【課題】低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を抑制しつつ、確実に有機膜の除去を行うことのできる有機膜の除去方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコンと酸素と炭素とを含み、二酸化シリコンよりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜と、低誘電率絶縁膜の上層に形成された有機膜と、を含む積層構造のパターンが形成された被処理基板の有機膜を除去する有機膜の除去方法であって、酸素又は窒素を含む第１のガスと、ＣｘＨｙ（ｘ，ｙは正の整数）で示される第２のガスと、水素ガスとの混合ガスのプラズマを被処理基板に作用させて有機膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】有効誘電率を増大させ、デバイスの性能を制限する可能性がある環境に低Ｋ薄膜を曝した後、より低い有効誘電率を維持する新しいプロセスを提供する。
【解決手段】集積回路の２つの導電性構成要素の間に存在する、有効誘電率を低下させる方法。その方法は、低Ｋ誘電体層の酸素が豊富な部分に対して選択的な気相エッチの使用を伴う。エッチング速度は、エッチプロセスが比較的高Ｋの酸素が豊富な部分を通過し、低Ｋ部分に達すると減じる。気相エッチプロセスが望ましい低Ｋ部分を容易に除去することはないため、エッチプロセスのタイミングを簡単に合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内を結晶性の高いエピタキシャル膜で埋めることができ、特にｐｎコラムの形成に適する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングにより半導体基板１０ａにトレンチＴ１を形成するトレンチ形成工程と、１２０℃以下の低温で行うケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）またはウエットエッチングによりトレンチＴ１の表層部をエッチングして、第１ダメージ層Ｄ１を除去する第１ダメージ層除去工程と、半導体基板１０ａを非酸化性かつ非窒化性の雰囲気下において１０５０℃以上の高温で熱処理を行い、第１ダメージ層Ｄ１の下層に存在する第２ダメージ層Ｄ２の結晶性を回復する第２ダメージ層回復工程と、トレンチＴ１内にエピタキシャル膜３を形成して、トレンチＴ１をエピタキシャル膜３で埋め込むトレンチ埋め込み工程とを有してなる半導体基板１０の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、比誘電率やリーク電流値を低く維持しつつ内部の水分を除去することができる処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板に形成された、表面部分にダメージ層を有する低誘電率膜に回復処理を施すにあたり、その分子が、低誘電率膜のダメージ層の内部に浸透できる程度に小さく、ダメージ層内の水分を除去することが可能な第１処理ガスと、ダメージ層の表面に疎水性で緻密な改質層を形成する第２処理ガスとを低誘電率膜のダメージ層に作用させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置において、フルオロカーボン膜へのエッチングダメージによるＣｕ配線構造でのリーク電流の増加や誘電率の低下を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理の施されたフルオロカーボン膜の表面に対し、窒化プラズマ処理またはＣＦプラズマ処理を行う、半導体装置の製造方法が提供される。これによれば、配線溝形成時のフルオロカーボン膜へのエッチングダメージが修復され、Ｃｕ配線構造におけるリーク電流の増加や誘電率の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層への太陽光の入射効率の良好であり、光電変換効率の高い光電変換素子を製造可能な光電変換素子用シリコン基板を歩留まり良く製造する。
【解決手段】一導電型結晶シリコン基板１０の一主面１０ｓに、ドライエッチングに対して耐性を有し、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第１粒子と、第１粒子よりも耐性が低く、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第２粒子と、第１粒子よりも耐性が低い結着剤とを含む液状組成物を塗布成膜してマスク材を配する工程と、マスク材が配された主面１０ｓにドライエッチングにより太陽光の反射を抑制する凹凸構造１０ｔを形成する工程と、凹凸構造１０ｔに、水素ガスによるドライエッチング処理と、希フッ酸中に浸漬させる処理を順次実施する洗浄工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜であるＳｉＣＯＨ膜とＣｕ配線との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層及び酸化物が夫々形成された基板に対してダメージ層を回復させ且つ酸化物を還元すること。
