【課題】 基板処理をウエハ面内で均一に行わせることができるガス拡散プレートを提供する。
【解決手段】 ガス拡散プレート９には、基板を処理する際に用いられる処理ガスを通すための複数の貫通孔が設けられている。ガス拡散プレート９の周辺領域に設けられた貫通孔１１’、１１は入口部分の面積が出口部分の面積よりも大きくなっている。このガス拡散プレート９を備えた基板処理装置を用いれば、処理ガスをガス拡散プレート内で均一に供給できるので、膜の堆積や膜のエッチングなどの基板処理を均一に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 基板処理をウエハ面内で均一に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、減圧可能な反応室と、貫通孔１０、１１’、１１が形成されたガス拡散プレート９を有し、反応室の内部に処理ガスを供給するシャワーヘッドと、基板を設置するための基板支持部とを備えている。ガス拡散プレート９の周辺領域に設けられた貫通孔１１’、１１は入口部分の面積が出口部分の面積よりも大きくなっている。この装置を用いれば、処理ガスをガス拡散プレート内で均一に供給できるので、膜の堆積や膜のエッチングなどの基板処理を均一に行うことができる。 （もっと読む）

基板処理用の高圧流体に化学物質を導入する方法及びシステム（１００）について説明する。特に、本方法は、２種類以上の流体の混合を促進するために、高圧流体の容積全体にわたって化学物質を供給する工程を有する。その一方で、高圧流体は、高圧処理システム（１１０）を循環する。
（もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、半導体製造装置、とくにドライプロセスにおいて使用されている各種の半導体製造装置およびその構成部材のうち可動部部材が、ハロゲンやハロゲン化合物のガスによる腐食とエロージョン摩耗によって減肉した場合に、その表面を簡便に補修して復元させることにより、これらの耐摩耗性、耐久性を初期状態に戻すかさらに向上させるための方法を提案する。
【解決手段】 ハロゲン系ガス使用環境下にある半導体製造製装置用可動部材の摩耗腐食した損耗部に、Cr₂Ｏ₃およびAl₂Ｏ₃のいずれか一方、またはこれらの混合物からなる酸化物セラミックを溶射被覆する、半導体製造装置用可動部部材の補修方法。 （もっと読む）

【課題】上部電極と下部電極の間隔を直接かつ精度よく測定できるようにする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置のメンテナンス方法は、上部電極１２と下部電極２０とを対向させる工程と、下部電極２０に出没可能に設けられた突出部２２ｂを上部電極１２に向けて突出させて、該突出部２２ｂを上部電極１２に当接させ、該突出部２２ｂの突出量を測定することにより、上部電極１２と下部電極２０の間隔を測定する工程と、を具備する。上部電極１２と下部電極２０とを対向させる工程と、上部電極１２と下部電極２０の間隔を測定する工程との間に、突出部２２ｂが下部電極２０に没している状態で、下部電極２０上に半導体基板１を載置する工程と、半導体基板１に突出部２２ｂを当接させることにより、間隔を測定するときの基準点を設定する工程とを具備してもよい。 （もっと読む）

【目的】 プラズマ処理装置の処理速度に合わせて、他の処理装置における処理速度も速くすることができる基板処理装置を提供する。
【構成】 基板処理装置は、一対のカセット１，１、搬入搬出装置２、一対の洗浄装置（液体供給装置）３，３、ハンドリングロボット４、冷却装置５、一対のロードロック室６，６及び一対のアッシング装置（プラズマ処理装置）７，７が配置されている。冷却装置５は、冷媒が循環するクールプレート５１とこのクールプレート５１に基板Ｗを載置する昇降ピン５２を備えている。特にクールプレート５１は上下２段とされ、各クールプレート５１に形成した貫通穴５３に昇降ピン５２を挿通するとともに、各昇降ピン５２を共通の支持部材５４に取り付け、シリンダユニットを駆動して支持部材５４を昇降せしめることで、２枚の基板Ｗを同時に昇降動せしめるようにしている。また、カップ３１とチャック２からなる洗浄装置３も冷却装置５と同様に多段式となっている。 （もっと読む）

【課題】 有害成分を含む排ガスを処理しないときの消費電力を小さくすることができるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムを提供する。
【解決手段】 半導体処理装置から排出された排ガスを反応筒５１内に導入して当該排ガス中に含まれるＣＦ_４等の有害成分を無害化する除害装置であって、反応筒５１内を加熱するハロゲンランプ５２を有する。反応筒５１内の温度を常時高温に維持する必要がなく、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置５０の消費電力を小さくすることができる。除害処理コストを低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 設置スペースの増大や製造コストの増大を招くことなく、従来に較べて正確にガス流量を検定及び較正することができ、正確なガス流量で精度の良い処理を行うことのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理ガスを供給するガス供給系の処理室１１の入口近傍に設けられた開閉弁１３ｄ，１４ｄの上流側から分岐し、排気配管１７に接続された分岐配管１８が設けられている。この分岐配管１８には、ガス流量検出機構１９が介挿され、流路を処理室１１側と分岐配管１８に切換えるための開閉弁１３ｈ，１４ｈが設けられている。ガス流量検出機構１９は、抵抗体にガスを通流させその両端の圧力を測定して圧力差からガス流量を検出する。この検出値によって、マスフローコントローラ１３ａ，１４ａを検定又は較正する。 （もっと読む）

【課題】 真空プラズマ装置の反応処理室、排気系、処理ガス供給系で使用されているステンレス等の金属部材とガス種との接触部位における発熱反応を抑制し、部材の異常昇温を防止することを目的とする。
【解決手段】 アルミニウム又は金属フッ化物の不動態にて、ガスとの接触部分を被覆し、発熱反応種と金属材料との接触を遮断する。 （もっと読む）

