【課題】半導体装置の製造工程におけるウェハーの載置ズレを検出、調整し、ウェハーの載置精度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェハーＷを処理するチャンバと、チャンバ内に設けられ、ウェハーＷの裏面にガスを供給する複数の穴２０を有するウェハーステージ１４と、複数の穴２０におけるガスの漏れ量をそれぞれ独立に検出するガス検出機構と、検出された穴の位置及びガスの漏れ量に基づき、ウェハーＷのウェハーステージ１４の所定の位置からのズレの方向及び量を求めるウェハー位置検出機構３０と、ウェハーステージの所定の位置からのズレの方向及び量に基づき、ウェハーの位置を調整するウェハー位置調整機構３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理条件の変更にかかわらずマイクロ波の分布を最適化して、広い範囲で均一なプラズマ処理を得る。
【解決手段】真空処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段を備え、前記マイクロ波供給手段の前記処理室へのマイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換する円偏波発生器を備え、該円偏波発生器は、最低次のモードで動作する方形の入力側導波管３０１と、最低次のモードで動作する正多角形または円形の出力側導波管３０６と、偏波面の異なる複数の直線偏波が同時に伝播可能な正多角形または円形の位相調整用導波管３０３を備え、該位相調整用導波管は、偏波面の異なる直線偏波の一方の位相または振幅を調整する調整手段３０４，３０５を備えた。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時期を予知することができるインピーダンス整合装置を提供する。
【解決手段】可変インピーダンス素子３ａ、３ｂと、モータ７ａ，７ｂを駆動源として可変インピーダンス素子の操作軸を操作する操作機構と、操作軸の目標位置を設定する目標位置設定部９と、検出された操作軸の位置を設定された目標位置に一致させるようにモータを制御するモータ制御部１３と、操作軸の目標位置と現在位置との間に存在する残留偏差が許容値を超えたときに異常判定を行う異常判定部１２と、異常判定部による異常判定回数が設定された判定値未満である間は残留偏差の許容値を初期許容値とし、異常判定回数が判定値に達した後は、残留偏差の許容値を初期許容値よりも大きい異常検出後許容値に切替えることにより、異常判定回数が判定値に達したこと、または残留偏差の許容値が異常検出後許容値に切替わったことからメンテナンス時期を予知し得るようにした。 （もっと読む）

【課題】処理空間の水平面方向におけるプラズマ密度を均一化させることが可能なプラズマ処理装置及びこれに用いる天板を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による天板は、平面アンテナ部材のスロットから放射されるマイクロ波を処理容器内へ透過させて導入するためのプラズマ処理装置用の天板であって、前記天板の前記処理容器内を臨む面側において、前記天板の中心部を中心とした二重以上の円周の上に複数の凹部が形成され、前記天板の凹部が形成された部分を伝搬するマイクロ波と、伝搬するマイクロ波の伝搬モードの種類の数が異なるように、前記天板の凹部が形成されていない部分の厚さとが夫々設定されている。 （もっと読む）

【課題】加熱効率および冷却効率に優れ、プラズマ処理後における被処理物の諸特性に悪影響が及ぶおそれがなく、製造コストも比較的少ないプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置Ｅ１は、トレー５および基板が載置されるアノード電極７と、アノード電極７の内部にその長手方向に沿って埋設された加熱部材３１と冷却部材３２とを備えてなる。加熱部材３１は、アノード電極７の一方端部寄り箇所に平面形状がＵ字型の湾曲部分３１ａを有し、それ以外の箇所に直線状部分３１ｂを有し、互いに並列状に隣り合って設けられた７本の管状ヒータからなる。冷却部材３２は、対応する前記管状ヒータの湾曲部分３１ａを臨む箇所に蛇行状部分３２ｃを有し、それ以外の箇所に直線状部分３２ｂを有し、それぞれの前記管状ヒータの外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられた７本の冷却管からなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ負荷の影響によって高周波電力の伝送路上で高調波成分が発生し波形歪みが起きた場合においても、安定した静電吸着電圧に制御する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１０５内でウエハを載置する下部電極と、該電極にウエハ１１３を静電吸着させる直流電源１０７と、下部電極に接続された高周波バイアス電源１１０と、上部電極１０３と、該電極に接続されたプラズマ生成用高周波電源１０１と、下部電極に印加されている高周波電圧Ｖppを検出する高周波電圧Ｖpp検出手段１１９と、を有し、ウエハの静電吸着力を所定範囲に制御するためにＶppを用いて静電吸着用直流電圧を制御するプラズマ処理装置において、高周波電圧Ｖpp検出手段は、Ｖppの基本周波数成分を検出する基本波成分Ｖpp検出手段１１５と、Ｖppの平均値を検出する平均値Ｖpp検出手段１１６と、Ｖppの実効値を検出する実効値Ｖpp検出手段１１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】位置決め孔と位置決めピンの嵌め合い精度を高めることなく，基板処理装置の部品の位置決め精度を従来以上に高める。
【解決手段】ウエハＷを載置する基板載置面１１５とフォーカスリング１２４を載置するフォーカスリング載置面１１６を有するサセプタ１１４を備えた載置台１１０と，加熱によって径方向に膨張する材料によってピン状に構成され，サセプタのフォーカスリング載置面に形成された位置決め孔（第１基準孔）とフォーカスリングに形成された位置決め孔（第２基準孔）に挿入され，加熱によって径方向に膨張して各位置決め孔に嵌合することでフォーカスリングを位置決めする複数の位置決めピン２００とを設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置はプロセス電源装置などの補機類が多く、制御機器や配線が占有するスペースを極力低減させたい。
【解決手段】各機器に合わせた入出力回路を実装した基板を準備し、各機器の近傍に実装する。前記基板とコントローラとはフィールドネットワークで接続する。前記基板にはＣＰＵを搭載し、ＣＰＵには通信プログラムを搭載し、ＣＰＵと接続されるハードウェア回路に入出力回路の点数の情報が書き込まれ、ＣＰＵより入出力回路の点数の情報を読み出せるようにする。 （もっと読む）

