線部材の形成方法としては、上記したセミアディティブ法の他にサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を採用することができる。
【００２８】
次に、図４（ｆ）に示すように、支持体５０及び調整層５３を例えばウェットエッチングにより除去する。次に、ニッケル層５５をエッチングし、パッド本体２４を露出させる。ここで、パッド本体が平坦面のみを備える場合には、第１の絶縁層２０の凹部２２の側壁面とパッド本体の表面とが接する角が略直角となる。これに対し、本実施形態ではパッド本体２４の外縁が傾斜面２４ｂであるため、第１の絶縁層２０の凹部２２の側壁面とパッド本体２４の表面とのが接する角が鈍角となる。したがって、エッチング液がパッド本体２４の表面における外縁近傍に滞留しにくくなり、仮にパッド本体２４がエッチングされたとしても、傾斜面２４ｂの先端が丸くなる程度である。このようにして、パッド本体２４における第１の絶縁層２０との境界部分がエッチングされることが抑制される。
【００２９】
最後に、パッド本体２４が露出した状態において、図２に示すように、パッド本体２４に無電解めっきによる表面処理を施し、ニッケル層２５ａ及び金層２５ｂを順に形成する。なお、ニッケル層２５ａ及び金層２５ｂを有する表面めっき層２５を形成するようしたが、表面処理はこの方法に限定されない。例えば、無電解めっきにより、パッド本体２４の表面に、ニッケル、パラジウム及び金の３層からなる表面めっき層を形成してもよいし、パラジウム及び金の２層からなる表面めっき層を形成してもよいし、スズのみなる表面めっき層を形成してもよい（図５（ａ）〜（ｃ）参照）。また、ＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative ）処理を行って、パッド本体２４の表面に有機成分からなる酸化防止被膜を形成するようにしてもよい。このようにして、電極パッド２３が形成される。以上のようにして、配線基板１０が製造される。
【００３０】
以上の実施形態をまとめると、以下のようになる。
（１）配線基板１０を製造するにあたって、調整層５３は、支持体５０に略平行な平坦面５３ａと、平坦面５３ａの外縁から支持体５０側に向かってレジスト５１の開口５２の側壁まで伸びる傾斜面５３ｂとを有している。これにより、調整層５３上に形成されるパッド本体２４は、調整層５３の表面に対応して中央部に平坦面２４ａを有するとともに、外縁部が中央部よりも突出した傾斜面２４ｂを有する形状に形成される。したがって、支持体５０及び調整層５３をエッチングする際に、パッド本体２４の一部がエッチングされる場合であっても、突出した傾斜面２４ｂの先端が丸くなる程度である。これにより、パッド本体２４における第１の絶縁層２０との境界部分がエッチングされることが抑制され、この部位がエッチングされることに起因して電極パッド２３と第１の絶縁層２０との界面にデラミネーション等が生じることを抑制することができる。
【００３１】
（２）配線基板１０では、第１の絶縁層２０の表面に形成された凹部２２に電極パッド２３が形成され、電極パッド２３は、平坦面２６ａを有する平坦部２６と、傾斜面２７ａを有する突出部２７とを含んでいる。これにより、電極パッド２３は、平坦部２６と突出部２７とを備え、第１の絶縁層２０と接触するため、平坦部のみからなる電極パッドに比べて、突出部２７だけ第１の絶縁層２０との接触面積が増え、電極パッド２３と第１の絶縁層２０との間の密着性が向上し、これらの境界部分にクラックが生じることを抑制することができる。
【００３２】
（３）電極パッド２３は、平坦部２６と突出部２７とを含み、電極パッド２３には、はんだボール２８が接続される。これにより、はんだボール２８が電極パッド２３の中央部に収まりやすくなるとともに、平坦部のみからなる電極パッドに比べて、はんだボール２８と電極パッド２３との接触面積が大きくなる。これにより、はんだボール２８の搭載性が向上するとともに、電極パッド２３によってはんだボール２８をより安定的に支持することができる。
【００３３】
（４）電極パッド２３の表面は、平坦面２６ａと傾斜面２７ａとを有しており、平坦面２６ａと傾斜面２７ａとの境界が角部となっている。したがって、仮に電極パッド２３において、この傾斜面２７ａに沿ったクラック等が発生したとしても、このクラックの伝播が角部近傍で停止されやすい。また、傾斜面２７ａに沿ってはんだボール２８に応力が作用したとしても、その応力も角部近傍で停止されやすい。
【００３４】
（その他の実施形態）