フッ素含有種を含むガス、例えばＨＦ、ＮＦ３等でエッチ洗浄を受ける半導体加工用具の流排出物中内のフッ素含有種を検出する（ＭＥＭＳ）をベースとするによるガスセンサアセンブリ。好適な実施形態におけるこのようなガスセアセンブリは、ガス感知材料層と、その上にコーティングされた好ましくは好適にはニッケルまたはニッケル合金とをであるガス感知材料の層がコーティングされた有する自立炭化シリコンケイ素支持構造を備える有する。このようなガスセンサアセンブリは、構造体層を形成するために後で除去可能な犠牲成形型を用いたマイクロ成形技術により好適に作製される。
（もっと読む）

本発明は、不純物を含有したガスを処理する方法であって、前記ガスを、実質的に大気圧で、高周波誘導プラズマ（ＲＦ−ＩＣＰ）放電に晒す方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 改良されたバッフル板に対する方法および装置を提供することである。
【解決手段】 プラズマ処理システムの基板ホルダに組み合わせられるように構成されたバッフル板アセンブリは、ガスの通過を可能にする１つ以上の開口を有するバッフル板を具備し、基板ホルダにバッフル板を組み合わせることは、プラズマ処理システムのバッフル板の自動−センタリングを容易にする。例えば、基板ホルダにマウントされたセンタリングリングは、バッフル板上の嵌合形態で組み合わせるように構成されたセンタリング形態を有することができる。プラズマ処理システムの初期アセンブリの後、バッフル板は、基板ホルダの分解および再アセンブリが無しで、プラズマ処理システム内で交換およびセンタリングされることができる。 （もっと読む）

大面積および／または高周波プラズマ反応器内の電圧および電界不均一性に対する真空処理装置および補償方法が示される。本方法は、例えば、ＬＣＤ、プラズマディスプレイおよび太陽電池の製造で用いられる長方形（または正方形）で大面積のプラズマ処理機器、または処理に電磁波（ＲＦ、ＶＨＦ）を用いる他のあらゆる反応器に対して広く適用可能である。本装置は、真空容器と、内部プロセス空間を画定する少なくとも２つの電極と、前記電極と接続可能な少なくとも１つの電源と、内部プロセス空間内で処理されることになる基板のための基板ホルダーと、ガス入力手段とを備え、前記電極のうちの少なくとも１つは第１断面に沿って凹状プロファイルを持ち、第２断面に沿って凸状プロファイルを持ち、第１断面は第２断面に平行である。
（もっと読む）

本発明においては、処理システム内において使用し得るよう、様々な構成を有した適応可能な処理部材（５０，１５０〜１５６）を提供する。処理部材は、主要部材（１８２，２００，２０２，２３０）と、少なくとも１つの着脱可能部材（１８４，２０８，２３２）と、を備えている。着脱可能部材は、ある構成においては、取り付けたままで保持することができ、他の構成においては、取り外すことができる。着脱可能部材は、右側に配置されたあるいは左側に配置されたパンチアウト（２１０，２１４，２１６）を有することができる。これにより、処理チャンバのガス供給ラインが右側に配置されていてもまた左側に配置されていても、適応することができる。加えて、着脱可能部材を保持したままとしたりまたは取り外したりすることにより、様々なサイズの処理チャンバに対して適応することができる。このような処理部材の製造方法も、また、提供される。
（もっと読む）

【課題】 メインテナンス後に再装着しても割れることのない電極板を有するプラズマ装置を提供する。
【解決手段】 電極支持体２２と電極板２３との境界面の少なくとも片方に，薄い絶縁被膜６２を設け，電極支持体２２と電極板２３との直接の接触を避け，絶縁被膜の厚さを調整して，融着を防止しつつ性能を保持したプラズマ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】セラミックスからなる板状体の一方の主面に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を具備してなるセラミックヒーターにおいて、板状体の厚みを薄くすると、発熱抵抗体で発生した温度分布が十分緩和されず、載置したウエハの温度がなかなか均一にならないという課題があった。
【解決手段】上記発熱抵抗体の少なくとも一部を、周囲のパターンの抵抗値に対し３倍以内の抵抗値にトリミングした抵抗調整部を形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積基板のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行うのに有用なプラズマ発生装置に関わり、真空容器に絶縁体の隔壁部あるいは天板を設けてその外側に高周波アンテナを設置する従来の誘導結合型プラズマ発生装置では、放電室の径が大きくなるにつれ絶縁体の厚みを大幅に増大させなければならず、高周波電力の利用効率が低下するという問題があった。
【解決手段】プラズマ発生装置の真空容器１の内部にアンテナ導体５全体を入れ、絶縁体の隔壁や天板を用いる必要をなくして、アンテナから放射される誘導電界の全てを有効利用できるようにした。またアンテナのインダクタンスを小さくしたり、アンテナ導体を絶縁体で被覆したりして異常放電の発生を抑制し、高密度プラズマの安定化を図っている。 （もっと読む）

【課題】 欠陥のないエピタキシャル膜を形成する
【解決手段】 異物除去処理を有し、ドライエッチング処理を行って形成した開口部５内の単結晶シリコン基板１に、ＳｉＧｅエピタキシャルベース７を成長させる半導体装置の製造方法である。異物除去処理は、前記ドライエッチング処理後からＳｉＧｅエピタキシャルベース７の成長までの間に、被成長基板を酸素雰囲気中において、熱処理を行い、ドライエッチング処理によって、シリコン酸化膜２に堆積した炭素系付着物１０を、シリコン酸化膜２から完全に除去し、これによって、欠陥のないエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）