【課題】コンダクタンスを確保しつつ、プラズマの閉じ込め効果を高めることのできるバッフル板及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部でプラズマを発生させて基板を処理する処理チャンバー内に配置され、前記処理チャンバー内を、前記基板を処理する処理空間と、前記処理チャンバー内から排気するための排気空間とに隔てるバッフル板９０である。バッフル板９０は、排気を行うための複数の開口部９１，９２，９３を有し、かつ、前記開口部の周縁部の高さに高低差が形成されるように、前記処理空間側の面に凹凸が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を招くことなく異常放電が生じる可能性を低減することができ、寿命の長期化による生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に配置され、被処理基板を載置する載置台を兼ねた下部電極と対向するように当該下部電極の上側に配置されるシャワープレート電極の構成とガス孔の配置を、処理ガスを供給するための複数のガス通路孔１８５が設けられた上側部材１８２と、前記上側部材の下側に設けられ、処理ガスを吐出するための複数のガス吐出孔１８４が設けられた下側部材１８１と、中間部材１８３と、からなる構成とし、前記ガス通路孔１８５は前記ガス吐出孔１８４より大径で、１つの前記ガス通路孔１８５に対して複数の前記ガス吐出孔１８４が連通され、かつ、平面的に見て、前記ガス通路孔１８５の外周より外側に前記ガス吐出孔１８４が配置されるようにする。 （もっと読む）

【課題】吸着面に付着した不純物に起因して吸着力が低下した静電チャックを、簡単な構成により不純物を除去して吸着力を再生することができ、安定して真空処理を行うことが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、真空チャンバ３と、前記真空チャンバの内部に配され、基板Ｓを静電気によって吸着する静電チャック用の電極、及び該基板を加熱する加熱機構を有する基板保持手段４と、前記基板保持手段の吸着面に対してＵＶ光を照射し、該吸着面に付着した不純物を除去するＵＶ照射手段９０と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極板の中央部と外周部に生じる温度差を小さくして、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に貫通するガス通過孔１１が複数形成されるとともに、これらガス通過孔１１を避けて溝状又はスポット状の凹部２１Ａ〜２１Ｆが背面部の面方向に分散するように形成され、電極板３の単位体積当たりの凹部２１Ａ〜２１Ｆの占有体積が、電極板３の中央部に比べて外周部の方が大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】直膨式冷却サイクルのメンテナンス時に生じる冷媒排出量を削減することで、装置のダウンタイム、メンテナンスコスト、環境負荷を低減したプラズマ処理装置およびそのメンテナンス方法を提供する。
【解決手段】圧縮機３の冷媒流入口近傍に逆流防止弁９が設置され、試料台１のメンテナンス時に、冷媒流路２から回収した冷媒を膨張弁５から逆流防止弁９の領域に一時貯蔵することで、サイクル内の冷媒量を変化させずにメンテナンスが可能なことを特徴とする。また、冷却システム内に冷媒貯蔵タンク１５、冷媒供給弁１４、冷媒排出弁１３が設置されることにより、圧縮機３、凝縮器４、または膨張弁５のメンテナンス時に、サイクル内から回収した冷媒を再利用できる。 （もっと読む）