・上記実施形態では、図３（ｅ）に示す工程で、調整層５３の表面にニッケル層５５を形成した後にパッド本体２４を形成するようにしている。また、図４（ｆ）で示す支持体の除去工程では、支持体５０、調整層５３及びニッケル層５５を除去し、その後にパッド本体２４上に表面めっき層２５を形成するようにしている。これに対して他の実施形態では、図３（ｅ）の電極パッド２３の形成工程において、調整層５３上（ニッケル層５５に相当する位置）に、表面めっき層２５を形成した後に、パッド本体２４を形成する。そして、図４（ｆ）の支持体除去工程では、支持体５０と調整層５３のみを除去する。この場合、表面めっき層２５がすでに形成されているため、一実施形態のように図４（ｆ）の工程後、パッド本体２４に表面めっき層２５を形成する必要がなく、製造工程を減らすことができる。例えば、調整層上に形成される表面めっき層２５としては、図６（ａ）に示すように、金層２５ｂ（０．００５〜０．５μｍ）、パラジウム層２５ｃ（０．００５〜０．５μｍ）及びニッケル層２５ａ（０．０５〜１０μｍ）からなる３層の表面めっき層を形成してもよい。また、図６（ｂ）に示すように、例えば金層２５ｂ（０．００５〜０．５μｍ）及びニッケル層２５ａ（０．５〜１０μｍ）からなる２層の表面めっき層や、金層２５ｂ（０．００５〜０．５μｍ）及びパラジウム層２５ｃ（０．００５〜０．５μｍ）からなる２層の表面めっき層を形成してもよい。
【００３５】
・上記実施形態では、電極パッド２３が平坦部２６と突出部２７とを備えており、図２に示すように、突出部２７の傾斜面２７ａは平坦な面となっている。しかしながら、突出部の形状は特に限定されず、例えば突出部の表面は、平坦な面でなく曲面であってもよい。なお、この場合であっても、突出部の表面と平坦部の平坦面との境界には、角部が形成されることが好ましい。これにより、上記実施形態の（４）の作用効果を得ることができる。
【００３６】
・上記実施形態の配線基板１０では、電極パッド２３が、はんだボール２８を介して半導体素子の電極パッドに接続されている。しかしながら、電極パッド２３が、半導体素子と金属ワイヤにより接続されていてもよい。
【００３７】
・上記実施形態の配線基板１０では、電極パッド２３がはんだボール２８を介して半導体素子に接続され、第３の絶縁層４０側にプリント基板が接続されている。しかしながら、電極パッド２３にプリント基板が接続され、第３の配線層４１（ソルダレジスト４２の開口４３から露出している部分）に半導体素子が接続される構成であってもよい。
【００３８】
・上記実施形態の製造方法では、パッド本体２４の形成後、レジスト５１を除去してから第１の絶縁層２０を形成したが、レジスト５１を除去することなく、第１の絶縁層２０を形成するようにしてもよい。この場合、製造される配線基板は、レジスト５１の表面に形成される開口５２に電極パッド２３が形成される構造となる。
【００３９】
・上記実施形態では、絶縁層の材料としてエポキシ樹脂を用い、電極パッドのパッド本体及び配線層の材料として銅を用いたが、絶縁層には、例えばポリイミド系樹脂などその他の材料を用いてもよく、パッド本体や配線層に用いる材料も銅に限定されず、適宜変更可能である。また、絶縁層に形成される凹部の大きさ、電極パッドの大きさ、各層の厚み、配線パターンなどは例示であって、特に限定されない。また、絶縁層及び配線層の積層枚数も例示であり、特に限定されない。また、製造時に用いた支持体及び調整層についても、銅に限定されず、その材料は適宜変更可能である。また、調整層は、平坦面と傾斜面とを有するように形成されればよく、調整層を形成するために用いるレジスト及びめっき液は限定されず、形成方法も限定されない。すなわち、例えば、全表面が平坦な調整層を形成した後に、外縁部をエッチングして傾斜面を形成してもよいし、電解めっき以外の方法で調整層を形成するようにしてもよい。他の製造工程においても、例示した方法に限定されない。
【符号の説明】
【００４０】
１０ 配線基板
２０ 第１の絶縁層
２１ 第１の配線層
２２ 凹部
２３ 電極パッド
２４ パッド本体
２５ 表面めっき層
２６ 平坦部
２７ 突出部
２８ はんだボール
５０ 支持体
５１ レジスト
５２ 開口
５３ 調整層
５３ａ 平坦面
５３ｂ 傾斜面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に配線基板の電極パッドの形成位置と対応する位置に開口を有するレジストを形成する工程と、
前記レジストの開口に調整層を形成する工程と、
前記調整層上に、電極パッドを形成する工程と、
前記支持体上に、絶縁層と配線層を積層し、配線部材を形成する工程と、
前記支持体及び前記調整層を除去する工程と、を有する配線基板の製造方法であって、