【解決手段】ＳｉＣＯＨを含む層間絶縁膜４とＣｕを含む配線２との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層１５及び酸フッ化層１６が夫々形成されたウエハＷに対して、Ｈ2ガスの供給とシリコン及び炭素を含むＴＭＳＤＭＡガスの供給とを同一の処理容器５１においてこの順番で連続して行うことによって、酸フッ化層１６の還元処理及びダメージ層１５の回復処理を行う。 （もっと読む）

【課題】生成されるプラズマ密度の経時変化を防ぎ、ウエハ表面のアッシングレートを維持する。
【解決手段】被処理体２を処理するための処理室１と、プロセスガスによりプラズマを生成しラジカル成分を抽出するためのプラズマ生成室１１と、そのラジカル成分を処理室１に輸送する輸送室２１を備える。プラズマ生成室１１の入口側には、プラズマ生成室１１内でプラズマ化されるプロセスガスを導入するためのプロセスガス導入部１５と、酸化ガスを導入するための酸化ガス導入部１６が設けられている。プロセス処理の間に定期的に酸化ガスを導入しＯ_２ラジカルを生成することで、プラズマ生成室１１の内壁の石英材料表面を定期的に酸化させ、誘電率の経時変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い層間絶縁膜を用いた半導体装置において、プラズマ処理時の層間絶縁膜へのダメージを軽減でき、ダメージ層を除去する際に形成されるアンダーカットを抑制する。
【解決手段】基板上に比誘電率の低い材料からなる絶縁膜４を形成する。次に、前記絶縁膜上にチャンバ内でＳｉＯＣＨ膜５を形成し、前記チャンバ内にプラズマを発生させた状態で徐々に膜中のカーボン濃度を減らし、前記ＳｉＯＣＨ膜上に連続的にＳｉＯ_２膜６を形成する。前記ＳｉＯＣＨ膜と前記ＳｉＯ_２膜をハードマスクに用いて前記絶縁膜をプラズマ処理し、前記絶縁膜に溝７，８を形成する。その後、前記絶縁膜に形成した溝のエッチング表面をウェットエッチングし、プラズマ処理によるダメージ層と加工残渣物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ₂プラズマに晒された低誘電率絶縁膜のダメージを回復させて、低誘電率絶縁膜を良好な状態にすることができ、半導体装置における性能の向上と信頼性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をＣＯ₂プラズマに晒すＣＯ₂プラズマ処理工程と、ＣＯ₂プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面を研磨した際に表面に作用する応力により形成された凸状の欠陥を適切に除去可能な半導体ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面１１をオゾンにより酸化して欠陥１２以外の部分にシリコン酸化膜１０Ａを形成する。その後フッ酸３を噴霧し、酸化膜１０Ａを溶解除去する。さらにこの後、洗浄ガス４をシリコンウェハ１の表面に噴射し、欠陥１２を溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板エッチング表面の損傷欠陥を回復し、エッチングガスやさらには酸素やガリウム等の除去を行う方法、それにより得られる欠陥回復ダイヤモンド基板を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド基板表面にエッチング処理が施されたダイヤモンド基板であって、結晶構造(100)、 (111)又は(110)のいずれかの面方位、これら面方位の組合わさった結晶のダイヤモンド基板表面、若しくは結晶面方位がランダムで複数面方位を有するチップ状、針状、ドーム状、半球状、球状、柱状、多面体、三角錐、円錐構造から選ばれる形状のダイヤモンド基板表面を真空中で熱処理を行う工程と、酸素を含む化学薬品溶液による煮沸、又は、酸素プラズマに曝す、又は、酸素を含む気体に曝した後、真空中で熱処理する工程を含むことを特徴とするダイヤモンド基板の表面処理方法及びそれにより得られる欠陥回復ダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化すると共に撮像部の暗電流を低減させる。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成するＧＰエッチ処理工程と、ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成するＳＷエッチ処理工程と、ゲート電極およびサイドウォールの形成後にアニール処理を行うアニール処理工程とを有している。