【課題】ＰＦＣ系ガス使用処理装置に近い上流側でＰＦＣ系ガスを阻止処理できる排気ガス処理システムを提供する。
【解決手段】排気ガス処理システムは、ＰＦＣ系ガス使用処理装置から排気ライン１５及び外部処理装置１４を介して排気ガスを処理し清浄化して排気する排気ガス処理システムであって、前記排気ライン１５から分かれたガス処理ライン１６を介して供給される排気ガスを吸気して該排気ガスからＰＦＣ系ガスを除去処理するガス処理装置１２と、処理した排気ガスをガス処理装置１２から外部処理装置１４へ排出する中間ライン１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハエッジ部でのエッチング特性を長期間に渡り良好に維持し、エッジ部での歩留りを長期間良好に維持し、ウエット周期を延ばし、装置稼働率を向上させる。
【解決手段】基板ステージ５５の外周部に配置したフォーカスリング５１の下部に、静電吸着層５４、電極層５２、絶縁層６２を設け、電極層５２に高周波電力を印加することでフォーカスリング５１に高周波バイアスを印加するとともに、フォーカスリング５１を静電吸着層５４に静電吸着し、フォーカスリングと静電吸着層の間に伝熱ガスを介在させることでフォーカスリング５１を冷却可能とし、フォーカスリング５１の温度を所定値に制御する。 （もっと読む）

【課題】排気の偏りが無く、かつ、メンテナンスが容易となるように基板支持台を支持するプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１０において、対向する真空チャンバ１１の側壁１１ａを貫通する貫通孔１２ｃを内部に有し、真空チャンバ１１の中心を通って横断する支持梁１２を真空チャンバ１１と一体に形成し、支持梁１２の上面の中央部に、基板支持台１３を取り付ける上面開口部１２ａを設け、真空側と大気側とをシールする第１シール部材を介して、上面開口部１２ａに円筒状の基板支持台１３を取り付けた。 （もっと読む）

【課題】生成されるプラズマ密度の経時変化を防ぎ、ウエハ表面のアッシングレートを維持する。
【解決手段】被処理体２を処理するための処理室１と、プロセスガスによりプラズマを生成しラジカル成分を抽出するためのプラズマ生成室１１と、そのラジカル成分を処理室１に輸送する輸送室２１を備える。プラズマ生成室１１の入口側には、プラズマ生成室１１内でプラズマ化されるプロセスガスを導入するためのプロセスガス導入部１５と、酸化ガスを導入するための酸化ガス導入部１６が設けられている。プロセス処理の間に定期的に酸化ガスを導入しＯ_２ラジカルを生成することで、プラズマ生成室１１の内壁の石英材料表面を定期的に酸化させ、誘電率の経時変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高速・高収率のプラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】反応容器２内に被エッチング材１を設置し、エッチングガスを導入し、被エッチング材１とプラズマ発生用電極４との間でプラズマ６を発生させ、被エッチング材１をエッチングする。被エッチング材１を、内部に空隙を有した通気性物質にて構成する。 （もっと読む）

【課題】被加工試料とプラズマ発生部の相対位置を可変とする下部電極上下駆動機構を有するドライエッチング装置において、高周波のリターン電流が流入して下部電極カバー内側にプラズマが発生する事を防止する。
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器と、真空容器の下部を構成し、接地されたベースフランジ１５と、真空容器内に設けられ被加工試料１を載置する下部電極２と、下部電極を上下駆動する上下駆動機構１０と、下部電極が有す接地電位部１３に固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第１のカバー１４と、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第２のカバー１６とを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、接地電位部とベースフランジとを接続する導体１７を有し、導体は下部電極の径方向の中心と第１のカバーとの中間よりも第１のカバー側に配置した。 （もっと読む）

【課題】排ガス処理装置の圧力計への反応生成物の付着を抑制する。
【解決手段】排ガス処理装置１００は、処理室（例えば、反応室１）の排気側に接続される排気配管２を有し、排気配管２の一部の区間は、複数系統に分岐された分岐区間３を構成している。分岐区間３の各々の系統３ａ、３ｂには、排気に含まれる反応生成物を捕集するトラップ４ａ、４ｂと、トラップ４ａ、４ｂの下流側に位置する圧力計５ａ、５ｂと、が設けられている。圧力計５ａ、５ｂの更に下流側には、分岐区間３の各々の系統３ａ、３ｂのうちの何れか選択された系統が排気を通す現用系となる一方で、その他の系統が排気を通さない待機系となるように、排気系統の切り替えを行うための切替部（例えば、切替バルブ６ａ、６ｂ）が設けられている。 （もっと読む）