前記調整層を形成する工程では、前記支持体に略平行な平坦面と、前記平坦面の外縁から前記支持体側の前記開口の側壁に向かって伸びる傾斜面とを有する調整層を形成し、
前記電極パッドを形成する工程では、前記調整層に対応して、中央部が外縁部よりも窪んでいるとともに、前記中央部に平坦面を有する電極パッドを形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記支持体及び前記調整層を除去する工程後、前記電極パッドに表面めっき層を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記電極パッドを形成する工程では、前記調整層上に表面めっき層を形成し、前記表面めっき層を含む前記電極パッドを形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記電極パッドを形成する工程の後に、前記電極パッドに粗化処理を施す
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記調整層は、めっきにより形成される
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ前記絶縁層の表面から露出する電極パッドが形成された配線基板であって、
前記電極パッドは、中央部が外縁部よりも窪んでいるとともに、前記中央部は平坦面を有している
ことを特徴とする配線基板。
【請求項７】
前記電極パッドは、前記中央部に位置する平坦部と、前記平坦部の外縁から傾斜する傾斜面を含む突出部とを有し、前記突出部の先端は略平坦な形状である
ことを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
【請求項１】
支持体上に配線基板の電極パッドの形成位置と対応する位置に開口を有するレジストを形成する工程と、
前記レジストの開口に調整層を形成する工程と、
前記調整層上に、電極パッドを形成する工程と、
前記支持体上に、絶縁層と配線層を積層し、配線部材を形成する工程と、
前記支持体及び前記調整層を除去する工程と、を有する配線基板の製造方法であって、
前記調整層を形成する工程では、前記支持体に略平行な平坦面と、前記平坦面の外縁から前記支持体側の前記開口の側壁に向かって伸びる傾斜面とを有する調整層を形成し、
前記電極パッドを形成する工程では、前記調整層に対応して、中央部が外縁部よりも窪んでいるとともに、前記中央部に平坦面を有する電極パッドを形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記支持体及び前記調整層を除去する工程後、前記電極パッドに表面めっき層を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記電極パッドを形成する工程では、前記調整層上に表面めっき層を形成し、前記表面めっき層を含む前記電極パッドを形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記電極パッドを形成する工程の後に、前記電極パッドに粗化処理を施す
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記調整層は、めっきにより形成される
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ前記絶縁層の表面から露出する電極パッドが形成された配線基板であって、
前記電極パッドは、中央部が外縁部よりも窪んでいるとともに、前記中央部は平坦面を有している
ことを特徴とする配線基板。
【請求項７】
前記電極パッドは、前記中央部に位置する平坦部と、前記平坦部の外縁から傾斜する傾斜面を含む突出部とを有し、前記突出部の先端は略平坦な形状である
ことを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−１９０８０（Ｐ２０１２−１９０８０Ａ）
【公開日】平成２４年１月２６日（２０１２．１．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５５７８５（Ｐ２０１０−１５５７８５）
【出願日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月２６日（２０１２．１．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
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