このアニール処理後にソース・ドレイン領域を形成するＳ／Ｄ前注入処理と、ＬＤＤ用不純物拡散領域を形成するＬＤＤ注入処理とを行う。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工後のアモルファスカーボン膜をウエット洗浄した際の酸化による劣化を抑制することができるアモルファスカーボン膜の処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージを受けた低誘電率絶縁膜を回復剤に接触させて回復する際に、絶縁膜中での回復剤濃度を高めることができて、効率的に回復処理が進行でき、回復後の絶縁膜の特性も良好となる回復処理方法を得る。
【解決手段】プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜が存在する基板５をチャンバー１内に収め、チャンバー内に回復剤蒸気を導入し、チャンバー内部を加熱して、前記絶縁膜のダメージ回復処理を行う際に、チャンバー１の内壁の温度を基板の温度よりも高温とする。チャンバーの壁の温度を回復剤の沸点よりも高温にすることが好ましく、チャンバー内に回復剤蒸気を導入したのち、基板５の温度を昇温することも好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】半導体基板上に形成されたナノポーラスｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電体を処理する方法を提供する。ｌｏｗ−ｋ誘電体はエッチング処理により形成された開口部を備え、エッチング処理により形成された開口部の外表面上および連通孔の内表面上に、シラノール基を含むエッチングによる損傷領域を有する。まず最初に、ｌｏｗ−ｋ誘電体を、エッチングによる損傷領域において気相触媒とシラノール基との間に水素結合を形成するのに有効な量の気相触媒に接触させて、触媒中間体を形成する。次に、ｌｏｗ−ｋ誘電体を、エッチングによる損傷領域において約５０％以上のシラノール基と反応するのに有効な量のアルコキシシラン修復剤と接触させることにより、アルコキシシラン修復剤を触媒中間体と反応させる。及び／又は、ｌｏｗ−ｋ誘電体を、連通孔内への被覆バリア層の拡散を防ぐのに有効な量のアルコシキシランシール剤と接触させることにより、アルコシキシランシール剤を触媒中間体と反応させる。 （もっと読む）

【課題】「空孔−酸素複合欠陥」のような熱処理では対応することができない欠陥についてのアプローチとして適切な処理を特定し、それに基づく半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ゲートを形成するためのドライエッチング工程において、ゲート酸化膜の少なくとも一部分が露出する時点（ゲート酸化膜露出時点）までは一般的なプラズマガスとしてＨＢｒ、Ｃｌ_２及びＯ_２を含むものを用いて従来のエッチング工程を行う。一方、ゲート酸化膜露出時点以降は、引き続き同じチャンバ内でＣｌ以上の原子量を持つハロゲンとＡｒ以上の原子量を持つ希ガスを含むプラズマガスを用いて表面処理工程を行なうこととしたことにより、熱処理では回復できない欠陥の発生を抑制したこと。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはＣＭＰ加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。
【手段】 化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を有する基板またはデバイスを容器内に収納し、さらに該容器内に過熱水蒸気を導入して前記シリカ系被膜を加熱処理することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法および該方法により修復された低誘電率シリカ系被膜。 （もっと読む）

【課題】配線層に空隙部を設けた半導体装置における配線間容量を確実に低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１の上に形成された第１絶縁膜１０２と、該第１絶縁膜１０２に選択的に形成された複数の配線１０８とを有している。第１絶縁膜１０２における複数の配線１０８のうちの一部の配線同士の間の領域にはエアギャップ１０２ｃが形成されており、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃの底部及び該エアギャップ１０２ｃと隣接する配線１０８の下側部分の誘電率は、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃと隣接しない配線１０８の下側部分の誘電率よりも低い。 （もっと読む）